CN104009153B - 一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备 - Google Patents
一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104009153B CN104009153B CN201410242631.4A CN201410242631A CN104009153B CN 104009153 B CN104009153 B CN 104009153B CN 201410242631 A CN201410242631 A CN 201410242631A CN 104009153 B CN104009153 B CN 104009153B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- p3ht
- film
- magneto
- spin coating
- resistance device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 2-Hexylthiophene Chemical class CCCCCCC1=CC=CS1 QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229940056319 ferrosoferric oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。
Description
技术领域
本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及制备方法。
背景技术
纳米磁性金属颗粒薄膜是一种由纳米尺度的磁性金属颗粒，随机地分布于绝缘母体材料中构成的人工结构纳米功能材料，材料通常由磁性金属颗粒和绝缘体母体两部分组成，具有不同于磁性金属或绝缘体母体的物理性能，如巨霍尔效应、高矫顽力、高频软磁性、磁电阻效应等新颖的物理性质。其中，纳米磁性金属颗粒薄膜的磁电阻效应由于具有高磁场灵敏度而被广泛应用于计算机读出磁头、磁敏传感器件等众多领域中，取得了显著的经济效益和社会效益。
目前绝大多数磁性金属颗粒薄膜是以无机半导体或绝缘体作为母体材料，已被广泛地研究，金属纳米颗粒包括铁、钴、镍、坡莫合金、四氧化三铁等，绝缘体(或无机半导体)母体包括二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、锗等，而对有机半导体材料作为母体的颗粒薄膜磁电阻器件的研究很少。
与无机母体材料相比，有机半导体母体材料具有很多明显的优势：有机半导体材料主要由原子序数较小的C、H、O、N等元素组成，轨道-自旋耦合强度较低，内部超精细相互作用较弱，使得其自旋弛豫时间和弛豫距离比无机半导体高出几个数量级，是理想的半导体自旋传输介质，非常适合应用于磁性金属颗粒薄膜中。此外，以有机半导体材料为母体的电子器件还具有功耗低、重量轻、性能可调、可制作大面积柔性器件、可循环使用等很多优势，具有十分巨大的应用价值。但是，由于金属-有机半导体颗粒薄膜制备较困难，现有的制备多采用共蒸发的方法，而且研究的体系多以Co作为金属纳米材料，如：X.M.Zhao等人提供了一种Co/Alq3颗粒薄膜，研究了其磁电阻效应，在室温下得到-0.23％的负磁电阻(Journal of Magnetism and Mangetic Materials 321，418-422，2009)；P.Sheng等人采用热蒸发的方法制备了一种Co/TPD颗粒薄膜，室温磁电阻为-0.3％(Journal of Alloysand Compounds，477，32-35，2009)；S.Tanabe等人也制备了一种Co-Alq3颗粒薄膜，室温磁电阻为-0.1％(Applied Physics Letters 91，063123，2007)；T.Wen等人制备了Co/P3HT颗粒薄膜，该薄膜没有出现室温磁电阻(Applied Physics Letters 95，082509，2009)。现有的研究成果表明有机颗粒薄膜的室温磁电阻较低，且研究体系十分有限，亟需扩大有机颗粒膜磁电阻器件的材料范围并获得更高的室温磁电阻。
本发明提供一种Ni/P3HT颗粒薄膜，该颗粒薄膜以纳米Ni这种常见的铁磁材料作为颗粒薄膜中的金属颗粒，以聚三己基噻吩(P3HT)这种常见的有机半导体作为颗粒薄膜的母体，采用旋涂与离子束沉积结合的方法制备成金属/有机半导体颗粒薄膜，并在低磁场下获得了-0.46％的室温磁电阻。该制备方法避免了高温加热，减少了对材料结构的破坏，并可以方便地扩展到其它体系中，有望获得更高的室温磁电阻。
发明内容
本发明提供一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件，该器件在有机半导体P3HT薄膜上，通过离子束沉积的方法嵌入Ni的纳米颗粒，形成一种颗粒薄膜结构，与现有的Co基有机半导体颗粒薄膜相比，制备方法更加灵活，扩展性更强，室温磁电阻更高，该Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件室温磁电阻可达到-0.46％以上。
本发明提供一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件，其特征在于制备过程将旋涂与离子束沉积技术相结合。所述的合成方法具体步骤如下：
1)将有机半导体P3HT溶于三氯甲烷有机溶剂中，浓度为10mg/ml，在常温下避光搅拌24小时，使P3HT充分溶解均匀；
2)将步骤1)的混合溶液滴在清洁的玻璃衬底上，打开旋涂仪进行旋涂，旋涂仪转速为1000-4000rpm，旋涂时间为20-60s；
3)将步骤2)的得到的覆盖有P3HT的玻璃片放入真空干燥箱，在80℃的温度下真空干燥10小时，得到P3HT薄膜；
4)将步骤3)得到的P3HT薄膜作为衬底安装在离子束沉积系统的基片转台上，抽真空，当真空室压强低于6.67×10-4Pa后开始沉积镍薄膜，得到最终的Ni/P3HT磁电阻器件；
5)步骤4)所述的离子束沉积过程中，靶材选用99.99％的镍靶，衬底温度保持常温，衬底以20rpm的速率自转；
6)步骤4)所述的离子束沉积过程中，应向真空室通入99.999％的高纯Ar气，真空室的Ar气压强为1.4×10-2Pa，Ar气流量为3sccm，溅射束流为20mA，溅射能量为1000eV，溅射时间为20分钟。
本发明提供的Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件的制备方法，其特征在于该方法制备Ni/P3HT薄膜的过程中，步骤2)所述的旋涂仪转速优选2000rpm，旋涂时间优选30s。
本发明提供了一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法，在器件的制备过程中采用旋涂与离子束沉积技术相结合的两步方法。其中，第一步旋涂工艺十分简便，不需要高温，可以方便地获得所需厚度的均匀的有机薄膜；第二步离子束沉积磁性金属颗粒，巧妙利用有机分子较大、薄膜疏松的特点，利用原子团本身的动能和热运动能量将磁性金属颗粒嵌入到有机层中去，在特定的沉积条件下，形成颗粒薄膜。这种方法灵活简便，不需要加热，与现有薄膜工艺兼容性好，且获得的薄膜质量较高。
附图说明
图1是测量得到的Ni/P3HT颗粒薄膜的室温磁电阻曲线。
具体实施方式
下面将通过具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
将50mg有机半导体P3HT溶于5ml三氯甲烷有机溶剂中，在常温下避光搅拌24小时，使P3HT充分溶解均匀；将混合溶液滴在清洁的玻璃衬底上，打开旋涂仪进行旋涂，旋涂仪转速设为2000rpm，旋涂时间为30s，得到覆盖有P3HT的玻璃片；将玻璃片放入真空干燥箱，在80℃的温度下真空干燥10小时，得到P3HT薄膜；使用中国科学院沈阳科仪中心生产的FJL560C双室超高真空磁控与离子束镀膜装置进行镍薄膜的制备：将制备好的P3HT薄膜基片安装在离子束沉积系统的基片转台上，抽真空，当真空室压强低于6.67×10-4Pa后开始沉积镍薄膜。沉积过程选用纯度为99.99％的镍作为溅射靶材，衬底温度保持常温并以20rpm的速率自转；沉积过程中向真空室通入99.999％的高纯Ar气，真空室的Ar气压强为1.4×10-2Pa，Ar气流量为3sccm，溅射束流为20mA，溅射能量为1000eV，溅射时间为20分钟。沉积完成后，关闭分子泵和机械泵，打开真空室，取出样品，得到最终的Ni/P3HT磁电阻器件。
采用Quantum Design公司的物理性质测试系统(PPMS-9)测量了所得颗粒薄膜的室温磁电阻曲线，测量结果如说明书附图1所示。从图中可以看出，该有机颗粒薄膜磁电阻器件在8kOe磁场下的室温磁电阻达到-0.46％。这里磁电阻定义为MR＝(R0-RH)/R0×100％，其中R0表示在零磁场下的电阻，RH表示在磁场下的电阻。
实施例2
将50mg有机半导体P3HT溶于5ml三氯甲烷有机溶剂中，在常温下避光搅拌24小时，使P3HT充分溶解均匀；将混合溶液滴在清洁的玻璃衬底上，打开旋涂仪进行旋涂，旋涂仪转速设为4000rpm，旋涂时间为30s，得到覆盖有P3HT的玻璃片；将玻璃片放入真空干燥箱，在80℃的温度下真空干燥10小时，得到P3HT薄膜；使用中国科学院沈阳科仪中心生产的FJL560C双室超高真空磁控与离子束镀膜装置进行镍薄膜的制备：将制备好的P3HT薄膜基片安装在离子束沉积系统的基片转台上，抽真空，当真空室压强低于6.67×10-4Pa后开始沉积镍薄膜。沉积过程选用纯度为99.99％的镍作为溅射靶材，衬底温度保持常温并以20rpm的速率自转；沉积过程中向真空室通入99.999％的高纯Ar气，真空室的Ar气压强为1.4×10-2Pa，Ar气流量为3sccm，溅射束流为20mA，溅射能量为1000eV，溅射时间为20分钟。沉积完成后，关闭分子泵和机械泵，打开真空室，取出样品，得到最终的Ni/P3HT磁电阻器件。
采用Dektak 3表面形貌仪测量得到薄膜厚度约为60纳米。
Claims (2)
1.一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件，其特征在于在有机半导体P3HT薄膜上，通过离子束沉积的方法嵌入Ni的纳米颗粒，形成一种颗粒薄膜结构，其特征在于制备过程将旋涂与离子束沉积技术相结合，具体步骤如下：
1)将有机半导体P3HT溶于三氯甲烷有机溶剂中，浓度为10mg/ml，在常温下避光搅拌24小时，使P3HT充分溶解均匀；
2)将步骤1)的混合溶液滴在清洁的玻璃衬底上，打开旋涂仪进行旋涂，旋涂仪转速为1000-4000rpm，旋涂时间为20-60s；
3)将步骤2)的得到的覆盖有P3HT的玻璃片放入真空干燥箱，在80℃的温度下真空干燥10小时，得到P3HT薄膜；
4)将步骤3)得到的P3HT薄膜作为衬底安装在离子束沉积系统的基片转台上，抽真空，当真空室压强低于6.67×10-4Pa后开始沉积镍薄膜，得到最终的Ni/P3HT磁电阻器件；
5)步骤4)所述的离子束沉积过程中，靶材选用99.99％的镍靶，衬底温度保持常温，衬底以20rpm的速率自转；
6)步骤4)所述的离子束沉积过程中，应向真空室通入99.999％的高纯Ar气，真空室的Ar气压强为1.4×10-2Pa，Ar气流量为3sccm，溅射束流为20mA，溅射能量为1000eV，溅射时间为20分钟。
2.如权利要求1所述的Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件，其特征在于所述的器件的制备过程具体步骤中，旋涂仪转速优选2000rpm，旋涂时间优选30s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410242631.4A CN104009153B (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410242631.4A CN104009153B (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104009153A CN104009153A (zh) | 2014-08-27 |
| CN104009153B true CN104009153B (zh) | 2017-01-18 |
Family
ID=51369731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410242631.4A Expired - Fee Related CN104009153B (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104009153B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109273594A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-25 | 南开大学 | 一种基于p3ht的颗粒薄膜磁电阻材料及制备方法 |
| CN110010342B (zh) * | 2019-02-22 | 2020-10-16 | 首都师范大学 | 一种柔性薄膜、器件及调控柔性薄膜局域磁化方向的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101354945A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-01-28 | 复旦大学 | 具有磁电阻效应的磁性复合有机纳米颗粒膜及其制备方法 |
| CN101814582A (zh) * | 2010-04-01 | 2010-08-25 | 复旦大学 | 一种具有横向光伏效应的无机有机半导体复合器件及其制备方法 |
-
2014
- 2014-05-30 CN CN201410242631.4A patent/CN104009153B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101354945A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-01-28 | 复旦大学 | 具有磁电阻效应的磁性复合有机纳米颗粒膜及其制备方法 |
| CN101814582A (zh) * | 2010-04-01 | 2010-08-25 | 复旦大学 | 一种具有横向光伏效应的无机有机半导体复合器件及其制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Comparison of Room Temperature Polymeric Spin-Valves With Different Organic Components;D.Dhandapani et al.;《Magnetics,IEEE Transactions on》;20081217;第44卷(第11期);第2670-2673页 * |
| Granular magnetoresistance in cobalt/poly(3-hexylthiophene,2,5-diyl) hybrid thin films prepared by a wet chemical method;Tianlong Wen et al.;《Applied Physics Letters》;20090827;第95卷(第8期);第082509-1到082509-3页 * |
| Interface morphologies and magnetization characteristics of Co70Fe30 thin films deposited on conjugated polymer thin films;Tobat P.I. Saragi et al.;《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》;20090209;第321卷(第14期);第2204-2209页 * |
| Magnetic properties,microstructures and magnetoresistance effect in Co/Alq3 granular;X.M. Zhao et al.;《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》;20081010;第321卷(第5期);第418-422页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104009153A (zh) | 2014-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Westerström et al. | Surface aligned magnetic moments and hysteresis of an endohedral single-molecule magnet on a metal | |
| Marenkin et al. | Manufacture of magnetic granular structures in semiconductor-ferromagnet systems | |
| CN102270736B (zh) | 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法 | |
| CN100377868C (zh) | 用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途 | |
| CN106711323A (zh) | 一种利用二维材料的磁性异质结构磁性隧道结 | |
| Cornia et al. | Single-molecule magnets on surfaces | |
| Lekshmi et al. | Tunneling magnetoresistance with sign inversion in junctions based on iron oxide nanocrystal superlattices | |
| Wang et al. | Enhanced magnetoresistance in self-assembled monolayer of oleic acid molecules on Fe3O4 nanoparticles | |
| CN104009153B (zh) | 一种颗粒薄膜磁电阻器件及制备 | |
| CN104009152B (zh) | 一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及制备 | |
| CN102496449A (zh) | 一种铁磁/反铁磁双层膜钉扎场方向的调制方法 | |
| CN101944365B (zh) | 一种提高交换偏置薄膜磁性和热稳定性的方法 | |
| CN109273594A (zh) | 一种基于p3ht的颗粒薄膜磁电阻材料及制备方法 | |
| CN106129244A (zh) | L10‑MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法 | |
| CN102345104B (zh) | 一种大磁电阻效应Fe-Ti-O非晶态薄膜的制备方法 | |
| CN101740715B (zh) | 一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法 | |
| Liu et al. | Comparative studies of the structural and magnetic properties in Cu, Co codoped ZnO multilayer films sputtered on different substrates | |
| Choudhary et al. | Size dependence of magneto-resistive behaviour of nano-particle magnetite | |
| CN110129736A (zh) | 一种Fe/C60颗粒薄膜霍尔效应材料及制备方法 | |
| Hu et al. | Realignment of slanted Fe nanorods on silicon substrates by a strong magnetic field | |
| CN110797454A (zh) | 一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法 | |
| Hou et al. | Structural determination and magnetic properties for Co–rubrene composite films on Si (1 0 0) | |
| CN103424131A (zh) | 一种垂直偏置磁传感单元的制备方法 | |
| Morgunov et al. | Ferromagnetic semiconductor nanostructures—future spintronics | |
| CN101186737B (zh) | 氧化铁超细杆阵列的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170118 |