CN110791096B - 一种5g pps薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂65‑80份、超支化聚酰亚胺25‑35份、N‑乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3‑三氟‑1‑丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物10‑15份、氟磷共掺杂纳米云母粉5‑8份、氟化石墨烯3‑6份、五氧化二磷0.5‑1.5份。本发明还提供了所述5G PPS薄膜的制备方法。本发明公开的5G PPS薄膜成本价格低廉,介电常数和介电损耗更低,金属结合力强,耐温阻燃性优异,综合性能佳。
Description
技术领域
本发明涉及复合材料技术领域,尤其涉及一种低介电常数的5G PPS薄膜及其制备方法。
背景技术
近年来,随着科学技术及信息时代的快速发展,移动通信技术也取得了前所未有的进步,高频高速通讯必将成为未来通讯技术的主流发展方向。目前,我国三大运营商已经获得全国范围5G中低频率使用许可,这标志着我国正式进入了5G时代。5G通讯技术是以5G网络为基础的一种技术。5G网络作为第五代移动通信网络,其峰值理论传输速度可达每秒数十GB,比4G网络的传输速度快数百倍,整部超高画质电影可在一秒之内下载完成,它的诞生使得用智能终端分享3D电影、游戏以及超高画质节目的梦想成为现实。
在电子、电器领域,由于5G时代的来临,对电子信号的传输速度及损耗比4G产品的要求更高。在5G时代,电子产品中集成电路向着高密度方向发展,各种元器件及线路线宽尺寸逐渐缩小,其带来的信号串扰、阻容延迟会引起信号传递延迟,并产生功率耗散等负面影响,成为5G通信发展的重大阻碍。在高频高速通信过程中,信号的传输速度、延迟大小、信号干扰及功耗损失等主要去取决于集成电路电介质的介电常数。介电常数越小,信号传输越快、延迟越小、功耗也更低。因此,开发新型具有低介电常数的电介质材料是高频高频5G通信技术领域需要亟待解决的问题之一。
聚苯硫醚(PPS)是一种高性能热塑性树脂,是由硫原子和亚苯基环以对位替换模式形成的聚合物,其分子结构中含有高度稳定的化学键,使其具有优良的耐热性、热稳定性,以及优异的耐腐性、耐化学性,同时还具有很低的介电常数,在高温高湿环境下具有优良的绝缘性,在5G通信领域有着巨大的市场应用潜力。然而,将现有技术中的PPS应用到5G薄膜和基板上,介电常数还有待进一步降低;由于其高分子链为直线型且结构规整,具有不错的纵向拉伸性能,但缺乏弹性以及横向拉伸性能差,限制了其在薄膜中的应用。主要问题是:重均分子量太小,分子量分布不集中,制成的薄膜厚薄不均匀,以及横向拉伸能力不足。
申请公布号为CN105085917A的中国发明专利公开了一种薄膜级聚苯硫醚树脂,主要由硫化钠、碱金属氢氧化物、催化剂、对二氯苯和间二氯苯在220-260℃的环境中反应3-6小时制得。该发明公开的聚苯硫醚薄膜的横向拉伸能力增强,聚合物的重均分子量加大,成型后的薄膜厚度更为均匀。但是该薄膜介电常数有待进一步降低,综合性能、耐候性有待进一步提高,以满足5G薄膜的长期使用要求。
因此,开发一种介电常数低,综合性能优异的5G PPS薄膜符合市场需求,具有广泛的市场价值和应用前景,对促进5G通讯技术的商业化发展具有非常重要的意义。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种5G PPS薄膜及其制备方法,该制备方法工艺简单,操作方便,原料易得,反应条件温和,对设备依赖性小,适合连续规模化生产,具有较高的经济价值和社会价值;制备得到的5G PPS薄膜成本价格低廉,介电常数和介电损耗更低,金属结合力强,耐温阻燃性优异,综合性能佳。
为达到以上目的,本发明提供一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂65-80份、超支化聚酰亚胺25-35份、N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物10-15份、氟磷共掺杂纳米云母粉5-8份、氟化石墨烯3-6份、五氧化二磷0.5-1.5份。
进一步地,所述超支化聚酰亚胺为预先制备,制备方法参见申请公布号为CN109912618 A的中国发明专利实施例1。
进一步地,所述N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物的制备方法,包括如下步骤:将N-乙烯基邻苯亚胺、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯、乙烯基苯磺酸、异丙烯基硼酸频哪醇酯、乙烯基三甲氧基硅烷、引发剂加入到高沸点溶剂中,在氮气或惰性气体氛围,75-85℃下搅拌反应4-6小时,反应结束后在水中沉出,并用乙醇洗涤产物3-6次,后置于真空干燥箱80-90℃下干燥至恒重,得到N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物。
优选地,所述N-乙烯基邻苯亚胺、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯、乙烯基苯磺酸、异丙烯基硼酸频哪醇酯、乙烯基三甲氧基硅烷、引发剂、高沸点溶剂的质量比为1:0.3:0.2:0.3:0.3:(0.02-0.04):(6-10)。
优选地,所述引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化环己酮中的至少一种。
优选地,所述高沸点溶剂为二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种;所述惰性气体为氦气、氖气、氩气中的一种。
进一步地,所述氟磷共掺杂纳米云母粉的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1、将纳米云母粉分散于有机溶剂中,然后向其中加入3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵,在60-80℃下搅拌反应4-6小时,后旋蒸除去溶剂,得到中间体;
步骤S2、将经过步骤S1制成的中间体、单氟磷酸钠加入到水中,在50-60℃下搅拌10-14小时,后用水离心洗涤3-6次,最后置于真空干燥箱80-90℃下干燥至恒重,得到氟磷共掺杂纳米云母粉。
优选地,步骤S1中所述纳米云母粉、有机溶剂、3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵的质量比为(3-5):(9-15):(0.5-1)。
优选地,所述有机溶剂为乙醇、二氯甲烷、丙酮、四氢呋喃中的一种。
优选地,步骤S2中所述中间体、单氟磷酸钠、水的质量比为1:(0.2-0.3):(5-10)。
本发明的另一个目的在于提供一种所述5G PPS薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将各原料按配比混合均匀得到混合物料,然后将混合物料加入到单螺杆挤出流延机中,通过熔融挤出,流延成型,冷却,卷取工艺,得到5G PPS薄膜。
进一步地,所述熔融挤出温度控制在190-220℃。
由于上述技术方案的运用,本发明具有以下有益效果:
(1)本发明公开的5G PPS薄膜,制备方法工艺简单,操作方便,原料易得,反应条件温和,对设备依赖性小,适合连续规模化生产,具有较高的经济价值和社会价值。
(2)本发明公开的5G PPS薄膜,克服了传统PPS薄膜介电常数还有待进一步降低,缺乏弹性以及横向拉伸性能差,制成的薄膜厚薄不均匀的缺陷,具有成本价格低廉,介电常数和介电损耗更低,金属结合力强,耐温阻燃性优异,综合性能佳,机械力学性能和耐候性好的优点。
(3)本发明公开的5G PPS薄膜,以聚苯硫醚树脂、超支化聚酰亚胺为主体材料,复合了这两类材料的优异性能,使得制成的薄膜介电常数和介电损耗更低,添加的N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物中含有N-乙烯基邻苯亚胺和[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯结构,N-乙烯基邻苯亚胺与超支化聚酰亚胺具有相似的结构,[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯与PPS具有相似的结构,使得PPS与超支化聚酰亚胺两者之间的相容性更好;N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物通过多种不同单体之间的共聚,从而有效降低了分子链的堆叠密度,有利于降低介电常数;通过引入氟结构,能进一步降低介电常数损耗。
(4)本发明公开的5G PPS薄膜,N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物中含有N-乙烯基邻苯亚胺和[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯结构上引入的硼、氟、硅结构使得薄膜阻燃性能更佳;乙烯基三甲氧基硅烷结构的引入使得氟磷共掺杂纳米云母粉、氟化石墨烯和五氧化二磷的分散性更好,使得这些无机成分与有机基体之间的相容性更佳,有效改善其性能稳定性,延长其使用寿命。
(5)本发明公开的5G PPS薄膜,通过氟磷共掺杂纳米云母粉,氟化石墨烯和五氧化二磷的添加进一步降低其介电常数和介电损耗,同时还能改善阻燃性,通过弥散强化机制提高薄膜强度,另外,五氧化二磷在薄膜中还起到催化剂的作用,使得N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物支链上的磺酸基与聚苯硫醚树脂、超支化聚酰亚胺上的苯环发生交联反应,形成三维网络结构,有利于进一步改善薄膜的综合性能。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
本发明实施例中所述原料均为商业购买;所述超支化聚酰亚胺为预先制备,制备方法参见申请公布号为CN 109912618 A的中国发明专利实施例1;所述聚苯硫醚树脂为分子量在20000的线性聚苯硫醚树脂。
实施例1
一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂65份、超支化聚酰亚胺25份、N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物10份、氟磷共掺杂纳米云母粉5份、氟化石墨烯3份、五氧化二磷0.5份。
所述N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物的制备方法,包括如下步骤:将N-乙烯基邻苯亚胺100g、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯30g、乙烯基苯磺酸20g、异丙烯基硼酸频哪醇酯30g、乙烯基三甲氧基硅烷30g、偶氮二异丁腈2g加入到二甲亚砜600g中,在氮气氛围,75℃下搅拌反应4小时,反应结束后在水中沉出,并用乙醇洗涤产物3次,后置于真空干燥箱80℃下干燥至恒重,得到N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物。
所述氟磷共掺杂纳米云母粉的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1、将纳米云母粉30g分散于乙醇90g中,然后向其中加入3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵5g,在60℃下搅拌反应4小时,后旋蒸除去溶剂,得到中间体;
步骤S2、将经过步骤S1制成的中间体30g、单氟磷酸钠6g加入到水150g中,在50℃下搅拌10小时,后用水离心洗涤3次,最后置于真空干燥箱80℃下干燥至恒重,得到氟磷共掺杂纳米云母粉。
一种所述5G PPS薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将各原料按配比混合均匀得到混合物料,然后将混合物料加入到单螺杆挤出流延机中,通过熔融挤出,流延成型,冷却,卷取工艺,得到5G PPS薄膜;所述熔融挤出温度控制在190℃。
实施例2
一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂68份、超支化聚酰亚胺27份、N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物11份、氟磷共掺杂纳米云母粉6份、氟化石墨烯4份、五氧化二磷0.7份。
所述N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物的制备方法,包括如下步骤:将N-乙烯基邻苯亚胺100g、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯30g、乙烯基苯磺酸20g、异丙烯基硼酸频哪醇酯30g、乙烯基三甲氧基硅烷30g、偶氮二异庚腈2.5g加入到N,N-二甲基甲酰胺700g中,在氦气氛围,77℃下搅拌反应4.5小时,反应结束后在水中沉出,并用乙醇洗涤产物4次,后置于真空干燥箱82℃下干燥至恒重,得到N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物。
所述氟磷共掺杂纳米云母粉的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1、将纳米云母粉35g分散于二氯甲烷110g中,然后向其中加入3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵7g,在65℃下搅拌反应4.5小时,后旋蒸除去溶剂,得到中间体;
步骤S2、将经过步骤S1制成的中间体30g、单氟磷酸钠7.5g加入到水180g中,在52℃下搅拌11小时,后用水离心洗涤4次,最后置于真空干燥箱82℃下干燥至恒重,得到氟磷共掺杂纳米云母粉。
一种所述5G PPS薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将各原料按配比混合均匀得到混合物料,然后将混合物料加入到单螺杆挤出流延机中,通过熔融挤出,流延成型,冷却,卷取工艺,得到5G PPS薄膜;所述熔融挤出温度控制在197℃。
实施例3
一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂73份、超支化聚酰亚胺30份、N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物13份、氟磷共掺杂纳米云母粉6.5份、氟化石墨烯4.5份、五氧化二磷0.9份。
所述N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物的制备方法,包括如下步骤:将N-乙烯基邻苯亚胺100g、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯30g、乙烯基苯磺酸20g、异丙烯基硼酸频哪醇酯30g、乙烯基三甲氧基硅烷30g、过氧化苯甲酸叔丁酯3g加入到N-甲基吡咯烷酮800g中,在氖气氛围,80℃下搅拌反应5小时,反应结束后在水中沉出,并用乙醇洗涤产物5次,后置于真空干燥箱85℃下干燥至恒重,得到N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物。
所述氟磷共掺杂纳米云母粉的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1、将纳米云母粉40g分散于丙酮130g中,然后向其中加入3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵8g,在70℃下搅拌反应5小时,后旋蒸除去溶剂,得到中间体;
步骤S2、将经过步骤S1制成的中间体30g、单氟磷酸钠8g加入到水230g中,在55℃下搅拌12.5小时,后用水离心洗涤5次,最后置于真空干燥箱85℃下干燥至恒重,得到氟磷共掺杂纳米云母粉。
一种所述5G PPS薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将各原料按配比混合均匀得到混合物料,然后将混合物料加入到单螺杆挤出流延机中,通过熔融挤出,流延成型,冷却,卷取工艺,得到5G PPS薄膜;所述熔融挤出温度控制在205℃。
实施例4
一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂65-80份、超支化聚酰亚胺33份、N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物14份、氟磷共掺杂纳米云母粉7.5份、氟化石墨烯5.5份、五氧化二磷1.3份。
所述N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物的制备方法,包括如下步骤:将N-乙烯基邻苯亚胺100g、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯30g、乙烯基苯磺酸20g、异丙烯基硼酸频哪醇酯30g、乙烯基三甲氧基硅烷30g、引发剂3.7g加入到高沸点溶剂900g中,在氩气氛围,83℃下搅拌反应5.5小时,反应结束后在水中沉出,并用乙醇洗涤产物6次,后置于真空干燥箱88℃下干燥至恒重,得到N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物。
所述引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化环己酮的质量比为1:1:3:2混合而成;所述高沸点溶剂为二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮按质量比1:3:5混合而成。
所述氟磷共掺杂纳米云母粉的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1、将纳米云母粉45g分散于四氢呋喃145g中,然后向其中加入3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵9.5g,在78℃下搅拌反应5.7小时,后旋蒸除去溶剂,得到中间体;
步骤S2、将经过步骤S1制成的中间体30g、单氟磷酸钠8.5g加入到水280g中,在58℃下搅拌13小时,后用水离心洗涤6次,最后置于真空干燥箱88℃下干燥至恒重,得到氟磷共掺杂纳米云母粉。
一种所述5G PPS薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将各原料按配比混合均匀得到混合物料,然后将混合物料加入到单螺杆挤出流延机中,通过熔融挤出,流延成型,冷却,卷取工艺,得到5G PPS薄膜;所述熔融挤出温度控制在210℃。
实施例5
一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂80份、超支化聚酰亚胺35份、N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物15份、氟磷共掺杂纳米云母粉8份、氟化石墨烯6份、五氧化二磷1.5份。
所述N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物的制备方法,包括如下步骤:将N-乙烯基邻苯亚胺100g、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯30g、乙烯基苯磺酸20g、异丙烯基硼酸频哪醇酯30g、乙烯基三甲氧基硅烷30g、过氧化环己酮4g加入到二甲亚砜1000g中,在氮气氛围,85℃下搅拌反应6小时,反应结束后在水中沉出,并用乙醇洗涤产物6次,后置于真空干燥箱90℃下干燥至恒重,得到N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物。
所述氟磷共掺杂纳米云母粉的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1、将纳米云母粉50g分散于二氯甲烷150g中,然后向其中加入3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵10g,在80℃下搅拌反应6小时,后旋蒸除去溶剂,得到中间体;
步骤S2、将经过步骤S1制成的中间体30g、单氟磷酸钠9g加入到水300g中,在60℃下搅拌14小时,后用水离心洗涤6次,最后置于真空干燥箱90℃下干燥至恒重,得到氟磷共掺杂纳米云母粉。
一种所述5G PPS薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将各原料按配比混合均匀得到混合物料,然后将混合物料加入到单螺杆挤出流延机中,通过熔融挤出,流延成型,冷却,卷取工艺,得到5G PPS薄膜;所述熔融挤出温度控制在220℃。
对比例1
本发明提供一种5G PPS薄膜,其配方及制备方法与实施例1相似,不同的是没有添加超支化聚酰亚胺和氟化石墨烯。
对比例2
本发明提供一种5G PPS薄膜,其配方及制备方法与实施例1相似,不同的是没有添加N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物和氟磷共掺杂纳米云母粉。
对比例3
本发明提供一种5G PPS薄膜,其配方及制备方法与实施例1相似,不同的是用纳米云母粉代替氟磷共掺杂纳米云母粉,没有添加氟化石墨烯。
对比例4
本发明提供一种5G PPS薄膜,其配方及制备方法与实施例1相似,不同的是没有添加氟化石墨烯和N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物。
将以上实施例1-5及对比例1-4制备的5G PPS薄膜进行相关性能测试,测试结果和测试方法见表1。
表1
项目 | 介电常数 | 拉伸强度 | 弯曲强度 |
单位 | — | MPa | MPa |
测试标准 | GB/T11297.11-2015 | GB/T1040.1-2006 | GB/T9341-2008 |
实施例1 | 3.03 | 112.2 | 138 |
实施例2 | 2.89 | 113.5 | 142 |
实施例3 | 2.76 | 114.0 | 145 |
实施例4 | 2.65 | 114.8 | 146 |
实施例5 | 2.50 | 115.3 | 148 |
对比例1 | 3.20 | 99.3 | 127 |
对比例2 | 3.23 | 98.6 | 125 |
对比例3 | 3.22 | 103.0 | 130 |
对比例4 | 3.33 | 103.5 | 129 |
从表1可见,本发明实施例公开的5G PPS薄膜,具有优异的机械力学性能,且介电常数更低,这是各原料成分协同作用的结果。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (5)
1.一种5G PPS薄膜,其特征在于,由如下重量份的各原料制成:聚苯硫醚树脂65-80份、超支化聚酰亚胺25-35份、N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物10-15份、氟磷共掺杂纳米云母粉5-8份、氟化石墨烯3-6份、五氧化二磷0.5-1.5份;
所述N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物的制备方法,包括如下步骤:将N-乙烯基邻苯亚胺、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯、乙烯基苯磺酸、异丙烯基硼酸频哪醇酯、乙烯基三甲氧基硅烷、引发剂加入到高沸点溶剂中,在氮气或惰性气体氛围,75-85℃下搅拌反应4-6小时,反应结束后在水中沉出,并用乙醇洗涤产物3-6次,后置于真空干燥箱80-90℃下干燥至恒重,得到N-乙烯基邻苯亚胺/[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯/乙烯基苯磺酸/异丙烯基硼酸频哪醇酯/乙烯基三甲氧基硅烷共聚物;所述N-乙烯基邻苯亚胺、[(3,3,3-三氟-1-丙烯基)硫基]苯、乙烯基苯磺酸、异丙烯基硼酸频哪醇酯、乙烯基三甲氧基硅烷、引发剂、高沸点溶剂的质量比为1:0.3:0.2:0.3:0.3:(0.02-0.04):(6-10);
所述氟磷共掺杂纳米云母粉的制备方法,包括如下步骤:
步骤S1、将纳米云母粉分散于有机溶剂中,然后向其中加入3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵,在60-80℃下搅拌反应4-6小时,后旋蒸除去溶剂,得到中间体;所述纳米云母粉、有机溶剂、3-三乙氧基硅基丙基三甲基氯化铵的质量比为(3-5):(9-15):(0.5-1);所述有机溶剂为乙醇、二氯甲烷、丙酮、四氢呋喃中的一种;
步骤S2、将经过步骤S1制成的中间体、单氟磷酸钠加入到水中,在50-60℃下搅拌10-14小时,后用水离心洗涤3-6次,最后置于真空干燥箱80-90℃下干燥至恒重,得到氟磷共掺杂纳米云母粉;所述中间体、单氟磷酸钠、水的质量比为1:(0.2-0.3):(5-10)。
2.根据权利要求1所述的5G PPS薄膜,其特征在于,所述引发剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化环己酮中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的5G PPS薄膜,其特征在于,所述高沸点溶剂为二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种;所述惰性气体为氦气、氖气、氩气中的一种。
4.根据权利要求1-3任一项所述的5G PPS薄膜,其特征在于,所述5G PPS薄膜的制备方法,包括如下步骤:将各原料按配比混合均匀得到混合物料,然后将混合物料加入到单螺杆挤出流延机中,通过熔融挤出,流延成型,冷却,卷取工艺,得到5G PPS薄膜。
5.根据权利要求4所述的5G PPS薄膜,其特征在于,所述熔融挤出温度控制在190-220℃。
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