CN110770855B

CN110770855B - 绝缘电线

Info

Publication number: CN110770855B
Application number: CN201880039574.6A
Authority: CN
Inventors: 前田修平; 山内雅晃; 梅本登纪子; 田村康
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd; Sumitomo Electric Wintec Inc
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd; Sumitomo Electric Wintec Inc
Priority date: 2017-06-15
Filing date: 2018-06-15
Publication date: 2021-11-19
Anticipated expiration: 2038-06-15
Also published as: JP7213805B2; WO2018230705A1; CN110770855A; JPWO2018230705A1; US20200118705A1

Abstract

一种绝缘电线(1)包括具有线形形状的导体(10)和形成为覆盖所述导体的外周的绝缘膜(20)。所述绝缘膜(20)由具有包含PMDA‑ODA‑型重复单元A和BPDA‑ODA‑型重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成，所述重复单元B的数量与所述重复单元A和所述重复单元B的总数量的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)为超过55摩尔％。具有7％分离伸长率的所述绝缘膜(20)的第一样品具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀，或具有40％分离伸长率的所述绝缘膜(20)的第二样品具有1.2以上的比率M₃₀/M₁₀。

Description

绝缘电线

技术领域

本公开涉及一种绝缘电线。本申请要求享有在2017年6月15日提交的日本专利申请第2017-117609号和在2017年6月15日提交的日本专利申请第2017-117610号的优先权，其通过整体引用并入本文。

背景技术

专利文献1公开一种具有高耐热性，具有高耐龟裂性，并且较少可能引起电晕放电的绝缘电线。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第2013-253124号

发明内容

技术方案

根据本公开的第一方面的绝缘电线包括具有线形形状的导体和形成为覆盖所述导体的外周的绝缘膜。所述绝缘膜由具有包含由以下通式(1)表示的重复单元A和由以下通式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成，

(化学式1)

(化学式2)

所述重复单元B的摩尔数与所述重复单元A和所述重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％。

在具有7％分离伸长率的所述绝缘膜的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率时的拉伸应力M₆₀与在 10％伸长率时的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2以上。

根据本公开的第二方面的绝缘电线包括具有线形形状的导体和形成为覆盖所述导体的外周的绝缘膜。所述绝缘膜由具有包含由以下通式(1)表示的重复单元A和由以下通式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成。

(化学式3)

(化学式4)

所述重复单元B的摩尔数与所述重复单元A和所述重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％，

在具有40％分离伸长率的所述绝缘膜的第二样品上在10mm/min 下实施的拉伸测试中，在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为1.2以上。

附图说明

图1为绝缘电线的示意截面图。

图2为在第一样品的拉伸测试中的绝缘膜的应力-应变曲线示意图。

图3为在第二样品的拉伸测试中的绝缘膜的应力-应变曲线示意图。

图4为在制备绝缘电线的过程中的步骤的流程图。

图5为绝缘电线的示意截面图。

图6为绝缘膜的X射线曲线。

图7为在制备绝缘电线的过程中的步骤的流程图。

图8为根据实施例2-1的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

图9为根据实施例2-2的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

图10为根据实施例2-3的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

图11为根据比较实施例2-1的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

图12为根据比较实施例2-2的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

图13为根据比较实施例2-3的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

图14为根据比较实施例2-4的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

图15为根据比较实施例2-5的绝缘膜的散射X射线曲线和衍射图曲线。

具体实施方式

[本公开所要解决的问题]

聚酰亚胺被用作在绝缘电线的绝缘膜中的优良的绝缘材料。随着电气和电子元件的应用增加，然而，与以前相比绝缘电线越来越多地应用在更恶劣环境中。因此，绝缘膜需要具有比现有绝缘电线高的耐久性。例如，需要一种包含具有即使长期暴露于恶劣环境中，比如高温和高湿环境中，较少降解的绝缘膜的绝缘电线(具有高耐湿热降解性)。

因此，一个目的是提供一种包含具有高耐湿热降解性的绝缘膜的绝缘电线。

[本公开的有益效果]

能提供一种包含具有高耐湿热降解性的绝缘膜的绝缘电线。

[本公开的实施方式描述]

首先，对本公开的实施方式描述如下。根据本公开的第一实施方式的绝缘电线包括具有线形形状的导体和形成为覆盖所述导体外周的绝缘膜。所述绝缘膜是由具有包含由下式(1)表示的重复单元A和由下式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成，所述重复单元B的摩尔数与所述重复单元A和所述重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％。在具有7％分离伸长率的绝缘膜的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2以上。

根据本公开的第二实施方式的绝缘电线包括具有线形形状的导体和形成为覆盖所述导体外周的绝缘膜。绝缘膜是由具有包含由式(1) 表示的重复单元A和由式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成，所述重复单元B的摩尔数与所述重复单元A和所述重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％。在具有40％分离伸长率的绝缘膜的第二样品上以10mm/min实施的拉伸测试中，在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为1.2以上。

最广泛使用的聚酰亚胺是由均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4’-二氨基二苯醚(4,4’-对氨基二苯醚(ODA))组成的PMDA-ODA型聚酰亚胺。PMDA-ODA型聚酰亚胺具有仅由式(1)表示的PMDA-ODA 型重复单元A组成的分子结构。PMDA-ODA型聚酰亚胺是一种具有高耐热性和绝缘性能的材料。因此，将PMDA-ODA型聚酰亚胺应用在绝缘电线的绝缘膜中。

随着电气和电子元件的应用增加，然而，与以前相比绝缘电线越来越多地应用在更恶劣环境中。因此，需要一种包含具有比现有绝缘电线高的耐久性的绝缘膜的绝缘电线。例如，在恶劣环境中比如在高温和高湿环境中也使用绝缘电线。在这样的情况下，当长期暴露于高温和高湿环境中时一些酰亚胺基团可被水解。恶劣、高温和高湿环境可以显著地降低分子量，引起裂纹，并且损害绝缘层的功能。因此，需要一种包含具有即使长期暴露于高温和高湿环境时较少降解性(具有高耐湿热降解性)的绝缘膜的绝缘电线。

组成根据本公开的绝缘电线的绝缘膜的聚酰亚胺包括，与重复单元A一起，预定比率的由3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐(BPDA)和ODA 组成的BPDA-ODA型重复单元B作为聚酰亚胺的结构单元。本发明的发明人的调查研究显示即使长期暴露于高温和高湿环境中这样的聚酰亚胺比仅由重复单元A组成的PMDA-ODA型聚酰亚胺经历更少的降解。更具体地，在聚酰亚胺中当重复单元B的摩尔数和重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％时提高了聚酰亚胺绝缘膜在高温和高湿环境中的耐水解性。

本发明的发明人的调查研究显示仅通过BPDA-ODA型重复单元B 的耐水解性的提高不足以更充分地减少裂缝或裂纹。更具体地，发现在具有7％分离伸长率的绝缘膜的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，如果在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为小于1.2，即使摩尔比 [B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％，长期在高温和高湿环境中的暴露也可能引起裂纹。

还发现在具有40％分离伸长率的绝缘膜的第二样品上以 10mm/min实施的拉伸测试中，如果在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力的比率M₃₀/M₁₀小于1.2，即使摩尔比 [B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％，长期在高温和高湿环境中的暴露也可能引起裂纹。

例如，这可能是由于以下原因。在绝缘膜的拉伸测试中，绝缘膜最初在弹性变形主导态下被拉长并且然后在高伸长率区域在塑性变形主导态下被拉长。在第一样品中小于1.2的比率M₆₀/M₁₀或在第二样品中小于1.2的比率M₃₀/M₁₀表示在塑性变形主导区域应力没有显著地增加。这可能是由于在塑性变形期间聚酰亚胺内容易分子间滑动。在这样的容易分子间滑动状态下，即使轻微的水解也能引起在水解部分的分子间滑动并且倾向引起裂纹。因此，当长期暴露于高温和高湿环境中时在第一样品中具有小于1.2的比率M₆₀/M₁₀或在第二样品中具有小于1.2的比率M₃₀/M₁₀的聚酰亚胺可能具有裂缝或裂纹。

另一方面，在第一样品中具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀或在第二样品中具有1.2以上的比率M₃₀/M₁₀的聚酰亚胺在高伸长率区域较少可能具有分子间滑动并且较少可能具有裂缝或裂纹。因此，发现非常重要的是指定聚酰亚胺的结构单元比率并使在较高伸长率下的应力与在较低伸长率下的应力保持至少一定比率以确保在高温和高湿环境中的高耐久性。因此，超过55摩尔％的由[B/(A+B)]×100(摩尔％)表示的摩尔比和在第一样品中具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀或在第二样品中具有1.2以上的比率M₃₀/M₁₀的绝缘膜能用来提供包含较少缺陷的聚酰亚胺绝缘膜的绝缘电线。

在绝缘电线中，由[B/(A+B)]×100(摩尔％)表示的聚酰亚胺的摩尔比优选小于80摩尔％。这促进了具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀或具有 1.2以上的比率M₃₀/M₁₀的聚酰亚胺的制备。

根据本公开的第三实施方式的绝缘电线包括线形导体和设置为覆盖所述导体的外周的绝缘膜。所述绝缘膜由具有包含式(1)表示的重复单元A和式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成，所述重复单元B的数量与所述重复单元A和所述重复单元B的总数量的比率为60摩尔％以上。在10度以上且41度以下的衍射角2θ下通过 X射线衍射法分析的所述绝缘膜的散射X射线曲线中，在从散射X射线曲线中提取的衍射图曲线和基线之间的第二区域的面积与在散射X 射线曲线和基线之间的第一区域的面积的比率(下文中也称为“分子规则峰比(molecular regularity peak ratio)”)为15％以下。通过{(B)/[(A) +(B)]}×100(摩尔％)表示重复单元B的数量与重复单元A和重复单元B的总量的比率，其中(A)表示重复单元A的摩尔数，以及(B) 表示重复单元B的摩尔数。

最广泛使用的聚酰亚胺是由均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4’-二氨基二苯醚(4,4’-对氨基二苯醚(ODA))组成的PMDA-ODA型聚酰亚胺。PMDA-ODA型聚酰亚胺具有仅由式(1)表示的PMDA-ODA- 型重复单元A组成的分子结构。PMDA-ODA型聚酰亚胺是一种具有高耐热性和绝缘性能的材料。因此，将PMDA-ODA型聚酰亚胺应用于绝缘电线的绝缘膜中。

随着电气和电子元件的应用增加，然而，与以前相比绝缘电线越来越多地应用在更恶劣环境中。因此，需要一种包含具有比现有绝缘电线高的耐久性的绝缘膜的绝缘电线。例如，在恶劣环境中比如高温和高湿环境中也使用绝缘电线。在这样的情况下，当长期暴露于高温和高湿环境中时一些酰亚胺基团可以被水解。恶劣、高温和高湿环境可显著地降低分子量，引起裂纹，并且损害绝缘层的功能。因此，需要一种包含即使长期暴露于高温和高湿环境具有较少降解(具有高耐湿热降解性)的绝缘膜的绝缘电线。

组成根据本公开的第三实施方式的绝缘电线的绝缘膜的聚酰亚胺包括，与重复单元A一起，预定比率的由3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐 (BPDA)和ODA组成的BPDA-ODA型重复单元B作为聚酰亚胺的结构单元。本发明人的调查研究显示即使长期暴露于高温和高湿环境中，这样的聚酰亚胺比仅由重复单元A组成的PMDA-ODA型聚酰亚胺经历较少的降解。更具体地，在聚酰亚胺中当重复单元B的数量和重复单元A与重复单元B的总数量的比率为60摩尔％以上时提高了聚酰亚胺绝缘膜在高温和高湿环境中的耐水解性。

本发明的发明人的调查研究发现仅通过BPDA-ODA型重复单元B 的耐水解性的提高不足以更充分地减少裂缝或裂纹。更具体地，发现当分子规则峰比超过15％时，即使重复单元B的数量为60摩尔％以上长期在高温和高湿环境中的暴露也可能引起裂纹。

这可能因为当应力应用于聚酰亚胺分子时，一个BPDA-ODA型链段(重复单元B)能在在分子之间的另外的BPDA-ODA型链段上容易地滑动。在这样的容易分子之间滑动状态下，如果通过水解形成一个降解点，能够容易发展从降解点开始的裂纹。然而，本发明人的调查研究显示当分子规则峰比为15％以下时，即使长期在高温和高湿环境的暴露也较少的引起或发展裂纹。

分子规则峰比表示由聚酰亚胺形成的绝缘膜的分子排布的规则性。分子排布的高规则性可能导致较少的分子纠缠和更多滑动。相比之下， 15％以下的分子规则峰比可能导致足够的分子排布的低规则性，更多的分子纠缠和有限的分子间滑动。因此，能够提供了一种包含具有对高温和高湿环境的高耐性的聚酰亚胺绝缘膜的绝缘电线。

在绝缘电线中，重复单元B的数量与重复单元A和重复单元B的总量的比率优选为小于80摩尔％。这促进了具有15％以下的分子规则峰比的聚酰亚胺的绝缘膜的形成。

[本公开的实施方式的详细说明]

以下参照附图说明根据本公开的绝缘电线的实施方式和制备绝缘电线的方法。在图中，完全相同的或相当的部分通过相同的参考数字表示并且不再累述。

(第一实施方式)

[绝缘电线的结构]

首先，对根据本实施方式的绝缘电线1描述如下。图1是绝缘电线的示意截面图。在图1中，根据本实施方式的绝缘电线1包括具有线形形状的导体10和形成为覆盖导体10的外周的绝缘膜20。

例如，导体10优选由具有高电导率和高机械强度的金属形成。这样的金属的实例包括铜、铜合金、铝、铝合金、镍、银、软铁、钢、和不锈钢。绝缘电线的导体10可以由这些金属中的一种线形地成型材料或通过另外的金属包覆这样的线形金属制备的多层结构形成，例如，镍包覆的铜线、银包覆的铜线、铜包覆的铝线、或铜包覆的钢线。

根据用途，导体10可以具有任一直径。尽管在图1中导体10和绝缘电线1具有圆形的截面形状，但如果导体10是线形的，导体10 和绝缘电线1可以具有任一截面形状。例如，关于垂直于长度方向的横截面，具有长方形或多边形的截面形状的导体10可以代替具有圆形的截面形状的导体10。

形成覆盖导体10的外周的绝缘膜20。例如，绝缘膜20分层堆积在导体10的外周上。绝缘膜20可以由单层绝缘层或多层绝缘层组成。在由多层绝缘层组成的绝缘电线1中，将各绝缘层从导体10的横截面的中心至外周依次地分层堆积。在这种情况下，例如，各绝缘层可以具有1μm以上且5μm以下的平均厚度。例如，多层绝缘层可以具有 10μm以上且200μm以下的平均总厚度。例如，多层绝缘层的总数可以为2以上且200以下。

组成绝缘膜20的单层绝缘层或多层绝缘层的各层由具有包含式(1) 表示的重复单元A和式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成。在分子结构中，重复单元B的摩尔数与重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％。当摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％时，当长期暴露于高温和高湿环境中时绝缘膜20能够具有高耐水解性。

聚酰亚胺的水解是在绝缘膜20中的裂缝或裂纹的部分原因。优选增加重复单元B含量来提高聚酰亚胺的耐水解性。能够提高聚酰亚胺的耐水解性来增强耐湿热降解性。因此，高重复单元B含量可以导致具有高耐湿热降解性的绝缘电线1。更具体地，重复单元B的摩尔数与重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)应超过55摩尔％。

摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)优选为超过60摩尔％。超过60 摩尔％的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)可以导致具有较高的耐湿热降解性的绝缘电线1。摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)优选为小于80 摩尔％。如下所述，在小于80摩尔％的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％) 时，容易制备在第一样品中具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀或第二样品中具有1.2以上的比率M₃₀/M₁₀的聚酰亚胺。

在绝缘电线1中，在具有7％分离伸长率的绝缘膜20的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2 以上。

在绝缘电线1中，在具有40％分离伸长率的绝缘膜20的第二样品上在10mm/min下实施的拉伸测试中，在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为1.2以上。

在此使用的术语“分离伸长率”，指的是当由绝缘电线1制备绝缘膜20的拉伸测试样品时绝缘电线1的伸长率(％)。在绝缘电线1中直接将导体10从绝缘膜20分离是不容易的。为由绝缘电线1制备绝缘膜20的拉伸测试样品(第一样品或第二样品)，例如，用拉力试验机将包含导体10和绝缘膜20两者的绝缘电线1拉长至预定长度来促进导体10从绝缘膜20的分离。随后，例如，将导体10经历电解(例如，在盐水中电解)以在导体10和绝缘膜20之间形成间隙，从绝缘膜20 分离导体10，并且因此分离绝缘膜20。在拉伸测试中分离的绝缘膜20 被用作第一样品或第二样品。尽管没有特别地限制，例如，在盐水中的电解可以在以下条件下实施：盐水浓度：5％，电极：阳极＝碳电极，阴极＝导体10，电压＝20V。

用拉力试验机等促进导体10从绝缘膜20的分离的伸长率被称作分离伸长率。在此使用的短语“7％分离伸长率”表示在这个初始分离中绝缘电线1至原长的107％的伸长率。在此使用的短语“40％分离伸长率”表示在这个初始分离中绝缘电线1至原长的140％的伸长率。

根据绝缘电线1的状态等可以适当地选择由绝缘膜20制备的第一样品或第二样品。例如，如果在绝缘电线1中导体10从绝缘膜20的分离是相对容易的，在7％分离伸长率下导体10可以从绝缘膜20分离，并且可以制备第一样品作为拉伸测试样品。如果需要充分的预处理来促进导体10从绝缘膜20的分离，在40％分离伸长率下导体10从绝缘膜20分离，并且可以制备第二样品作为拉伸测试样品。第一样品和第二样品两者都可以由相同的绝缘电线1制备。

通常，在导体10和绝缘膜20之间的较小的界面面积倾向导致绝缘膜20相对地较容易的分离。垂直于纵向的导体10的横截面的较小的面积导致较小的界面面积。因此，例如，对于圆线(在其中导体10 具有垂直于纵向方向的圆形的横截面的绝缘电线1)，第一样品和第二样品两者都倾向容易地由具有小的线直径的电线制备。

界面面积也取决于导体10的尺寸和导体10的形状。例如，对于在其中导体10具有垂直于纵向方向的圆形横截面的圆线，导体10的较大线直径倾向导致在制备第一样品时较大的困难。因此，对于在其中导体10具有相对大的截面面积的绝缘电线1，制备第二样品用于在拉伸测试中评价。在其中圆形横截面的直径与正方形横截面的边长相同的圆线和长方形线(在其中导体10具有垂直于纵向方向的四角形的横截面的绝缘电线1)之间的比较显示在圆线中的导体10具有较小的侧面积。侧面积相当于导体10和绝缘膜20之间的界面面积。因此，在圆线和相同尺寸的长方形线之间的比较中，第一样品和第二样品都倾向更容易由圆线制备。与圆线相比，制备和测试第二样品倾向于往往更适合在长方形线中。

参照图2，对在具有7％分离伸长率的绝缘膜20的第一样品上在 10mm/min拉伸速度下实施的拉伸测试中的拉伸应力M₁₀、拉伸应力 M₆₀和比率M₆₀/M₁₀之间的关系描述如下。图2是在第一样品的拉伸测试中绝缘膜20的应力-应变曲线的示意图。应力-应变曲线30对应于 1.6的比率M₆₀/M₁₀。M₁₀表示在10％伸长率下的拉伸应力，以及M₆₀表示在60％伸长率下的拉伸应力。应力-应变曲线32对应1.18的比率 M₆₀/M₁₀。在对应于1.2以上的比率M₆₀/M₁₀的应力-应变曲线30中，在超过10％的伸长率下斜率大。相比之下，在对应于小于1.2的比率M₆₀/M₁₀的应力-应变曲线32中，在超过10％的伸长率下斜率小。

在图2中的应力-应变曲线30(实线)显示包含具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀的绝缘膜20的绝缘电线1即使长期暴露于高温和高湿环境中也较少的可能具有缺陷，如裂缝或裂纹。相比之下，应力-应变曲线 32(虚线)显示包含具有小于1.2的比率M₆₀/M₁₀的绝缘膜20的绝缘电线1当长期暴露于高温和高湿环境中时可能具有缺陷，如裂缝或裂纹。

例如，这可能是由于以下原因。在图2中，当由聚酰亚胺形成的绝缘膜20被拉长时，绝缘膜20最初在弹性形变主导态被拉长并且然后在塑性形变主导态被拉长。对于聚酰亚胺，在大约10％以下的伸长率下弹性形变占主导地位，以及在超过10％的伸长率下塑性形变占主导地位。因此，在60％的伸长率时塑性形变占主导地位。在塑性形变中，分子相互滑动并在拉伸方向上移动，以及塑性形变中的应力取决于分子间作用力或分子纠缠的数目。因此，较低比率M₆₀/M₁₀导致较弱的分子间作用力或较少分子纠缠，并且分子更可能连续不断地相互滑动。因此，容易发展裂纹。

较高重复单元B含量导致较高分子刚性，较少的分子纠缠和较低的比率M₆₀/M₁₀。在绝缘膜20的第一样品中满足1.2以上的比率M₆₀/M₁₀的条件能够提供具有较少缺陷的绝缘电线1。

接下来，参照图3对在具有40％分离伸长率的绝缘膜20的第二样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中的拉伸应力M₁₀、拉伸应力M₃₀和比率M₃₀/M₁₀之间的关系描述如下。图3是在第二样品的拉伸测试中的绝缘膜20的应力-应变曲线的示意图。应力-应变曲线40 对应于1.3的比率M₃₀/M₁₀。M₁₀表示在10％伸长率下的拉伸应力，以及M₃₀表示在30％伸长率下的拉伸应力。

在当导体10从绝缘膜20分离时的时间段上，与具有7％分离伸长率的第一样品相比，在具有40％分离伸长率的第二样品中绝缘膜20具有一些永久变形。

在第二样品中的比率M₃₀/M₁₀显示在塑性形变主导态下拉伸应力增加的程度。如上所述，在塑性形变中，分子相互滑动并且在拉伸方向上移动，以及在塑性形变中的应力取决于分子间作用力或分子纠缠的数目。因此，在第二样品中较低的比率M₃₀/M₁₀导致较弱的分子间作用力或较少的分子纠缠，以及分子更可能连续不断地相互滑动。因此，容易发展裂纹。因此，对于第一样品中的比率M₆₀/M₁₀，以相同的方式，在绝缘膜20的第二样品中满足1.2以上的比率M₃₀/M₁₀的条件能够提供具有较少的缺陷的绝缘电线1。

如上所述，基于在耐水解性和塑性形变中的分子间滑动之间的关系，绝缘膜20应满足条件(1)：绝缘膜20由在其中重复单元B的摩尔数与重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100 (摩尔％)为超过55摩尔％的聚酰亚胺形成。

进一步地，绝缘膜20应满足以下条件(2)和(3)中的至少一个。

(2)在具有7％分离伸长率的绝缘膜20的第一样品上在10mm/min 的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2以上。

(3)在具有40％分离伸长率的绝缘膜20的第二样品上在 10mm/min下实施的拉伸测试中，在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在 10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为1.2以上。

绝缘膜20只需满足条件(1)且条件(2)与(3)中的至少一个。绝缘膜20可以满足条件(1)和条件(2)与(3)两者。例如，由相同绝缘电线1制备的具有7％分离伸长率的第一样品和具有40％分离伸长率的第二样品可以满足比率M₆₀/M₁₀和比率M₃₀/M₁₀两个条件。例如，如果在7％伸长率下难以将绝缘膜20从导体10分离，或者如果第一样品不能具有足够的伸长率来计算比率M₆₀/M₁₀，在40％分离伸长率下实施初始分离来将绝缘膜20从导体10分离，并且因此生成的第二样品可以具有1.2以上的M₃₀/M₁₀比率。

在第一样品中的比率M₆₀/M₁₀和在第二样品中的比率M₃₀/M₁₀不仅取决于聚酰亚胺的组成(重复单元比率)而且取决于分子量和清漆的合成条件。因此，仅从摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)中确定比率 M₆₀/M₁₀或比率M₃₀/M₁₀是不可能的。然而，在超过55摩尔％且小于80 摩尔％的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)中，容易控制由在第一样品中具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀或在第二样品中具有1.2以上的比率 M₃₀/M₁₀的聚酰亚胺形成的绝缘膜20的制备。因此，为制备在第一样品中具有1.2以上的比率M₆₀/M₁₀或在第二样品中具有1.2以上的比率 M₃₀/M₁₀的聚酰亚胺，摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)优选为超过55 摩尔％且小于80摩尔％，并且摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)优选为超过60摩尔％且小于80摩尔％。

[其他层]

根据本实施方式的绝缘电线1可进一步包括除了绝缘膜20之外的层。例如，可在导体10和绝缘膜20之间设置由另外的树脂形成的树脂覆盖层，也就是，绝缘膜20的径向内侧。树脂覆盖层的实例包括由 PMDA-和ODA-衍生重复单元组成的PMDA-ODA聚酰亚胺层，包含来源于除了PMDA和BPDA的四羧酸二酐成分的重复单元的聚酰亚胺层，以及包含来源于除了ODA的二胺成分的重复单元的聚酰亚胺层。除了聚酰亚胺外的树脂覆盖层的实例包括由另外的绝缘树脂形成的覆盖层，如聚酰胺酰亚胺层或聚醚酰亚胺层。当这些树脂设置在绝缘膜20的径向内侧时，通过绝缘膜20的防护作用维持整个绝缘电线1的耐水解性。因此，即使树脂覆盖层具有比绝缘膜20低的耐水解性，也充分地维持整个绝缘电线1的耐湿热降解性。

除了PMDA和BPDA，四羧酸二酐成分的实例包括3,3’,4,4’-苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、4,4’-二苯醚二酐、2,2’,3,3’-苯甲酮四羧酸二酐、2,2,-二(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2,-二(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-二(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-二(2,3-二羧基苯基) 乙烷二酐、二(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、二(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、二(3,4-二羧基苯基)砜二酐、二(3,4-二羧基苯基)醚二酐、 1,2,5,6-萘四羧酸二酐和2,3,6,7-萘四羧酸二酐。列出二甲基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二氨基二苯基甲烷等。

除了ODA，二胺成分的实例包括二氨基二苯醚(ODA)，比如4,4’- 二氨基二苯醚(4,4’-ODA)、3,4’-二氨基二苯醚(3,4’-ODA)、3,3’-二氨基二苯醚(3,3’-ODA)、2,4’-二氨基二苯醚(2,4’-ODA)和2,2’-二氨基二苯醚(2,2’-ODA)、2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)、 4,4’-二(4-氨基苯氧基)联苯(BAPB)、4,4’-二氨基二苯甲烷、3,4’- 二氨基二苯甲烷、3,3’-二氨基二苯甲烷、2,4’-二氨基二苯甲烷、2,2’- 二氨基二苯甲烷、4,4’-二氨基二苯砜、3,4’-二氨基二苯砜、3,3’-二氨基二苯砜、2,4’-二氨基二苯砜、2,2’-二氨基二苯砜、4,4’-二氨基二苯基硫醚、3,4’-二氨基二苯基硫醚、3,3’-二氨基二苯基硫醚、2,4’-二氨基二苯基硫醚、2,2’-二氨基二苯基硫醚、对苯二胺(PPD)、间苯二胺、对二甲苯二胺、间二甲苯二胺、2,2’-二甲基-4,4’-二氨基联苯、1,5-二氨基萘、 4,4’-苯并苯二胺、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基二苯甲烷和3,3’,5,5’-四甲基 -4,4’-二氨基二苯甲烷。

根据本实施方式的绝缘电线1可以进一步包括绝缘膜20的径向外侧的包覆层。包覆层的实例包括表面润滑层。

[绝缘电线的制备]

接下来，参照图1和图4对制备根据本实施方式的绝缘电线1的方法中的步骤描述如下。图4是制备绝缘电线1的过程中的步骤流程图。在本实施方式中，实施图4所示的步骤S10至S30。

[导体10的制备]

如图1和图4所示，制备线形导体10(S10)。更具体地，制备单元电线，且将单元电线经历加工，例如牵引(拔丝)，以制备具有期望直径和形状的导体10。单元电线优选由具有高电导率和高机械强度的金属形成。这样的金属的实例包括铜、铜合金、铝、铝合金、镍、银、软铁、钢和不锈钢。绝缘电线1的导体10可以由这些金属中的一种线形地成型材料或通过另外的金属包覆这样的线形金属制备的多层结构形成，例如，镍包覆的铜线、银包覆的铜线、铜包覆的铝线或铜包覆的钢线。

绝缘电线1的导体10的平均截面面积优选具有0.01mm²，更优选 0.1mm²的下限。导体10的平均截面面积优选具有15mm²，更优选 10mm²的上限。当导体10具有小于下限的平均截面面积时，电阻可能增加。另一方面，当导体10具有大于上限的平均截面面积时，绝缘电线1的弯曲可能是困难的。

[清漆(聚(酰胺酸))溶液的制备]

接下来，制备包含聚酰亚胺前驱体聚(酰胺酸)(聚(酰胺酸)溶液)的清漆。

(聚酰亚胺前驱体)

聚酰亚胺的原料聚酰亚胺前驱体是一种通过亚胺化反应形成聚酰亚胺的聚合物，以及通过四羧酸二酐PMDA和BPDA和二胺ODA之间的聚合反应制备的反应产物。因此，聚酰亚胺前驱体的原料为PMDA、 BPDA和ODA。

(四羧酸二酐)

用作聚酰亚胺前驱体的原料的四羧酸二酐是均苯四甲酸二酐 (PMDA)和3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐(BPDA)。BPDA的摩尔数与 PMDA和BPDA的总摩尔数的摩尔比为超过55摩尔％。优选地，摩尔比为超过60摩尔％。摩尔比优选具有95摩尔％，更优选92摩尔％的上限。在上述范围内的BPDA含量，能将BPDA衍生结构适当地引入绝缘层的主要成分聚酰亚胺中。因此，能以均衡的方式改善外观、弯曲加工性和耐湿热降解性。

每100摩尔％用作聚酰亚胺前驱体的原料的四羧酸二酐PMDA含量的下限优选为5摩尔％，更优选为8摩尔％。PMDA含量的上限优选为45摩尔％，更优选为20摩尔％。低于下限的PMDA含量可导致绝缘层的不足的耐热性。另一方面，高于上限的PMDA含量可导致将BPDA-衍生结构不充分的引入至绝缘层的主要成分聚酰亚胺中并且可导致绝缘层的较低的耐湿热降解性。

(二胺)

用作聚酰亚胺前驱体原料的二胺是4,4’-二氨基二苯醚(4,4’-对氨基二苯醚(ODA))。ODA能用来提高绝缘层的韧性。

(聚酰亚胺前驱体的分子量)

聚酰亚胺前驱体的重均分子量优选具有10,000，更优选15,000的下限。重均分子量优选具有180,000，更优选130,000的上限。重均分子量大于或等于下限的聚酰亚胺前驱体能形成即使水解后也能容易地保持恒定分子量的可延伸聚酰亚胺，并且因此能进一步提高绝缘层的柔性和耐湿热降解性。重均分子量小于或等于上限的聚酰亚胺前驱体能抑制在绝缘电线的制备中使用的树脂清漆的粘度的极度增加和提高涂布性能。进一步地，在树脂清漆中的聚酰亚胺前驱体的浓度能容易地增加的同时维持良好的涂布性能。在此使用的术语“重均分子”指的是通过根据JIS-K7252-1:2008“塑料-使用尺寸排阻色谱的聚合物的平均分子质量和分子质量分布的测定-第一部分：一般原则”的凝胶渗透色谱法(GPC)测量的值。

(包含聚酰亚胺前驱体的清漆的制备)

聚酰亚胺前驱体能通过四羧酸二酐和二胺之间的聚合反应制备。聚合反应可通过合成聚酰亚胺前驱体的已知方法实施。在本实施方式中，首先，将100摩尔％的二胺ODA溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP) 中。然后在氮气气氛中加入由预定比率的PMDA和BPDA组成的95 摩尔％至100摩尔％的四羧酸二酐并搅拌。然后搅拌的同时在80℃下实施反应3小时。反应后，将反应溶液自然冷却至室温。因此，制备了包含溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中的聚酰亚胺前驱体的清漆。

在该实施方式中尽管N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)被用作有机溶剂，但也可以使用另外的非质子极性有机溶剂。其他非质子极性有机溶剂的实例包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲亚砜和γ- 丁内酯。可以单独或组合使用这些有机溶剂。在此使用的术语“非质子极性有机溶剂”指的是具有无质子释放基团的极性有机溶剂。

如果PMDA、BPDA和ODA能够均匀地分散，可以使用任意数量的有机溶剂。例如，按每100质量份PMDA、BPDA和ODA的总计质量，所使用的有机溶剂的量可以为100质量份以上且1000质量份以下。

聚合反应的条件可以根据所使用的原料等适当地决定。例如，反应温度可以为10℃以上且100℃以下，以及反应时间可以为0.5小时以上且24小时以下。

为了有效地促进聚合反应，在聚合反应中使用的四羧酸二酐 (PMDA和BPDA)与二胺(ODA)的摩尔比(四羧酸二酐/二胺)优选为接近100/100。例如，摩尔比可以为95/105以上且105/95以下。

除了上述成分之外，清漆可以包括在不降低上述效果的范围内其他的成分或添加剂。例如，清漆可以包含各种添加剂，比如色素、染料、无机或有机填料、固化促进剂、润滑剂、附着力改善剂和稳定剂，和其他化合物，比如反应性低分子量化合物。

绝缘膜满足下述两个条件中的至少一个：在具有7％分离伸长率的绝缘膜的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2以上；以及在具有40％分离伸长率的绝缘膜的第二样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为1.2以上，所述绝缘膜能通过调整用于聚酰亚胺的原料PMDA、BPDA 和ODA的混合比率或通过调整聚(酰胺酸)的分子量或烘烤条件来制备。上述比率M₆₀/M₁₀和M₃₀/M₁₀能够通过改变聚合反应条件、温度条件和加入方法调整。

[绝缘膜20的形成]

然后用绝缘膜20包覆导体10(S30)。绝缘膜20形成为覆盖具有线形形状的导体10的外周。首先，将在S20中制备的清漆涂布在导体 10的表面以在导体10的表面上形成包覆膜。将在其上形成包覆膜的导体10通过加热至，例如，350℃至500℃的加热炉以加热20秒至2分钟，例如30秒。加热包覆膜通过聚(酰胺酸)的脱水促进亚胺化反应，使包覆膜变硬，并且在导体10上形成聚酰亚胺的绝缘膜20。实施涂布和加热循环，例如，十次来增加绝缘膜20的厚度。因此，绝缘膜20 具有期望的厚度(例如，35μm)。以这样的方式，制备了包含导体10 和形成为覆盖导体10的外周的聚酰亚胺的绝缘膜20的绝缘电线1。

(第二实施方式)

[绝缘电线的结构]

接下来，对根据另一实施方式的绝缘电线描述如下。图5是绝缘电线的示意截面图。在图5中，根据本实施方式的绝缘电线2包括线形导体12和设置为覆盖导体12的外周的绝缘膜22。

例如，导体12优选为由具有高电导率和高机械强度的金属形成。这样的金属的实例包括铜、铜合金、铝、铝合金、镍、银、软铁、钢和不锈钢。绝缘电线的导体12可以由这些金属中的一种线形地成型材料或通过用另外的金属包覆这样的线形金属制备的多层结构形成，例如，镍包覆的铜线、银包覆的铜线、铜包覆的铝线或铜包覆的钢线。

根据用途，导体12可以具有任一直径。在图5中尽管导体12和绝缘电线2具有圆形的截面形状，但如果导体12是线形的，导体12 和绝缘电线2也可以具有任一截面形状。例如，关于垂直于纵向的横截面，具有长方形或多边形截面形状的导体12可以替代具有圆形截面形状的线形导体12。

绝缘膜22形成为包覆导体12的外周。例如，绝缘膜22分层堆积在导体12的外周上。绝缘膜22可以由单层绝缘层或多层绝缘层组成。在由多层绝缘层组成的绝缘电线2中，各个绝缘层依次地分层堆积在从导体12的横截面的中心至外周。在这种情况下，例如，各个绝缘层能具有1μm以上且5μm以下的平均厚度。例如，多层绝缘层可以具有 10μm以上且200μm以下的平均总厚度。例如，多层绝缘层的总数目可以为2以上且200以下。

组成绝缘膜22的单层绝缘层或多层绝缘层的各层由具有包含由式 (1)表示的重复单元A和由式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成。重复单元B的数量与重复单元A和重复单元B的总数量的比率为60摩尔％以上。

聚酰亚胺的水解是绝缘膜22中的裂缝或裂纹的部分原因。优选增加重复单元B含量来提高聚酰亚胺的耐水解性。能够提高聚酰亚胺的耐水解性来增强耐湿热降解性。因此，高重复单元B含量能够导致包含高耐湿热降解性的绝缘膜22的绝缘电线2。特别地，重复单元B的数量与重复单元A和重复单元B的总数量的比率应为60摩尔％以上来保证足够的耐湿热降解性。

重复单元B的数量与重复单元A和重复单元B的总数量的比率优选为62摩尔％以上，优选为小于80摩尔％，更优选为78摩尔％。当比率小于80摩尔％时，这促进具有15％以下的分子规则峰比的聚酰亚胺绝缘膜的形成。

参照图6，对特征“在10度以上且41度以下的衍射角2θ下通过 X-射线衍射法分析的绝缘膜20的散射X射线曲线中，从散射X射线曲线中提取的衍射图曲线与基线之间的第二区域的面积和散射X射线曲线和基线之间的第一区域的面积的比率(分子规则峰比)为15％以下”描述如下。图6是绝缘膜22的X射线曲线。

应用在由聚酰亚胺形成的绝缘膜22上的X射线被绝缘膜22中的聚酰亚胺散射(散射X射线)。通过用探测器接收散射X射线和记录所接收的散射X射线的强度获得散射X射线曲线。当聚酰亚胺规则排列时，在特定的衍射角(在入射X射线的入射方向和散射X射线的传播方向之间的角)2θ处散射X射线相互干涉并且产生强衍射X射线。强衍射X射线在散射X射线曲线中表现为尖峰。另一方面，聚酰亚胺的低规则性导致在散射X射线曲线中的宽峰。

通过X射线衍射法分析由聚酰亚胺形成的绝缘膜22的结构和使用软件从所产生的曲线数据中减去背景来获得如图6所示的散射X射线曲线50。例如，软件为，但是不限于，从PANalytical购买的X’Pert Hihgscore Plus。更具体地，在以下数据处理条件下使用这个软件获得散射X-射线曲线50：后台任务＝自动，粒度＝100，未决因素(pending factor)＝0，平滑后数据的使用＝无。

例如，在以下数据处理条件下使用软件：后台任务＝自动，粒度＝5，未决因素＝0，平滑后数据的使用＝无，以及通过减背景和晕圈图模式获得衍射图曲线60。衍射图曲线60是从散射X-射线曲线50中提取的在其中仅与来源于高规则性分子排布的结构中的峰相对应的峰的曲线。

接下来，参照图6对测定“分子规则峰比”(在10度以上且40度以下的衍射角2θ下通过X射线衍射法分析的绝缘膜22的散射X射线曲线中，在从散射X射线曲线中提取的衍射图曲线和基线之间的第二区域的面积与在衍射X射线曲线和基线之间的第一区域的面积的比率) 的方法描述如下。

为测定分子规则峰比，在图6中的散射X射线曲线中，首先，在 10度以上且41度以下的衍射角2θ下测定在散射X射线曲线50和基线 B之间的第一区域的面积(以下称为第一面积)。接下来，在10度以上且41度以下的衍射角2θ下测定在与来源于具有高规则性分子排布的结构的峰相对应的衍射图曲线60和基线B之间的第二区域的面积 (以下称为第二面积)。尽管没有特别地限制，例如，通过将由上述方法获得的曲线数据转化为逗号分隔值(CSV)文件，提取各衍射角2θ 处(间隔0.03度)的强度，并且计算在10.025度至40.985度范围内的衍射角2θ处的强度总数测定第一面积和第二面积。如果强度是负的，不是0，加上该负值。然后能通过使用公式[(第二面积)/(第一面积)] ×100计算分子规则峰比。

可能地，较高的分子规则峰比导致较弱的分子间作用力或较少的分子纠缠，并且分子更有可能相互连续地滑动。因此，绝缘膜22长期在高温和高湿环境下的暴露有可能引起裂纹。在本实施方式中，分子规则峰比为15％以下。在这种情况下，绝缘电线2能包括即使长期暴露于高温和高湿环境中也较少可能引起裂纹的绝缘膜22。

因此，根据本实施方式的绝缘电线2的绝缘膜22满足以下两个条件。首先，基于耐水解性和在塑性形变中的分子间滑动的关系，满足条件(1)：绝缘膜22由在其中由重复单元B的摩尔数与重复单元A 和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)为60 摩尔％以上的聚酰亚胺形成。其次，由于能降低长期在高温和高湿环境中的暴露时的裂纹的发生，满足条件(2)：在10度以上且41度以下的衍射角2θ下通过X射线衍射法分析的绝缘膜22的散射X射线曲线 50中，在从散射X射线曲线50中提取的衍射图曲线60和基线B之间的第二区域的面积与在散射X射线曲线50和基线B之间的第一区域的面积的比率为15％以下。满足这两个条件能提供包含由高耐湿热降解性的聚酰亚胺形成的绝缘膜22的绝缘电线2。

[绝缘电线的制备]

接下来，制备根据本实施方式的绝缘电线2的方法的步骤参照图5 和图7描述如下。图7是在制备绝缘电线2的过程中的步骤的流程图。在本实施方式中，实施图7所示的步骤S40至S60。

[导体12的制备]

如图5和图7所示，制备线形导体12(S40)。更具体地，制备单元电线，并且将单元电线经历处理，比如牵引(拔丝)，以制备具有期望直径和形状的导体12。单元电线优选为由具有高电导率和高机械强度的金属形成。这样的金属的实例包括铜、铜合金、铝、铝合金、镍、银、软铁、钢和不锈钢。绝缘电线2的导体12可以由这些金属中的一种线形地成型材料或通过另外的金属包覆这样的线形金属制备的多层结构形成，例如，镍包覆的铜线、银包覆的铜线、铜包覆的铝线或铜包覆的钢线。

绝缘电线的导体12的平均截面面积优选具有0.01mm²，更优选 0.1mm²的下限。导体12的平均截面面积优选具有10mm²，更优选5mm²的上限。当导体12具有小于下限的平均截面面积时，电阻可能增加。另一方面，当导体12具有大于上限的平均截面面积时，必需把绝缘层变厚来充分地降低介电常数，并且绝缘电线的直径可能不必要地增加。 [清漆(聚(酰胺酸))溶液的制备]

接下来，制备包含聚酰亚胺前驱体聚(酰胺酸)(聚(酰胺酸)溶液)的清漆(S50)。

聚酰亚胺的原料聚酰亚胺前驱体(聚(酰胺酸))是通过亚胺化反应形成聚酰亚胺的预聚物，并且是由四羧酸二酐PMDA和BPDA和二胺ODA之间的聚合反应制备的反应产物。因此，聚酰亚胺前驱体的原料为PMDA、BPDA和ODA。

用作聚酰亚胺前驱体的四羧酸二酐为均苯四甲酸二酐(PMDA)和 3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐(BPDA)。BPDA与四羧酸二酐的比率为60 摩尔％以上。优选地，摩尔比为62摩尔％以上。BPDA的比率优选为小于80摩尔％，更优选小于78摩尔％。BPDA与四羧酸二酐的比率在以上范围内，能够将BPDA-衍生结构适当地引入绝缘层的主要成分聚酰亚胺中。因此，能以平衡的方式改善外观、弯曲加工性和耐湿热降解性。

每100摩尔％的用作聚酰亚胺前驱体的原料的四羧酸二酐，PMDA 含量下限优选为5摩尔％，更优选为8摩尔％。PMDA含量的上限为 40摩尔％。比下限低的PMDA含量可以导致绝缘层不足的耐热性。另一方面，比上限高的PMDA含量可以导致向绝缘层的主要成分聚酰亚胺中引入的BPDA衍生结构的不足和可以导致绝缘层较低的耐湿热降解性。

用作聚酰亚胺前驱体的原料的二胺为4,4’-二氨基二苯醚(4,4’-对氨基二苯醚(ODA))。ODA能用来改善绝缘层的韧性。

聚酰亚胺前驱体的重均分子量优选具有10,000，更优选15,000的下限。重均分子量优选具有180,000，更优选130,000的上限。具有大于或等于下限的重均分子量的聚酰亚胺前驱体能够形成即使水解后也能容易地维持恒定分子量的可延展聚酰亚胺，并且因此进一步地提高绝缘层的柔性和耐湿热降解性。具有小于等于上限的重均分子量的聚酰亚胺前驱体能抑制在绝缘电线的制备中使用的树脂清漆的粘度的极度增加并且提高包覆性能。进一步地，在能够容易地增加在树脂清漆中聚酰亚胺前驱体的浓度的同时保持良好的涂布性能。在此使用的术语“重均分子”指的是通过根据JIS-K7252-1:2008“塑料-使用尺寸排阻色谱的聚合物的平均分子质量和分子质量分布的测定-第一部分：一般原则”的凝胶渗透色谱法(GPC)测量的值。

聚酰亚胺前驱体能够通过四羧酸二酐和二胺之间的聚合反应制备。例如，在本实施方式中，聚合反应能按照如下所述实施。首先，将100 摩尔％的二胺ODA溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中。然后在氮气气氛中加入由预定比率的PMDA和BPDA组成的95摩尔％至100 摩尔％的四羧酸二酐并且搅拌。然后搅拌的同时在80℃下实施反应3 小时。反应后，将反应溶液自然冷却至室温。因此，制备了包含溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中聚酰亚胺的前驱体的清漆。

如果PMDA、BPDA和ODA能均匀地分散，可以使用任意数量的有机溶剂。例如，按每100质量份PMDA、BPDA和ODA的总计质量，所使用的有机溶剂的量可以为100质量份以上且1000质量份以下。

除了上述成分之外，清漆可以包括在不降低上述效果的范围内的其他的成分或添加剂。例如，清漆可以包括各种添加剂，比如色素、染料、无机或有机填料、固化促进剂、润滑剂、附着力改善剂和稳定剂，和其他化合物，比如反应性低分子量化合物。

在10度以上且41度以下的衍射角2θ下通过X射线衍射法分析的绝缘膜22的散射X射线曲线50中，在其中从散射X射线曲线50中提取的衍射图曲线60和基线B之间的第二区域的面积与在散射X射线曲线50和基线B之间的第一区域的面积的比率为15％以下的聚酰亚胺能够通过调整用于聚酰亚胺的原料PMDA、BPDA和ODA的混合比率或通过调整聚(酰胺酸)的分子量或聚酰亚胺的聚合度制备。能够通过调整聚合反应条件、温度条件、加入方法或、或成核剂或结晶抑制剂的加入控制分子规则峰比。

[绝缘膜22的形成]

然后用绝缘膜22包覆导体12(S60)。绝缘膜22形成为覆盖线形导体12的外周。首先，将在S50中制备的清漆涂布在导体12的表面以在导体12的表面形成包覆膜。然后将在其上形成包覆膜的导体12 通过加热至，例如，350℃至500℃的加热炉以加热20秒至2分钟，例如，30秒。加热包覆膜通过聚(酰胺酸)脱水促进亚胺化反应，使包覆膜变硬，并且在导体12上形成由聚酰亚胺形成的绝缘膜22。例如，实施10次涂布和加热循环增加绝缘膜22的厚度。因此，绝缘膜22具有期望厚度(例如，35μm)。以此种方式，制备了包含导体12和设置为覆盖导体12的外周的绝缘膜22的绝缘电线2。

实施例

在以下实施例中更加具体地描述根据本公开的发明。然而，本公开不限于这些实施例。在实施例中，通过以下方法制备绝缘电线1和2。

在实施例中使用的成分中，采用缩写表示的成分具有以下正式名称。

(酸酐成分)

PMDA：均苯四羧酸二酐

BPDA：3,3’4,4’-联苯四羧酸二酐

(二胺成分)

ODA：4,4’-二氨基二苯醚(4,4’-对氨基苯醚，4,4’-ODA)

(第一实施方式相关的实施例)

(实施例1)

[树脂清漆的制备]

将100摩尔％的ODA溶解在有机溶剂N-甲基-2-吡咯烷酮中。然后将PMDA和BPDA以表1和2所列的摩尔比加入溶液中。在氮气氛围下搅拌溶液。然后搅拌的同时在80℃下实施反应3小时。然后将溶液冷却至室温。因此，制备了包含溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中的聚酰亚胺前驱体的树脂清漆。在树脂清漆中的聚酰亚胺前驱体的浓度为30质量％。

[第一绝缘电线1的制备]

制备主要由铜组成的具有1mm的平均直径的圆线(在其中导体10 具有垂直于纵向的圆形横截面的导线)作为导体10。将上述制备的树脂清漆涂布在导体10的外周上。将在其上涂布了树脂清漆的导体10 在加热炉中在400℃的加热温度下加热30秒的加热时间。实施10次涂布步骤和加热步骤。因此，制备了包括导体10和在导体10的外周上形成的具有35μm平均厚度的绝缘膜20的第一绝缘电线1。

[第二绝缘电线1的制备]

制备主要由铜组成的长方形导线(在其中导体具有垂直于纵向的高 1mm和宽度4mm的四角形横截面的导线)作为导体10。将上述制备的树脂清漆涂布在导体10的外周上。将在其上涂布了树脂清漆的导体 10在加热炉中在400℃加热温度下加热30秒的加热时间。实施10次涂布步骤和加热步骤。因此，制备了包括导体10和在导体10的外周上形成的具有35μm平均厚度的绝缘膜20的第二绝缘电线1。

[拉伸测试]

(拉伸测试样品的制备)

采用拉力试验机(由Shimadzu公司制造的“AG-IS”)在10mm/min 的拉伸速度下将第一绝缘电线1拉长至原长的107％(7％分离伸长率)。将拉长的第一绝缘电线1从拉伸试验机上移除。通过在盐水中电解在导体10和绝缘膜20之间的界面处形成间隙以将导体10从绝缘膜20 分离。分离的绝缘膜20被用作拉伸测试样品的第一样品。在以下条件下实施在盐水中的电解：盐水浓度：5％，电极：正极＝碳电极，负极＝导体10，电压＝20V。

采用拉力试验机(由Shimadzu公司制造的“AG-IS”)在10mm/min 的拉伸速度下将第二绝缘电线1拉长至原长的140％(40％分离伸长率)。将拉长的第二绝缘电线1从拉伸试验机上移除。通过在盐水中电解在导体10和绝缘膜20之间的界面处形成间隙以将导体10从绝缘膜20 上分离。分离的绝缘膜20被用作拉伸测试样品的第二样品。

[拉伸测试]

采用拉力试验机(由Shimadzu公司制造的“AG-IS”)在10mm/min 的拉伸速度和20mm的计量长度下测试第一样品或第二样品。对于第一样品，基于在拉伸测试中测试的应力-应变曲线测定在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀。表 1显示结果。对于第二样品，基于在拉伸测试中测试的应力-应变曲线测定在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀。表2显示结果。

[绝缘电线1的评价]

[耐湿热降解性的评价]

在以下条件下根据以下程序在120℃水密性测试500小时评价绝缘电线1的耐湿热降解性。通过以下程序实施测试。将10％拉长的绝缘电线1置于包含水的密闭高压灭菌器中并且在恒温器中在120℃下保持500小时。随后，视觉检查绝缘膜20的裂纹，并且测定击穿电压。表1和2显示结果。

[表1]

*1在烘烤炉中的加热时间缩短至44％。

*2在树脂清漆的制备中加入水并且反应后减压去除。加入的水的量按每100份的PMDA、BPDA和ODA的总计质量为47质量份。

*3由于在60％以下的伸长率下破损而未测量。

[表2]

*4由于在30％以下的伸长率下破损而未测量。

在表1中，实验3号至6号显示实施例的结果，以及实验1号和2 号和实验7号至10号显示比较实施例的结果。在表2中，实验13号至16号显示实施例的结果，以及实验11号和12号和实验17号和18 号显示比较实施例的结果。

表1显示符合重复单元B的摩尔数与重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)为超过55摩尔％并且在第一样品中在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2以上的条件的实验3号至6号，即使在水密性测试后在绝缘膜20上也没有裂缝或裂纹。因此，包含这样的绝缘膜20的绝缘电线1具有高耐湿热降解性并且即使长期使用后也经历较少的降解。

相比之下，在其中摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)为55％以下的实验1号和2号，以及在其中比率M₆₀/M₁₀为小于1.2的实验7号至10号，在水密性测试后具有裂纹。因此，在长期使用期间包含由根据这些比较实施例的材料组成的绝缘膜20的绝缘电线1可能具有裂纹。

在表1中，在实施例的实验6号和比较实施例实验7号和8号中， PMDA与BPDA的混合比为25:75(摩尔比)。然而，在7％分离伸长率的绝缘膜的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀在实验6号中为1.2以上并且在实验7号和8号中为小于1.2。因此，水密性测试后在实验6号中没有观察到裂纹，然而在实验7号和8号中观察到了裂纹。即使相同的混合，制备条件的不同可以导致不同的应力-应变曲线，并且在一个实例中比率M₆₀/M₁₀为1.2以上且在另一个实例中不是1.2以上。在实验6号和实验7号或8号之间的比较显示能通过控制制备条件以使比率M₆₀/M₁₀为1.2以上来形成具有较少裂纹的绝缘膜20。

水密性测试后测量击穿电压。实验3号至6号具有5kV的击穿电压并且保持它们的绝缘性能，然而实验1号和2号和实验7号至9号具有0kV的击穿电压并且失去它们的绝缘性能。因此，即使长期使用后在实验3号至6号中的绝缘电线1也能保持它们的绝缘性能。

在实验6号和实验7号之间的比较显示即使绝缘膜20的成分相同，在长期使用期间绝缘膜20也劣化除非比率M₆₀/M₁₀为1.2以上。这个结果显示绝缘膜20的易降解性不单取决于绝缘膜20的成分。

表2显示符合重复单元B的摩尔数与重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)为超过55摩尔％并且在第二样品上在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为1.2以上的条件的实验13号至16号，即使水密性测试后在绝缘膜20中也没有裂缝或裂纹。因此，包含这样的绝缘膜20的绝缘电线1具有高耐湿热降解性和即使长期使用后也经历较少降解。

相比之下，在其中摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)为55摩尔％以下的实验11号和12号和在其中M₃₀/M₁₀为小于1.2的实验17号和 18号，水密性测试后具有裂纹。因此，在长期使用期间包含由根据比较实施例的材料组成的绝缘膜20的绝缘电线1可能具有裂纹。

在水密性测试后测量击穿电压。实验13号至16号具有5kV的击穿电压并且具有绝缘性能，然而实验11号和12号和实验17号和18 号具有0kV的击穿电压并且失去了它们的绝缘性能。因此，即使长期使用后在实验13号至16号中的绝缘电线1也能保持它们的绝缘性能。

这些结果显示：如果绝缘膜20满足条件(1)绝缘膜20由在其中重复单元B的摩尔数与重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比 [B/(A+B)]×100(摩尔％)为超过55摩尔％以上的聚酰亚胺形成，以及满足条件(2)和条件(3)中的至少一个，条件(2)：在7％分离伸长率的绝缘膜的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率的拉伸应力 M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2以上，条件(3)：在40％分离伸长率的绝缘膜的第二样品上在10mm/min下实施的拉伸测试中，在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为 1.2以上，则能够提供包括具有高耐湿热降解性的绝缘膜20的绝缘电线1。

(第二实施方式相关的实施例)

(实施例2-1)

[清漆的制备]

将100摩尔％的ODA溶解在有机溶剂N-甲基-2-吡咯烷酮中。然后将PMDA和BPDA以PDMA:BPDA＝40:60(摩尔比)加入溶液中。在氮气氛围下搅拌溶液。然后搅拌的同时在80℃下实施反应3小时。然后将溶液冷却至室温。因此，制备了包含溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮中聚酰亚胺前驱体的树脂清漆。在树脂清漆中聚酰亚胺前驱体的浓度为 30质量％。

[导体12的制备和绝缘电线2的制备]

制备主要由铜组成的长方形导线(在其中导体具有垂直于纵向的高度1mm和宽度4mm的四角形横截面的导线)作为导体12。将上述制备的树脂清漆涂布在导体12的外周上。将在其上涂布了树脂清漆的导体12在加热炉中在400℃加热温度下加热30秒的加热时间。实施10 次涂布步骤和加热步骤。因此，制备了包括导体12和在导体12的外周上形成的具有35μm平均厚度的绝缘膜22的绝缘电线2。

接下来，采用X射线衍射仪(由Spectris制造的X’Pert)在以下条件下实施测量：使用的X射线：Cu-Ka线聚焦，激发条件：45kV、40mA，入射光学系统：镜子，裂缝：1/2，掩膜：10mm，样品台：开放的欧拉云台，光接收光学系统：平面准直仪0.27，扫描方法：q-2q扫描，测量范围2θ＝5至80，步长：0.03度，运行时间1秒。

通过X射线衍射法将绝缘电线2的绝缘膜22经历结构分析测定分子规则峰比。图8显示绝缘膜22的散射X射线曲线51和从散射X射线曲线51中提取的衍射图曲线61。在实施例2-1中，在衍射图曲线61 和基线B之间的第二区域的面积与在散射X射线曲线51和基线B之间的第一区域的面积的比率(分子规则峰比)为13.6％。评价在实施例 2-1中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

(实施例2-2)

除了以PMDA:BPDA＝35:65(摩尔比)加入PMDA和BPDA，以及将分子规则峰比调整为12.6％外，以与实施例2-1相同的方式制备绝缘电线2。以与实施例2-1相同的方式通过X射线衍射法在绝缘膜22 的结构分析中测定分子规则峰比。图9显示绝缘膜22的散射X射线曲线52和从散射X射线曲线52中提取的衍射图曲线62。评价在实施例 2-2中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

(实施例2-3)

除了以PMDA:BPDA＝25:75(摩尔比)加入PMDA和BPDA，以及将分子规则峰比调整为12.3％外，以与实施例2-1相同的方式制备绝缘电线2。以与实施例2-1相同的方式通过X射线衍射法在绝缘膜22 的结构分析中测定分子规则峰比。图10显示绝缘膜22的散射X射线曲线53和从散射X射线曲线53中提取的衍射图曲线63。评价在实施例2-3中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

(比较实施例2-1)

除了以PMDA:BPDA＝100:0(摩尔比)加入PMDA和BPDA，以及将分子规则峰比调整为12.2％外，以与实施例2-1相同的方式制备绝缘电线2。以与实施例2-1相同的方式通过X-射线衍射法在绝缘膜22 的结构分析中测定分子规则峰比。图11显示绝缘膜22的散射X射线曲线54和从散射X射线曲线54中提取的衍射图曲线64。评价在比较实施例2-1中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

(比较实施例2-2)

除了以PMDA:BPDA＝60:40(摩尔比)加入PMDA和BPDA，以及将分子规则峰比调整为13.4％外，以与实施例2-1相同的方式制备绝缘电线2。以与实施例2-1相同的方式通过X-射线衍射法在绝缘膜22 的结构分析中测定分子规则峰比。图12显示绝缘膜22的散射X射线曲线55和从散射X射线曲线55中提取的衍射图曲线65。评价在比较实施例2-2中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

(比较实施例2-3)

除了以PMDA:BPDA＝25:75(摩尔比)加入PMDA和BPDA，以及将分子规则峰比调整为15.3％外，以与实施例2-1相同的方式制备绝缘电线2。以与实施例2-1相同的方式通过X-射线衍射法在绝缘膜22 的结构分析中测定分子规则峰比。图13显示绝缘膜22的散射X射线曲线56和从散射X射线曲线56中提取的衍射图曲线66。评价在比较实施例2-3中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

(比较实施例2-4)

除了以PMDA:BPDA＝20:80(摩尔比)加入PMDA和BPDA，以及将分子规则峰比调整为16.5％外，以与实施例2-1相同的方式制备绝缘电线2。以实施例2-1相同的方式通过X射线衍射法在绝缘膜22的结构分析中测定分子规则峰比。图14显示绝缘膜22的散射X射线曲线57和从散射X射线曲线57中提取的衍射图曲线67。评价在比较实施例2-4中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

(比较实施例2-5)

除了仅使用BPDA作为四羧酸二酐，以及将分子规则峰比调整为 23.3％外，以与实施例2-1相同的方式制备绝缘电线2。以与实施例2-1 相同的方式通过X射线衍射法在绝缘膜22的结构分析中测定分子规则峰比。图15显示绝缘膜22的散射X射线曲线58和从散射X射线曲线58中提取的衍射图曲线68。评价在比较实施例2-5中制备的绝缘电线2的绝缘膜22的耐湿热降解性。表3显示结果。

[表3]

在表3中，实验21号对应比较实施例2-1。实验22号对应比较实施例2-2。实验23号对应比较实施例2-1。实验24号对应比较实施例 2-2。实验25号对应比较实施例2-3。实验26号对应比较实施例2-3。实验27号对应比较实施例2-4。实验28号对应比较实施例2-5。

在表3中的结果显示当重复单元B的数量与PMDA衍生的重复单元A和BPDA衍生的重复单元B的总数量的比率为小于60摩尔％时在水密性测试中出现裂纹。进一步地，击穿电压为0V，并且失去绝缘性能(比较实施例2-1和2-2(实验21号和22号))。因此，确认当所述比率小于60摩尔％时，耐湿热降解性低。

如果重复单元B的数量与PMDA-衍生的重复单元A和BPDA-衍生的重复单元B的总数量的比率为60摩尔％以上，则15％以下的分子规则峰比导致无裂纹和绝缘性能的维持(实施例2-1至2-3(实验23号至25号))。这显示根据实施例的绝缘电线2具有高耐湿热降解性。因此，根据实施例2-1至2-3的绝缘电线2即使长期使用后也能维持它们的绝缘性能。

另一方面，即使重复单元B的数量与PMDA-衍生的重复单元A和 BPDA-衍生的重复单元B的总数量的比率为60摩尔％以上，当分子规则峰比超过15％时在水密性测试中出现裂纹。进一步地，击穿电压为 0V，并且失去绝缘性能(比较实施例2-3至2-5(实验26号至28号))。因此，确认即使所述比率为60摩尔％以上，超过15％的分子规则峰比导致低耐湿热降解性。

聚焦实施例2-3(实验25号)和比较实施例2-3(实验26号)，实施例2-3和比较实施例2-3两者都具有PMDA与BPDA＝25:75(摩尔比) 的混合比。然而，形成绝缘膜22以使在实施例2-3中分子规则峰比为 15％以下，然而形成绝缘膜22以使在比较实施例2-3中分子规则峰比为超过15％。因此，实施例2-3(实验25号)在水密性测试后不具有裂纹并且维持绝缘性能，但比较实施例2-3(实验26号)具有裂纹并且失去它的绝缘性能。因此，即使有相同的混合，分子规则峰比取决于制备条件等。这个比较显示控制制备条件能减少裂纹和维持由此形成的绝缘膜22的绝缘性能。

在实施例和比较实施例中的结果显示满足以下两个条件能提供包含具有高耐湿热降解性的聚酰亚胺的绝缘膜22的绝缘电线2。更具体地，明显显示满足两个条件：(1)绝缘膜22由在其中重复单元B的摩尔数与重复单元A和重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]× 100(摩尔％)为60摩尔％以上，以及(2)：在10度以上且41度以下的衍射角2θ下通过X射线衍射法分析的绝缘膜22的散射X射线曲线，从散射X射线曲线提取的衍射图曲线和基线B之间的第二区域的面积与散射X射线曲线和基线B之间的第一区域的面积的比率为15％以下，则能够提供包含具有高耐湿热降解性的聚酰亚胺的绝缘膜22的绝缘电线2。

可以理解地，在此公开的实施方式和实施例是以实施例的方式说明并且不是在各方面限制的方式。本发明的范围通过附加的权利要求定义而不是上述实施方式。因此权利要求意欲涵盖落入权利要求和其等同物的范围内的所有修改。

附图标记说明

1 绝缘电线

10 导体

12 导体

20 绝缘膜

22 绝缘膜

30 应力-应变曲线

32 应力-应变曲线

40 应力-应变曲线

50 散射X射线曲线

51 散射X射线曲线

52 散射X射线曲线

53 散射X射线曲线

54 散射X射线曲线

55 散射X射线曲线

56 散射X射线曲线

57 散射X射线曲线

58 散射X射线曲线

60 衍射图曲线

61 衍射图曲线

62 衍射图曲线

63 衍射图曲线

64 衍射图曲线

65 衍射图曲线

66 衍射图曲线

67 衍射图曲线

68 衍射图曲线

Claims

1.一种绝缘电线，其特征在于，包括：

具有线形形状的导体；以及

形成为覆盖所述导体的外周的绝缘膜，

其中，所述绝缘膜由具有包含由下式(1)表示的重复单元A和由下式(2)表示的重复单元B的分子结构的聚酰亚胺形成，

所述重复单元B的摩尔数与所述重复单元A和所述重复单元B的总摩尔数的摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)超过55摩尔％，并且

在具有7％分离伸长率的所述绝缘膜的第一样品上在10mm/min的拉伸速度下实施的拉伸测试中，在60％伸长率下的拉伸应力M₆₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₆₀/M₁₀为1.2以上。

2.一种绝缘电线，其特征在于，包括：

具有线形形状的导体；以及

形成为覆盖所述导体的外周的绝缘膜，

在具有40％分离伸长率的所述绝缘膜的第二样品上在10mm/min下实施的拉伸测试中，在30％伸长率下的拉伸应力M₃₀与在10％伸长率下的拉伸应力M₁₀的比率M₃₀/M₁₀为1.2以上。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘电线，其特征在于，所述摩尔比[B/(A+B)]×100(摩尔％)为小于80摩尔％。

4.一种绝缘电线，其特征在于，包括：

线形导体；以及

设置为覆盖所述导体的外周的绝缘膜，

所述重复单元B的数量与所述重复单元A和所述重复单元B的总数量的比率为60摩尔％以上，并且

在10度以上且41度以下的衍射角2θ下通过X射线衍射法分析的所述绝缘膜的散射X射线曲线中，在从散射X射线曲线中提取的衍射图曲线和基线之间的第二区域的面积与在散射X射线曲线和基线之间的第一区域的面积的比率为15％以下。

5.根据权利要求4所述的绝缘电线，其特征在于，所述重复单元B的数量与所述重复单元A和所述重复单元B的总数量的比率为小于80摩尔％。