CN110729326A - 具有沟槽部的显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了显示装置。显示装置包括衬底，衬底包括沟槽部。衬底包括显示区域和与显示区域相邻的外围区域。显示区域包括第一显示区域和第二显示区域以显示图像，第一显示区域与第二显示区域之间布置有沟槽部。薄膜晶体管和显示元件各自布置在显示区域中。内置电路部位于外围区域上方并且与沟槽部相邻。第一布线位于第一显示区域中，并且第二布线位于第二显示区域中。连接布线将第一布线连接到第二布线并且与内置电路部重叠。

Description

具有沟槽部的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年7月17日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0083128号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有沟槽部的显示装置。
背景技术
显示装置可为用于可视地显示数据的装置。这种显示装置可包括分隔成显示区域和外围区域的衬底。显示区域可包括彼此绝缘的扫描线和数据线，并且扫描线和数据线可相交以在显示区域中限定多个像素区域。此外，显示区域可包括与像素区域中的每个对应的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电连接的像素电极。而且，显示区域可包括公共地设置在像素区域中的相对电极。外围区域可包括用于将电信号传输到显示区域的各种布线、扫描驱动器、数据驱动器和控制器。
这种显示装置的使用已得到扩展。另外，这种显示装置已变得更薄且更轻，并且它们的使用范围正在扩大。因此，这种显示装置的形状(包括提供图像的显示区域的形状)正变得更加多样化。
发明内容
本发明的示例性实施方式提供了能够实现相对高品质的图像的显示装置。
根据本发明的示例性实施方式，显示装置包括衬底、薄膜晶体管、显示元件、内置电路部、第一布线、第二布线和连接布线，衬底具有在第一侧处凹入衬底中的沟槽部，衬底包括显示区域和围绕显示区域的外围区域，其中显示区域包括第一显示区域和第二显示区域以显示图像，第一显示区域与第二显示区域之间布置有沟槽部；薄膜晶体管和显示元件各自布置在显示区域中；内置电路部位于外围区域上方并且布置成与沟槽部相邻；第一布线位于第一显示区域中，并且第二布线位于第二显示区域中；并且连接布线将第一布线连接到第二布线并且与内置电路部重叠。
内置电路部可包括多个级，多个级包括至少一个外围薄膜晶体管，并且连接布线可与至少一个外围薄膜晶体管重叠。
显示装置还可包括扫描线，扫描线连接到内置电路部并且与显示区域重叠，其中扫描线可在与连接布线的层不同的层中与连接布线相交。
连接布线可包括彼此相邻的第一连接布线和第二连接布线，并且与内置电路部不重叠的区域中第一连接布线与第二连接布线之间的最短距离可大于与内置电路部重叠的区域中第一连接布线与第二连接布线之间的最短距离。
连接布线可包括彼此相邻的第一连接布线和第二连接布线，并且与内置电路部重叠的区域中第一连接布线和第二连接布线可为弯曲的。
与内置电路部重叠的区域中第一连接布线的曲率程度和第二连接布线的曲率程度可彼此不同。
衬底可包括定位有沟槽部的第一侧和与第一侧相交并且比第一侧更长的第二侧，并且显示装置还可包括焊盘部，焊盘部在外围区域中与第二侧相邻并且可将控制信号传输到第一布线。
显示装置还可包括无机保护层和平坦化层，无机保护层覆盖第一布线和第二布线，并且平坦化层位于无机保护层上，其中，连接布线定位在平坦化层上方并且通过穿透平坦化层和无机保护层的第一接触孔和第二接触孔分别连接到第一布线和第二布线。
显示装置还可包括第一电源电压线和第二电源电压线，第一电源电压线布置成对应于显示区域的一侧，并且第二电源电压线围绕显示区域的至少一部分，其中，内置电路部可定位在显示区域与第二电源电压线之间。
第二电源电压线可通过堆叠第一层和第二层来设置，第一层设置在与第一布线的层相同的层中，并且第二层包括与连接布线的材料相同的材料。
显示装置可包括像素电极、中间层和相对电极，导电层可定位在第二电源电压线上方，导电层包括与像素电极的材料相同的材料，并且相对电极可延伸到外围区域并且可经由导电层电连接到第二电源电压线。
显示装置还可包括下导电层，下导电层与薄膜晶体管重叠，下导电层与薄膜晶体管之间具有绝缘层，下导电层定位在衬底与薄膜晶体管之间，其中，连接布线可位于与下导电层的层相同的层上。
连接布线可通过穿透绝缘层的接触孔连接到第一布线。
显示装置还可包括薄膜封装层和坝部，薄膜封装层密封显示区域并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，并且坝部位于外围区域中并且从衬底突出。
显示装置还可包括密封衬底和密封构件，密封衬底密封显示区域并且面向衬底，并且密封构件围绕外围区域并且将衬底接合到密封衬底。
根据本发明的示例性实施方式，显示装置包括衬底、薄膜晶体管、显示元件、第一内置电路部、焊盘部、第一布线、第二布线和连接布线，衬底具有在第一侧处凹入衬底中的沟槽部，衬底包括显示区域和围绕显示区域的外围区域，其中显示区域包括第一显示区域和第二显示区域以显示图像，第一显示区域与第二显示区域之间布置有沟槽部；薄膜晶体管和显示元件各自布置在显示区域中；第一内置电路部位于外围区域上方并且与沟槽部相邻，第一内置电路部包括至少一个外围薄膜晶体管；焊盘部位于与第一侧相交的第二侧上方，其中，在焊盘部上安装有控制器；第一布线位于第一显示区域中，第二布线位于第二显示区域中；并且连接布线将第一布线连接到第二布线并且与第一内置电路部重叠。
第二侧可比第一侧更长。
显示装置还可包括第二内置电路部，第二内置电路部与第三侧相邻，第三侧与衬底的第一侧相对。
连接布线可与至少一个外围薄膜晶体管重叠。
连接布线的至少一部分可沿沟槽部的形状弯曲。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施方式，对本发明的更完整的理解将变得更加明确，在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面图；
图2A和图2B是根据本发明的示例性实施方式的显示装置中的像素的等效电路图；
图3是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的对应于图1的部分A的一部分的放大平面图；
图4是图3的部分B的放大平面图；
图5是沿图3的线I-I’和线II-II’截取的剖面图；
图6是沿图4的线III-III’截取的剖面图；
图7是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖面图；
图8A和图8B是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的部分的剖面图；
图9是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的一部分的剖面图；以及
图10是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的一部分的剖面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图对本发明的示例性实施方式进行更加详细描述。在这方面上，示例性实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为受限于本文中所描述的本发明的示例性实施方式。
在整个说明书和图中，相同的附图标记指代相同的元件。
应理解，尽管“第一”、“第二”等的术语可在本文中用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制。
除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包含复数的表述。
应理解，当诸如层、膜、区或板的部件被称为在另一部件“上”时，该部件可直接在另一部件上，或者可存在有中间部件。
为了描述清楚，图中的部件的尺寸可能被夸大。
应理解，当层、区或部件连接到另一部分时，该层、区或部件可直接连接到该部分，或者可存在有中间层、区或部件。例如，当层、区或部件电连接到另一部分时，该层、区或部件可直接电连接到该部分，或者可通过另一层、区或部件间接连接到该部分。
此外，X轴、Y轴和Z轴不限于正交坐标系上的三个轴，并且可被广泛地理解。例如，X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。例如，X轴可垂直于Y轴。X轴和Y轴可限定衬底沿其延伸的平面。Z轴可垂直于第一轴X和第二轴Y。因此，Z轴可与在X轴和Y轴上延伸的平面正交。本文中描述的厚度可指沿Z轴方向的厚度。
显示装置可用于显示图像、文本等，并且可分为液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。
作为本文中的示例，第一方向可垂直于第二方向。第一方向和第二方向可限定显示面板沿其延伸的平面。第三方向可垂直于第一方向和第二方向。因此，第三方向可与在第一方向和第二方向上延伸的平面正交。
根据本发明的示例性实施方式，有机发光显示器将被描述为显示装置，但是本发明的显示装置不限于此，并且可使用各种显示装置。
图1是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置的衬底100可包括沟槽部TH。沟槽部TH可在第一侧100a处凹入衬底100中。沟槽部TH可穿透衬底100的上表面和下表面。沟槽部TH可设置成U形或去除了多边形的一部分的形状。然而，本发明的示例性实施方式不限于此，并且可根据需要采用沟槽部TH的各种其它形状。沟槽部TH可包括布置有相机、扬声器或传感器的模块。
衬底100可包括显示区域DA和与显示区域DA相邻的外围区域PA。作为示例，在平面图中，外围区域PA可(例如，沿第三方向)布置在显示区域DA的四个侧处；然而，本发明的示例性实施方式不限于此。例如，在平面图中，外围区域PA可布置在显示区域DA的少于四个侧(例如，三个侧)处。显示区域DA可包括主区域DAm、第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可在第一方向上从主区域DAm突出，并且第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可在第二方向上彼此间隔开预定距离。作为示例，第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可分别布置在显示区域DA的第一侧和第二侧处，沟槽部TH形成在它们之间(例如，在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的中心区处均匀地间隔开)。外围区域PA可与显示区域DA的外边缘相邻。
衬底100可包括设置有沟槽部TH的第一侧100a、在与第一侧100a相交的方向上的第二侧100b、显示区域DA的与第一侧100a相对的侧上的第三侧100c以及显示区域DA的与第二侧100b相对的侧上的第四侧100d。衬底100的第一侧100a和第三侧100c的长度可比第二侧100b和第四侧100d的长度更短。
显示区域DA可包括与在第一方向上延伸的扫描线SL和在与第一方向相交的第二方向上延伸的数据线DL连接的像素P。每个像素P也可连接到在第二方向上延伸的驱动电压线PL。在本说明书中，术语“布线在第一方向或第二方向上的延伸”不仅可以指线性延伸，而且也可以指沿第一方向或第二方向的Z字形或弯曲延伸。
每个像素P可发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光，并且可包括例如有机发光二极管。每个像素P还可包括诸如薄膜晶体管(TFT)或存储电容器的元件。显示区域DA可通过从像素P发射的光提供预定图像。如上所述，本说明书中的像素P可指发射红色、绿色、蓝色和白色中的任一种颜色的光的子像素。像素P可以以诸如条纹结构或PenTile结构的各种形式排列。
外围区域PA可为不布置有像素P并且不提供图像的区域。外围区域PA可包括施加有不同的电源电压的第一电源电压线10和第二电源电压线20。外围区域PA还可包括第一内置电路部30、第二内置电路部40和焊盘部50。
第一电源电压线10可在外围区域PA中布置成对应于显示区域DA的一侧。用于将驱动电压传输到显示区域DA中的多个像素P的多个驱动电压线PL可连接到第一电源电压线10。第一电源电压线10可连接到焊盘部50的第一端子52。
第二电源电压线20可在外围区域PA中布置成部分地围绕显示区域DA(例如，当在第三方向上的平面图中观察时)。与沟槽部TH相邻的第二电源电压线20可沿沟槽部TH的形状弯曲。除了显示区域DA的与第一电源电压线10相邻的任一侧以外，第二电源电压线20可沿剩余侧延伸。第二电源电压线20可连接到焊盘部50的第二端子53。
第一内置电路部30可以与衬底100的第一侧100a(例如，沟槽部TH)相邻布置，并且可位于显示区域DA与第二电源电压线20之间。第一内置电路部30可沿沟槽部TH的形状弯曲。可选地，第一内置电路部30可沿显示区域DA的形状弯曲。作为示例，第一内置电路部30可沿在第一方向上突出的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的形状以及显示区域DA的一个角落为圆形的形状弯曲。
第一内置电路部30可包括扫描驱动器。作为示例，第一内置电路部30可生成待提供给显示区域DA的像素P的扫描信号。
第二内置电路部40可与衬底100的第三侧100c相邻。第二内置电路部40可包括扫描驱动器。作为示例，第二内置电路部40可生成待提供给显示区域DA的像素P的扫描信号。
第一内置电路部30和第二内置电路部40可位于显示区域DA的相对侧上，并且可执行双扫描。例如，第一内置电路部30可生成扫描信号并将扫描信号传输到包括在显示区域DA中的一些像素P，并且包括扫描驱动器的第二内置电路部40可生成扫描信号并将扫描信号传输到包括在显示区域DA中的剩余像素P。第一内置电路部30和第二内置电路部40可通过同步时钟信号同步。
第一内置电路部30和第二内置电路部40中的每个还可包括发光驱动器。发光驱动器可生成发射控制信号。在本发明的示例性实施方式中，第一内置电路部30可配置为扫描驱动器，并且第二内置电路部40可形成为发光驱动器。第二内置电路部40可被省略。第一内置电路部30和/或第二内置电路部40可连接到焊盘部50的第三端子54。
焊盘部50可与作为衬底100的长边的第二侧100b或第四侧100d相邻。因此，尽管焊盘部50示出为位于第二侧100b上，但是焊盘部50可位于第四侧100d上。
焊盘部50可包括多个端子51、52、53和54。焊盘部50可被暴露(例如，未被绝缘层覆盖)，并且可连接到包括控制器70(诸如驱动器IC芯片)的柔性膜60(诸如柔性印刷电路板)。作为示例，膜上芯片(COF)可通过柔性膜60连接到控制器70，但是本发明不限于此。在本发明的示例性实施方式中，控制器70可为直接布置在衬底100的焊盘部50上的COP型。
控制器70可将从外部传输的多个图像信号转换为多个图像数据信号，并且可通过端子51将转换的信号传输到显示区域DA。控制器70可接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号以生成用于控制第一内置电路部30和第二内置电路部40的驱动的控制信号，并且可分别通过第三端子54将控制信号传输到第一内置电路部30和第二内置电路部40。控制器70可分别通过第一端子52和第二端子53将不同的电压传输到第一电源电压线10和第二电源电压线20。
第一电源电压线10可将第一电源电压ELVDD提供给每个像素P，并且第二电源电压线20可将第二电源电压ELVSS提供给每个像素P。例如，第一电源电压ELVDD可通过与第一电源电压线10连接的驱动电压线PL提供给每个像素P。第二电源电压ELVSS可在外围区域PA中连接到设置在的每个像素P中的有机发光二极管的阴极。
在本发明的示例性实施方式中，焊盘部50可与比衬底100的第一侧100a相对更长的第二侧100b或第四侧100d相邻。由于焊盘部50可传输由控制器70生成的数据信号，因此焊盘部50可考虑扫描开启时间而被布置在衬底100的长边上，并因此图像分辨率可增加。作为示例，用于将数据信号传输到衬底100的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的数据线的一部分可布置在与沟槽部TH相邻的外围区域PA中。
在本发明的示例性实施方式中，可单独地提供第一显示区域DA1的数据线和第二显示区域DA2的数据线(例如，数据线可彼此间隔开)。连接数据线(例如，通过桥)的连接布线可布置成与第一内置电路部30重叠。因此，外围区域PA的尺寸可被减小。下面将对连接布线和数据线进行更详细的描述。
图2A和图2B是根据本发明的示例性实施方式的显示装置中的像素的等效电路图。
参照图2A，每个像素P可包括与扫描线SL和数据线DL连接的像素电路PC以及与像素电路PC连接的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可包括驱动TFT T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。开关TFT T2可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动TFT T1。
存储电容器Cst可连接到开关TFT T2和驱动电压线PL，并且可存储与从开关TFTT2供给的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动TFT T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可与存储在存储电容器Cst中的电压值对应地控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可通过驱动电流发射具有预定亮度的光。
尽管图2A示出了像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器的情况，但是本发明不限于此。
参照图2B，像素电路PC可包括驱动TFT T1和开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7以及存储电容器Cst。
尽管图2B示出了为每个像素P提供信号线SLn、SLn-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL的情况，但是本发明不限于此。在本发明的示例性实施方式中，信号线SLn、SLn-1、EL和DL中的至少一个和/或初始化电压线VL可由邻近像素共享。
驱动TFT T1的漏电极可经由第二发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动TFT T1可根据开关TFT T2的开关操作来接收数据信号Dm，并且可将驱动电流供给到有机发光二极管OLED。
开关TFT T2的栅电极可连接到扫描线SL，并且开关TFT T2的源电极可连接到数据线DL。开关TFT T2的漏电极可连接到驱动TFT T1的源电极，并且还可经由第一发射控制TFTT5连接到驱动电压线PL。
开关TFT T2可响应于通过第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而被导通，并且可执行用于将传输到数据线DL的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的源电极的开关操作。
补偿TFT T3的栅电极可连接到扫描线SLn。补偿TFT T3的源电极可连接到驱动TFTT1的漏电极，并且还可经由第二发射控制TFT T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿TFT T3的漏电极可连接到存储电容器Cst的任一个电极、第一初始化TFT T4的源电极和驱动TFT T1的栅电极。补偿TFT T3可响应于通过扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而被导通以将驱动TFT T1的栅电极与漏电极彼此连接，因此二极管式连接驱动TFT T1。
第一初始化TFT T4的栅电极可连接到前一扫描线SLn-1。第一初始化TFT T4的漏电极可连接到初始化电压线VL。第一初始化TFT T4的源电极可一同连接到存储电容器Cst的任一个电极、补偿TFT T3的漏电极或驱动TFT T1的栅电极。第一初始化TFT T4可响应于通过前一扫描线SLn-1接收的第二扫描信号Sn-1而被导通以将初始化电压VINT传输到驱动TFT T1的栅电极，以执行用于初始化驱动TFT T1的栅电极的电压的初始化操作。
第一发射控制TFT T5的栅电极可连接到发射控制线EL。第一发射控制TFT T5的源电极可连接到驱动电压线PL。第一发射控制TFT T5的漏电极可连接到驱动TFT T1的源电极和开关TFT T2的漏电极。
第二发射控制TFT T6的栅电极可连接到发射控制线EL。第二发射控制TFT T6的源电极可连接到驱动TFT T1的漏电极和补偿TFT T3的源电极。第二发射控制TFT T6的漏电极可电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6可响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而基本上同时被导通，由此使得第一电源电压ELVDD被传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流可流过有机发光二极管OLED。
第二初始化TFT T7的栅电极可连接到前一扫描线SLn-1。第二初始化TFT T7的源电极可连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化TFT T7的漏电极可连接到初始化电压线VL。第二初始化TFT T7可响应于通过前一扫描线SLn-1接收的第二扫描信号Sn-1而被导通以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管图2B示出了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线SLn-1的情况，但是本发明不限于此。在本发明的示例性实施方式中，第一初始化TFT T4可连接到前一扫描线SLn-1并且根据第二扫描信号Sn-1来驱动。第二初始化TFT T7可连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)，并且可根据传输到对应扫描线的信号来驱动。
存储电容器Cst的另一个电极可连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的任一个电极可一同连接到驱动TFT T1的栅电极、补偿TFT T3的漏电极和第一初始化TFT T4的源电极。
可以向有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)供给第二电源电压ELVSS(或公共电源电压)。有机发光二极管OLED可从驱动TFT T1接收驱动电流并且可发光。
像素电路PC不限于参照图2A和图2B描述的TFT和存储电容器的电路设计和数量，并且数量和电路设计可根据需要来改变。
下面将参照图3至图5对根据本发明的示例性实施方式的显示装置进行更详细的描述。
图3是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的对应于图1的部分A的一部分的放大平面图。图4是图3的部分B的放大平面图。
参照图3和图4，根据本发明的示例性实施方式的显示装置可包括具有沟槽部TH的衬底100，沟槽部TH可在第一侧100a处凹入衬底100中，与沟槽部TH相邻的第一内置电路部30，第一显示区域DA1中的第一布线DL1，第二显示区域DA2中的第二布线DL2以及用于将第一布线DL1连接到第二布线DL2并且与第一内置电路部30重叠的连接布线CL。
第一内置电路部30可以与衬底100的第一侧100a相邻(例如，与沟槽部TH相邻地)布置，并且可位于显示区域DA与第二电源电压线20之间。第一内置电路部30可沿沟槽部TH的形状弯曲。可选地，第一内置电路部30可沿显示区域DA的形状弯曲。作为示例，第一内置电路部30可沿在第一方向上突出的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的形状或者显示区域DA的一个角落为圆形的形状弯曲。
第一内置电路部30可包括扫描驱动器。作为示例，第一内置电路部30可生成待提供给显示区域DA的像素P的扫描信号。作为示例，第一内置电路部30可包括用于顺序地输出控制信号(例如，扫描信号或发射控制信号)的多个级31。级31可包括至少一个TFT和/或电容器。在级31中生成的控制信号可通过扫描线SL传输到显示区域DA的像素P。作为示例，扫描线SL可连接到第一内置电路部30并且延伸到显示区域DA。扫描线SL可布置在与连接布线CL的那些层不同的层中，并且可与连接布线CL相交。在本说明书中，级31可指用于生成控制信号的单元。
第一布线DL1可用作在第一显示区域DA1上沿第二方向延伸并且将数据信号传输到布置在第一显示区域DA1中的像素P的数据线。作为示例，第一布线DL1的端部可电连接到焊盘部50(参见例如图1)的端子以接收从控制器70供给的数据信号。
第二布线DL2可用作在第二显示区域DA2上沿第二方向延伸并且将数据信号传输到布置在第二显示区域DA2中的像素P的数据线。第二布线DL2可通过连接布线CL连接到第一布线DL1，并且可将从第一布线DL1接收的数据信号传输到第二显示区域DA2的像素P。
然而，本发明不限于此。在本发明的示例性实施方式中，第一布线DL1和第二布线DL2可用作驱动电压线。在本发明的示例性实施方式中，第一布线DL1和第二布线DL2可用作用于传输扫描信号的扫描线。
第一布线DL1和第二布线DL2可彼此间隔开，它们之间具有沟槽部TH。连接布线CL可将第一布线DL1连接到第二布线DL2。连接布线CL可布置在与沟槽部TH相邻的外围区域PA中并且沿沟槽部TH的形状弯曲。可选地，连接布线CL可沿显示区域DA的形状弯曲。
连接布线CL可设置在与第一布线DL1和第二布线DL2的层不同的层中，由此使得第一布线DL1和第二布线DL2可被桥接。作为示例，连接布线CL的端部可通过第一接触孔CNT1连接到第一布线DL1，并且连接布线CL的另一端部可通过第二接触孔CNT2连接到第二布线DL2。
第一布线DL1可设置为多个，并且可包括彼此相邻的第1a布线DL1a和第1b布线DL1b。第二布线DL2可设置为多个，并且可包括彼此相邻的第2a布线DL2a和第2b布线DL2b。第1a布线DL1a和第2a布线DL2a可通过第一连接布线CLa彼此连接，并且第1b布线DL1b和第2b布线DL2b可通过第二连接布线CLb彼此连接。第一连接布线CLa和第二连接布线CLb的弯曲形状可彼此不同。例如，与显示区域DA进一步相邻的第一连接布线CLa的曲率程度可大于第二连接布线CLb的曲率程度。
连接布线CL可布置成与第一内置电路部30至少部分地重叠。连接布线CL可设置在与第一内置电路部30的层不同的层中，并且可与第一内置电路部30中的级31重叠。此外，连接布线CL可与级31中的TFT或电容器重叠。
参照图4，连接布线CL的一部分可在不与第一内置电路部30重叠的区中在第二方向上基本上线性地延伸，并且可从与第一内置电路部30重叠的区沿沟槽部TH的形状弯曲。不与第一内置电路部30重叠的区中相邻的第一连接布线CLa与第二连接布线CLb之间的最短距离d1可大于与第一内置电路部30重叠的区中的最短距离d2。
多个连接布线CL可布置为与包括在第一内置电路部30中的级31重叠。级31中可包括有多个TFT。
可通过连接布线CL与第一内置电路部30之间的布置关系来最小化外围区域PA的死区。
下面将参照图5和图6对根据本发明的示例性实施方式的显示装置进行更详细的描述。图5是沿图3的线I-I’和线II-II’截取的剖面图，并且图6是沿图4的线III-III’截取的剖面图。
参照图5，像素P可布置在显示区域DA中，并且第一内置电路部30和与第一内置电路部30重叠的连接布线CL可布置在与沟槽部TH相邻的外围区域PA中。
参照显示区域DA，缓冲层101可布置在衬底100上，并且驱动TFT T1和开关TFT T2以及存储电容器Cst可位于缓冲层101上方。
衬底100可包括各种材料，诸如玻璃材料或塑料材料，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺。当衬底100包括塑料材料时，与衬底100包括玻璃材料的情况相比，可进一步增加柔性。包括形成为防止杂质渗透的氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的缓冲层101可设置在衬底100上。例如，显示装置可为在一些时候处于弯折的或弯曲的状态并且在其它时候处于基本上平坦的状态的可弯曲的或可折叠的显示装置。可选地，显示装置可处于永久折叠的、弯折的或弯曲的状态。
驱动TFT T1可包括驱动半导体层A1和驱动栅电极G1，并且开关TFT T2可包括开关半导体层A2和开关栅电极G2。第一栅极绝缘层103可位于驱动半导体层A1与驱动栅电极G1之间以及开关半导体层A2与开关栅电极G2之间。第一栅极绝缘层103可包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx或氮氧化硅(SiON)。
驱动半导体层A1和开关半导体层A2可包括非晶硅或多晶硅。在本发明的示例性实施方式中，驱动半导体层A1和开关半导体层A2可包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。驱动半导体层A1包括(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与驱动栅电极G1重叠并且未掺杂有杂质的驱动沟道区以及位于驱动沟道区的两侧上的掺杂有杂质的驱动源区和驱动漏区。驱动源电极S1和驱动漏电极D1可分别连接到驱动源区和驱动漏区。驱动半导体层A1和开关半导体层A2可形成为单层或多层。
开关半导体层A2可包括与开关栅电极G2重叠并且未掺杂有杂质的开关沟道区以及位于开关沟道区的相对两侧上的掺杂有杂质的开关源区和开关漏区。开关源电极S2和开关漏电极D2可分别连接到开关源区和开关漏区。
栅电极G1和G2中的每个可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且可形成为单层或多层。例如，驱动栅电极G1和开关栅电极G2中的每个可为包括Mo的单层。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2中的每个可包括Mo、Al、Cu或Ti，并且可形成为包括上述材料的单层或多层。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2中的每个可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
在本发明的示例性实施方式中，存储电容器Cst可(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与驱动TFT T1重叠。在这种情况下，可增加存储电容器Cst和驱动TFTT1的面积，并且可提供相对高品质的图像。例如，驱动栅电极G1可为存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1。第二存储电容器板CE2可与第一存储电容器板CE1重叠，第二栅极绝缘层105布置在第二存储电容器板CE2与第一存储电容器板CE1之间。第二栅极绝缘层105可包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx和SiON。
驱动TFT T1和开关TFT T2以及存储电容器Cst可基本上被层间绝缘层107覆盖。层间绝缘层107可包括无机绝缘材料，诸如SiON、SiOx和/或SiNx。数据线DL和驱动电压线PL可位于层间绝缘层107上。数据线DL可通过穿透层间绝缘层107的接触孔连接到开关TFT T2的开关半导体层A2。数据线DL可用作开关源电极S2。驱动源电极S1、驱动漏电极D1、开关源电极S2和开关漏电极D2可位于层间绝缘层107上。驱动源电极S1、驱动漏电极D1、开关源电极S2和开关漏电极D2可通过穿透层间绝缘层107的接触孔连接到驱动半导体层A1或开关半导体层A2。
驱动电压线PL、数据线DL、驱动源电极S1、驱动漏电极D1、开关源电极S2和开关漏电极D2可基本上被无机保护层PVX覆盖。
无机保护层PVX可为包括SiNx和/或SiOx的单层或多层。无机保护层PVX可基本上覆盖并保护暴露在非显示区域NDA中的一些布线。在与数据线DL或驱动电压线PL的操作相同的操作中一起形成的布线和/或导电层可暴露在衬底100的一部分(例如，外围区域PA的一部分)中。布线和/或导电层的暴露部分可能因用于图案化下面更详细描述的像素电极310的蚀刻剂而被损坏。由于无机保护层PVX基本上覆盖数据线DL和与数据线DL一起形成的布线的至少一部分，因此可防止布线和/或导电层在像素电极310的图案化工艺中被损坏。
第一平坦化层109和第二平坦化层111可为平坦化绝缘层，并且可包括有机材料。有机材料可包括聚合物，诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、包含酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇聚合物或它们的共混物。可选地，第一平坦化层109和第二平坦化层111可包括无机材料，诸如SiON、SiOx和/或SiNx。在本发明的示例性实施方式中，可通过化学机械抛光来平坦化第一平坦化层109和第二平坦化层111的上部。
附加驱动电压线PL'可位于第一平坦化层109上。附加驱动电压线PL'可为包括Al、Cu、Ti和其合金中的至少一种的单层或多层。在本发明的示例性实施方式中，附加驱动电压线PL'可为Ti/Al/Ti的三层。附加驱动电压线PL'可通过形成在第一平坦化层109中的接触孔连接到驱动电压线PL以减小电阻。
有机发光二极管OLED可位于第二平坦化层111上，并且有机发光二极管OLED具有像素电极310、相对电极330和布置在它们之间且包括发射层的中间层320。
像素限定层113可位于像素电极310上。像素限定层113可具有用于暴露像素电极310的开口以限定像素的发光区。另外，像素限定层113可增加像素电极310的边缘与相对电极330之间的距离，从而防止在它们之间产生电弧。像素限定层113可包括有机材料，诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
中间层320可包括相对低分子量材料或相对高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可通过堆叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)而具有单层或复合结构。中间层320可包括各种有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。这些层可通过蒸镀方法形成。
当中间层320包括高分子量材料时，中间层320可具有包括HTL和EML的结构。HTL可包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可包括相对高分子量材料，诸如聚苯乙炔(PPV)和聚芴。然而，中间层320不限于此，并且根据需要可具有各种结构。例如，中间层320可包括在整个多个像素电极310上方的整体层，或者可具有被图案化以对应于像素电极310中的每个的层。
相对电极330可在显示区域DA上方形成以基本上覆盖显示区域DA。相对电极330可在多个有机发光装置OLED上方整体地形成以对应于多个像素电极310。相对电极330可延伸到外围区域PA并且可连接到第二电源电压线20。
第一内置电路部30可布置在外围区域PA中，并且可包括至少一个外围TFT TC。
外围TFT TC可包括外围半导体层AC和外围栅电极GC。第一栅极绝缘层103可定位在外围半导体层AC与外围栅电极GC之间。第一栅极绝缘层103可包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx或SiON。外围半导体层AC可布置在与驱动半导体层A1和开关半导体层A2相同的层中。
外围半导体层AC可包括非晶硅或多晶硅。在本发明的示例性实施方式中，外围半导体层AC可包括In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti、Al、Cs、Ce和Zn中的至少一种的氧化物。外围半导体层AC可包括与外围栅电极GC重叠并且未掺杂有杂质的外围沟道区以及位于外围沟道区的相对两侧上的掺杂有杂质的外围源区和外围漏区。外围源电极SC和外围漏电极DC可分别连接到外围源区和外围漏区。外围半导体层AC可为单层或多层。
外围栅电极GC包括Mo、Al、Cu或Ti，并且可形成为单层或多层。例如，外围栅电极GC可为包括Mo的单层。外围栅电极GC可设置在与驱动栅电极G1和开关栅电极G2相同的层中，并且可包括与驱动栅电极G1和开关栅电极G2相同的材料。
扫描线SL可设置在与外围栅电极GC的层相同的层中，并且可包括与外围栅电极GC的材料相同的材料。扫描线SL可将由第一内置电路部30生成的信号传输到显示区域DA。
外围栅电极GC可基本上被第二栅极绝缘层105和层间绝缘层107覆盖。外围源电极SC和外围漏电极DC可位于层间绝缘层107上方，并且可通过穿透层间绝缘层107、第二栅极绝缘层105和第一栅极绝缘层103的接触孔连接到外围半导体层AC。外围栅电极GC可基本上被无机保护层PVX覆盖。第一平坦化层109可位于无机保护层PVX上。
在外围区域PA中，多个连接布线CL可在第一平坦化层109上(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与第一内置电路部30重叠。多个连接布线CL可(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与外围TFT TC重叠。连接布线CL的部分区可不与第一内置电路部30重叠。多个连接布线CL可设置在与附加驱动电压线PL'的层相同的层中，并且可包括与附加驱动电压线PL'的材料相同的材料。多个连接布线CL可基本上被第二平坦化层111覆盖。在本发明的示例性实施方式中，第二平坦化层111可基本上覆盖第一平坦化层109的侧表面。然而，本发明不限于此。第二平坦化层111可仅布置在第一平坦化层109上方，并且第一平坦化层109和第二平坦化层111的端部可形成为阶梯形状。
第二电源电压线20可以在外围区域PA中与衬底100的边缘相邻布置。第一内置电路部30可位于显示区域DA与第二电源电压线20之间。第二电源电压线20可设置在与数据线DL、驱动电压线PL、源电极S1、S2和SC或漏电极D1、D2和DC的层相同的层中，并且可包括与数据线DL、驱动电压线PL、源电极S1、S2和SC或漏电极D1、D2和DC的材料相同的材料。第二电源电压线20可包括诸如Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可形成为包括上述材料的单层或多层。例如，第二电源电压线20可具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二电源电压线20可连接到相对电极330并且可将第二电源电压ELVSS传输到相对电极330。相对电极330可一体地设置在多个像素P中，并且相对电极330的端部可连接到第二电源电压线20。作为示例，相对电极330和第二电源电压线20可彼此直接接触，但是本发明不限于此。例如，导电层可设置在相对电极330与第二电源电压线20之间，并且相对电极330和第二电源电压线20可通过位于它们之间的导电层彼此连接。
参照图6，第一布线DL1和连接布线CL可设置在不同的层中并且通过第一接触孔CNT1彼此连接。
第一布线DL1可位于层间绝缘层107上。第一布线DL1可设置在与数据线DL、驱动电压线PL、源电极S1和S2和/或漏电极D1和D2的层相同的层中，并且可包括与数据线DL、驱动电压线PL、源电极S1和S2和/或漏电极D1和D2的材料相同的材料。连接布线CL可位于第一平坦化层109上并且通过穿透第一平坦化层109和无机保护层PVX的第一接触孔CNT1连接到第一布线DL1。连接布线CL可基本上被第二平坦化层111覆盖。
由于根据本发明的示例性实施方式的显示装置在衬底100的长边上具有焊盘部50，并且第一内置电路部30与衬底100的沟槽部TH相邻，因此显示装置可实现相对高品质的图像。另外，外围区域PA的死区可通过使第一内置电路部30和连接布线CL(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)重叠来减小。
图7是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖面图。在图7中，与图5中相同的附图标记表示相同的元件，并且可省略其重复描述。
参照图7，TFT T1和T2以及作为显示元件的有机发光装置OLED可布置在显示装置的显示区域DA中，并且第一内置电路部30和(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与第一内置电路部30重叠的连接布线CL可布置在与衬底100的沟槽部TH相邻的外围区域PA中。
第一内置电路部30可包括至少一个外围TFT TC，并且连接布线CL至少部分地(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与外围TFT TC重叠。连接布线CL可布置在基本上覆盖显示区域DA的TFT T1和T2以及外围区域PA的外围TFT TC的第一平坦化层109上以传输数据信号或驱动电压。
在本发明的示例性实施方式中，第二电源电压线20可通过堆叠第一层20a和第二层20b来形成。第一层20a可设置在与布置在显示区域DA中的数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2的层相同的层中，并且包括与数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2的材料相同的材料。第二层20b可设置在与连接布线CL的层相同的层中，并且可包括与连接布线CL的材料相同的材料。通过以双层提供第二电源电压线20，可以降低第二电源电压线20的电阻率。因此，第二电源电压线20的电压降可被最小化。另外，第二电源电压线20的宽度可被减小，并且外围区域PA的尺寸可被减小。
在本发明的示例性实施方式中，包括与像素电极310的材料相同的材料的导电层311可位于第二电源电压线20与相对电极330之间。导电层311可沿第二平坦化层111的侧表面从第二平坦化层111的上部延伸以直接接触第二电源电压线20。相对电极330可与导电层311直接接触以电连接到第二电源电压线20。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置可通过将第一内置电路部30布置成与衬底100的沟槽部TH相邻并且使第一内置电路部30和连接布线CL(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)重叠来减小外围区域PA的死区，同时实现相对高品质的图像。
图8A和图8B是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖面图。在图8A和图8B中，与图5和图6中相同的附图标记表示相同的元件，并且可省略其重复描述。
参照图8A和图8B，TFT T1和T2以及作为显示元件的有机发光装置OLED可布置在显示装置的显示区域DA中，并且第一内置电路部30和与第一内置电路部30重叠的连接布线CL'可布置在与衬底100的沟槽部TH相邻的外围区域PA中。
第一内置电路部30可包括至少一个外围TFT TC，并且连接布线CL'可至少部分地与外围TFT TC重叠。连接布线CL'可布置在外围区域PA的外围TFT TC下方以传输数据信号或驱动电压。
在本发明的示例性实施方式中，下金属层M1和M2还可布置在显示区域DA中的半导体层A1和A2下方以对应于半导体层A1和A2。下金属层M1和M2可位于衬底100与半导体层A1和A2之间以遮蔽可能入射在半导体层A1和A2上的光。下金属层M1和M2可包括Mo、Al、Cu或Ti，并且可为单层或多层。
下金属层M1和M2可位于缓冲层101上。绝缘层101'可位于下金属层M1和M2与半导体层A1和A2之间。绝缘层101'可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZrO2)。
半导体层A1和A2的特性可通过光来改变。半导体层A1和A2的特性的改变可能导致TFT T1和T2的特性的改变。在本发明的示例性实施方式中，通过引入下金属层M1和M2，可稳定TFT T1和T2的特性，而不会被外部光改变。
在本发明的示例性实施方式中，电压可施加到下金属层M1和M2。例如，驱动电压可施加到下金属层M1和M2，并且可连接到TFT的源电极S1和S2、漏电极D1和D2或栅电极G1和G2以使得与它们互锁的电压可被施加。因此，可稳定TFT T1和T2的特性。
在本发明的示例性实施方式中，连接布线CL'可设置在与下金属层M1和M2的层相同的层中，并且可包括与下金属层M1和M2的材料相同的材料。连接布线CL'可与包括在第一内置电路部30中的外围TFT TC一起布置，它们之间具有绝缘层101'。由于连接布线CL'布置在第一内置电路部30下方，因此第一布线DL1可通过穿透层间绝缘层107、第二栅极绝缘层105、第一栅极绝缘层103和绝缘层101'的接触孔CNT1'与连接布线CL'直接接触。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置可通过将第一内置电路部30布置成与衬底100的沟槽部TH相邻并且使第一内置电路部30和连接布线CL'(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)重叠来减小外围区域PA的死区，同时实现相对高品质的图像。
图9是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖面图。在图9中，与图5中相同的附图标记表示相同的元件，并且可省略其重复描述。
参照图9，TFT T1和T2以及作为显示元件的有机发光装置OLED可布置在显示装置的显示区域DA中，并且第一内置电路部30和(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与第一内置电路部30重叠的连接布线CL可布置在与衬底100的沟槽部TH相邻的外围区域PA中。
第一内置电路部30可包括至少一个外围TFT TC，并且连接布线CL至少部分地(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与外围TFT TC重叠。连接布线CL可布置在外围区域PA的外围TFT TC下方以传输数据信号或驱动电压。
在本发明的示例性实施方式中，显示装置还可包括用于密封显示区域DA的薄膜封装层400以防止显示元件被来自外部的湿气或氧气损坏。
薄膜封装层400可基本上覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA的外部。薄膜封装层400可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，薄膜封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可基本上覆盖相对电极330，并且可包括SiOx、SiNx和/或SiON。作为示例，如覆盖层的其它层可位于第一无机封装层410与相对电极330之间。第一无机封装层410的形状可沿其下方的结构的形状形成，并因此，其上表面可不为平坦的。有机封装层420可基本上覆盖第一无机封装层410。然而，有机封装层420的上表面可形成为大致平坦的。作为示例，有机封装层420的与显示区域DA对应的上表面可为大致平坦的。有机封装层420可包括选自PET、PEN、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚醚砜(PES)、聚甲醛(POM)、聚丙烯酸酯(PAR)和HMDSO中的至少一种。第二无机封装层430可基本上覆盖有机封装层420，并且可包括SiOx、SiNx和/或SiON。
如果通过上述多层结构在薄膜封装层400中发生裂纹，则裂纹可能不会连接在第一无机封装层410与有机封装层420之间或者有机封装层420与第二无机封装层430之间。以这种方式，可防止或最小化外部湿气或氧气渗透到显示区域DA中的渗透路径的形成。偏振板可位于薄膜封装层400上(例如，可通过基本上透明的粘合剂粘接)。偏振板可减少外部光反射。可使用包括黑色矩阵和滤色器的层来代替偏振板。
在本发明的示例性实施方式中，坝部120可布置在外围区域PA中。坝部120可布置成与第二平坦化层111和像素限定层113间隔开。当形成薄膜封装层400的有机封装层420时，可防止有机材料流到衬底100的边缘。当设置有多个坝部120时，多个坝部120可布置成彼此间隔开。
坝部120可形成为单层或多层。作为示例，坝部120可具有堆叠第一层120a、第二层120b和第三层120c的结构。在这种情况下，第一层120a可包括与第一平坦化层109的材料相同的材料。第一层120a可与第一平坦化层109基本上同时形成。第二层120b可包括与第二平坦化层111的材料相同的材料。第二层120b可与第二平坦化层111基本上同时形成。第三层120c可包括与像素限定层113的材料相同的材料。第三层120c可与像素限定层113基本上同时形成。然而，本发明不限于此。坝部120可形成为单层或双层，并且可进行各种修改。
由于薄膜封装层400的第一无机封装层410和第二无机封装层430直接与坝部120的外部接触，因此有机封装层420可不暴露于外部。因此，可防止外部空气或湿气通过有机材料的渗入。
在本发明的示例性实施方式中，导电层311可包括与像素电极310的材料相同的材料，并且可位于第二电源电压线20与相对电极330之间。当布置导电层311时，导电层311的一部分可位于坝部120的第二层120b与第三层120c之间。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置可通过将第一内置电路部30布置成与衬底100的沟槽部TH相邻并且使第一内置电路部30和连接布线CL重叠来减小外围区域PA的死区，同时实现相对高品质的图像。
图10是根据本发明的示例性实施方式的显示装置的剖面图。在图10中，与图5中相同的附图标记表示相同的元件，并且可省略其重复描述。
参照图10，TFT T1和T2以及作为显示元件的有机发光装置OLED可布置在显示装置的显示区域DA中。第一内置电路部30和与第一内置电路部30重叠的连接布线CL可布置在与衬底100的沟槽部TH相邻的外围区域PA中。
第一内置电路部30可包括至少一个外围TFT TC，并且连接布线CL至少部分地(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)与外围TFT TC重叠。连接布线CL可布置在外围区域PA的外围TFT TC下方以传输数据信号或驱动电压。
在本发明的示例性实施方式中，显示区域DA可由密封衬底500和密封构件510密封。密封衬底500可布置成面向衬底100以基本上覆盖显示区域DA，并且可在外围区域PA中用密封构件510接合到衬底100。
密封衬底500可包括玻璃材料。密封构件510可包括通过激光固化的熔料。密封构件510可连续地布置成围绕显示区域DA。
密封衬底500和密封构件510可密封显示区域DA以使得氧气和/或湿气不会流入显示区域DA中。密封衬底500上方还可包括诸如触摸屏层和偏振膜的各种功能层。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置可通过将第一内置电路部30布置成与衬底100的沟槽部TH相邻并且使第一内置电路部30和连接布线CL(例如，沿与第一方向和第二方向正交的第三方向)重叠来减小外围区域PA的死区，同时实现相对高品质的图像。
本发明的示例性实施方式的技术特征或方面的描述通常应认为是可用且可应用于本发明的另一示例性实施方式中的其它类似特征或方面。因此，根据本发明的一个示例性实施方式在本文中描述的技术特征可应用于本发明的其它示例性实施方式，并因此在本文中可省略重复的描述。例如，参照图9或图10描述的实施方式可应用于参照图5至图8B描述的实施方式，并且可进行各种组合。
本公开的实施方式可通过提供与沟槽部相邻的内置电路部并且使内置电路部与连接布线重叠来实现能够在提供相对高品质的图像的同时减小外围区域的显示装置。
尽管已参照本发明的示例性实施方式对本发明进行了示出和描述，但是本领域普通技术人员将明确，在不背离本发明的范围和精神的情况下可在形式和细节上对其进行各种改变。

Claims (20)

1.显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括沟槽部，所述衬底包括显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域，其中，所述显示区域包括第一显示区域和第二显示区域以显示图像，所述第一显示区域与所述第二显示区域之间布置有所述沟槽部；
薄膜晶体管和显示元件，所述薄膜晶体管和所述显示元件各自布置在所述显示区域中；
内置电路部，所述内置电路部位于所述外围区域上方并且与所述沟槽部相邻；
第一布线和第二布线，所述第一布线位于所述第一显示区域中，并且所述第二布线位于所述第二显示区域中；以及
连接布线，所述连接布线将所述第一布线连接到所述第二布线并且与所述内置电路部重叠。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述内置电路部包括多个级，所述多个级包括至少一个外围薄膜晶体管，以及
所述连接布线与所述至少一个外围薄膜晶体管重叠。
3.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
扫描线，所述扫描线连接到所述内置电路部并且与所述显示区域重叠，
其中，所述扫描线在与所述连接布线的层不同的层中与所述连接布线相交。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线包括彼此相邻的第一连接布线和第二连接布线，以及
与所述内置电路部不重叠的区中所述第一连接布线与所述第二连接布线之间的最短距离大于与所述内置电路部重叠的区中所述第一连接布线与所述第二连接布线之间的最短距离。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线包括彼此相邻的第一连接布线和第二连接布线，以及
与所述内置电路部重叠的区中所述第一连接布线和所述第二连接布线是弯曲的。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，与所述内置电路部重叠的所述区中所述第一连接布线的曲率程度和所述第二连接布线的曲率程度彼此不同。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述衬底包括定位有所述沟槽部的第一侧和与所述第一侧相交并且比所述第一侧更长的第二侧，以及
其中，所述显示装置还包括：
焊盘部，所述焊盘部在所述外围区域中与所述第二侧相邻并且将控制信号传输到所述第一布线。
8.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
无机保护层，所述无机保护层基本上覆盖所述第一布线和所述第二布线，
平坦化层，所述平坦化层布置在所述无机保护层上，
其中，所述连接布线定位在所述平坦化层上方并且通过穿透所述平坦化层和所述无机保护层的第一接触孔和第二接触孔分别连接到所述第一布线和所述第二布线。
9.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一电源电压线，所述第一电源电压线布置成对应于所述显示区域的一侧；以及
第二电源电压线，所述第二电源电压线与所述显示区域的至少一部分相邻，
其中，所述内置电路部定位在所述显示区域与所述第二电源电压线之间。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二电源电压线包括第一层和位于所述第一层上的第二层，所述第一层设置在与所述第一布线的层相同的层中，并且所述第二层包括与所述连接布线的材料相同的材料。
11.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示元件包括像素电极、中间层和相对电极，
所述第二电源电压线上方定位有导电层，所述导电层包括与所述像素电极的材料相同的材料，以及
所述相对电极与所述外围区域重叠并且经由所述导电层电连接到所述第二电源电压线。
12.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
下导电层，所述下导电层与所述薄膜晶体管重叠，所述下导电层与所述薄膜晶体管之间具有绝缘层，所述下导电层定位在所述衬底与所述薄膜晶体管之间，
其中，所述连接布线位于与所述下导电层的层相同的层上。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述连接布线通过穿透所述绝缘层的接触孔连接到第一布线。
14.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
薄膜封装层，所述薄膜封装层密封所述显示区域并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；以及
坝部，所述坝部位于所述外围区域中并且从所述衬底突出。
15.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
密封衬底，所述密封衬底密封所述显示区域并且面向所述衬底；以及
密封构件，所述密封构件与所述外围区域相邻并且将所述衬底接合到所述密封衬底。
16.显示装置，包括：
衬底，所述衬底包括在第一侧处凹入所述衬底中的沟槽部，所述衬底包括显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域，其中，所述显示区域包括第一显示区域和第二显示区域以显示图像，所述第一显示区域与所述第二显示区域之间布置有所述沟槽部；
薄膜晶体管和显示元件，所述薄膜晶体管和所述显示元件各自布置在所述显示区域中；
第一内置电路部，所述第一内置电路部位于所述外围区域上方并且与所述沟槽部相邻，所述第一内置电路部包括至少一个外围薄膜晶体管；
焊盘部，所述焊盘部位于与所述第一侧相交的第二侧上方，其中，所述焊盘部上安装有控制器；
第一布线和第二布线，所述第一布线位于所述第一显示区域中，并且所述第二布线位于所述第二显示区域中；以及
连接布线，所述连接布线将所述第一布线连接到所述第二布线并且与所述第一内置电路部重叠。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二侧比所述第一侧更长。
18.如权利要求16所述的显示装置，还包括：
第二内置电路部，所述第二内置电路部与第三侧相邻，所述第三侧与所述衬底的所述第一侧相对。
19.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述连接布线与所述至少一个外围薄膜晶体管重叠。
20.如权利要求16所述的显示装置，其中，所述连接布线的至少一部分沿所述沟槽部的形状弯曲。
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