CN110707214A - 一种钙钛矿薄膜添加剂、钙钛矿薄膜制备方法及其应用 - Google Patents
一种钙钛矿薄膜添加剂、钙钛矿薄膜制备方法及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110707214A CN110707214A CN201910836534.0A CN201910836534A CN110707214A CN 110707214 A CN110707214 A CN 110707214A CN 201910836534 A CN201910836534 A CN 201910836534A CN 110707214 A CN110707214 A CN 110707214A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- perovskite
- polymer
- thin film
- monomers
- click
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 37
- -1 azide compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 12
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/08—Polyhydrazides; Polytriazoles; Polyaminotriazoles; Polyoxadiazoles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种钙钛矿薄膜添加剂，用于点击聚合单体形成聚合物，其中，所述点击聚合单体为二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物，将原位点击聚合形成线型聚合物，使得单体发生聚合反应生成聚合物，所聚合的单体为二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物，有多种化学结构式可选，聚合物中含有O、S、N等具有孤对电子的原子，有效地与钙钛矿发生相互作用，提高聚合物与钙钛矿之间的结合能力，集中于晶界处的聚合物有效保护晶界，钝化缺陷。本发明还提供了形成聚合物的制备方法及其应用。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，特别是涉及一种钙钛矿薄膜添加剂及其制备方法和应用。
背景技术
作为新一代半导体材料，基于钙钛矿结构的材料在太阳能电池、显示和照明、激光和探测器等光电子器件领域展现出了巨大应用潜力。同时，大多数钙钛矿光电器件基于湿法制备，非常有利于器件的大面积、低成本商业化生产。
在绝大多数已报道的工作中，钙钛矿都是多晶薄膜形态，因此，微观晶粒生长造成的膜质优劣对其光电性能有着至关重要的影响。比如，晶粒没有完全覆盖基片，针孔，还有几乎无法避免的晶界问题等。较差的膜质往往加大非辐射复合的概率，降低发光性能和载流子迁移率，同时引起材料的降解。
为了制备光滑、平整、致密的钙钛矿薄膜，不同的策略被应用于降低薄膜中缺陷密度及其影响，比如溶剂工程，组分工程，添加剂工程等。其中，添加剂工程是一种使用广泛的方法，能够有效保护钙钛矿中的晶界，钝化缺陷，提升材料和器件的稳定性。目前添加剂主要集中于有机胺、铵盐等小分子化合物，保护作用有限，急需开发新的添加剂体系。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明主要包含一种钙钛矿薄膜的添加剂，其可原位点击聚合形成聚合物，获得钙钛矿薄膜。其原位生成的聚合物可以有效地保护钙钛矿薄膜中的晶界，钝化缺陷，进而提高钙钛矿光电器件的性能。
本发明提供了一种钙钛矿薄膜添加剂，用于点击聚合单体形成聚合物，所述点击聚合单体为二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物，将原位点击聚合形成线型聚合物为：
n为2～200的整数，R1，R3为相同或不同的有机基团，R2为连接官能团，Fx为连接在苯环上的氟原子，x为F原子的个数，x为2～4的整数。
其中，所述聚合单体中二官能度炔类化合物的结构通式为： 其中，R1为有机基团。
所述聚合单体中二官能度叠氮化合物的结构通式为：
优选地，所述二官能度叠氮化合物中，R3可选自以下化学结构式1-21中的一种或多种：
其中，m为1～20的整数；R′选自O，S或Si元素；*表示取代位置。
所述R2选自以下结构式22～25中的任意一种或多种：
所述聚合物含有O、N、S具有孤对电子的原子。
采用所述钙钛矿薄膜添加剂点击聚合单体形成聚合物的制备方法，包括以下步骤：
步骤1)将二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物加入钙钛矿前驱液中，进行原位点击聚合单体形成聚合物；
步骤2)二官能度炔类化合物、二官能度叠氮化合物形成的薄膜添加剂与钙钛矿前驱液中的钙钛矿组分一起聚合成钙钛矿薄膜；
步骤3)聚合而成钙钛矿薄膜后，40-140度退火5min-2h，或常温放置2h–12h。
优选地，所述钙钛矿前驱液可选自MAPbBr3,FAPbBr3,CsPbBr3,MAPbI3,FAPbI3,CsPbI3,MAPbCl3,FAPbCl3,CsPbCl3以及混合阳离子钙钛矿，混合阴离子钙钛矿，准二维钙钛矿中的一种或多种混合。
一种钙钛矿薄膜添加剂的应用，其应用于点击聚合单体形成聚合物包括钙钛矿材料的光电及半导体器件。
所述钙钛矿材料的光电及半导体器件包括钙钛矿发光二极管，钙钛矿太阳能电池，钙钛矿彩膜，钙钛矿激光器，钙钛矿探测器或钙钛矿闪烁体。
与现有技术相比，本发明改进的钙钛矿薄膜添加剂通过原位点击单体，使得单体发生聚合反应生成聚合物，所聚合的单体为二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物，有多种化学结构式可选，聚合物中含有O、S、N等具有孤对电子的原子，有效地与钙钛矿发生相互作用，提高聚合物与钙钛矿之间的结合能力，集中于晶界处的聚合物有效保护晶界，钝化缺陷。相较于小分子添加剂，该原位形成的聚合物将提供更好的湿热隔绝性，更高的机械抗力和稳定性，有利于与材料与器件寿命的延长。
具体实施方式
本发明提出一种改进的钙钛矿薄膜添加剂，其可原位点击单体聚合而成聚合物，将点击聚合单体作为添加剂，利用点击聚合反应的高效性、温和性、专一性，原位形成聚合物，保护晶界，钝化缺陷，进而提高钙钛矿光电器件的性能。本发明提供了一种钙钛矿薄膜添加剂，用于点击聚合单体形成聚合物，所述点击聚合单体为二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物，通过两种单体进行混合聚合，将原位点击聚合形成线型聚合物为：
n为2～200的整数，R1，R3为相同或不同的有机基团，R2为连接官能团，Fx为连接在苯环上的氟原子，x为F原子的个数，x为2～4的整数。
其中，所述聚合单体中二官能度炔类化合物的结构通式(I)为：
其中，R1为有机基团，R1通过炔烃与二官能团组合。
所述聚合单体中二官能度叠氮化合物的结构通式(II)为：
其中，R3为有机基团，R2为连接官能团，Fx为连接在苯环上的氟原子，x为F原子的个数，x为2～4的整数，N3是具体的官能团，即叠氮。
优选地，所述二官能度叠氮化合物中，R3可选自以下有机化合物化学结构式1-21中的一种或多种：
其中，m为1～20的整数；R′选自O，S或Si元素；*表示取代位置。
所述R2选自以下结构式22～25中的任意一种或多种：
所述聚合物含有O、N、S具有孤对电子的原子。通过具有孤对电子的原子有效地与钙钛矿发生相互作用，提高聚合物与钙钛矿之间的结合能力，集中于晶界处的聚合物将有效的保护晶界，钝化缺陷。相较于小分子添加剂，该原位形成的聚合物将提供更好的湿热隔绝性，更高的机械抗力和稳定性，有利于与材料与器件寿命的延长。
本发明的目的是在钙钛矿前驱液中添加点击聚合单体，利用点击聚合单体原位形成聚合物，该聚合物可以改善提高钙钛矿的膜质。而钙钛矿光电器件的性能很大程度上依赖于钙钛矿膜质的好坏，所以进而提升钙钛矿光电器件的性能。
特别需要强调，采用本发明改进的钙钛矿薄膜添加剂，所用的添加剂本身就是点击聚合单体，所以高效性、温和性、专一性本身就是添加剂自带的属性。由于原位聚合形成的聚合物中含有O、N、S等含孤对电子的原子，可以有效的与钙钛矿晶粒发生相互作用，进而使得形成的聚合物富集于晶界之中。原位形成的聚合物富集于晶界，阻挡了外界水气的侵渗，缓解热、光等刺激，阻挡离子迁移，填充缺陷，改进钝化缺陷，进而提高钙钛矿光电器件的性能。提高钙钛矿光电器件的发光效率、光电转换效率、稳定性等。
本发明还提供了采用所述钙钛矿薄膜添加剂点击聚合单体形成聚合物的制备方法，包括以下步骤：
步骤1)将二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物加入钙钛矿前驱液中，进行原位点击聚合单体形成聚合物；其中，前驱液就是钙钛矿薄膜形成前的存在形态；
步骤2)二官能度炔类化合物、二官能度叠氮化合物形成的薄膜添加剂与钙钛矿前驱液中的钙钛矿组分一起聚合成钙钛矿薄膜，所述钙钛矿薄膜为透明均一致密多晶薄膜；
步骤3)聚合而成钙钛矿薄膜后，40-140度退火5min-2h，或常温放置2h–12h。不同的钙钛矿材料退火需求，有的几分钟就形成了多晶薄膜，有的需要1-2h退火放置的，加速钙钛矿晶粒的形成，提高多晶薄膜品质，同时也是点击聚合单体原位形成聚合物的过程；
所述钙钛矿前驱液可选自MAPbBr3,FAPbBr3,CsPbBr3,MAPbI3,FAPbI3,CsPbI3,MAPbCl3,FAPbCl3,CsPbCl3,以及混合阳离子钙钛矿，混合阴离子钙钛矿，准二维钙钛矿中的一种或多种混合。所述二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物的投料比例范围为：0.8：1-1：0.8。
本发明的制备方法，既利用了点击聚合的巨大优势，原位形成的聚合物作为添加剂，将增强添加剂对晶界的保护。可达到的预期效果：1.钙钛矿薄膜的发光效率将会提升；2.钙钛矿器件的稳定性会获得提升。
本发明还提供了一种钙钛矿薄膜添加剂的应用，其应用于点击聚合单体形成聚合物包括钙钛矿材料的光电及半导体器件。所述钙钛矿材料的光电及半导体器件包括钙钛矿发光二极管，钙钛矿太阳能电池，钙钛矿彩膜，钙钛矿激光器，钙钛矿探测器或钙钛矿闪烁体。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种钙钛矿薄膜添加剂，用于点击聚合单体形成聚合物，其特征在于：所述点击聚合单体为二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物，将原位点击聚合形成线型聚合物为：
n为2～200的整数，R1，R3为相同或不同的有机基团，R2为连接官能团，Fx为连接在苯环上的氟原子，x为F原子的个数，x为2～4的整数。
2.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜添加剂，其特征在于：所述聚合单体中二官能度炔类化合物的结构通式为：其中，R1为有机基团。
3.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜添加剂，其特征在于：所述聚合单体中二官能度叠氮化合物的结构通式为：
4.根据权利要求3所述钙钛矿薄膜添加剂，其特征在于：所述二官能度叠氮化合物中，R3可选自以下化学结构式1-21中的一种或多种：
其中，m为1～20的整数；R′选自O，S或Si元素；*表示取代位置。
5.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜添加剂，其特征在于：所述R2选自以下结构式22～25中的任意一种或多种：
6.根据权利要求1所述钙钛矿薄膜添加剂，其特征在于：所述聚合物含有O、N、S具有孤对电子的原子。
7.采用所述钙钛矿薄膜添加剂点击聚合单体形成聚合物的制备方法：其特征在于包括以下步骤：
步骤1)将二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物加入钙钛矿前驱液中，进行原位点击聚合单体形成聚合物；
步骤2)二官能度炔类化合物、二官能度叠氮化合物形成的薄膜添加剂与钙钛矿前驱液中的钙钛矿组分一起聚合成钙钛矿薄膜；
步骤3)聚合而成钙钛矿薄膜后，40-140度退火5min-2h，或常温放置2h–12h。
8.根据采用所述钙钛矿薄膜添加剂点击聚合单体形成聚合物的制备方法：其特征在于：所述钙钛矿前驱液可选自MAPbBr3,FAPbBr3,CsPbBr3,MAPbI3,FAPbI3,CsPbI3,MAPbCl3,FAPbCl3,CsPbCl3,以及混合阳离子钙钛矿，混合阴离子钙钛矿，准二维钙钛矿中的一种或多种混合。
9.根据采用所述钙钛矿薄膜添加剂点击聚合单体形成聚合物的制备方法：其特征在于：所述二官能度炔类化合物和二官能度叠氮化合物的投料比例范围为：0.8：1-1：0.8。
10.一种钙钛矿薄膜添加剂的应用，其特征在于：应用于点击聚合单体形成聚合物包括钙钛矿材料的光电及半导体器件，所述钙钛矿材料的光电及半导体器件包括钙钛矿发光二极管，钙钛矿太阳能电池，钙钛矿彩膜，钙钛矿激光器，钙钛矿探测器或钙钛矿闪烁体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910836534.0A CN110707214A (zh) | 2019-09-05 | 2019-09-05 | 一种钙钛矿薄膜添加剂、钙钛矿薄膜制备方法及其应用 |
| PCT/CN2019/115663 WO2021042494A1 (zh) | 2019-09-05 | 2019-11-05 | 一种钙钛矿薄膜添加剂、钙钛矿薄膜制备方法及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910836534.0A CN110707214A (zh) | 2019-09-05 | 2019-09-05 | 一种钙钛矿薄膜添加剂、钙钛矿薄膜制备方法及其应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110707214A true CN110707214A (zh) | 2020-01-17 |
Family
ID=69193691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910836534.0A Pending CN110707214A (zh) | 2019-09-05 | 2019-09-05 | 一种钙钛矿薄膜添加剂、钙钛矿薄膜制备方法及其应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110707214A (zh) |
| WO (1) | WO2021042494A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111933802A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 昆山协鑫光电材料有限公司 | 离子液体于制备钙钛矿光敏层、钙钛矿太阳能电池的用途 |
| CN113078267A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-06 | 电子科技大学 | 一种掺杂三维钙钛矿的准二维钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105906807A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-08-31 | 华南理工大学 | 一种具有本征阻燃性能的聚三唑及其制备方法和应用 |
| CN106033797A (zh) * | 2015-03-13 | 2016-10-19 | 北京大学 | 一种具有有机骨架结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN106206949A (zh) * | 2015-05-07 | 2016-12-07 | 北京大学 | 一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| WO2016208985A1 (ko) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 | 할로겐화 납 어덕트 화합물 및 이를 이용한 페로브스카이트 소자 |
| CN109280422A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 喷墨打印用钙钛矿墨水及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI377090B (en) * | 2008-12-09 | 2012-11-21 | Univ Nat Chiao Tung | Synthesis for a catalysis of novel perovskite compound |
| CN102585220B (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-24 | 浙江大学 | 一种超支化聚三唑甲酸酯及其制备方法和应用 |
-
2019
- 2019-09-05 CN CN201910836534.0A patent/CN110707214A/zh active Pending
- 2019-11-05 WO PCT/CN2019/115663 patent/WO2021042494A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106033797A (zh) * | 2015-03-13 | 2016-10-19 | 北京大学 | 一种具有有机骨架结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN106206949A (zh) * | 2015-05-07 | 2016-12-07 | 北京大学 | 一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| WO2016208985A1 (ko) * | 2015-06-25 | 2016-12-29 | 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 | 할로겐화 납 어덕트 화합물 및 이를 이용한 페로브스카이트 소자 |
| CN105906807A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-08-31 | 华南理工大学 | 一种具有本征阻燃性能的聚三唑及其制备方法和应用 |
| CN109280422A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 喷墨打印用钙钛矿墨水及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 吴永伟: "基于活化叠氮的无金属催化环加成聚合反应制备功能化聚三唑", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111933802A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 昆山协鑫光电材料有限公司 | 离子液体于制备钙钛矿光敏层、钙钛矿太阳能电池的用途 |
| CN111933802B (zh) * | 2020-08-18 | 2024-04-19 | 昆山协鑫光电材料有限公司 | 离子液体于制备钙钛矿光敏层、钙钛矿太阳能电池的用途 |
| CN113078267A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-06 | 电子科技大学 | 一种掺杂三维钙钛矿的准二维钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021042494A1 (zh) | 2021-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lee et al. | Stabilized blue luminescent polyfluorenes: introducing polyhedral oligomeric silsesquioxane | |
| Ruan et al. | Improving the stability of CsPbBr3 nanocrystals in ethanol by capping with PbBr2-adlayers | |
| Remmers et al. | The optical, electronic, and electroluminescent properties of novel poly (p-phenylene)-related polymers | |
| JP5562555B2 (ja) | 有機半導体のための溶媒混合物 | |
| Chen et al. | Green emission from end-group-enhanced aggregation in polydioctylfluorene | |
| TW200835717A (en) | Hole transport polymers | |
| Yu et al. | Measurement of the energy gap in semiconducting polymers using the light-emitting electrochemical cell | |
| EP1385918A1 (en) | Substituted fluorene polymers, their preparation and use in optical devices | |
| JPH11508731A (ja) | 有機エレクトロルミネセント装置 | |
| CN110707214A (zh) | 一种钙钛矿薄膜添加剂、钙钛矿薄膜制备方法及其应用 | |
| WO2007111763A2 (en) | Opto-electronic devices exhibiting enhanced efficiency | |
| EP3705534A1 (en) | Silicon-containing resin composition | |
| CN112635679B (zh) | 一种提高有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池开路电压的方法 | |
| Wang et al. | Highly efficient and stable deep blue light emitting poly (9, 9-dialkoxyphenyl-2, 7-silafluorene): synthesis and electroluminescent properties | |
| KR20060025538A (ko) | 고분자 | |
| Geng et al. | High luminance and stability of perovskite quantum dot light-emitting diodes via ZnBr2 passivation and an ultrathin Al2O3 barrier with improved carrier balance and ion diffusive inhibition | |
| Weller et al. | Fluorination in thieno [3, 4-c] pyrrole-4, 6-dione copolymers leading to electron transport, high crystallinity and end-on alignment | |
| CN111777522B (zh) | 多位点氨基酸钝化材料、基于该材料的钙钛矿及其制备方法和应用 | |
| JP5581607B2 (ja) | 高分子化合物及びそれを用いた有機トランジスタ | |
| Wang et al. | Improving Perovskite Green Quantum Dot Light-Emitting Diode Performance by Hole Interface Buffer Layers | |
| CN110690355B (zh) | 一种钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件 | |
| Swanson et al. | Poly (p-phenyleneacetylene)-based light-emitting diodes | |
| GB2334959A (en) | Conducting polymers | |
| US8287941B2 (en) | Method of increasing beta-phase content in a conjugated polymer useful as a light emitting layer in a polymer light emitting diode | |
| KR100892987B1 (ko) | 소수성기를 포함한 다중산 공중합체로 도핑된 전도성고분자 중합체, 전도성 고분자 공중합체 조성물, 전도성고분자 공중합체 조성물막, 및 이를 이용한 유기 광전 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200117 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |