CN110690143A - 一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法 - Google Patents

一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110690143A
CN110690143A CN201910886667.9A CN201910886667A CN110690143A CN 110690143 A CN110690143 A CN 110690143A CN 201910886667 A CN201910886667 A CN 201910886667A CN 110690143 A CN110690143 A CN 110690143A
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro led
insulating layer
receiving electrode
transfer
transfer device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910886667.9A
Other languages
English (en)
Inventor
徐尚君
王鸣昕
黄洪涛
朱景辉
高威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Original Assignee
Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Nanjing Huadong Electronics Information and Technology Co Ltd
Nanjing CEC Panda FPD Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd, Nanjing Huadong Electronics Information and Technology Co Ltd, Nanjing CEC Panda FPD Technology Co Ltd filed Critical Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd
Priority to CN201910886667.9A priority Critical patent/CN110690143A/zh
Publication of CN110690143A publication Critical patent/CN110690143A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

在本发明提供一种Micro Led巨量转移装置，其包括转移Micro LED的转移头、接收Micro LED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带Micro LED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙且Micro LED的侧壁由绝缘层包裹。本发明Micro Led巨量转移装置及其转移方法，通过绝缘层具有流动性，使在Micro Led巨量转移的过程中同时让绝缘层固定Micro Led，解决Micro Led偏移和侧壁保护的问题。

Description

一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法
技术领域
本发明涉及Micro Led的技术领域，尤其涉及一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法。
背景技术
在Micro LED显示面板的制作过程中，巨量转移是关键步骤之一。目前采用转移头吸取Micro LED放置到接收电极的方法，会存在Micro LED偏移预定位置的现象。同时，垂直型Micro LED的侧壁需要被绝缘层保护以防止P侧和N侧短路。
目前采用的方法是先转移LED后制备整面绝缘层，再去除LED表面的绝缘层。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决Micro Led偏移和侧壁保护的问题的及一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法。
本发明提供一种Micro Led巨量转移装置，其包括转移Micro LED的转移头、接收Micro LED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带Micro LED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙且MicroLED的侧壁由绝缘层包裹。
优选地，Micro LED固定在绝缘层后，Micro LED的顶端的绝缘层经所述转移头挤压形成凹槽。
优选地，所述绝缘层采用光阻材料制成的。
优选地，所述绝缘层采用正性光阻材料制成的。
优选地，所述绝缘层采用负性光阻材料制成的。
优选地，所述绝缘层的高度为H1,Micro LED的高度为H2，H1大于H2；绝缘层的外径为R1，转移头的外径为R2，R1大于R2；开孔的内径为r1，Micro LED的外径为r2。
优选地，0＜H1-H2≤3um；3um＜R1-R2；0＜r1-r2≤3um。
本发明还提供一种Micro Led巨量转移方法，包括如下步骤：
S1：携带Micro LED的转移头向接收电极靠近；
S2：Micro LED伸入开孔的过程中，转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙内并把Micro LED的侧壁保护起来；
S3：撤掉转移头。
优选地，Micro LED固定在绝缘层后，Micro LED的顶端不会被绝缘层覆盖，MicroLED的顶端的绝缘层经所述转移头挤压形成凹槽。
本发明Micro Led巨量转移装置及其转移方法，通过绝缘层具有流动性，使在Micro Led巨量转移的过程中同时让绝缘层固定Micro Led，解决Micro Led偏移和侧壁保护的问题。
附图说明
图1为本发明Micro Led巨量转移装置的结构示意图；
图2为图1所示Micro Led巨量转移装置的俯视图；
图3为本发明Micro Led巨量转移过程之一的示意图；
图4为本发明Micro Led巨量转移过程之一的示意图；
图5为本发明Micro Led巨量转移过程之一的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
本发明Micro Led巨量转移装置及其转移方法，如图1和图2所示，转移装置包括转移Micro LED的转移头40、承载Micro LED的接收电极10、设置在接收电极10上绝缘层20以及位于接收电极10上且开设在绝缘层20上的开孔30，其中，接收电极10采用负极材料制成；绝缘层20在压力下具有流动性，绝缘层20可以是光阻材料，具体为正性光阻材料或负性光阻材料。
绝缘层20通过曝光和显影形成开孔30。绝缘层20的高度为H1,Micro LED 100的高度为H2，H1大于H2，优选地，0＜H1-H2≤3um；绝缘层20的外径为R1，转移头40的外径为R2，R1大于R2，优选地，3um＜R1-R2；开孔的内径为r1，Micro LED的外径为r2，优选地，0＜r1-r2≤3um。开孔30为Micro LED 100预留的位置，绝缘层20较Micro LED 100高出，转移头40在放下Micro LED 100的同时挤压绝缘层20使其只包覆在Micro LED 100的侧壁，Micro LED固定在绝缘层20内后，Micro LED 100的顶端设有凹槽21。
工作是，携带Micro LED的转移头40靠近接收电极10的同时挤压绝缘层20使绝缘层20发生形变，绝缘层20填充在开孔30与Micro LED 100之间的空隙且Micro LED 100的侧壁由绝缘层20包裹。
Micro LED 100固定在绝缘层20后，Micro LED 100的顶端的绝缘层20经所述转移头40挤压形成凹槽21，即icro LED 100的顶端为凹槽21。
Micro Led巨量转移方法，包括如下步骤：
S1：如图3所示，携带Micro LED 100的转移头40向接收电极10靠近；
S2：如图4所示，Micro LED 100伸入开孔30的过程中，转移头40靠近接收电极10的同时挤压绝缘层20使绝缘层20发生形变，绝缘层20填充在开孔30与Micro LED 100之间的空隙内并把Micro LED 100的侧壁保护起来，同时Micro LED 100的顶端不会被绝缘层20覆盖；
S3：如图5所示，撤掉转移头40。
针对步骤S2，Micro LED固定在绝缘层后，由于是转移头40在挤压绝缘层20，MicroLED的顶端不会被绝缘层覆盖，故在挤压绝缘层20的过程中，Micro LED 100的顶端的绝缘层20经所述转移头40挤压形成凹槽21。本发明Micro Led巨量转移装置及其转移方法，通过绝缘层具有流动性，使在Micro Led巨量转移的过程中同时让绝缘层固定Micro Led，解决Micro Led偏移和侧壁保护的问题。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换(如数量、形状、位置等)，这些等同变换均属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种Micro Led巨量转移装置，其特征在于，其包括转移Micro LED的转移头、接收Micro LED的接收电极、设置在接收电极上绝缘层以及位于接收电极上且开设在绝缘层上的开孔，其中，所述绝缘层在压力下具有流动性；携带Micro LED的转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙且MicroLED的侧壁由绝缘层包裹。
2.根据权利要求1所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，Micro LED固定在绝缘层后，Micro LED的顶端为凹槽。
3.根据权利要求1所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用光阻材料制成的。
4.根据权利要求3所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用正性光阻材料制成的。
5.根据权利要求3所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层采用负性光阻材料制成的。
6.根据权利要求1所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，所述绝缘层的高度为H1,Micro LED的高度为H2，H1大于H2；绝缘层的外径为R1，转移头的外径为R2，R1大于R2；开孔的内径为r1，Micro LED的外径为r2。
7.根据权利要求5所述的Micro Led巨量转移装置，其特征在于，0＜H1-H2≤3um；3um＜R1-R2；0＜r1-r2≤3um。
8.根据权利要求1-7任一所述Micro Led巨量装置的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：携带Micro LED的转移头向接收电极靠近；
S2：Micro LED伸入开孔的过程中，转移头靠近接收电极的同时挤压绝缘层使绝缘层发生形变，绝缘层填充在开孔与Micro LED之间的空隙内并把Micro LED的侧壁保护起来；
S3：撤掉转移头。
9.根据权利要求8所述Micro Led巨量转移方法，其特征在于，Micro LED固定在绝缘层后，Micro LED的顶端不会被绝缘层覆盖，Micro LED的顶端的绝缘层经所述转移头挤压形成凹槽。
CN201910886667.9A 2019-09-19 2019-09-19 一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法 Pending CN110690143A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910886667.9A CN110690143A (zh) 2019-09-19 2019-09-19 一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910886667.9A CN110690143A (zh) 2019-09-19 2019-09-19 一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110690143A true CN110690143A (zh) 2020-01-14

Family

ID=69109506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910886667.9A Pending CN110690143A (zh) 2019-09-19 2019-09-19 一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110690143A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111261556A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种用于微型发光二极管显示器的接收装置和转移方法
CN112968105A (zh) * 2020-04-24 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1463038A (zh) * 2002-05-31 2003-12-24 富士通株式会社 半导体器件及其制造方法
CN109473519A (zh) * 2018-11-15 2019-03-15 湘能华磊光电股份有限公司 倒装led结构及其制造方法
CN109755162A (zh) * 2019-01-15 2019-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1463038A (zh) * 2002-05-31 2003-12-24 富士通株式会社 半导体器件及其制造方法
CN109473519A (zh) * 2018-11-15 2019-03-15 湘能华磊光电股份有限公司 倒装led结构及其制造方法
CN109755162A (zh) * 2019-01-15 2019-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111261556A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种用于微型发光二极管显示器的接收装置和转移方法
CN112968105A (zh) * 2020-04-24 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板
CN112968105B (zh) * 2020-04-24 2021-12-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种Micro LED芯片巨量转移方法及一种显示背板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110690143A (zh) 一种Micro Led巨量转移装置及其转移方法
CN109133588A (zh) 玻璃加工模具及玻璃加工方法
CN105704965B (zh) 电子设备、电子设备壳体的制备方法及冲压模具
CN108326123A (zh) 一种切边模装置
US20160356949A1 (en) Diffusion Plate and Manufacturing Method Thereof, Backlight Module
CN102653165B (zh) 移印装置
CN201501026U (zh) 压砖模具
CN210651590U (zh) 一种注塑膜片固定设备
CN103752635A (zh) 带自动脱料机构的挤压模架
CN201394647Y (zh) 烧结辅具
CN208245554U (zh) 一种切边模装置
CN205362617U (zh) 一种具有顶针的模具结构
CN106698964B (zh) 玻璃制品及其制作方法、显示屏组件及电子装置
CN104492873A (zh) 电池极耳折弯机构
CN105845963B (zh) 软包弧形电芯连续成型机及成型方法
CN204473256U (zh) 一种车载香水灌装成型装置
CN204295970U (zh) 一种先顶出后抽芯的模具结构
CN210816890U (zh) 水滴结构背光壳的高精密成型模具
CN208163845U (zh) 一种多腔铝箔容器模具
CN102990772B (zh) 耐火砖等静压成型模具
CN207564660U (zh) 一种化学发泡水泥芯板的脱料模框
CN208706578U (zh) 一种用于含扁引脚混合集成电路外壳的高水平度烧结模具
CN217868619U (zh) 一种非单r型车载玻璃3d成型模具结构
CN203295338U (zh) 一种圆底铂金单坩埚
CN203077450U (zh) 磨块脱模装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200828

Address after: No.7 Tianyou Road, Qixia District, Nanjing City, Jiangsu Province

Applicant after: NANJING CEC PANDA LCD TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Nanjing Crystal Valley Road in Qixia District of Nanjing City Tianyou 210033 Jiangsu province No. 7

Applicant before: NANJING CEC PANDA FPD TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Applicant before: NANJING CEC PANDA LCD TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Applicant before: Nanjing East China Electronic Information Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200114

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication