CN110687757A - 拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法 - Google Patents

拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法 Download PDF

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Abstract

本发明披露了一种拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法，其通过重新设计适用于超大尺寸显示面板的拼接曝光系统，以实现大尺寸或曲面显示面板的高效制作，并且可以减少对成本和产能造成的影响。

Description

拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法。
背景技术
现在的面板市场中，主流尺寸正在变得越来越大。每一个时代线的光罩120尺寸是固定的，每一个光罩120都会有一个固定的有效曝光区，如图1所示。当制作的面板110尺寸比较小时，面板会完全位于光罩120(Mask，或称掩膜板)的有效曝光区以内，此时是不需要进行拼接的，曝光制程的每一个曝光都可以制作出一片或者若干片完整的面板110。当面板110尺寸进一步增大时，就有可能超出光罩的有效曝光区，经常遇到的情况是面板在一个方向的尺寸会超出光罩的有效曝光范围。
如图2所示，当显示面板110在一个方向超出光罩120的有效曝光范围后，在设计时就需要对显示面板进行分割，然后进行拼接曝光。在图2中可以看到各个曝光边缘的位置即为拼接区。在拼接曝光过程中存在的最主要问题是来自于拼接区。由于不同曝光shot之间的照光强度，机台移动精度的限制、源漏栅极发生堆叠误差等因素，往往会在拼接区中像素其薄膜晶体管寄生电容不同，并产生不同的耦合效应，进而形成亮度显示不均匀(即Mura)。因此在这些拼接区需要采用一些特殊的设计方式。
不同的曝光机台有不同的拼接方式，例如Nikon机台的VFS，Canon机台的SMB和其他拼接方式。对于CF(彩膜基板)制程，经常使用渐进式曝光机，但是该曝光机没有VFS或者SMB等功能，因此光罩设计时需要使用特殊技术以避免拼接区的亮度显示不均匀的产生。
图3A和图3B中是最常用的两种避免拼接Mura的设计方式，第一种是减变图案(即Hyper Shot)，它的原理是在掩膜板上的各个曝光边缘处形成一个透光率渐变的区域，靠近曝光中间位置的透光率最高，远离曝光中间位置的透光率最低(此处是以CF制程的负性光阻为例)，如图3A箭头所示。第二种方式是马赛克图案，它同样是在各个曝光的边缘位置形成一图案密度渐变的区域，其马赛克图案的疏密程度如图3B所示。这两种方式可以避免在不同曝光交界处的照光强度，CD(Critical Dimension，关键尺寸)和O/L(Overlay，不同层别之间套准精度)的突变，通过采用渐变过渡的方式，改善了拼接区的亮度显示不均匀。
图4是利用图2中的掩膜板制作的一个完整的大尺寸面板。对比图2和图4可知，图2中的A和C组成了图4中显示面板的左侧(即标记101所在区域)和右侧(即标记103所在区域)，而显示面板的中间部分B(即标记102所在区域)则是重复进行了两次曝光。
该显示面板的制作总共进行了4次曝光，这也是Hyper Shot和马赛克Pattern设计所需要的最少曝光次数。相对于不需要拼接的机种，这样的制作方式会增加曝光次数，生产节拍时间(tact time)和产能也会因此受到比较大的影响。
有鉴于此，如何实现大尺寸或曲面显示面板的高效制作并减少对成本和产能造成的影响成为相关研究者和开发人员的重点研究项目。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法，其通过重新设计适用于超大尺寸显示面板的拼接曝光系统，以实现大尺寸或曲面显示面板的高效制作并减少对成本和产能造成的影响。
根据本发明的一方面，本发明提供了一种拼接曝光系统，应用于一显示面板，所述显示面板划分成多个曝光区域，所述拼接曝光系统包括:一掩膜板，所述掩膜板覆盖所述多个曝光区域中的其中一个曝光区域，所述掩膜板用于对所述曝光区域进行曝光；一对挡板，所述一对挡板均设置于所述掩膜板的上方，所述一对挡板包括第一挡板和一第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相对设置，所述第一挡板的一侧具有一第一透光区，所述第二挡板靠近所述第一透光区的一侧具有一第二透光区，所述第一透光区的中心线和所述第二透光区的中心线的其中一条与两个相邻曝光区域的拼接线重合。
在本发明的一实施例中，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的渐变图案。
在本发明的一实施例中，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的马赛克图案。
在本发明的一实施例中，所述第一透光区沿一预设方向的透光率由0连续变化至100％；所述第二透光区沿所述预设方向的透光率由100％连续变化至0。
在本发明的一实施例中，所述第一透光区沿一预设方向的透光率分别对应0至100％中的多个透光率；所述第二透光区沿所述预设方向的透光率分别对应100％至0中的多个透光率。
在本发明的一实施例中，所述第一透光区和所述第二透光区的宽度大于等于10mm。
根据本发明的另一方面，提供了一种采用上述拼接曝光系统的拼接曝光方法，所述方法包括以下步骤：提供一显示面板；将显示面板划分成多个曝光区域；在所述多个曝光区域中的其中一个曝光区域上方设置一掩膜板；在所述掩膜板的上方设置一对挡板，其中所述一对挡板包括第一挡板和一第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相对设置，所述第一挡板的一侧具有一第一透光区，所述第二挡板靠近所述第一透光区的一侧具有一第二透光区，所述第一透光区的中心线和所述第二透光区的中心线的其中一条与两个相邻曝光区域的拼接线重合；通过一对挡板和掩膜板的配合设置，对待曝光的曝光区域进行曝光；以及当曝光完毕之后，平移所述一对挡板和掩膜板至所述待曝光的曝光区域的相邻曝光区域进行曝光，直至对所述多个曝光区域均完成曝光操作。
在本发明的一实施例中，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的渐变图案。
在本发明的一实施例中，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的马赛克图案。
本发明的优点在于，本发明通过重新设计适用于超大尺寸显示面板的拼接曝光系统，以实现大尺寸或曲面显示面板的高效制作并减少对成本和产能造成的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的一种掩膜板的使用状态示意图。
图2是现有技术中的掩膜板和显示面板的关系尺寸示意图。
图3A和图3B分别是现有技术中常用的两种避免拼接Mura(显示亮度不均匀)的设计方式示意图。
图4是现有技术中的显示面板在经过四次曝光后的示意图。
图5是本发明一实施例中的掩膜板的设计示意图。
图6是本发明一实施例中使用两次曝光完成显示面板制作的示意图。
图7是图6所示的显示面板的左半部分制作示意图。
图8是图6所示的显示面板的右半部分制作示意图。
图9是本发明一实施例中通过第一挡板、第二挡板和掩膜板进行曝光制程的示意图。
图10是图9所示的第一挡板和第二挡板与透光率的对应关系示意图。
图11是本发明另一实施例中通过第一挡板、第二挡板和掩膜板进行曝光制程的示意图。
图12是图11所示的第一挡板和第二挡板与透光率的对应关系示意图。
图13是本发明的一实施例中的上述拼接曝光系统的拼接曝光方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书以及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本专利文档中，下文论述的附图以及用来描述本发明公开的原理的各实施例仅用于说明，而不应解释为限制本发明公开的范围。所属领域的技术人员将理解，本发明的原理可在任何适当布置的系统中实施。将详细说明示例性实施方式，在附图中示出了这些实施方式的实例。此外，将参考附图详细描述根据示例性实施例的终端。附图中的相同附图标号指代相同的元件。
本发明说明书中使用的术语仅用来描述特定实施方式，而并不意图显示本发明的概念。除非上下文中有明确不同的意义，否则，以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本发明说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本发明说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。
本发明实施例提供一种拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法。以下将分别进行详细说明。
图5是本发明一实施例中的掩膜板的设计示意图。图6是本发明一实施例中使用两次曝光完成显示面板制作的示意图。图7是图6所示的显示面板的左半部分制作示意图。图8是图6所示的显示面板的右半部分制作示意图。
由于在现有技术中，如图4所示的显示面板制作总共需要进行4次曝光，这也是采用渐变图案式(hyper shot)曝光和马赛克图案式(mosaic pattern)曝光设计方案的最少曝光次数。相对于不需要拼接机种，上述制作方式会增加曝光次数，生产节拍时间和产能也随之受到比较大的影响。因此，本发明通过重新设计适用于超大尺寸显示面板的拼接曝光系统，以减少曝光次数。
如图5所示，显示了显示面板110上方的掩膜板120的设计示意图。其中，标记A表示第一次曝光的曝光范围。标记B表示第二次曝光范围。
相对于图4所示的显示面板，若采用本发明所述的掩膜板120及下文所述的挡板(包括第一挡板140和第二挡板130)，只需要两次曝光便可以完成显示面板110的制作。第一次曝光完成显示面板110的左半部分101，第二次曝光完成显示面板110的右半部分102。掩膜板120中间位置的图案在两次曝光中均会使用到。
如图6所示，在使用两次曝光完成显示面板110制作过程中，仅在显示面板110的中间形成一拼接线104。因此，相较于现有技术如图4所示的显示面板制作，本发明实现减少曝光交界线(即拼接区的拼接线104)，从而减低拼接Mura的发生概率，并且降低制程的难度。
如图6所示的效果，即曝光次数的减少是通过使用本发明所述的掩膜板120和相应的挡板来实现的。
以下将描述掩膜板120和挡板(包括第一挡板140和第二挡板130)配合使用的工作机制。
如图7所示，在本发明的一实施例中，以图6所示的显示面板110的左半部分101制作为例，此时，第二挡板130将掩膜板120的右侧部分挡住，掩膜板120的左半部分照光(例如紫外光)。于是，掩膜板120上对应的图案一并会转移到显示面板110的基板上。在位于掩膜板120的右侧部分的第二挡板130的左侧边缘具有一个透光率渐变区域(即下文所述的第二透光区131)，该透光率渐变区域的中心线对应于显示面板110的两个相邻曝光区域所形成的拼接区的中心线(即拼接线m)，而第二挡板130的右侧部分不透光，其透光率为零。当使用本发明拼接曝光方式时，每一次曝光的曝光面积相较于图4所示的曝光面积更大，因此，能够减少曝光制程中的曝光次数。
同样，如图8所示，对于第二次曝光，也采用类似的方式进行，以图6所示的显示面板110的右半部分102制作为例。第一挡板140将掩膜板120的左侧部分挡住，掩膜板120的右半部分照光(例如紫外光)。于是，掩膜板120上对应的图案一并会转移到显示面板110的基板上。在位于掩膜板120的左侧部分的第一挡板140的右侧边缘具有一个透光率渐变区域(即下文所述的第一透光区141)，该透光率渐变区域的中心线对应于显示面板110的两个相邻曝光区域所形成的拼接区的中心线(即拼接线n)，而第一挡板140的左侧部分不透光，其透光率为零。
对于显示面板110的基板(图中未标注)而言，第二次曝光中的第一挡板140的透光率渐变区域与第一次曝光中的第二挡板130的透光率渐变区域在所述基板上的投影为重合，该区域即为显示面板110的两个相邻曝光区域所形成的拼接区。
根据上文所述的拼接曝光系统的新设计思想，于是，提出以下的拼接曝光系统。该拼接曝光系统应用于一显示面板110，其中所述显示面板110划分成多个曝光区域(例如图6所示标记101和标记102)。所述显示面板110划分成多个曝光区域，这些曝光区域的面积大小可以为相同或者不同。
所述拼接曝光系统包括:一掩膜板120和一对挡板170。其中，所述掩膜板120覆盖所述多个曝光区域中的其中一个曝光区域(例如图6所示的标记101或标记102)，所述掩膜板120用于对所述曝光区域进行曝光。亦即，所述掩膜板120用于对显示面板110的基板中的某一个曝光区域进行曝光。
所述一对挡板均设置于所述掩膜板的上方，所述一对挡板170包括第一挡板140和一第二挡板130。所述第一挡板140和所述第二挡板130相对设置。其中，所述第一挡板140和所述第二挡板130可以为间隔设置。进一步，所述第一挡板140的一侧具有一第一透光区141，所述第二挡板130靠近所述第一透光区141的一侧具有一第二透光区131，所述第一透光区的中心线和所述第二透光区的中心线的其中一条与两个相邻曝光区域的拼接线(如图7中的标记m或如图8中的标记n)重合。
图9是本发明一实施例中进行曝光制程的示意图。图10是图9所示的第一挡板140和第二挡板130与透光率的对应关系示意图。
如图9和图10所示的一实施例中，所述第一透光区141和所述第二透光131区具有互补的渐变图案。
具体的，在曝光时，第一挡板140(如图9所示的左侧挡板)和第二挡板130(如图9所示的右侧挡板)均位于掩膜板120的上方。第一挡板140的右侧具有一第一透光区141，第二挡板130的左侧具有一第二透光区131。
第一透光区141具有一渐变图案，因此，第一透光区141的透光率具有相应的递变，例如递增或递减，以使穿过该第一透光区141的紫外光透过率能够相应的递变如递增或递减。同样的，第二透光区131也具有一渐变图案，因此，第二透光区131的透光率具有相应的递变，例如递增或递减，以使穿过该第二透光区131的紫外光透过率能够相应的递变如递增或递减。
由于第一透光区141和第二透光区131具有互补的渐变图案，因此，当第一透光区141的透光率为递减时，第二透光区131的透光率为递增。当第一透光区141的透光率为递增时，第二透光区131的透光率为递减。
进一步，在一预设方向(以第一挡板140的长度方向为准)，例如从左至右，如图10中的箭头方向所示，第一透光区141的透光率由0连续变化至100％，则所述第二透光区131沿所述预设方向的透光率由100％连续变化至0。当然，在其他部分实施例中，在一预设方向(以第一挡板140的长度方向为准)，例如从右至左，第一透光区141的透光率也可以由100％连续变化至0，则所述第二透光区131沿所述预设方向的透光率由0连续变化至100％。
当曝光如图6所示的显示面板110的左侧部分101时，第一透光区141的中心线和第二透光区131的中心线的其中一条中心线(此处为第二透光区131的中心线)与两个相邻曝光区域的拼接线(如图7所示的标记m)重合。结合参考图5所示，此时第一透光区141位于左侧曝光区域侧外侧，已超出曝光范围而不起作用。当曝光如图6所示的显示面板110的右侧部分102时，第一透光区141的中心线和第二透光区131的中心线的其中一条中心线(此处为第一透光区的中心线)与两个相邻曝光区域的拼接线(如图8所示的标记n)重合。结合参考图5所示，此时第二透光区131位于右侧曝光区域侧外侧，已超出曝光范围而不起作用。
由于第一透光区141的透光率沿预设方向(如图10所示的箭头方向)呈线性变化，即从0连续变化至100％，而第二透光区131的透光率沿预设方向也呈线性变化，由100％连续变化至0，因此，当采用两个相对设置的第一挡板140和第二挡板130并配合掩膜板120进行拼接曝光时，能够方便地进行光强控制，使得经过第一挡板140和第二挡板130的两次曝光之后能够达到完全曝光强度。
当所述第一透光区141和所述第二透光区131在所对应的拼接区叠加后，两者的透光率之和正好全部等于100％，由于第一透光区141和第二透光区131的透光率呈线性变化，因此，有利于保证第一透光区141和第二透光区131所对应的拼接区的均匀过渡，从而有效降低拼接Mura的产生。进一步，在本实施例中，所述第一透光区141和所述第二透光区131的宽度需满足一定尺寸，例如大于等于10mm，这样能够保证两次曝光之间的过渡更加缓和，进而降低拼接Mura发生的风险。
在本发明的其他实施例中，所述第一透光区141沿一预设方向(以第一挡板140的长度方向为准)，例如从左至右，其透光率由0间断变化至100％，即分别对应0至100％中的多个透光率，例如0、30％、60％、100％，而所述第二透光131区沿所述预设方向的透光率由100％间断变化至0，即分别对应100％至0中的多个透光率，例如100％、70％、40％、0。
除了上述如图9和图10所示的第一挡板140和第二挡板130具有互补的渐变图案之外，也可以在第一挡板140和第二挡板130上形成互补的马赛克图案，具体如下文所述。
图11是本发明另一实施例中进行曝光制程的示意图。图12是图11所示的第一挡板和第二挡板130与透光率的对应关系示意图。
结合参考图11和图12，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的马赛克图案。
具体的，在曝光时，第一挡板140(如图11所示的左侧挡板)和第二挡板130(如图12所示的右侧挡板)均位于掩膜板120的上方。第一挡板140的右侧具有一第一透光区141，第二挡板130的左侧具有一第二透光区131。
第一透光区141具有一定宽度的马赛克图案密度渐变的马赛克图案区，因此，第一透光区的透光率具有相应的递变，例如递增或递减，以使穿过该第一透光区141的紫外光透过率能够相应的递变如递增或递减。同样的，第二透光区131也具有一定宽度的密度渐变的马赛克图案区，因此，第二透光区131的透光率具有相应的递变，例如递增或递减，以使穿过该第二透光区131的紫外光透过率能够相应的递变如递增或递减。
由于第一透光区141和第二透光区131具有互补的马赛克图案，因此，当第一透光区141的透光率为递减时，第二透光区131的透光率为递增。当第一透光区141的透光率为递增时，第二透光区131的透光率为递减。
进一步，在一预设方向(以第一挡板140的长度方向为准)，例如从左至右，如图12中的箭头方向所示，第一透光区141的左侧密度高，右侧密度低，则所述第二透光区131沿所述预设方向在其左侧密度低，右侧密度高。当第一透光区141和第二透光区131并配合掩膜板120进行拼接曝光时，同样可以达到如图9和图10所示方案的效果。
图13为本发明的一实施例中的上述拼接曝光系统的拼接曝光方法的步骤流程图。其中，所述拼接曝光系统为上文所述的系统，在此不再赘述。
参见图13，所述方法包括以下步骤：
步骤S110：提供一显示面板。
步骤S120：将显示面板划分成多个曝光区域。
步骤S130：在所述多个曝光区域中的其中一个曝光区域上方设置一掩膜板。
步骤S140：在所述掩膜板的上方设置一对挡板，其中所述一对挡板包括第一挡板和一第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相对设置，所述第一挡板的一侧具有一第一透光区，所述第二挡板靠近所述第一透光区的一侧具有一第二透光区，所述第一透光区的中心线和所述第二透光区的中心线的其中一条与两个相邻曝光区域的拼接线重合。
步骤S150：通过一对挡板和掩膜板的配合设置，对待曝光的曝光区域进行曝光。
在曝光时，第一挡板(如图9所示的左侧挡板)和第二挡板(如图9所示的右侧挡板)均位于掩膜板的上方。第一挡板的右侧具有一第一透光区，第二挡板的左侧具有一第二透光区。
第一透光区具有一渐变图案，因此，第一透光区的透光率具有相应的递变，例如递增或递减，以使穿过该第一透光区的紫外光透过率能够相应的递变如递增或递减。同样的，第二透光区也具有一渐变图案，因此，第二透光区的透光率具有相应的递变，例如递增或递减，以使穿过该第二透光区的紫外光透过率能够相应的递变如递增或递减。
由于第一透光区和第二透光区具有互补的渐变图案，因此，当第一透光区的透光率为递减时，第二透光区的透光率为递增。当第一透光区的透光率为递增时，第二透光区的透光率为递减。
进一步，在一预设方向(以第一挡板的长度方向为准)，例如从左至右，如图10中的箭头方向所示，第一透光区的透光率由0连续变化至100％，则所述第二透光区沿所述预设方向的透光率由100％连续变化至0。当然，在其他部分实施例中，在一预设方向(以第一挡板的长度方向为准)，例如从右至左，第一透光区的透光率也可以由100％连续变化至0，则所述第二透光区沿所述预设方向的透光率由0连续变化至100％。
当曝光如图6所示的显示面板的左侧部分时，第一透光区的中心线和第二透光区的中心线中的其中一条中心线(此处为第二透光区的中心线)与两个相邻曝光区域的拼接线重合。结合参考图5所示，此时第一透光区位于左侧曝光区域侧外侧，已超出曝光范围而不起作用。当曝光如图6所示的显示面板的右侧部分时，第一透光区的中心线和第二透光区的中心线中的其中一条中心线(此处为第一透光区的中心线)与两个相邻曝光区域的拼接线重合。结合参考图5所示，此时第二透光区位于右侧曝光区域侧外侧，已超出曝光范围而不起作用。
由于第一透光区的透光率沿预设方向(如如图10所示的箭头方向)呈线性变化，即从0连续变化至100％，而第二透光区的透光率沿预设方向也呈线性变化，由100％连续变化至0，因此，当采用两个相对设置的第一挡板和第二挡板并配合掩膜板进行拼接曝光时，能够方便地进行光强控制，使得经过第一挡板和第二挡板的两次曝光之后能够达到完全曝光强度。
当所述第一透光区和所述第二透光区在所对应的拼接区叠加后，两者的透光率之和正好全部等于100％，由于第一透光区和第二透光区的透光率呈线性变化，因此，有利于保证第一透光区和第二透光区所对应的拼接区的均匀过渡，从而有效降低拼接Mura的产生。进一步，在本实施例中，所述第一透光区和所述第二透光区的宽度需满足一定尺寸，例如大于等于10mm，这样能够保证两次曝光之间的过渡更加缓和，进而降低拼接Mura发生的风险。
除了上述如图9和图10所示的第一挡板140和第二挡板130具有互补的渐变图案之外，也可以在第一挡板140和第二挡板130上形成互补的马赛克图案。当第一透光区141和第二透光区131并配合掩膜板进行拼接曝光时，同样可以达到如图9和图10所示方案的效果。
步骤S160：当曝光完毕之后，平移所述一对挡板和掩膜板至所述待曝光的曝光区域的相邻曝光区域进行曝光，直至对所述多个曝光区域均完成曝光操作。
本发明通过重新设计适用于超大尺寸显示面板的拼接曝光系统，以实现大尺寸或曲面显示面板的高效制作并减少对成本和产能造成的影响。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种拼接曝光系统，应用于一显示面板，所述显示面板划分成多个曝光区域，其特征在于，所述拼接曝光系统包括：
一掩膜板，所述掩膜板覆盖所述多个曝光区域中的其中一个曝光区域，所述掩膜板用于对所述曝光区域进行曝光；
一对挡板，所述一对挡板均设置于所述掩膜板的上方，所述一对挡板包括第一挡板和一第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相对设置，所述第一挡板的一侧具有一第一透光区，所述第二挡板靠近所述第一透光区的一侧具有一第二透光区，所述第一透光区的中心线和所述第二透光区的中心线的其中一条与两个相邻曝光区域的拼接线重合。
2.根据权利要求1所述的拼接曝光系统，其特征在于，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的渐变图案。
3.根据权利要求1所述的拼接曝光系统，其特征在于，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的马赛克图案。
4.根据权利要求2或3所述的拼接曝光系统，其特征在于，所述第一透光区沿一预设方向的透光率由0连续变化至100％；所述第二透光区沿所述预设方向的透光率由100％连续变化至0。
5.根据权利要求2或3所述的拼接曝光系统，其特征在于，所述第一透光区沿一预设方向的透光率分别对应0至100％中的多个透光率；所述第二透光区沿所述预设方向的透光率分别对应100％至0中的多个透光率。
6.根据权利要求1所述的拼接曝光系统，其特征在于，所述第一透光区和所述第二透光区的宽度大于等于10mm。
7.一种采用权利要求1所述拼接曝光系统的拼接曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一显示面板；
将所述显示面板划分成多个曝光区域；
在所述多个曝光区域中的其中一个曝光区域上方设置一掩膜板；
在所述掩膜板的上方设置一对挡板，其中所述一对挡板包括第一挡板和一第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板相对设置，所述第一挡板的一侧具有一第一透光区，所述第二挡板靠近所述第一透光区的一侧具有一第二透光区，所述第一透光区的中心线和所述第二透光区的中心线的其中一条与两个相邻曝光区域的拼接线重合；
通过一对挡板和掩膜板的配合设置，对待曝光的曝光区域进行曝光；以及
当曝光完毕之后，平移所述一对挡板和掩膜板至所述待曝光的曝光区域的相邻曝光区域进行曝光，直至对所述多个曝光区域均完成曝光操作。
8.根据权利要求7所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的渐变图案。
9.根据权利要求7所述的拼接曝光方法，其特征在于，所述第一透光区和所述第二透光区具有互补的马赛克图案。
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