CN114236972A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板的制备方法包括以下步骤:提供基板;以及分两次对所述基板进行曝光处理,曝光所用透镜包括非均匀曝光区以及设于所述非均匀曝光区两侧的均匀曝光区。本申请的技术效果在于,采用两次曝光后基板显示区的光强差小于一次曝光的光强差,进而大大提高了基板的显示均一性,进而改善显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前显示面板的制程中必定包括曝光显影等制程,曝光制程所用的曝光结构包括透镜。
如图1所示,对基板100进行曝光处理,曝光所采用的透镜200包括非均匀曝光区(lens mura)210以及设于所述非均匀曝光区210两侧的均匀曝光区(非lens mura)220。所述非均匀曝光区210为两块透镜200的拼接区域,所述均匀曝光区220为所述透镜200的非拼接区域。
非均匀曝光区210的宽度为X,对透镜曝光的光强是N,所述非均匀曝光区所210受到的光强为第一光强a,所述均匀曝光区220所受到的光强为第二光强b,所述第一光强a小于所述第二光强b。因为在曝光过程中受照度均一性差异(CD,critle dimension),所述非均匀曝光区210因为重合不佳会造成其下方的基板显示效果不均匀。
发明内容
本申请的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,可以解决现有的显示面板的曝光制程中因透镜交叠而产生的曝光后显示效果不均的技术问题。
为实现上述目的,本申请提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:提供基板;以及分两次对所述基板进行曝光处理,曝光所用透镜包括非均匀曝光区以及设于所述非均匀曝光区两侧的均匀曝光区。
进一步地,在分两次对所述基板进行曝光处理的步骤中,定义曝光时的光强为目标光强N;定义所述非均匀曝光区所受到的光强为第一光强a;定义所述均匀曝光区所受到的光强为第二光强b;其中所述第一光强a小于所述第二光强b。
进一步地,分两次对所述基板进行曝光处理的步骤包括以下步骤:采用N/2的光强第一次曝光所述基板;移动所述基板,采用N/2的光强第二次曝光移动后的基板。
进一步地,在所述采用N/2的光强第一次曝光所述基板的步骤中,所述非均匀曝光区所受到的光强为a/2,所述均匀曝光区所受到的光强为b/2;所述非均匀曝光区的曝光距离为X,曝光后在所述基板上形成第一曝光区。
进一步地,在所述移动所述基板,采用N/2的光强第二次曝光移动后的基板的步骤中,移动所述基板的移动距离为所述曝光距离X,曝光后在所述基板上形成第二曝光区;所述非均匀曝光区所受到的光强为a/2,所述均匀曝光区所受到的光强为b/2。
进一步地,两次都以b/2的光强曝光的区域为第一显示区,所述第一显示区所受的总光强为b。
进一步地,所述第一曝光区和所述第二曝光区为第二显示区,所述第二显示区所受的总光强为(a+b)/2。
进一步地,所述非均匀曝光区为两块透镜的拼接区域,所述均匀曝光区为所述透镜的非拼接区域。
为实现上述目的,本申请还提供一种显示面板,由如前文所述的显示面板的制备方法制备而成。
为实现上述目的,本申请还提供一种显示装置,包括如前文所述的显示面板。
本申请的技术效果在于,采用两次曝光后基板显示区的光强差小于一次曝光的光强差,进而大大提高了基板的显示均一性,进而改善显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中曝光制程的示意图;
图2是本申请实施例提供的第一次曝光的示意图;
图3是本申请实施例提供的第二次曝光的示意图。
附图标记说明:
100、基板;200、透镜;
101、第一曝光区;102、第二曝光区;
110、第一显示区;120、第二显示区;
210、非均匀曝光区;220、均匀曝光区。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
如图2至图3所示,本实施例提供一种显示面板的制备方法,包括步骤S1~S2。
S1提供基板100,所述基板100为待曝光的基板。
S2分两次对所述基板100进行曝光处理,曝光所用透镜200包括非均匀曝光区210以及设于所述非均匀曝光区210两侧的均匀曝光区220。所述非均匀曝光区210为两块透镜200的拼接区域,所述均匀曝光区220为所述透镜200的非拼接区域(参见图2、图3)。
具体地,在分两次对所述基板100进行曝光处理的步骤中,定义曝光时的光强为目标光强N,定义所述非均匀曝光区所210受到的光强为第一光强a,定义所述均匀曝光区220所受到的光强为第二光强b,所述第一光强a小于所述第二光强b。
在本实施例中,分两次对所述基板进行曝光处理的步骤包括以下步骤:采用N/2的光强第一次曝光所述基板100(参见图2)。
所述非均匀曝光区210在所述基板100上的曝光距离为X,曝光后在所述基板100上形成第一曝光区101(参见图2),因为所述透镜200的曝光强度为N/2,所以所述非均匀曝光区210所受到的光强为a/2,所述均匀曝光区所受到的光强为b/2。
移动所述基板100,采用N/2的光强第二次曝光移动后的基板100。具体地,移动所述基板100的移动距离为前文所述曝光距离X,曝光后在所述基板100上形成第二曝光区102(参见图3)。在第二次曝光过程中,所述非均匀曝光区210所受到的光强依旧为a/2,所述均匀曝光区220所受到的光强依旧为b/2。
两次都以b/2的光强曝光的区域为第一显示区110,所以所述第一显示区110所受的总光强为b。
因为所述第一曝光区101在第一次曝光过程中与所述透镜200的非均匀曝光区210相对设置,受到的光强为a/2,在平移后第二次曝光过程中与所述透镜200的均匀曝光区220相对设置,受到的光强为b/2,所以两次曝光后所受到的光强为(a+b)/2。
所述第二曝光区102在第一次曝光过程中与所述透镜200的均匀曝光区220相对设置,受到的光强为b/2,在平移后第二次曝光过程中与所述透镜200的非均匀曝光区210相对设置,受到的光强为a/2,所以两次曝光后所受到的光强也为(a+b)/2。
所述第一曝光区101和所述第二曝光区102所在区域为第二显示区120,所以所述第二显示区120所受的光强为(a+b)/2。
如只采用一次曝光过程,则曝光时的光强为N,所述非均匀曝光区所210受到的光强为第一光强a,所述均匀曝光区220所受到的光强为第二光强b,所述第一光强a小于所述第二光强b。因为在曝光过程中受照度均一性差异(CD,critle dimension),所述非均匀曝光区210因为重合不佳会造成其下方的基板显示效果不均匀。
综上而言,所述第一显示区110所受的总光强为b,所述第二显示区120所受的光强为(a+b)/2。因为a小于b,一次曝光的第一显示区110与第二显示区120的光强差值为b-a,两次曝光的第一显示区110与第二显示区120的光强差值为b-(a+b)/2=(b-a)/2,很明显,两次曝光的光强差小于一次曝光的光强差,进而大大提高了所述基板100的两个显示区的显示均一性。
本实施例所述显示面板的制备方法的技术效果在于,采用两次曝光后基板显示区的光强差小于一次曝光的光强差,进而大大提高了基板的显示均一性,进而改善显示面板的显示效果。
本实施例还提供一种显示面板,所述显示面板由前文所述的显示面板的制备方法制备而成,因为采用两次曝光操作,两次曝光的光强差小于一次曝光的光强差,进而改善显示面板的显示效果。
本实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括前文所述的显示面板,因为采用两次曝光操作,两次曝光的光强差小于一次曝光的光强差,进而改善显示装置的显示效果。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板;以及
分两次对所述基板进行曝光处理,曝光所用透镜包括非均匀曝光区以及设于所述非均匀曝光区两侧的均匀曝光区。
2.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在分两次对所述基板进行曝光处理的步骤中,
定义曝光时的光强为目标光强N;
定义所述非均匀曝光区所受到的光强为第一光强a;
定义所述均匀曝光区所受到的光强为第二光强b;
其中所述第一光强a小于所述第二光强b。
3.如权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,分两次对所述基板进行曝光处理的步骤包括以下步骤:
采用N/2的光强第一次曝光所述基板;
移动所述基板,采用N/2的光强第二次曝光移动后的基板。
4.如权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述采用N/2的光强第一次曝光所述基板的步骤中,
所述非均匀曝光区所受到的光强为a/2,所述均匀曝光区所受到的光强为b/2;
所述非均匀曝光区的曝光距离为X,曝光后在所述基板上形成第一曝光区。
5.如权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述移动所述基板,采用N/2的光强第二次曝光移动后的基板的步骤中,
移动所述基板的移动距离为所述曝光距离X,曝光后在所述基板上形成第二曝光区;
所述非均匀曝光区所受到的光强为a/2,所述均匀曝光区所受到的光强为b/2。
6.如权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
两次都以b/2的光强曝光的区域为第一显示区,所述第一显示区所受的总光强为b。
7.如权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述第一曝光区和所述第二曝光区为第二显示区,所述第二显示区所受的总光强为(a+b)/2。
8.如权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述非均匀曝光区为两块透镜的拼接区域,所述均匀曝光区为所述透镜的非拼接区域。
9.一种显示面板,其特征在于,由如权利要求1~8中任一项所述的显示面板的制备方法制备而成。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831711A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 減衰型位相シフトマスクを用いた露光方法 |
CN1193810A (zh) * | 1997-03-13 | 1998-09-23 | 日本电气株式会社 | 带电粒子束曝光方法和在晶片上形成图形的方法 |
US20020005940A1 (en) * | 2000-05-22 | 2002-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof, method for exposing and method for manufacturing microdevice |
CN101846888A (zh) * | 2010-03-26 | 2010-09-29 | 友达光电股份有限公司 | 曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、光刻胶层及形成方法 |
CN201974631U (zh) * | 2011-04-12 | 2011-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及掩膜版组 |
JP2013054315A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
CN104166315A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光方法及曝光机 |
CN104536258A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种掩膜板、曝光装置、制作光敏树脂图案的方法及基板 |
CN105929639A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-09-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光机镜组条纹的改善方法 |
CN107219720A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种掩膜板、曝光装置以及膜层图案化的制作方法 |
CN107329364A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种遮光层、彩色滤光片及显示面板 |
CN108169997A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 光学补偿膜、掩膜版以及曝光机 |
CN110687757A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法 |
-
2021
- 2021-12-13 CN CN202111523194.XA patent/CN114236972B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831711A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 減衰型位相シフトマスクを用いた露光方法 |
CN1193810A (zh) * | 1997-03-13 | 1998-09-23 | 日本电气株式会社 | 带电粒子束曝光方法和在晶片上形成图形的方法 |
US20020005940A1 (en) * | 2000-05-22 | 2002-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing thereof, method for exposing and method for manufacturing microdevice |
CN101846888A (zh) * | 2010-03-26 | 2010-09-29 | 友达光电股份有限公司 | 曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、光刻胶层及形成方法 |
CN201974631U (zh) * | 2011-04-12 | 2011-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及掩膜版组 |
JP2013054315A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
CN104166315A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光方法及曝光机 |
CN104536258A (zh) * | 2014-12-23 | 2015-04-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种掩膜板、曝光装置、制作光敏树脂图案的方法及基板 |
CN105929639A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-09-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光机镜组条纹的改善方法 |
CN107219720A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-29 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种掩膜板、曝光装置以及膜层图案化的制作方法 |
CN107329364A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种遮光层、彩色滤光片及显示面板 |
CN108169997A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 光学补偿膜、掩膜版以及曝光机 |
CN110687757A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 拼接曝光系统及采用该系统的拼接曝光方法 |
Also Published As
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