CN110687711B - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了包括基板与光学板的一种电子装置。光学板相对于基板设置，且包括有多条偏极化线形成于其中的光学区域。光学区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为34％到57％，或光学区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为37％到57％。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种包括偏极化线的电子装置。
背景技术
电子装置，例如液晶显示器(liquid crystal device,LCD)或其它功能性电子装置，包含有用以驱动装置中例如像素的功能性单元的阵列电路。目前已知的是，阵列电路中的扫描线、数据线或晶体管在制造过程中可能会产生缺陷。缺陷会使得功能性单元表现出不适当的结果。因此，需要使用激光修补制程。
然而，传统黏着在电子装置外表面上的偏光片的光穿透率不佳，使得修补激光的强度会因此下降。此外，在高温及高湿下，传统偏光片会产生气泡。因此，需要一种新颖的偏极化设计。
发明内容
根据一实施例，本发明提供了一种包括基板与光学板的电子装置。光学板相对于基板设置，且包括具有多条偏极化线形成于其中的光学区域。光学区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为34％到57％。
根据另一实施例，本发明提供了一种包括基板与光学板的电子装置。光学板相对于基板设置，且包括具有多条偏极化线形成其中的光学区域。光学区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为37％到57％。
在阅读了下文绘示有各种附图的实施例的详细描述之后，对于本领域的技术人员来说，应可清楚明了本发明的目的。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图。
图2为本发明第一实施例的电子装置的透视分解示意图。
图3为本发明第一实施例的第一变化实施例的显示设备的透视分解示意图。
图4示出了根据本发明测量光学区域光穿透率的方法。
图5为本发明第一实施例的第二变化实施例的显示设备的透视分解示意图。
图6为本发明第一实施例的第三变化实施例的光学板的剖视示意图。
图7为本发明第二实施例的显示设备的剖视示意图。
图8为本发明第二实施例的一变化实施例的光学板的剖视示意图。
图9为本发明第三实施例的显示设备的光学板的剖视示意图。
图10为本发明第四实施例的显示设备的光学板的剖视示意图。
图11为本发明第五实施例的显示设备的光学板的剖视示意图。
附图标记说明：102A、102B、Sub-基板；104A、104C、104K、204A、204B、604、704-光学板；106A、106C、206B、506、606、706-偏极化线；10A、10B、10C、20、60、70-显示设备；110、510、710-平坦层；204R-光学区域；228、528、628、728-第一颜色转换层；230、530、630、730-第二颜色转换层；634-第一半穿反层；636、736-第二半穿反层；738-遮光块状物；AP-开口；BM-黑色矩阵；C1-第一偏极化线；CC1-第一颜色转换区域；CC2-第二颜色转换区域；CL-共同线；D1-第一方向；D2-第二方向；DL-数据线；LU-发光单元；MLA、MLB-金属层；MR-测量区；OP1-第一分隔区域；OP2-第二分隔区域；OP3-第三分隔区域；PE-像素电极；PL、PL1-防护层；PX-像素；S1、S1A、S1B-间距；SL-扫描线；T1-厚度；TD-厚度方向；Tr-晶体管；W1-宽度。
具体实施方式
下文结合附图对本发明的内容进行详细描述，且为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下文各附图显示部分显示设备，且其中的元件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些术语来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，其应被了解所述的元件或膜层可以直接位于另一元件或膜层上，或是直接与另一元件或膜层连接，也可以是两者之间存在有其他的元件或膜层(非直接地)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有元件或膜层。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1，图1为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图。电子装置包括一基板102A以及相对于基板102A设置的一光学板104A。光学板104A包括具有多条偏极化线106A形成于其中的一光学区域104R。光学区域104R为映像出及对应基板102A的主动区(包括整个功能性像素)的有效光学区域。偏极化线106A与基板102A的主动区重迭。偏极化线106A是由不透明导电材料、半导电材料、或绝缘材料所形成，并在光线穿过偏极化线106A时，用以调变来自基板102A主动区的光线的偏极化状态。换句话说，偏极化线106A在此作为偏光片。根据一些实施例，电子装置可例如为显示设备，如液晶显示器(liquid crystaldisplay device,LCD)、有机发光显示设备(organic light-emitted display device,OLED)或无机发光显示设备、感测装置、收发器或天线，例如液晶天线。图1所示的偏极化线106A的数量仅为说明且不以此为限。
在本实施例中，电子装置为显示设备10A。在此情况下，基板102A可为自发光显示面板，例如有机发光二极管显示面板、量子点发光二极管显示面板、或发光二极管显示面板(次毫米发光二极管显示面板或微型发光二极管显示面板)、或非自发光显示面板，例如液晶显示面板。请参考图2，图2为本发明第一实施例的电子装置的透视分解示意图。在本实施例中，显示设备10A为自发光显示面板，显示设备10A的基板102A可包括多个像素PX(或子像素)与多个发光单元LU，每一个像素PX可分别包括至少一个位于其中的发光单元LU，但本发明不以此为限。此外，基板102A可包括一阵列电路，用以控制基板102A的显示，其中，阵列电路可包括扫描线SL、共同线CL、数据线DL及晶体管Tr，但本发明不以此为限。基板102A还可包括一黑色分隔物(黑色网格分隔墙)，设置在相邻的两个像素PX之间，黑色分隔物围绕发光单元LU，用以降低相邻的发光单元LU之间的干扰。本领域技术人员应理解阵列电路可包含其他元件，例如储存电容等，故在此不再详述。在图3所示的第一变化实施例的显示设备10B中，当显示设备10B为液晶显示面板时，显示设备10B的基板102B可包括一阵列电路、围绕并形成的开口AP的一黑色矩阵BM、以及分别设置在开口AP中并分别连接到阵列电路的多个像素电极PE(或共同电极)。开口AP位于像素PX中。在此情况下，基板102B相对于光学板104A的底表面还可具有另一偏光片或其他偏极化线设置于其上。此外，像素与开口的排列方式不限于图2与所3所示，可根据不同需求具有不同排列方式。
在本实施例中，具有偏极化线106A设置于其中的光学区域104R可与像素PX或开口AP重迭，使得来自像素PX或开口AP的光线能穿过偏极化线106A(白色或其他灰阶)或被偏极化线106A阻挡(黑色)。在本实施例中，光学板104A可包括一基板Sub、设置在基板Sub上的偏极化线106A、以及设置在基板Sub上的一防护层PL，防护层PL覆盖偏极化线106A，用以避免会降低偏极化线106A的偏极化效果的氧化。此外，基板Sub可为硬质的或可挠性的。
在修补过程中所使用的激光光波长范围可为510纳米到550纳米或610纳米到650纳米，也就是说激光可为绿色或红色。光波长范围在510纳米到550纳米的修补用激光可例如由掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光、气体激光，例如氩离子激光、或包括氮化铟镓、氧化铝(Al2O3)或硒化锌的半导体激光所产生。光波长范围在610纳米到650纳米的激光可例如由包括磷化铝镓铟(aluminum gallium indium phosphide)、磷化镓铟(gallium indiumphosphide)或砷化镓的半导体激光形成。
在本实施例中，对应光学区域104R的部分光学板104A不包括颜色转换层与除了偏极化线106A以外的其他不透明装置，即光线的颜色在穿过光学区域104R后没有明显的改变。因此，不同颜色的激光可穿过光学区域104R，且光学区域104R在510纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为42％到57％。此外，基板102A可选择性地包括覆盖像素PX或开口AP的颜色转换层，具有绿色颜色转换层的光学区域104R在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为34％到57％，或具有红色颜色转换层的光学区域104R在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为37％到57％。在本实施例中，光学区域104R的光穿透率可藉由调整光学区域104R中相邻两条偏极化线之间的间距S1对偏极化线106A的宽度W1的第一比值来达成。具体来说，第一比值的范围为0.1到4。举例来说，间距S1的范围可为50纳米到200纳米，偏极化线106A的宽度W1的范围可为50纳米到500纳米，藉此改善激光修补制程的效果。
尽管光学区域104R的光穿透率增加，但当光线穿过光学区域104R时，光线的偏极化率并无明显改变。当光学区域104R的光穿透率在低于60％时，光线的偏极化率仍可大于95％，并不影响显示设备10A的表现。因此，光线的偏极化率与显示设备10A的显示表现并无明显受到光学区域104R的光穿透率提升的影响。
请参考图4，图4示出了根据本发明测量光学区域光穿透率的方法。测量光学区域104R的光穿透率的方法可包括以下步骤。第一个步骤：提供由光源，例如背光单元，所产生的光线，且将此光线穿过光学板104A的光学区域104R。第二个步骤：利用侦测器在测量区MR侦测光线的强度，且可计算出光线在穿过光学板104A的光学区域104R后的强度对光线在穿过光学板104A的光学区域104R前的强度的比值。上述测量步骤可例如执行至少三次。也就是说，至少三个测量区MR可分别位于光学区域104R的上半部、光学区域104R的中间部分以及光学区域104R的下半部，而光学区域104R的光穿透率可经由计算这些光穿透率的平均值得出。须知悉的是，光学区域104R的光穿透率的测量是在光线穿过光学板104A的光学区域104R的情况下进行而非在光线穿过整个显示设备10A的情况下进行。举例来说，测量区MR的剖面尺寸范围可为5微米到25微米。值得注意的是，由于防护层PL为透明的，且具有远大于偏极化线106A的光穿透率，因此光学区域104R的光穿透率主要影响因素以偏极化线106A的设计为主。
在本实施例中，光学区域104R的光穿透率也可藉由调整光学区域104R中偏极化线106A的宽度W1对偏极化线106A的厚度T1的第二比值来达成。具体来说，第二比值的范围为0.06到10，使得光学区域104R在510纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为42％到57％，具有绿色颜色转换层的光学区域104R在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为34％到57％，或具有红色颜色转换层的光学区域104R在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为37％到57％。举例来说，当偏极化线106A的宽度W1的范围为50纳米到500纳米时，偏极化线106A的厚度T1的范围为50纳米到800纳米。在另一实施例中，光学区域104R从42％到57％的光穿透率范围可经由遵循第一比值或第二比值达到。
另外，请再参考图1到图3，在本实施例中，偏极化线106A可由金属层MLA所形成，金属层MLA可包括钼、铝、金、银、铜或钛，其中铝的消光系数在上述材料中为较好的。偏极化线106A可为单层或多层。由于偏极化线106A是以金属形成，因此在高温及高湿下不会产生气泡。此外，光学区域104R中偏极化线106A的延伸方向约略与数据线DL的延伸方向(即第一方向D1)平行，但本发明不以此为限。在一些实施例中，偏极化线106A的延伸方向约略与扫描线SL或共同线CL的延伸方向(即第二方向D2)平行。在一些实施例中，偏极化线106A的延伸方向也可朝向第一方向D1或第二方向D2倾斜。此外，在本实施例中，偏极化线106A的形状可例如为矩形，但本发明不以此为限。偏极化线106A可为电性连接或电性绝缘。
光学区域104R的光穿透率可经由其他方法来达成。请参考图5，图5为本发明第一实施例的第二变化实施例的显示设备的透视分解示意图。在本变化实施例的显示设备10C中，光学板104C的偏极化线106C可具有至少一个分隔区域，对应基板102A上至少一个不透明装置。在本实施例中，第一分隔区域OP1与第二分隔区域OP2设置在偏极化线106C之间，其中第一分隔区域OP1与扫描线SL中的一条重迭，第二分隔区域OP2与共同线CL中的一条重迭。在本实施例中，每条第一偏极化线C1的一端在俯视方向上与对应的扫描线SL分隔开，且每条第一偏极化线C1的另外一端在俯视方向上与对应的共同线CL分隔开。在另一实施例中，每条第一偏极化线C1的一端在俯视方向上可与对应的扫描线SL的一侧对齐。每条第一偏极化线C1的另一端可选择性地在俯视方向上与对应的共同线CL的一侧对齐。在本变化实施例中，偏极化线106C可选择性地包括一第三分隔区域OP3，第三分隔区域OP3在俯视方向上可与发光单元LU中的一个或开口AP中的一个重迭。
偏极化线的形状并不以上述的矩形为限。偏极化线的形状可为梯形、倒梯形或结合具有曲面的圆顶形部分。经由本实施例的设计，由于梯形、倒梯形或圆顶形的表面会使光线在穿过两条偏极化线之间的间隙时发散，因此光线传播的方向与发散光线传播的方向之间的散射角可小于或等于0.5度，藉此提供准直光线并提高偏极化率。
在本实施例中，防护层PL1可包括氮化硅层及氧化硅层。偏极化线106A的厚度大于氮化硅层的厚度，因此可降低氮化硅层和氧化硅层对偏极化的影响。
请参考图6，图6为本发明第一实施例的第三变化实施例的光学板的剖视示意图。在本变化实施例中，光学板104K还可包括设置在偏极化线106A与基板Sub之间的一平坦层110。在另一实施例中，当光学板具有平坦层时，可不具有防护层。
本发明的显示设备并不以上述的实施例为限。下述会说明本发明的其他实施例。为了方便地比较不同的实施例及简化描述，下文中相同元件会以相同符号标注。下文将详述不同实施例之间的差异，相同部分则不再赘述。
请参考图7，图7为本发明第二实施例的显示设备的剖视示意图。与图1和图2的第一实施例相比，本实施例的光学区域204R包括允许光波长范围在510纳米到550纳米的光线穿过的一第一颜色转换区域CC1。第一颜色转换区域CC1在俯视方向(厚度方向TD)上可对应并覆盖开口AP中的一个或发光元件LU中的一个。具体来说，显示设备20的光学板204A还包括覆盖第一颜色转换区域CC1的一第一颜色转换层228，第一颜色转换层228可例如为绿色彩色滤光层、绿色荧光粉层、或产生绿光的量子点层。在本实施例中，由于第一颜色转换层228允许光波长范围在510纳米到550纳米的光线穿过，因此第一颜色转换区域CC1在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为34％到52％。因此，显示设备20可适用于激光光波长范围在510纳米到550纳米的激光修补。在本实施例中，基板102A设置在光学板204A的下方。在一些实施例中，光学板可上下颠倒设置，使光学板没有偏极化线形成的表面可面对基板。在一变化实施例中，平坦层可设置在基板Sub与偏极化线106A之间。在一变化实施例中，一填充层可取代防护层与平坦层，填充层覆盖基板Sub的一部分、偏极化线106A、第一颜色转换层228或第二颜色转换层230。
在本实施例中，光学区域204R还可包括允许光波长范围在610纳米到650纳米的光线穿过的一第二颜色转换区域CC2。第二颜色转换区域CC2在俯视方向(厚度方向TD)上可对应并覆盖开口AP中的另一个或发光元件LU中的另一个。具体来说，显示设备20的光学板204A还包括覆盖第二颜色转换区域CC2的一第二颜色转换层230，第二颜色转换层230可例如为红色彩色滤光层、红色荧光粉层、或产生红光的量子点层。在本实施例中，由于第二颜色转换层230允许光波长范围在610纳米到650纳米的光线穿过，因此第二颜色转换区域CC2在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为37％到52％。因此，显示设备20可适用于激光光波长范围在610纳米到650纳米的激光修补。第一颜色转换区域CC1从34％到52％的光穿透率范围与第二颜色转换区域CC2从37％到52％的光穿透率范围可藉由上述实施例中至少一个方法来达成，例如调整相邻两条偏极化线之间的间距S1对偏极化线106A的宽度W1的第一比值在0.1到4的范围内、调整偏极化线106A的宽度W1对偏极化线106A的厚度T1的第二比值在0.06到10的范围内、或在偏极化线106C中设置第一分隔区域OP1或第二分隔区域OP2，或在偏极化线106C中设置第三分隔区域OP3。在本实施例中，显示设备20的基板可不具有第一颜色转换层或第二颜色转换层。
请参考图8，图8为本发明第二实施例的一变化实施例的光学板的剖视示意图。与图7所示的第二实施例相比，在本实施例的光学板204B中，当第一颜色转换区域CC1中每一条偏极化线206B的宽度W1等于第二颜色转换区域CC2中每一条偏极化线206B的宽度W1时，第一颜色转换区域CC1中相邻的两条偏极化线206B的间距S1A可小于第二颜色转换区域CC2中相邻的两条偏极化线206B的间距S1B。
请参考图9，图9为本发明第三实施例的显示设备的光学板的剖视示意图。与前一个实施例相比，基板Sub设置在偏极化线506与第一颜色转换层528之间和偏极化线506与第二颜色转换层530之间。此外，平坦层510设置在偏极化线506与基板Sub之间，偏极化线506设置在防护层PL1与平坦层510之间。在另一实施例中，当基板设置在偏极化线与第一颜色转换层之间和偏极化线与第二颜色转换层之间时，光学板可不包括平坦层。或者，在另一实施例中，当基板设置在偏极化线与第一颜色转换层之间和偏极化线与第二颜色转换层之间时，光学板可不包括防护层。
请参考图10，图10为本发明第四实施例的显示设备的光学板的剖视示意图。与前一个实施例相比，本实施例的第一颜色转换层628与第二颜色转换层630可设置在偏极化线606与基板Sub之间。在本实施例中，显示设备60的光学板604还可选择性地包括一第一半穿反层634与一第二半穿反层636，其中第一半穿反层634设置在第一颜色转换层628与基板Sub之间和第二颜色转换层630与基板Sub之间，第二半穿反层636设置在第一颜色转换层628与偏极化线606之间和第二颜色转换层630与偏极化线606之间。第一半穿反层634可作为反射镜，用以反射具有特定光波长范围的光线，例如蓝光的光波长范围，并允许光波长在第一特定光波长范围外的光线穿过，举例来说，第一半穿反层634可为分布式布拉格反射镜(distributed Bragg reflector,DBR)。第二半穿反层636可作为反射镜，用以允许具有特定光波长范围的光线(例如与第一半穿反层的特定光波长范围相同的光波长范围)穿过，并反射光波长在此特定光波长范围外的光线，举例来说，第二半穿反层636也可为分布式布拉格反射镜。由于第二半穿反层636直接且均匀地形成在第一半穿反层634上，因此第一颜色转换区628、第二颜色转换区630、第二半穿反层636与形成在第二半穿反层636上的偏极化线606和防护层PL1为不平坦的。在另一实施例中，光学板可不包括第一半穿反层与第二半穿反层。在另一实施例中，光学板可包括第一半穿反层与第二半穿反层中的一个，但不包括第一半穿反层与第二半穿反层中的另一个。
请参考图11，图11为本发明第五实施例的显示设备的光学板的剖视示意图。与前一个实施例相比，本实施例提供的显示设备70的光学板704还可包括设置在偏极化线706与第一颜色转换层728之间和偏极化线706与第二颜色转换层730之间的一平坦层710，以提供偏极化线706与设置于偏极化线706上的防护层PL1平坦的表面。在本实施例中，第二半穿反层736设置在平坦层710与偏极化线706之间，因此第二半穿反层736也可为平坦的。此外，用于形成偏极化线706的金属层MLB还可包括至少一个遮光块状物738，其中，遮光块状物738在俯视方向(厚度方向TD)上覆盖第一颜色转换层728与第二颜色转换层730之间的间隙。
根据本发明的内容，光学区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围增加到34％到57％，或光学区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围增加到37％到57％。因此更多光波长范围在510纳米到550纳米或610纳米到650纳米的激光能穿过光学区域，藉此在不明显改变光线的偏极化率的情况下改善激光修补的效果。根据一些实施例，光学区域的光穿透率可经由调整光学区域中相邻两条偏极化线之间的间距对光学区域中偏极化线的宽度的第一比值在0.1到4的范围内、调整光学区域中偏极化线的宽度对偏极化线的厚度的第二比值在0.06到10的范围内、或藉由在偏极化线中设置第一分隔区域或第二分隔区域或在偏极化线中设置第三分隔区域来达成。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基板，包括一数据线及一黑色矩阵设置于所述数据线上；以及
一光学板，相对于所述基板设置，并包括一光学区域，具有多条偏极化线形成于其中；
其中，所述光学区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光的穿透率范围为34％到57％，且所述黑色矩阵设置于所述光学板与所述数据线之间。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述光学区域还包括一第一颜色转换区域，其中，所述第一颜色转换区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光的穿透率范围为34％到52％。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述光学板还包括一第一颜色转换层，位于所述第一颜色转换区域中。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述光学区域还包括所述偏极化线中的相邻两条之间一第一间距以及所述偏极化线中的另外相邻两条之间一第二间距，且所述第一间距与所述第二间距不同。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述光学区域还包括一第一颜色转换区域和一第二颜色转换区域，其中，所述第一颜色转换区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光的穿透率范围为34％到52％，且所述第二颜色转换区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光的穿透率范围为37％到52％。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述光学板还包括一第二颜色转换层，位于所述第二颜色转换区域中。
7.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述第一间距对应所述第一颜色转换区域，且所述第二间距对应所述第二颜色转换区域。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述第一间距小于所述第二间距。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述偏极化线中的相邻两条之间的间距对所述偏极化线中的一条的宽度的一第一比值范围为0.1到4。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述偏极化线中的一条的宽度对所述偏极化线中的所述条的厚度的一第二比值范围为0.06到10。
11.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板还包括多个发光单元，且所述偏极化线与所述发光单元重迭。
12.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述黑色矩阵围绕出多个开口，且所述偏极化线与所述开口重迭。
13.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基板，包括一数据线及一黑色矩阵设置于所述数据线上；以及
一光学板，相对于所述基板设置，并包括一光学区域，具有多条偏极化线形成于其中；
其中，所述光学区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光的穿透率范围为37％到57％，且所述黑色矩阵设置于所述光学板与所述数据线之间。
14.如权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述光学区域还包括一第二颜色转换区域，其中，所述第二颜色转换区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光的穿透率范围为37％到52％。
15.如权利要求14所述的电子装置，其特征在于，所述光学板还包括一第二颜色转换层，位于所述第二颜色转换区域中。
16.如权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述偏极化线中的相邻两条之间的间距对所述偏极化线中的一条的宽度的一第一比值范围为0.1到4。
17.如权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述偏极化线中的一条的宽度对所述偏极化线中的所述条的厚度的一第二比值范围为0.06到10。
18.如权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述基板还包括多个发光单元，且所述偏极化线与所述发光单元重迭。
19.如权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述黑色矩阵围绕出多个开口，且所述偏极化线与所述开口重迭。
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