CN110673379A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电子装置，其包括基板、网格状结构以及多条偏极化线。网格状结构设置在基板上且包括多个开口。偏极化线设置在基板上且延伸经过开口。开口中的一个在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到57％，或开口中的一个在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到57％。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种包括偏极化线的电子装置。
背景技术
电子装置，例如液晶显示器(liquid crystal device,LCD)或其它功能性电子装置，包含有用以驱动装置中例如像素的功能性单元的阵列电路。目前已知的是，阵列电路中的扫描线、数据线或晶体管在制造过程中可能会产生缺陷。缺陷会使得功能性单元表现出不适当的结果。因此，需要使用激光修补制程。
然而，传统黏着在电子装置外表面上的偏光片的光穿透率不佳，使得修补激光的强度会因此下降。此外，在高温及高湿下，传统偏光片会产生气泡。因此，需要一种新颖的偏极化设计。
发明内容
根据一实施例，本发明提供了一种电子装置，其包括基板、网格状结构以及多条偏极化线。网格状结构设置在基板上且包括多个开口。偏极化线设置在基板上，并延伸经过多个开口。开口中的一个在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到57％。开口中的另一个在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到57％。
根据另一实施例，本发明提供了一种电子装置，其包括基板、多条扫描线、多条数据线、黑色矩阵以及多条偏极化线。扫描线设置在基板上，数据线设置在基板上，而黑色矩阵设置在基板上且包括多个开口。偏极化线设置在基板上，并延伸经过多个开口。开口中的一个在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到57％。开口中的另一个在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到57％。
在阅读了下文绘示有各种附图的实施例的详细描述之后，对于本领域的技术人员来说，应可清楚明了本发明的目的。
附图说明
图1为本发明第一实施例的电子装置的第一阵列基板的俯视示意图。
图2为第一阵列基板沿图1所示的剖线Y-Y’的剖视示意图。
图3示出了根据本发明测量开口光穿透率的方法。
图4为本发明第一实施例的一变化实施例的第一阵列基板的俯视示意图。
图5为本发明第一实施例的另一变化实施例的第一阵列基板的俯视示意图。
图6为第一阵列基板沿图5所示的剖线Z-Z’的剖视示意图。
图7为本发明第一实施例的又一变化实施例的第一阵列基板的俯视示意图。
图8为本发明第二实施例的第一阵列基板的剖视示意图。
图9为本发明第三实施例的第一阵列基板的俯视示意图。
图10为本发明第四实施例的第二阵列基板的俯视示意图。
图11为图10所示第二阵列基板的剖视示意图。
图12为本发明第五实施例的第二阵列基板的剖视示意图。
图13为本发明第六实施例的第二阵列基板的剖视示意图。
图14为本发明第七实施例的第一阵列基板的俯视示意图。
图15为第一阵列基板沿图14所示的剖线A-A’的剖视示意图。
图16为本发明第八实施例的第一阵列基板的剖视示意图。
附图标记说明：10、20、40、50、60、70、80、90-显示设备；102、502-基板；104、404、504、804、904-网格状结构；104a、204a、404a、504a、604a、704a、804a、904a-开口；106A、106B、106D、106E、506、606、706、806、906-偏极化线；108-像素电极；110-保护层；110a-穿孔；112-闸极绝缘层；114-电性连接元件；12A、12B、12D、12E、22、42、82、92-第一阵列基板；222、822-颜色转换层；428、628、728、928-第一颜色转换层；430、630、730、930-第二颜色转换层；532-平坦层；54、64、74-第二阵列基板；634-第一半穿反层；636-第二半穿反层；738-块状物；B1-第一偏极化线；B2-第二偏极化线；BM-黑色矩阵；CC-颜色转换区；CC1-第一颜色转换区；CC2-第二颜色转换区；CL-共同线；D1-第一方向；D2-第二方向；DE-汲极；DL-数据线；M2A、M1A、M1D、M2D、M3E、M2E、M1E、M1H-金属层；MR-测量区；OP1-第一分隔区域；OP2-第二分隔区域；PL1-防护层；S1、S1A、S1B-间距；SL-扫描线；T1-厚度；Tr-晶体管；W1、W2、W3、W4、W5、W6-宽度。
具体实施方式
下文结合附图对本发明的内容进行详细描述，且为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下文各附图显示部分显示设备，且其中的元件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些术语来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，其应被了解所述的元件或膜层可以直接位于另一元件或膜层上，或是直接与另一元件或膜层连接，也可以是两者之间存在有其他的元件或膜层(非直接地)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有元件或膜层。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1和图2，图1为本发明电子装置的第一实施例的第一阵列基板的俯视示意图，图2为第一阵列基板沿图1所示的剖线Y-Y’的剖视示意图。电子装置包括基板102、网格状结构104以及多条偏极化线106A。网格状结构104围绕出多个开口104a，而偏极化线106A延伸经过开口104a。网格状结构104为遮光的开口104a框架，而开口104a为网格状结构104中允许光线通过的光穿过缝隙。偏极化线106A是由不透明导体材料、半导体材料或绝缘体材料所形成，并在光线通过偏极化线106A时，用以调整光线的偏极化状态。换句话说，偏极化线106A在此作为类似偏光片的角色，具有可将通过的光线偏极化的功能。偏极化线106A可设置在电子装置的数个位置。此外，基板102可由刚性或可挠性基板所形成。根据一些实施例，电子装置可例如为显示设备，如液晶显示器(liquid crystal display device,LCD)、有机发光显示设备(organic light-emitted display device,OLED)或无机发光显示设备、感测装置、收发器或天线，例如液晶天线。图1及图2所示每个开口104a中的偏极化线106A的数量仅为说明且不以此为限。
在本实施例中，电子装置为显示设备10，其中网格状结构104以及偏极化线106A皆形成在相同基板102上。网格状结构104是透过第一阵列基板12A的遮光元件所形成，且在俯视方向上为网格或网状图案。因此，在俯视方向上，每个开口104a被网格状结构104的遮光元件围绕，且至少一部分的偏极化线106A设置在开口104a中。在本实施例中，遮光元件可例如包括扫描线SL、共同线CL、数据线DL以及晶体管Tr。由于扫描线SL、共同线CL、数据线DL以及部分晶体管Tr是由金属层所形成，因此在此情况下，一种类型的开口104a可由一条扫描线SL、一条共同线CL、相邻的两条数据线DL以及一个晶体管Tr的一部分围绕所形成，但本发明不以此为限。在一些实施例中，在不具有共同线CL的情况下，另一种类型的开口104a可由相邻的两条扫描线SL、相邻的两条数据线DL以及一个晶体管Tr的一部分围绕所形成。举例来说，开口104a中的一个可对应用以产生一种颜色光线的一个显示区，例如像素或子像素，但本发明不以此为限。根据遮光元件在阵列电路中不同的排列方式，开口的定义也可不同。在另一实施例中，当信号线中的一条，例如数据线、扫描线或共同线经过显示区并将显示区分成产生相同颜色光线的两个子区域时，开口中的一个可视为子区域中的一个。在本实施例中，第一阵列基板12A可包括保护层110，且保护层110可具有多个填有电性连接元件114的穿孔110a，以电性连接像素电极108与晶体管Tr的汲极DE。此外，为了避免浮接的偏极化线106A的信号干扰，偏极化线106A可电性连接到共同线CL或可接地。但偏极化线106A的浮接亦为可接受的。
为了阐明开口104a的光穿透率，以下以一个开口104a为例，但不以此为限。在开口104a中的一个中，除了偏极化线106A以外，因为没有其他网格状结构104的遮光元件设置在开口104a中的缘故，开口104a的光穿透率可透过偏极化线106A的设计来调整。在修补过程中所使用的激光波长范围可为510纳米到550纳米或610纳米到650纳米，也就是说激光可为绿色或红色。光波长范围在510纳米到550纳米的修补用激光可例如由掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)激光、气体激光(例如氩离子激光)、或包括氮化铟镓、氧化铝(Al2O3)或硒化锌的半导体激光所产生。光波长范围在610纳米到650纳米的激光可例如由包括磷化铝镓铟(aluminum gallium indium phosphide)、磷化镓铟(galliumindium phosphide)或砷化镓的半导体激光形成为例，但不以此为限。在本发明中，开口104a在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到57％，或者在610纳米到650纳米的光波长范围中，开口104a的光穿透率范围为29％到57％，因此更多的激光可穿过开口104a。虽然开口104a的光穿透率升高，但光线偏极化率并无明显改变。当开口104a的光穿透率小于60％时，光线的偏极化率仍可大于95％而不影响显示设备10的表现。因此，光线的偏极化率与显示设备10的表现并无明显受到开口104a的光穿透率提高的影响。
请参考图3，其示出了根据本发明测量开口104a光穿透率的方法。测量开口104a光穿透率的方法可包括以下几个步骤。第一个步骤，提供由光源，例如背光单元，所产生的光线，且将此光线穿过第一阵列基板12A的开口104a。第二个步骤，利用侦测器在测量区MR侦测光线的强度，且可计算出光线在穿过开口104a后的强度对光线在穿过开口104a前的强度的比值。上述测量步骤可例如执行至少三次。也就是说，至少三个测量区MR可分别位于开口104a的上半部、开口104a的中间部分以及开口104a的下半部，而开口104a的光穿透率可经由计算这些光穿透率的平均值得出。测量区MR的剖面尺寸可在5微米到25微米之间。除此之外，第一阵列基板12A还可包括透明元件，且第一阵列基板12A的开口104a的光穿透率是在考虑透明元件的存在所量测出。举例来说，透明元件可包括像素电极108、保护层110、闸极绝缘层112以及配向层(图未示)。因为这些元件为透明的，且具有大于偏极化线106A的光穿透率，因此开口104a的光穿透率主要影响因素以偏极化线106A为主。
显示设备10还可包括相对于第一阵列基板的第二阵列基板以及设置在第一阵列基板与第二阵列基板之间的液晶层。第二阵列基板可包括黑色矩阵、颜色转换层、或其他膜层或元件。颜色转换层可由多个彩色滤光片或量子点图案所形成。第一阵列基板12A的开口104a是不具有第二阵列基板以及液晶层的情况下测量光穿透率。本发明中显示设备10不限为LCD。在一些实施例中，显示设备可为电泳显示(electrophoretic display,EPDs)或电湿润显示(electrowetting display,EWD)。在一些实施例中，显示设备可为不具有液晶层的自发光显示器，例如有机发光二极管(OLED)显示器、量子点发光二极管(QLED)显示器或发光二极管显示器(次毫米发光二极管显示器或微型发光二极管显示器)，但本发明不以此为限。在上述情形中，电子装置可包括或不包括第二阵列基板。
请再参考图1和图2。在本实施例中，开口104a中并无设置有颜色转换图案。因此，开口104a在510纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围可为34％到57％。在本实施例中，开口104a从34％到57％的光穿透率范围可经由调整开口104a中相邻两条偏极化线106A之间的间距以及每条偏极化线106A的宽度而达到。具体来说，延伸经过开口104a的相邻两条偏极化线106A之间的间距为S1，且间距S1对偏极化线106A中的一条的宽度W1的第一比值范围可在0.1到4之间，使得开口104a在510纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围可为34％到57％。举例来说，间距S1的范围可为50纳米到200纳米，且偏极化线106A的宽度W1范围可为50纳米到500纳米。
在此实施例中，开口104a从34％到57％的光穿透率范围可选择性的经由调整第二比值来达成，第二比值为开口104a中偏极化线106A中的一条的宽度W1对偏极化线106A的厚度T1的比值。具体来说，第二比值的范围可为0.06到10，使得开口104a在510纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围可为34％到57％。举例来说，当偏极化线106A的宽度W1范围为50纳米到500纳米时，偏极化线106A的厚度T1范围可为50纳米到800纳米。在另一实施例中，开口104a从34％到57％的光穿透率范围可经由遵循第一比值或第二比值达到。
此外，在本实施例中，偏极化线106A可由第一阵列基板12A中位在闸极绝缘层112与保护层110之间的金属层M2A所形成，金属层M2A可包括钼、铝、金、银、铜、钽、铬或钛，其中铝的消光系数在上述材料中为较好的。由于偏极化线106A是以金属形成，因此在高温及高湿下不会产生气泡。在一些实施例中，偏极化线106A也可由第一阵列基板12A中其他膜层或第一阵列基板12A的膜层以外的额外膜层所形成。偏极化线106A可为单层或多层。本实施例中金属层M2A亦可用以形成数据线DL以及晶体管Tr的汲极DE，其中数据线DL亦包括晶体管Tr的源极。扫描线SL与共同线CL是由另一金属层M1A所形成。此外，开口104a中偏极化线106A的延伸方向约略与数据线DL的延伸方向(即第一方向D1)平行，但本发明不以此为限。在一些实施例中，偏极化线106A的延伸方向约略与扫描线SL或共同线CL的延伸方向(即第二方向D2)平行。在一些实施例中，开口104a中偏极化线106A的延伸方向也可朝向第一方向D1或第二方向D2倾斜。此外，在本实施例中，偏极化线106A的形状可例如为矩形，但本发明不以此为限。具体来说，偏极化线106A可设置在基板与用以形成扫描线的金属层之间，或设置在用以形成数据线的金属层上。当偏极化线形成于基板与用以形成扫描线与共同线的金属层之间时，在偏极化线与金属层之间还可提供平坦层。或者，在另一实施例中，偏极化线可形成在基板相对于用以形成阵列电路一侧(显示设备10的外表面)的另外一侧上，使得基板可设置在偏极化线与阵列电路之间。偏极化线可彼此电性连接或电性绝缘。
开口104a的光穿透率范围可经由其他方法达到34％到57％。请参考图4，图4为本发明第一实施例的一变化实施例的第一阵列基板的俯视示意图。在本变化实施例中的第一阵列基板12B，偏极化线106B可具有至少一个用于分隔的分隔区域，分隔区域对应到遮光元件。在此变化实施例中，偏极化线106B藉由第一分隔区域OP1与第二分隔区域OP2分隔，其中第一分隔区域OP1与一条扫描线SL和一条共同线CL重迭，第二分隔区域OP2与另一条共同线CL重迭。具体来说，偏极化线106B可被分隔成多条第一偏极化线B1与多条第二偏极化线B2。藉由在偏极化线106B上设置第一分隔区域OP1与第二分隔区域OP2，开口104a在510纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围可增加到34％到57％。在此变化实施例中，第一偏极化线B1在俯视方向上完全位在开口104a中的一个之中。换句话说，每条第一偏极化线B1的一端在俯视方向上与对应的扫描线SL分隔开，且每条第一偏极化线B1的另外一端在俯视方向上与对应的共同线CL分隔开。由于偏极化线106B与信号线不重迭，因此可降低偏极化线106B与信号线之间电性连接的机率。在另一实施例中，每条第一偏极化线的一端在俯视方向上可与对应的扫描线的一侧对齐。每条第一偏极化线的另一端可选择性地在俯视方向上与对应的共同线的一侧对齐。于上述该些实施例中，偏极化线106B中的该些第一偏极化线B1可与共同线CL同一微影制程步骤完成，但亦可由不同微影制程步骤完成，即可为同一层别或不同层别。
在另一变化实施例中，偏极化线可包括位在开口104a中的第三开口，第三开口在俯视方向上完全设置在开口104a中，且偏极化线在第三开口处的端点的连接线在俯视方向上可为曲形或直线。
在开口中的偏极化线的延伸方向并不以上述为限。请参考图5和图6。图5为本发明第一实施例的另一变化实施例的第一阵列基板的俯视示意图，而图6为第一阵列基板沿图5所示的剖线Z-Z’的剖视示意图。在本变化实施例的第一阵列基板12D中，开口104a中的偏极化线106D的延伸方向可与扫描线SL的延伸方向(第二方向D2)相同。此外，形成偏极化线106D的金属层M1D可被用以形成扫描线SL以及共同线CL且设置在闸极绝缘层112与基板102之间，而数据线DL以及晶体管Tr的汲极DE可由另一金属层M2D所形成。偏极化线106D可彼此电性连接或电性绝缘。此外，偏极化线106D可与共同线CL连接或是接地。
请参考图7，图7为本发明第一实施例的又一变化实施例的第一阵列基板的俯视示意图。在本变化实施例的第一阵列基板12E中，偏极化线106E的延伸方向朝向第一方向D1或第二方向D2倾斜。偏极化线106E是由金属层M3E所形成，金属层M3E可不同于形成数据线DL与晶体管Tr的汲极DE的金属层M2E和形成扫描线SL与共同线CL的金属层M1E。
偏极化线的形状并不以上述的矩形为限。偏极化线的形状可为梯形、倒梯形或结合具有曲面的圆顶形部分。经由本实施例的设计，由于梯形、倒梯形或圆顶形的表面会使光线在穿过两条偏极化线之间的间隙时发散，因此光线传播的方向与发散光线传播的方向之间的散射角可小于或等于0.5度，藉此提供准直光线并提高偏极化率。
请参考图2，偏极化线106A上或基板102与偏极化线106A之间可设置有一防护层。其中防护层覆盖偏极化线106A，以保护偏极化线106A免于因氧化所造成的偏极化线106A的偏极化效果降低。防护层可包括氮化硅层或氧化硅层。偏极化线106A的厚度大于氮化硅层或氧化硅层的厚度，因此可降低氮化硅层和氧化硅层对偏极化的影响。
请参考图8，图8为本发明第二实施例的第一阵列基板的剖视示意图。在本实施例中，电子装置为显示设备20。与图1和图2所示的第一实施例相比，本实施例中的开口204a包括允许光波长范围在510纳米到550纳米或610纳米到650纳米的光线穿过的颜色转换区CC。具体来说，显示设备20的第一阵列基板22还包括覆盖颜色转换区CC的颜色转换层222，颜色转换层222可例如为光波长范围在510纳米到550纳米的绿色滤光层或光波长范围在610纳米到650纳米的红色滤光层、绿色或红色荧光粉层、或用以产生绿色光或红色光的量子点层。显示设备20可被称为阵列上彩色滤光片(color filter on array,COA)类型。在本实施例中，由于颜色转换层222允许光波长范围在510纳米到550纳米的光线通过，颜色转换区CC在510纳米到550纳米的光波长范围的光穿透率范围可为27％到52％，且由于颜色转换层222可让光波长范围在610纳米到650纳米的光线通过，颜色转换区CC在610纳米到650纳米的光波长范围的光穿透率范围可为29％到52％。因此，显示设备20可适用于激光波长范围在510纳米到550纳米或610纳米到650纳米的激光修补。颜色转换层222可设置在偏极化线106A与基板102之间，但本发明不以此为限。此外，颜色转换区CC的光穿透率可经由上述实施例中的方法达成。在本实施例中，显示设备20的第二阵列基板(图8未示出)可不包括颜色转换层。在另一变化实施例中，当颜色转换层为彩色滤光片时，偏极化线可设置在颜色转换层与基板之间。
请参考图9，图9为本发明第三实施例的第一阵列基板的俯视示意图。在本实施例中，电子装置为显示设备40。与图1和图2所示的第一实施例相比，本实施例中网格状结构404的开口404a包括允许光波长范围在510纳米到550纳米的光线穿过的第一颜色转换区CC1和允许光波长范围在610纳米到650纳米的光线穿过的第二颜色转换区CC2。具体来说，显示设备40还可包括覆盖第一颜色转换区CC1的第一颜色转换层428以及覆盖第二颜色转换区CC2的第二颜色转换层430。第一颜色转换层428和第二颜色转换层430可与第二实施例中的颜色转换层222相同。在本实施例中，第一颜色转换区CC1在510纳米到550纳米的光波长范围的光穿透率范围为27％到52％，且第二颜色转换区CC2在610纳米到650纳米的光波长范围的光穿透率范围为29％到52％。须知悉的是，在本实施例中，当第一颜色转换区CC1中每条偏极化线106A的宽度W1与第二颜色转换区CC2中每条偏极化线106A的宽度W1相同时，第一颜色转换区CC1中相邻两条偏极化线106A之间的间距S1A可小于第二颜色转换区CC2中相邻两条偏极化线106A之间的间距S1B。在本实施例中，显示设备40的第二阵列基板(图9未示出)可不包括颜色转换层。
请参考图10和图11，图10为本发明第四实施例的第二阵列基板的俯视示意图请参考图10和图11，图10为本发明第四实施例的第二，图11为图10所示第二阵列基板的剖视示意图。在本实施例中，电子装置为显示设备50。与图1和图2所示的第一实施例相比，本实施例中显示设备50的网格状结构504是由黑色矩阵所形成，因此开口504a中的一个是由黑色矩阵中的开口所形成。举例来说，网格状结构504可包含在不含有阵列电路的第二阵列基板54中。在本实施例中，颜色转换层(图10和图11未示出)可设置在第一阵列基板中。因此，开口504a在510纳米到650纳米的光波长范围的光穿透率范围可为34％到57％。偏极化线506可适用于上述任一实施例或变化实施例的偏极化线。在本实施例中，颜色转换层可设置在第一阵列基板上。
在本实施例中，网格状结构504可设置在偏极化线506与基板502之间。更具体来说，第二阵列基板54还可选择性地包括设置在偏极化线506和网格状结构504之间的平坦层532，以避免偏极化线506的偏极化效果因不平坦的偏极化线而降低。此外，第二阵列基板54还可包括防护层PL1，偏极化线506设置在防护层PL1与平坦层532之间。防护层PL1可与上述所提相同，在此不再赘述。在另一变化实施例中，偏极化线可设置在网格状结构与基板之间。
请参考图12，图12为本发明第五实施例的第二阵列基板的剖视示意图。与图10和图11所示的前一实施例相比，本实施例中开口604a包括允许光波长范围在510纳米到550纳米的光线穿过的第一颜色转换区CC1和允许光波长范围在610纳米到650纳米的光线穿过的第二颜色转换区CC2。具体来说，显示设备60的第二阵列基板64可包括覆盖第一颜色转换区CC1的第一颜色转换层628和覆盖第二颜色转换区CC2的第二颜色转换层630。第一颜色转换层628与第二颜色转换层630允许不同颜色的光通过。在本实施例中，第一颜色转换区CC1在510纳米到550纳米的光波长范围的光穿透率范围为27％到52％，第二颜色转换区CC2在610纳米到650纳米的光波长范围的光穿透率范围为29％到52％。偏极化线606可适用于上述任一实施例或变化实施例的偏极化线。在本实施例中，第一颜色转换区CC1中相邻两条偏极化线606之间的间距S1A可选择性地小于第二颜色转换区CC2中相邻两条偏极化线606之间的间距S1B。在本实施例中，显示设备60的第二阵列基板(图12未示出)可不包括颜色转换层。
在本实施例中，第二阵列基板64还可选择性地包括第一半穿反层634，例如布拉格结构层，设置在第一颜色转换层628与基板502之间和第二颜色转换层630与基板502之间，以及第二半穿反层636，设置在平坦层532与偏极化线606之间，以增加出射光的颜色纯度。在另一实施例中，当第一颜色转换层628与第二颜色转换层630为彩色滤光层时，偏极化线606可设置在第一颜色转换层628与基板502之间和第二颜色转换层630与基板502之间。
请参考图13，图13为本发明第六实施例的第二阵列基板的剖视示意图。在本实施例中，电子装置为显示设备70。与图12所示的前一实施例相比，本实施例所提供的显示设备70中形成偏极化线706的金属层M1H可包括至少一个在俯视方向上被网格状结构504遮蔽的块状物738。块状物738可设置在相邻两条偏极化线706之间且用以将对应相同开口704a的偏极化线706彼此电性连接，以有助于偏极化线706与共同线或接地端的电连接。在本实施例中，偏极化线706可设置在第一颜色转换层728与基板502之间和第二颜色转换层730与基板502之间。在一变化实施例中，第一颜色转换层与第二颜色转换层可设置在偏极化线与基板之间。在此情况下，偏极化线与网格状结构之间可选择性地设置有平坦层。在本实施例中，第二阵列基板74可不包括第一半穿反层与第二半穿反层。在另一变化实施例中，第二阵列基板还可包括第一半穿反层，设置在第一颜色转换层与基板之间和第二颜色转换层与基板之间，以及第二半穿反层，设置在平坦层与偏极化线之间。
请参考图14和图15，图14为本发明第七实施例的第一阵列基板的俯视示意图，而图15为图14所示第一阵列基板沿剖线A-A’的剖视示意图。在本实施例中，电子装置为显示设备80。与图1和图2所示的第一实施例相比，本实施例所提供的显示设备80的黑色矩阵BM包含在第一阵列基板82中，且黑色矩阵BM与阵列电路设置在相同的阵列基板中。具体来说，显示设备80可被称为阵列上黑色矩阵(black matrix on array,BOA)类型。网格状结构804是由黑色矩阵BM所形成，因此网格状结构804覆盖了遮光元件，例如扫描线SL、共同线CL以及数据线DL，但不以此为限。具体来说，网格状结构804在第一方向D1的宽度W2大于扫描线SL的宽度W3以及共同线CL的宽度W4，网格状结构804在第二方向D2的宽度W5大于数据线DL的宽度W6。在本实施例中，网格状结构804可设置在闸极绝缘层112上，但本发明不以此为限。此外，数据线DL可选择性地设置在网格状结构804与闸极绝缘层112之间，但不以此为限。
此外，网格状结构804的开口804a可包括允许光波长范围在510纳米到550纳米或610纳米到650纳米的光线穿过的颜色转换区。具体来说，显示设备80的第一阵列基板82还包括覆盖颜色转换区的颜色转换层822，颜色转换层822可例如为产生绿光的绿色滤光层、绿色荧光粉层、量子点层或产生红光的红色滤光层、红色荧光粉层或量子点层。颜色转换区在510纳米到550纳米的光波长范围的光穿透率范围为27％到52％，而颜色转换区在610纳米到650纳米的光波长范围的光穿透率范围为29％到52％。光穿透率达成的方法与上述实施例或变化实施例相同，在此不再详述。在本实施例中，颜色转换层822可设置在基板102与偏极化线806之间。此外，设置在颜色转换层822上的偏极化线806可适用于上述任一实施例或变化实施例的偏极化线。在一变化实施例中，当颜色转换层为彩色滤光片时，颜色转换层可设置在偏极化在线。在另一变化实施例中，当第一阵列基板包括黑色矩阵时，第一阵列基板可不包括颜色转换层。
请参考图16，图16为本发明第八实施例的第一阵列基板的剖视示意图。在本实施例中，电子装置为显示设备90。与图14和图15所示的第七实施例相比，本实施例中显示设备90的开口904a包括允许光波长范围在510纳米到550纳米的光线穿过的第一颜色转换区CC1和允许光波长范围在610纳米到650纳米的光线穿过的第二颜色转换区CC2，其中，第一颜色转换区CC1在510纳米到550纳米的光波长范围的光穿透率范围为27％到52％，第二颜色转换区CC2在610纳米到650纳米的光波长范围的光穿透率范围为29％到52％。光穿透率达成的方法与上述实施例或变化实施例相同，在此不再详述。具体来说，第一阵列基板92还可包括覆盖第一颜色转换区CC1的第一颜色转换层928以及覆盖第二颜色转换区CC2的第二颜色转换层930。此外，网格状结构904可由黑色矩阵所形成。在本实施例中，第一颜色转换区CC1中相邻两条偏极化线906之间的间距S1A可小于第二颜色转换区CC2中相邻两条偏极化线906之间的间距S1B。偏极化线906可适用于上述任一实施例或变化实施例的偏极化线。在本实施例中，第二阵列基板可不包括颜色转换层以及黑色矩阵。
根据本发明内容，开口在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围增加到27％到57％，或开口在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围增加到29％到57％。因此更多光波长范围在510纳米到550纳米或610纳米到650纳米的激光能穿过开口，藉此在不明显改变光线的偏极化率的情况下改善激光修补的效果。根据一些实施例，开口的光穿透率可经由调整开口中相邻两条偏极化线之间的间距对偏极化线的宽度的第一比值(范围为0.1到4)、调整开口中偏极化线的宽度对偏极化线的厚度的第二比值(范围为0.06到10)、或藉由在偏极化线中设置第一分隔区域或第二分隔区域或在偏极化线中设置第三分隔区域来达成。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (19)
1.一种电子装置，其特征在于，包括:
一基板；
一网格状结构，设置在所述基板上且包括多个开口；以及
多条偏极化线，设置在所述基板上，并延伸经过所述开口；
其中，所述开口中的一个在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到57％。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括一第一颜色转换区域，其中所述第一颜色转换区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到52％。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括一第二颜色转换区域，其中所述第二颜色转换区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到52％。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第一颜色转换区域中相邻的两条所述偏极化线之间的一第一间距小于所述第二颜色转换区域中相邻的两条所述偏极化线之间的一第二间距。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括不转换光颜色的一区域，其中所述区域在510纳米到650纳米的光波长范围中，光穿透率范围为34％到57％。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述网格状结构是由多条扫描线和多条数据线所形成。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述网格状结构是由一黑色矩阵所形成。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述偏极化线中相邻的两条之间的间距对所述偏极化线中的一条的宽度的一第一比值范围为0.1到4。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述偏极化线中的一条的宽度对所述偏极化线中的一条的厚度的一第二比值范围为0.06到10。
10.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基板；
一网格状结构，设置在所述基板上且包括多个开口；以及
多条偏极化线，设置在基板上，并延伸经过所述开口；
其中，所述开口中的一个在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到57％。
11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括一第二颜色转换区域，其中所述第二颜色转换区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到52％。
12.一种电子装置，其特征在于，包括:
一基板；
多条扫描线，设置在所述基板上；
多条数据线，设置在所述基板上；
一黑色矩阵，设置在所述基板上且包括多个开口；以及
多条偏极化线，设置在所述基板上，并延伸经过所述开口；
其中，所述开口中的一个在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到57％。
13.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括一第一颜色转换区域，其中所述第一颜色转换区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到52％。
14.如权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括一第二颜色转换区域，其中所述第二颜色转换区域在610纳米到650纳米的光波长范围中对光穿透率范围为29％到52％。
15.如权利要求14所述的电子装置，其特征在于，所述第一颜色转换区域中相邻的两条所述偏极化线之间的一第一间距小于所述第二颜色转换区域中相邻的两条所述偏极化线之间的一第二间距。
16.一种电子装置，其特征在于，包括:
一基板；
多条扫描线，设置在所述基板上；
多条数据线，设置在所述基板上；
一黑色矩阵，设置在所述基板上且包括多个开口；以及
多条偏极化线，设置在所述基板上，并延伸经过所述开口；
其中，所述开口中的一个在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到57％。
17.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括一第二颜色转换区域，其中所述第二颜色转换区域在610纳米到650纳米的光波长范围中的光穿透率范围为29％到52％。
18.如权利要求17所述的电子装置，其特征在于，所述开口还包括一第一颜色转换区域，其中所述第一颜色转换区域在510纳米到550纳米的光波长范围中的光穿透率范围为27％到52％。
19.如权利要求18所述的电子装置，其特征在于，所述第一颜色转换区域中相邻的两条所述偏极化线之间的一第一间距小于所述第二颜色转换区域中相邻的两条所述偏极化线之间的一第二间距。
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