CN110683532A - 一种提高cvd石墨烯薄膜耐蚀性的方法 - Google Patents

一种提高cvd石墨烯薄膜耐蚀性的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法。所述方法包括：提供CVD石墨烯薄膜，将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。本发明的方法操作简单，能显著提高石墨烯薄膜的防腐蚀性能，为石墨烯薄膜的长效防护性能提供技术支撑；同时，本发明可显著改善CVD石墨烯薄膜的润湿性能，从而极大的提高了石墨烯/低表面能物质复合膜层对金属基体的保护效果。

Description

一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法
技术领域
本发明涉及CVD石墨烯薄膜表面改性技术领域，具体涉及一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法。
背景技术
传统的保护活性金属的方法主要包括化学改性、有机涂料和有机/聚合物薄膜涂覆等等，但是它们大多会影响材料的光学、电学和热学性质。随着现代科学技术的快速发展，特别是航天事业、微电子行业和医学技术的发展对金属的防护提出了更高的要求，所以发展超薄保护层是必然趋势。石墨烯是sp2轨道杂化的碳原子按正六边形紧密排列成蜂窝状晶格的单层二维平面结构，厚度仅为0.335nm，是目前已知最薄、且是不透过性材料。同时，石墨烯具有很强的化学惰性和稳定性，而且单层或少层的石墨烯几乎不改变所包覆基体的性质，因此将石墨烯作为保护薄膜具有天然优势。然而，在CVD法制备石墨烯的过程中，石墨烯薄膜不可避免的会存在很多缺陷和边界，长时间暴露在腐蚀介质中，腐蚀介质、氧气和水会渗透过这些缺陷造成CVD体的腐蚀，且导电性良好的石墨烯将使CVD体成为电化学反应中的阳极而被加速腐蚀。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法，以克服现有技术中的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法，其包括：
提供CVD石墨烯薄膜；
将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理吸附和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积形成具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。
在一些实施例中，所述低表面能物质包括丙烯酸酯类化合物、硬脂酸类化合物和羧酸类化合物中的任意一种或两种以上的组合。
本发明实施例还提供了由前述方法获得的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其包括：
CVD石墨烯薄膜；以及，
形成于所述CVD石墨烯薄膜上的具有纳米团簇分布均匀的低表面能分子膜，其中，所述低表面能分子膜包含的低表面能物质至少均匀分布于所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界和缺陷处，同时还吸附于所述CVD石墨烯薄膜的表面。
进一步地，所述CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜与水的接触角大于100°。
与现有技术相比，本发明的优点至少在于：
1)本发明通过沉积技术在CVD石墨烯表面物理及化学吸附低表面能物质并生长沉积成膜，可改善CVD石墨烯的润湿性，提高CVD石墨烯与水的接触角使得溶液在CVD石墨烯表面浸润困难；沉积后的膜层结构完整且具有较高的接触角，表面的不浸润性阻碍了腐蚀介质在缺陷位点的渗透，极大的提高了CVD石墨烯的抗腐蚀性能；
2)本发明的方法可以显著提高CVD石墨烯薄膜的防腐蚀性能，同时，该方法操作简单，效果显著，可以为石墨烯薄膜的长效防腐蚀性能提供技术支撑；
3)本发明方法的台阶性极好，可以在不同层数的CVD石墨烯表面沉积成膜，如此可实现对CVD石墨烯薄膜缺陷位置的修补，从而极大的提高了石墨烯膜层对金属基底的保护效果。
附图说明
图1是对比例1中CVD石墨烯薄膜的扫描电子显微镜(SEM)图。
图2是本发明实施例1所获CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜的原子力显微镜(AFM)图。
图3为对比例1中CVD石墨烯薄膜及实施例1-4所获CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜在浓度为3.5wt％NaCl溶液的电化学阻抗谱图。
图4a和图4b分别为CVD石墨烯薄膜与实施例1所获CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜的微区电化学SVET测试结果示意图。
具体实施方式
鉴于现有CVD方法在CVD上生长石墨烯薄膜的过程中边界和其他缺陷的不可避免性的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，其主要是低表面能物质在加热过程中蒸发，当遇到温度较低的CVD石墨烯薄膜，低表面能物质沉积在CVD石墨烯薄膜上，在沉积过程中可以通过物理吸附和化学吸附反应在CVD石墨烯表面成膜，通过该方法制备的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜极大的提高了金属基底的耐腐蚀性。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
本发明实施例的一个方面提供的一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法，其包括：
提供CVD石墨烯薄膜；
将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理吸附和化学吸附反应(主要是物理吸附)，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积形成具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。
在一些实施例中，所述低表面能物质包括丙烯酸酯类化合物、硬脂酸类化合物和羧酸类化合物等中的任意一种或两种以上的组合，但不限于此。
进一步地，所述CVD石墨烯薄膜是采用CVD(化学气相沉积)法生长的石墨烯薄膜。
其中进一步地，所述丙烯酸酯类化合物可以是全氟硅烷丙烯酸酯，但不限于此。
进一步地，所述硅烷类化合物可以是全氟癸基三甲氧基硅烷，但不限于此。
进一步地，所述羧酸类化合物可以是硬脂酸，但不限于此。
进一步地，向所述沉积设备的反应腔中加入的低表面能物质加热可蒸发。
在一些实施例中，所述方法包括：所述低表面能物质利用化学吸附的方式在CVD石墨烯薄膜暴露金属基底的区域接枝并生长，并且利用物理吸附的方式在CVD石墨烯薄膜的石墨烯表面物理吸附生长，物理吸附与化学吸附的分子膜链接形成均匀膜层，得到所述低表面能分子膜。
进一步地，所述暴露金属基底的区域包括所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界和缺陷等中的任意一种或两种以上的组合。
进一步地，所述低表面能物质至少在所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界、缺陷及表面进行物理吸附和化学吸附反应，生长出均匀的低表面能分子膜。
在一些实施例中，所述方法具体包括：
将CVD石墨烯薄膜放置于沉积环境中；
向所述沉积设备反应腔中加入低表面能物质，所述低表面能物质通过蒸发进入反应腔中，所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理吸附和化学吸附，使得所述低表面能物质在所述石墨烯薄膜表面形成均匀的低表面能分子膜。
进一步地，所述方法包括：向所述沉积设备的反应腔中加入低表面能物质，所述低表面能物质通过加热蒸发进入反应腔中，所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理、化学反应，待反应完成后，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。
进一步地，所述的方法包括：向所述反应腔中加入所述低表面能物质，并加热至50～200℃，使所述低表面能物质蒸发并与所述CVD石墨烯薄膜接触，并保持所述低表面能物质的蒸发气体在反应腔中保持稳定。
进一步地，所述沉积的时间大于10min。所述的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜的沉积时间可以调控，低表面能物质膜层厚度可调。
进一步地，所述方法还包括：无需对所述CVD石墨烯薄膜进行预处理，再置于沉积设备的反应腔中。
更进一步地，在一些较为具体的实施方案中，所述方法具体包括：
S1.将反应腔室加热到预定温度，并将CVD石墨烯薄膜放置于沉积反应腔中；
S2.加热低表面能物质，向所述沉积设备反应腔中通入低表面能物质，保持所述沉积设备反应腔温度稳定后，设置沉积设备的反应时间；得到CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。
优选地，步骤S2中，一次沉积由低表面能物质加入、加热低表面能物质、低表面能物质在CVD石墨烯薄膜表面沉积组成。
本发明的方法可以显著提高CVD石墨烯薄膜的防腐蚀性能，同时，该方法操作简单，效果显著，可以为石墨烯薄膜的长效防腐蚀性能提供技术支撑。
同时，本发明方法的台阶性极好，可以在不同层数的CVD石墨烯表面沉积成膜，如此可实现对CVD石墨烯薄膜缺陷位置的修补，从而极大的提高了石墨烯膜层对金属基底的保护效果。
本发明实施例的另一个方面还提供了由前述方法获得的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其包括：
CVD石墨烯薄膜；以及，
形成于所述CVD石墨烯薄膜上的具有纳米团簇分布均匀的低表面能分子膜，其中，所述低表面能分子膜包含的低表面能物质至少均匀分布于所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界和缺陷处，同时还吸附于所述CVD石墨烯薄膜的表面。
进一步地，所述低表面能分子膜的厚度大于100nm。
进一步地，所述CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜与水的接触角大于100°。本发明通过沉积技术在CVD石墨烯表面物理及化学吸附低表面能物质并生长沉积成膜，可改善CVD石墨烯的润湿性，提高CVD石墨烯与水的接触角使得溶液在CVD石墨烯表面浸润困难；沉积后的膜层结构完整且具有较高的接触角，表面的不浸润性阻碍了腐蚀介质在缺陷位点的渗透，极大的提高了CVD石墨烯的抗腐蚀性能。
以下结合附图和若干具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明，应当理解，此处所描述的实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
S1.将腔体预热，将预制备的CVD石墨烯薄膜放入沉积设备的反应腔室内；
S2.设置沉积设备的反应温度为200℃和沉积时间为30min；
S3.实验用低表面能物质为全氟硅烷丙烯酸酯；
S4.待低表面能物质加热至目标温度后，控制反应腔室温度保持稳定，然后控制沉积时间为10分钟，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其中低表面能分子膜的厚度为500nm。
实施例2
S1.将腔体预热，将预制备的CVD石墨烯薄膜放入沉积设备的反应腔室内；
S2.设置沉积设备的反应温度为140℃和沉积时间为20min；
S3.实验用低表面能物质为全氟硅烷丙烯酸酯和硬脂酸；
S4.待低表面能物质加热至目标温度后，控制反应腔室温度保持稳定，然后控制沉积时间为30分钟，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其中低表面能分子膜的厚度为200nm。
实施例3
S1.将腔体预热，将预制备的CVD石墨烯薄膜放入沉积设备的反应腔室内；
S2.设置沉积设备的反应温度为100℃和沉积时间为10min；
S3.实验用低表面能物质为硬脂酸和全氟癸基三甲氧基硅烷；
S4.待低表面能物质加热至目标温度后，控制反应腔室温度保持稳定，然后控制沉积时间为60分钟，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其中低表面能分子膜的厚度为100nm。
实施例4
S1.将腔体预热，将预制备的CVD石墨烯薄膜放入沉积设备的反应腔室内；
S2.设置沉积设备的反应温度为120℃和沉积时间为20min；
S3.实验用低表面能物质为全氟硅烷丙烯酸酯和全氟癸基三甲氧基硅烷；
S4.待低表面能物质加热至目标温度后，控制反应腔室温度保持稳定，然后控制沉积时间为120分钟，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其中低表面能分子膜的厚度为150nm。
对比例1
以未经沉积低表面能物质分子膜的CVD石墨烯薄膜作为对比例。
参见图1为对比例1中未经沉积低表面能物质分子膜的CVD石墨烯薄膜的SEM照片，图2为实施例1中低表面能物质修饰后的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜的表面形貌图，此形貌是通过原子力显微镜观察得到。可以看到，未经沉积低表面能物质的CVD石墨烯薄膜表面存在大量的线棒结构，低表面能物质在石墨烯薄膜表面通过物理吸附成膜后，化学吸附和完整处的物理吸附共同形成均匀膜层，从图2可以看出随着沉积时间的增加缺陷完全被低表面能物质覆盖，低表面能物质形成均匀膜层。
对实施例1-4所获的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜样品进行电化学阻抗检测，其中，以对比例1中的CVD石墨烯薄膜作为对照。
电化学阻抗检测：采用美国solarton电化学工作站对样品的阻抗进行了测试，其测试条件为干扰电压为10mV，扫描频率范围为10-2Hz～105Hz。从图3可以看出，相比于对比例1中的CVD石墨烯薄膜，实施例1-4所获的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜的电化学阻抗明显增大，说明原子层沉积低表面能分子膜层后样品具有明显的抗腐蚀性能，这是由于低表面能物质沉积在石墨烯表面并形成完整的分子膜，不仅提高了CVD石墨烯薄膜的抗润湿能力，而且阻碍了腐蚀介质的扩散，从而延缓了腐蚀介质与石墨烯薄膜的接触，并阻挡了腐蚀介质在石墨烯薄膜缺陷处的扩散；同时在同等条件下，延长低表面能物质的沉积时间，复合膜层的抗腐蚀性能增强，表明低表面能物质抑制了腐蚀过程的发生。
参见图4为对比例1中的CVD石墨烯薄膜和实施例1所获的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜的微区电化学SVET图谱。结果显示：CVD石墨烯薄膜在局部区域的阳极活性较高且分布杂乱(如图4a)，而低表面能物质修饰后的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜表面阳极活性较低且分布规律(如图4b)，证实了低表面能物质阻碍了腐蚀介质的渗透，使得石墨烯薄膜局部区域的腐蚀过程难以发生。
综上所述，藉由本发明的上述技术方案，本发明的方法操作简单，效果显著，可以显著提高CVD石墨烯薄膜的防腐蚀性能，为石墨烯薄膜的长效防腐蚀性能提供技术支撑；同时，本发明方法的台阶性极好，可实现对CVD石墨烯薄膜缺陷位置的修补，从而极大的提高了石墨烯膜层对金属基底的保护效果。
此外，本案发明人还参照实施例1～4的方式，以本说明书中列出的其它原料和条件等进行了试验，亦可达到相同的效果，显著提高CVD石墨烯薄膜的防腐蚀性能，获得低表面能物质修饰后的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。
以上所述实施例仅用于帮助理解本发明的方法的核心思想，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围内。对这些实施例的多种修改对本领域的专业人员来说显而易见，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下在其他实施例中实现。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准，不会限制于本文中所示的这些实例，而是要符合与本文所公开的原理和特点相一致的范围。

Claims (10)

1.一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法，其特征在于包括：
提供CVD石墨烯薄膜；
将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，于100～200℃下，使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理吸附和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积形成具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述低表面能物质包括酯类化合物、硅烷类化合物和羧酸类化合物中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述酯类化合物包括全氟硅烷丙烯酸脂；优选的，所述硅烷类化合物包括全氟癸基三甲氧基硅烷；优选的，所述羧酸类化合物包括硬脂酸。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：所述低表面能物质利用化学吸附的方式在CVD石墨烯薄膜暴露金属基底的区域接枝并生长，并且利用物理吸附的方式在CVD石墨烯薄膜的石墨烯表面物理吸附生长，物理吸附与化学吸附的分子膜链接形成均匀膜层，得到所述低表面能分子膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述暴露金属基底的区域包括所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界和缺陷中的任意一种或两种以上的组合。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于包括：所述低表面能物质至少在所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界、缺陷及表面进行物理吸附和化学吸附反应，生长出均匀的低表面能分子膜。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于包括：向所述反应腔中加入所述低表面能物质，并加热至100～200℃，使所述低表面能物质蒸发并与所述CVD石墨烯薄膜接触。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述沉积的时间大于10min。
8.由权利要求1-7中任一项所述方法获得的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其包括：
CVD石墨烯薄膜；以及，
形成于所述CVD石墨烯薄膜上的具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，其中，所述低表面能分子膜包含的低表面能物质至少均匀分布于所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界和缺陷处，同时还吸附于所述CVD石墨烯薄膜的表面。
9.根据权利要求8所述的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其特征在于：所述低表面能分子膜的厚度大于100nm。
10.根据权利要求8所述的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其特征在于：所述CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜与水的接触角大于100°。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102102215A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 中国科学院兰州化学物理研究所 一种石墨烯-类金刚石碳复合薄膜的制备方法
CN103058710A (zh) * 2013-01-11 2013-04-24 上海交通大学 硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法
JP2014124898A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology グラフェンフィルム、グラフェンロールフィルム及びグラフェンロールフィルムの転写方法
US20140220773A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 William Marsh Rice University Fabrication of graphene nanoribbons and nanowires
US20150021554A1 (en) * 2011-10-19 2015-01-22 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Direct formation of graphene on semiconductor substrates
CN104495811A (zh) * 2014-12-12 2015-04-08 盐城市新能源化学储能与动力电源研究中心 一种石墨烯复合材料及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102102215A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 中国科学院兰州化学物理研究所 一种石墨烯-类金刚石碳复合薄膜的制备方法
US20150021554A1 (en) * 2011-10-19 2015-01-22 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Direct formation of graphene on semiconductor substrates
JP2014124898A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology グラフェンフィルム、グラフェンロールフィルム及びグラフェンロールフィルムの転写方法
CN103058710A (zh) * 2013-01-11 2013-04-24 上海交通大学 硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法
US20140220773A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 William Marsh Rice University Fabrication of graphene nanoribbons and nanowires
CN104495811A (zh) * 2014-12-12 2015-04-08 盐城市新能源化学储能与动力电源研究中心 一种石墨烯复合材料及其制备方法

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