CN110670077A - 线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳 - Google Patents

线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳 Download PDF

Info

Publication number
CN110670077A
CN110670077A CN201911034658.3A CN201911034658A CN110670077A CN 110670077 A CN110670077 A CN 110670077A CN 201911034658 A CN201911034658 A CN 201911034658A CN 110670077 A CN110670077 A CN 110670077A
Authority
CN
China
Prior art keywords
corrosion
vapor deposition
cover body
workpiece
resistant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911034658.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110670077B (zh
Inventor
刘鑫培
朱小刚
刘慧敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUZHOU CHUANGRUI MACHINERY AND ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SUZHOU CHUANGRUI MACHINERY AND ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU CHUANGRUI MACHINERY AND ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SUZHOU CHUANGRUI MACHINERY AND ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201911034658.3A priority Critical patent/CN110670077B/zh
Publication of CN110670077A publication Critical patent/CN110670077A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110670077B publication Critical patent/CN110670077B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F15/00Other methods of preventing corrosion or incrustation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62Plasma-deposition of organic layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0245Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges

Abstract

本发明揭示了线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳,其中表面处理方法包括如下步骤:S100,对线圈外壳进行清洗;S200,将清洗后的线圈外壳进行等离子清洗;S300,在等离子清洗后的线圈外壳表面通过气相沉积形成固态耐腐蚀薄膜,液体在所述固态耐腐蚀薄膜表面的接触角大于90°。本方法设计精巧,过程简单,可以通过气相沉积系统对工件表面进行等离子清洗,从而保证工件表面的清洁性,同时提高工件的表面活性,进一步工件表面形成固态耐腐蚀薄膜,且使固态耐腐蚀薄膜保持疏水性,可以有效的避免液体的侵入,可以极大的提高工件的耐腐蚀性,延长了工件的使用寿命,尤其适用于具有较高表面防腐蚀要求的工件的处理。

Description

线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳
技术领域
本发明涉及线圈外壳加工领域,尤其是线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳。
背景技术
当下,对于加工完成的线圈外壳(汽车涡轮增压用线圈外壳),通常需要清洗后再进行包装,
其中一种可行的清洗工艺包括如下过程:超声波清洗——漂洗——工业烘箱烘干。
另一种可行的清洗工艺包括如下过程:自动喷淋清洗——超声波清洗——喷淋漂洗——高压风切水。
无论是哪种工艺,工件表面的污染物常常清除不彻底,残留的污染物容易造成产品过早腐蚀生锈。
同时,现有的工件在清洗后不再进行其他的表面处理,工件易受水等液体的侵入从而造成腐蚀,其耐腐蚀性较差,严重影响了工件的使用寿命。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,包括如下步骤:
S100,对线圈外壳进行清洗;
S200,将清洗后的线圈外壳进行等离子清洗;
S300,在等离子清洗后的线圈外壳表面通过气相沉积形成固态耐腐蚀薄膜,液体在所述固态耐腐蚀薄膜表面的接触角大于90°。
优选的,在S200步骤中,所述等离子清洗通过一气相沉积系统实现,所述气相沉积系统的气相沉积炉内的工作压力在清洗时维持在30-100Pa之间,放电电源的放电功率在500-2000W之间。
优选的,在S200步骤中,所述放电电源的放电时间在3-5min之间。
优选的,所述S300步骤中,采用等离子化学气相沉积工艺在线圈外壳表面生产所述固态耐腐蚀薄膜,且所述S300步骤通过S200步骤的气相沉积系统实现。
优选的,所述S300步骤中,所述气相沉积炉内通入的气体为乙烯或易电离易聚合氟化气体,所述气相沉积系统的气相沉积炉内的工作压力在清洗时维持在5-50Pa之间,放电电源的放电功率在200-500W之间,所述固态耐腐蚀薄膜为聚乙烯薄膜。
优选的,在S300步骤中,所述放电电源的放电时间在3-10min之间。
优选的,所述S20步骤、S30步骤所使用的气相沉积系统包括放电电源、供气装置、抽真空及排气装置及与它们连接的气相沉积炉,所述气相沉积炉的密封腔由罩体及盖板组合而成,罩体及盖板均连接一轴,所述盖板连接驱动其绕所述轴转动且在第一状态和第二状态之间切换的翻转驱动机构,第一状态下,所述盖板密封所述罩体的开口并与罩体形成一密封腔,第二状态下,所述盖板使所述罩体的开口保持敞开状态。
优选的,所述罩体的侧壁上设置有第一气道、第二气道及用于连接放电电源的第一电极及第二电极,所述第一电极电连接架设于所述罩体内的导电工件放置架,所述第二电极电连接位于所述罩体内且与所述导电工件放置架位置对应的导电板。
优选的,所述第一气道和第二气道位于罩体外表面的一端具有一个气孔,所述第一气道和第二气道位于罩体内表面的一端具有多个气孔,多个气孔与导电工件放置架上的线圈外壳位置对应。
优选的,所述导电工件放置架包括矩形框架,所述框架内设置有一组横杆和/或竖杆,每个所述横杆和/或竖杆上设置有一排工件挂钩。
本发明技术方案的优点主要体现在:
本方法设计精巧,过程简单,可以通过气相沉积系统对工件表面进行等离子清洗,从而保证工件表面的清洁性,同时提高工件的表面活性,进一步工件表面形成固态耐腐蚀薄膜,且使固态耐腐蚀薄膜保持疏水性,可以有效的避免液体的侵入,可以极大的提高工件的耐腐蚀性,延长了工件的使用寿命,尤其适用于具有较高表面防腐蚀要求的工件的处理。
本方案通过工艺参数的控制有效的保证了清洗效果和成膜质量,同时兼具了处理效率,极大的提升了经济效益。
整个过程在一个气相沉积系统中进行,操作过程简单,易于实现,同时可以批量化加工,效率高。
本方案的气相沉积系统的整体结构简单紧凑,罩体与盖板形成密封腔,且盖体可相对罩体翻转,可以省去常规的圆筒状密封腔设置的进出的门的结构,极大的方便进行上下料作业,并且不需要采用微波发生器作为能量来源,有利于降低成本,并且盖板通过翻转驱动机构驱动,可以自动打开和关闭,效率高,易于操作。
本方案的第一气道和第二气道的结构简单,能够有效的保证气体均匀的分布在密封腔内的各区域,并且出气孔位置与工件位置相对,可以提高沉积效率,保证沉积的均匀性和沉积涂层的一致性。同时多气孔可以有效的提高进出气效率,减少时间。
本方案的电极结构简单,易于组装和实现,且能够有效的对电极进行绝缘包裹,避免电极外漏,极大的提高了设备的安全性。
本方案的导电工件放置架的结构简单,可以实现多个工件的批量沉积,尤其适用于环状小工件的使用,并且导电工件放置架与工件的接触区域极少,不会对工件的待沉积外表面进行遮挡,从而可以实现一次性沉积,效率高,其易于保证沉积膜层的一致性。
本方案的密封结构简单,进出气结构少,极大的降低了密封的难度,有利于保证结构的密封性。
附图说明
图 1 是本发明的右侧视角的立体图;
图 2 是本发明的纵剖视图;
图 3是本发明的罩体区域的横剖视图;
图4是本发明的左侧视角的纵剖视图;
图5是本发明的左侧视角的立体图;
图6是图2中A区域的放大图;
图7是本发明的侧视图;
图8是图4中B区域的放大图;
图9是导电件的剖视图;
图10是下侧的绝缘支座的立体图;
图11是本发明的气相沉积系统的侧视图;
图12是本发明的气相沉积系统的主视图。
具体实施方式
本发明的目的、优点和特点,将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例,凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案,均落在本发明要求保护的范围之内。
在方案的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。并且,在方案的描述中,以操作人员为参照,靠近操作者的方向为近端,远离操作者的方向为远端。
下面结合附图对本发明揭示的气相沉积炉进行阐述,其可以用于各种小型圆环状零件的镀膜,如附图1、附图2所示,其包括罩体1及盖板2,它们均连接一轴3,
所述罩体1的侧壁上设置有第一气道4、第二气道5及用于连接电源的第一电极6及第二电极7,所述第一电极6电连接架设于所述罩体1内的导电工件放置架8,所述第二电极7电连接位于所述罩体1内且与所述导电工件放置架8位置对应的导电板9。
所述盖板2连接驱动其绕所述轴3转动且在第一状态和第二状态之间切换的翻转驱动机构10,第一状态下,所述盖板2密封所述罩体1的开口并与罩体1形成一密封腔,第二状态下,所述盖板2使所述罩体1的开口保持敞开状态。
具体来看,如附图1所示,所述罩体1为一纵截面为圆角矩形的罩体,当然其也可以是其他形状,例如,其纵截面可以是圆形或正多边形等规则的形状;所述罩体1的底侧板14的底部设置有两个枢轴连接块15,所述枢轴连接块15与所述轴3枢轴练级,例如所述轴3可以通过两个轴承(图中未示出)连接所述枢轴连接块,并且在使用时,使所述罩体1的位置固定,从而在工作时,可以通过转动轴3带动盖板2翻动。
如附图1所示,所述罩体1的开口端的端面11处卡设有密封圈20,盖板2遮盖所述罩体1的开口端时,其表面与所述密封圈20紧密贴合,从而实现密封。所述密封圈20可以是任何可行的材料和形状的密封圈,例如其可以是氟橡胶、丁晴胶,硅胶、乙丙橡胶、双氟橡胶等,优选其可以是硅胶,硅胶相对于上述的其他材质而言,其质地更软,能够更好的与盖板2贴合,避免出现缝隙,保证密封性;同时,所述密封圈20的两侧面可以形成有波浪形的纹路,并且,其一侧面可以卡接在所述罩体1的端面11处的卡槽中,也可以通过胶水贴附在所述卡槽中,所述盖板2上形成有与所述密封圈的波浪形侧面匹配的波浪形凹槽,从而可以进一步改善密封性。
如附图3所示,所述第一气道4和第二气道5设置于罩体1相对的两个侧板12上,它们中的一个用于在所述罩体1和盖板2密封形成密封腔时,向密封腔内供应反应气体、稳定气体等,另一个用于在所述罩体1和盖板2密封形成密封腔时,将密封腔内的气体排出到密封腔外。
并且,为了保证供气的均匀性,避免气体集中与密封腔的局部区域影响反应气体较少区域的工件的沉积速率和沉积质量,如附图3、附图4所示,使所述第一气道4和第二气道5均包括从侧板12的外表面向内延伸且长度小于侧板厚度的气孔41、51,所述气孔41、51的内端与侧板12的内壁处形成的腰形槽42、52连通,所述腰形槽42、52的两端延伸长度与所述导电工件放置架8可放置待沉积工件的区域长度相当,并且,所述腰形槽42、52的槽口处封盖有与气孔41、51的内端保持间隙的匀气板43、53,所述匀气板43、53上形成有一组小气孔44、54,所述小气孔44、54与所述导电工件放置架8可放置待沉积工件的区域长度相当,并且,所述腰形槽42、52的槽口处封上放置的待沉积工件位置对应,从而反应气体可以直接吹向待沉积工件,从而加快沉积速率。
如附图3、附图5所示,同时所述匀气板43、53固定在所述侧板12的内壁上形成的围设在所述腰形槽42、52外侧的腰形安装槽45、55中,所述匀气板43、53的厚度与所述腰形安装槽45、55的深度一致,从而匀气板43、53的外表面与所述侧板12的内表面平齐。
如附图6所示,所述第一电极6及第二电极7包裹于密封设置在底板13上的绝缘套61、71及与所述绝缘套61、71连接的绝缘盖帽62、72内。所述绝缘套61、71分别垂设在所述底板13上,所述绝缘套61、71可以与所述底板13螺接,也可以插接并过盈配合连接;并且,所述绝缘套61、71与所述底板13的外壁之间通过密封圈64、74密封。
如附图6、附图7所示,所述第一电极6及第二电极7分别插入一绝缘套61、71中,并且,所述第一电极6及第二电极7可以与所述绝缘套61、71螺接,也可以过盈配合连接,同时所述第一电极6及第二电极7的两端均延伸到所述绝缘套61、71外,所述第一电极6及第二电极7与绝缘套61、71的外端的衔接面之间通过密封圈65、75密封,所述绝缘帽62、72与所述绝缘套61、71的外端连接,并包裹所述第一电极6及第二电极7的外端,所述绝缘帽62、72包括保护罩621、721及与其连接的顶帽622、722,所述保护罩621、721具有上圆筒及直径大于上圆筒的下圆筒,所述保护罩621、721上形成有由上圆筒延伸到下圆筒的顶部区域的缺口623、723,所述顶帽622、722连接在所述保护罩621、721的上圆筒上,从而在所述绝缘盖帽62、72上形成有从其外壁延伸到第一电极6及第二电极7处的走线通道63、73,以便于在使用时,第一电极6及第二电极7和电源通过电源线连接,同时避免导电部分外露。
并且,如附图1、附图8所示,所述第一电极6的内端通过埋设于绝缘支座30上的导电件40连接所述导电工件放置架8,如附图8所示,所述导电件40包括与所述第一电极6的内端连接(如螺接或过盈配合连接或抵靠)的导电柱401,所述导电柱401的外端上设置有一与所述底板13垂直的连接板402,所述连接板402上设置有至少一个导电销403上,所述导电销403上形成有与所述导电工件放置架8卡接的接口404,并且所述导电件40整体埋设于所述绝缘支座30内。
如附图9所示,所述绝缘支座30包括基座301,所述基座301上形成有供所述导电柱401穿过的通孔3011及一缺口3012,所述缺口3012的深度大于所述连接板402的高度且所述缺口3012处覆盖有一L形盖板(图中未示出),所述基座301上还形成有供所述导电销403穿过的通孔3013,所述通孔3013与所述基座301的顶面凹设的卡槽3014连通,所述卡槽3014的槽底位于所述通孔3013的下方,并且,所述卡槽3014的开口端的槽宽小于其内侧的槽宽,从而可以对导电工件放置架8进行一定的限定,避免松脱。
在上述结构中,导电件40与绝缘支座30采用组装为一体;当然,在其他实施例中,所述导电件40也可以与所述绝缘支座30一体注塑。
如附图5所示,所述导电工件放置架8包括矩形框架81,所述框架81内设置有一组横杆82和/或竖杆,所述横杆82和/或竖杆上设置有一排工件挂钩83,本实施例中优选仅等间隙设置有横杆82,所述工件挂钩83等间隙设置在横杆82上,其包括与所述横杆82连接且垂直于底板13的支柱831、与支柱831垂直连接且向底侧板14延伸的转向柱832及与转向柱831垂直连接且向罩体的开口端延伸的钩柱833,所述钩柱833的长度小于所述支柱831的长度,从而待沉积工件可以挂在所述工件挂钩83上进行沉积,同时,由于工件挂钩与待沉积工件的接触区域极少,对待沉积工件的遮蔽极大减小,因而可以有效的保证待沉积工件表面沉积层的覆盖性。
如附图5所示,所述导电工件放置架8的框架81的下端的垂直于侧板12的边柱811嵌入到所述绝缘支座30的卡槽3014中,并与所述导电件40上的接口404卡接;所述框架81的上端的边柱812卡接至绝缘支座60中,所述绝缘支座60上具有与所述边柱812对应的卡槽601,所述卡槽601的槽口宽度可以小于所述边柱812的直径,卡槽601内部的宽度与边柱812的直径相当,从而可以保证稳定的卡接。
如附图4所示,所述绝缘支座30、60分别固定于所述底板13的内侧面处设置的绝缘垫板70上,所述导电板9固设于所述绝缘垫板70的外表面的凹槽中且导电板70的外表面与绝缘垫板70的外表面平齐或略低,所述第二电极7穿过所述绝缘垫板70并与所述导电板9导电连接,所述绝缘垫板70的外表面还设置有覆盖所述导电板9且两端延伸到所述绝缘支座30、60的下方并被固定的绝缘隔断板80,从而有效的避免工件与导电板9的电接触。
所述翻转驱动机构10可以是已知的各种结构,例如以电机(图中未示出)为动力源,通过齿轮传动机构(图中未示出)或皮带与带轮构成的传动结构(图中未示出)等连接轴3,从而驱动轴3转动。
在一优选的实施例中,如附图10所示,所述翻转驱动机构10包括一伸缩装置101,所述伸缩装置101可以是气缸或电缸或油缸等,优选为气缸,因为气缸在使用时可以降低控制难度,所述伸缩装置101的伸缩端(活塞杆的前端)枢轴连接一传动杆102的一端,所述传动杆102的另一端与所述轴3固定连接,并且,所述传动杆102与伸缩装置101的连接点低于其与轴3的连接点,所述轴3的两端分别通过摆臂103连接所述盖板2的底部,并且所述传动杆、气缸的行程及摆臂103满足转动后的盖板2与罩体1的开口端的密封圈紧贴。
进一步,为了方便在工作时,观察到密封腔内的沉积情况,如附图2所示,在所述盖板2上设置有观察窗50,所述观察窗50通过一法兰盘90固定在所述盖板2上的安装槽中,并且,观察窗50朝向盖板2的端面与盖板2之间通过密封圈密封。
当然,所述气相沉积炉内还可以设置有各种用于测量密封腔内气压、温度等参数的传感器(图中未示出),并且,在其内还设置有冷却、加热等结构此处均为已知技术,不作赘述。
使用上述的气相沉积炉时,包括如下步骤:
S1,提供上述的气相沉积炉及待沉积工件。
S2, 所述翻转驱动机构10的气缸的活塞杆缩回,使所述转轴逆时针转动,从而带动所述盖板2你是转转动打开,所述罩体1的开口保持敞开状态。
S3,此时,可以先将导电工件放置架8固定在罩体内的绝缘支座30、60上与第一电极连接,再将一组待沉积工件挂设在导电工件放置架上;当然,也可以先将待沉积工件500挂设于导电工件放置架8上后,再将导电工件放置架8固定在罩体内的绝缘支座30、60上与第一电极6连接,采用这种方式时,可以在一组工件沉积的同时,将另一组待沉积工件放置到导电工件放置架8上,然后在炉内的导电工件放置架8上的工件沉积完成后整体替换,从而可以极大的改善工作节拍,提高沉积效率。
S4, 上料完成后,所述翻转驱动机构10的气缸启动使其活塞杆伸出,活塞杆驱动所述传动杆102绕所述轴3顺时针转动,轴3顺时针转动带动所述摆臂103瞬时针转动,进而带动盖板2向罩体1的开口端转动,活塞杆伸出到最大行程后,盖板2与罩体1的端面11的密封圈20贴合,从而密封密封腔。
此时,可以进行沉积。
本方案进一步揭示了一种气相沉积系统,如附图11、附图12所示,包括放电电源200、供气装置300、抽真空及排气装置400,它们可以是已知的各种可行的结构,所述气相沉积系统还包括上述的气相沉积炉100,所述气相沉积炉100连接所述放电电源200、供气装置300、抽真空及排气装置400。
所述放电电源200可以是已知的各种供电设备,例如是可输出高电压、高占空比的中频电源、高频电源或射频电源等,所述气相沉积炉的第一电极6和第二电极7分别通过导线连接所述放电电源200。
如附图12所示,所述供气装置300可以是已知的各种供气系统,其可以包括多条支路301,分别用于输送不同的气体,例如其具有供应保护气体(氩气、氮气等)的管路、供应反应气体的管路(具体根据需要沉积的膜层选择反应源,例如沉积氮化硅的反应气体),并且每条支路的输出端设置有控制气体输出的阀门304以及控制输出流量的流量计等,多条支路通过多通接头302连接主管路303,所述主管路303连接第一气道4的进气端,此处具体管路结构为已知技术,不作赘述。
如附图12所示,所述抽真空及排气装置400包括主管道401及通过多通接头402与主管道401连接的多条支路403,所述主管道401连接所述第二气道5,多条支路至少包括抽真空支路及废弃排放支路,真空支路连接真空泵405,废气排放支路可以连接废气处理系统,且每条支路的前端具有控制支路是否与主管道401导通的通断阀404,此处具体管路结构为已知技术,不作赘述。
上述的气象沉积炉100、放电电源200、供气装置300、抽真空及排气装置400均连接控制装置(图中未示出),并由控制装置控制整个系统的工作,所述控制装置可以是PLC与工业电脑的结合,气象沉积炉100、放电电源200、供气装置300、抽真空及排气装置400均连接控制装置的连接结构及控制过程为已知技术,此处不作赘述。
下面以在线圈外壳沉积防腐蚀涂层为例说明本方案进一步揭示了一种线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,利用上述的气相沉积系统进行处理,其包括如下步骤:
S100,对线圈外壳进行清洗;此步骤的清洗可以按照背景技术中的清洗工艺进行;
S200,将清洗后的线圈外壳进行等离子清洗;
S300,在等离子清洗后的线圈外壳表面通过气相沉积形成固态耐腐蚀薄膜,液体在所述固态耐腐蚀薄膜表面的接触角大于90°。
进一步,上述表面处理防腐具体包括如下过程:
S10,如附图12所示,进行沉积准备工作,具体包括,执行上述S1-S4步骤,并将气象沉积炉与所述放电电源200、供气装置300、抽真空及排气装置400连接,其中,所述供气装置300的气源优选包括氩气及易电离易聚合氟化气体,如乙烯气体;所述待沉积工件500(线圈外壳)经过清洗。
S20,抽真空及排气装置400启动对密封腔进行抽真空至密封腔内的真空度达到预设的背底真空度厚。
S30,所述供气装置300向所述密封腔内注入氩气,并保持密封腔内的气压保持稳定状态,具体控制密封腔内的工作压力在30-100Pa之间。
S40,调整电源的放电功率在500-2000W之间,打开放电电源,在电磁场的震荡激发下,单个气体分子中的外层电子持续获得足够多的能量,发生能级跃迁,使得原中性气体分子转化为带电荷的等离子体,密封腔内处于等离子放电状态,此时,待沉积工件表面的残留有机物被等离子体彻底清洗干净,同时待沉积工件表面能提升,起到活化效果,放电电源持续工作一段时间后,优选在3-5min(分钟)之间,停止放电及氩气的注入。
S50,所述供气装置300向所述密封腔内注入乙烯气体或其他易电离易聚合氟化气体,并待密封腔内的气体稳定后,具体保持密封腔内的工作压力在5-50Pa之间,调整放电电源的放电功率,具体在200-500W(瓦)之间,再次打开放电电源,在待沉积工件表面沉积得到一层固态聚乙烯膜,所述放电电源的工作时间控制在3-10min之间,并且液体在聚乙烯膜表面的接触角大于90°,即其显示为疏液性的。
本发明尚有多种实施方式,凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案,均落在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:包括如下步骤:
S100,对线圈外壳进行清洗;
S200,将清洗后的线圈外壳进行等离子清洗;
S300,在等离子清洗后的线圈外壳表面通过气相沉积形成固态耐腐蚀薄膜,液体在所述固态耐腐蚀薄膜表面的接触角大于90°。
2.根据权利要求1所述的线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:在S200步骤中,所述等离子清洗通过一气相沉积系统实现,所述气相沉积系统的气相沉积炉内的工作压力在清洗时维持在30-100Pa之间,放电电源的放电功率在500-2000W之间。
3.根据权利要求2所述的线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:在S200步骤中,所述放电电源的放电时间在3-5min之间。
4.根据权利要求2所述的线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:所述S300步骤中,采用等离子化学气相沉积工艺在线圈外壳表面生产所述固态耐腐蚀薄膜,且所述S300步骤通过S200步骤的气相沉积系统实现。
5.根据权利要求4所述的线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:所述S300步骤中,所述气相沉积炉内通入的气体为乙烯或易电离易聚合氟化气体,所述气相沉积系统的气相沉积炉内的工作压力在清洗时维持在5-50Pa之间,放电电源的放电功率在200-500W之间,所述固态耐腐蚀薄膜为聚乙烯薄膜。
6.根据权利要求5所述的线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:在S300步骤中,所述放电电源的放电时间在3-10min之间。
7.根据权利要求2所述的线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:所述S20步骤、S30步骤所使用的气相沉积系统包括放电电源(200)、供气装置(300)、抽真空及排气装置(400)及与它们连接的气相沉积炉(100),所述气相沉积炉的密封腔由罩体(1)及盖板(2)组合而成,罩体(1)及盖板(2)均连接一轴(3),所述盖板(2)连接驱动其绕所述轴(3)转动且在第一状态和第二状态之间切换的翻转驱动机构(10),第一状态下,所述盖板(2)密封所述罩体(1)的开口并与罩体(1)形成一密封腔,第二状态下,所述盖板(2)使所述罩体(1)的开口保持敞开状态。
8.根据权利要求7所述的线圈外壳的防腐蚀表面处理方法,其特征在于:所述罩体(1)的侧壁上设置有第一气道(4)、第二气道(5)及用于连接放电电源的第一电极(6)及第二电极(7),所述第一电极(6)电连接架设于所述罩体(1)内的导电工件放置架(8),所述第二电极(7)电连接位于所述罩体(1)内且与所述导电工件放置架(8)位置对应的导电板(9)。
9.根据权利要求8所述的气相沉积炉,其特征在于:所述第一气道(4)和第二气道(5)位于罩体外表面的一端具有一个气孔,所述第一气道(4)和第二气道(5)位于罩体内表面的一端具有多个气孔,多个气孔与导电工件放置架(8)上的线圈外壳位置对应。
10.根据权利要求8所述的气相沉积炉,其特征在于:所述导电工件放置架(8)包括矩形框架(81),所述框架内设置有一组横杆(82)和/或竖杆,每个所述横杆(82)和/或竖杆上设置有一排工件挂钩(83)。
11.防腐蚀线圈外壳,其特征在于:采用权利要求1-10任一所述的方法制备得到,液体在防腐蚀线圈外壳的表面的固态耐腐蚀薄膜表面的接触角大于90°。
CN201911034658.3A 2019-10-29 2019-10-29 线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳 Active CN110670077B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911034658.3A CN110670077B (zh) 2019-10-29 2019-10-29 线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911034658.3A CN110670077B (zh) 2019-10-29 2019-10-29 线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110670077A true CN110670077A (zh) 2020-01-10
CN110670077B CN110670077B (zh) 2022-01-25

Family

ID=69084989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911034658.3A Active CN110670077B (zh) 2019-10-29 2019-10-29 线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110670077B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1259173A (zh) * 1997-11-21 2000-07-05 韩国科学技术研究院 在材料表面进行等离子体聚合反应
CN1293717A (zh) * 1999-01-22 2001-05-02 英特维克公司 等离子体处理系统和方法
CN2437694Y (zh) * 2000-09-11 2001-07-04 浙江大学 非铁基表面硅化钛涂层装置
CN1888132A (zh) * 2006-07-20 2007-01-03 浙江大学 铝材表面的类金刚石覆膜改性方法及其装置
US20090017222A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Dornfest Charles N Plasma enhanced bonding for improving adhesion and corrosion resistance of deposited films
CN102011102A (zh) * 2010-12-22 2011-04-13 郑锦华 高界面强度类金刚石薄膜材料的常温沉积设备及其方法
CN103320766A (zh) * 2012-03-22 2013-09-25 中国农业机械化科学研究院 硬质合金刀具表面沉积类金刚石膜的方法及硬质合金刀具
CN105039975A (zh) * 2015-08-26 2015-11-11 吉林大学 一种不锈钢基底仿生超疏水石墨烯薄膜的制备方法
CN105887049A (zh) * 2016-04-21 2016-08-24 郑亮 一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜方法
CN106958003A (zh) * 2016-07-13 2017-07-18 苏州创瑞机电科技有限公司 线圈外壳低温等离子体表面处理方法及装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1259173A (zh) * 1997-11-21 2000-07-05 韩国科学技术研究院 在材料表面进行等离子体聚合反应
CN1293717A (zh) * 1999-01-22 2001-05-02 英特维克公司 等离子体处理系统和方法
CN2437694Y (zh) * 2000-09-11 2001-07-04 浙江大学 非铁基表面硅化钛涂层装置
CN1888132A (zh) * 2006-07-20 2007-01-03 浙江大学 铝材表面的类金刚石覆膜改性方法及其装置
US20090017222A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Dornfest Charles N Plasma enhanced bonding for improving adhesion and corrosion resistance of deposited films
CN102011102A (zh) * 2010-12-22 2011-04-13 郑锦华 高界面强度类金刚石薄膜材料的常温沉积设备及其方法
CN103320766A (zh) * 2012-03-22 2013-09-25 中国农业机械化科学研究院 硬质合金刀具表面沉积类金刚石膜的方法及硬质合金刀具
CN105039975A (zh) * 2015-08-26 2015-11-11 吉林大学 一种不锈钢基底仿生超疏水石墨烯薄膜的制备方法
CN105887049A (zh) * 2016-04-21 2016-08-24 郑亮 一种低温纳米疏水真空放电沉积镀膜方法
CN106958003A (zh) * 2016-07-13 2017-07-18 苏州创瑞机电科技有限公司 线圈外壳低温等离子体表面处理方法及装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
葛袁静: "《等离子体科学技术及其在工业中的应用》", 31 January 2011 *
魏淑贤: "乙烯低温等离子体诱发聚丙烯/聚乙烯原位聚合合金化", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士) 工程科技Ⅰ辑》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110670077B (zh) 2022-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI250219B (en) Plasma processing apparatus
KR100817464B1 (ko) 기판 처리 챔버에서 가스 흐름을 도출시키는 방법 및 장치
CN1189595C (zh) 阻抗减小的室
CN209298062U (zh) 用于处理基板的设备
US11495442B2 (en) Batch type substrate processing apparatus
CN211142169U (zh) 气相沉积炉及气相沉积系统
KR20110043018A (ko) 플라즈마 세척장치 및 그 세척방법
CN1525803A (zh) 常压射频和直流混合型冷等离子体系统及其喷枪
JPH06244119A (ja) プラズマ処理装置
CN110670077B (zh) 线圈外壳的防腐蚀表面处理方法及耐腐蚀线圈外壳
US9863056B2 (en) Device for electrochemical treatment, locally in particular, of a conductor substrate
JPH10199697A (ja) 大気圧プラズマによる表面処理装置
CN110629205B (zh) 气相沉积炉、其使用方法及气相沉积系统
CN1223241C (zh) 常压射频冷等离子体系统及其喷枪
CN2604845Y (zh) 常压射频和直流混合型冷等离子体发生器
CN2604847Y (zh) 常压射频圆筒形内射冷等离子体发生器
CN210945751U (zh) 一种真空离子氮化发黑炉
JPH09186108A (ja) クラスタツール装置
KR20220084880A (ko) 히터 및 샤워헤드의 원자층 박막 코팅을 위한 원자층 박막 증착 코팅 장치
CN2682772Y (zh) 均匀大面积常压射频冷等离子体发生器
JP2022553679A (ja) 製造ラインにおいてワークを表面処理する装置
JP3891802B2 (ja) 半導体製造装置
CN2571127Y (zh) 常压射频冷等离子体发生器
KR20030063265A (ko) 플라스틱 제품의 진공증착 코팅장치
US11031214B2 (en) Batch type substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Liu Xinpei

Inventor after: Zhu Xiaogang

Inventor after: Liu Huimin

Inventor before: Liu Xinpei

Inventor before: Zhu Xiaogang

Inventor before: Liu Huimin

CB03 Change of inventor or designer information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Anticorrosion surface treatment method and corrosion-resistant coil shell for coil casing

Effective date of registration: 20230721

Granted publication date: 20220125

Pledgee: China Construction Bank Suzhou Industrial Park sub branch

Pledgor: SUZHOU CHUANGRUI MACHINERY AND ELECTRICAL TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980049381

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right