CN110662135B - 一种导磁体以及发声装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种导磁体以及发声装置。所述导磁体应用到发声装置中；所述导磁体包括基座和与所述基座连接的芯柱；所述芯柱呈中空结构；所述芯柱在远离所述基座的一端具有第一端面，所述第一端面呈弧面型，所述第一端面向远离所述基座的方向拱起。所述导磁体应用到发声装置中，其呈弧面型的端面能够对发声装置内产生的气流进行导向，减小发声装置的后声腔共振，提升频响曲线频率上限的延伸，提升发声装置的声学性能。
Description
技术领域
本发明涉及电声转换技术领域，具体地，涉及一种导磁体以及发声装置。
背景技术
现有技术中的导磁体体积较大，重量较大，当导磁体应用到发声装置中无形中增大了发声装置的重量。
而且导磁体应用到发声装置中，由于导磁体结构的限制，并不能够对发声装置内产生的气流进行导向，降低了发声装置的声学性能。
因此为了解决上述问题，本发明提供了一种新型的导磁体以及发声装置。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种导磁体以及发声装置。
根据本发明的第一方面，提供一种导磁体，所述导磁体应用到发声装置中；
所述导磁体包括基座和与所述基座连接的芯柱；所述芯柱呈中空结构；
所述芯柱在远离所述基座的一端具有第一端面，所述第一端面呈弧面型，所述第一端面向远离所述基座的方向拱起。
可选地，所述基座形成有通孔，所述通孔与所述中空结构连通。
可选地，所述第一端面具有凸起，所述凸起位于所述第一端面的几何中心。
可选地，所述导磁体呈T型结构。
可选地，所述基座与所述芯柱一体成型。
可选地，所述基座上连接有多个所述芯柱，所述芯柱呈阵列方式均匀排布。
可选地，所述基座呈圆台状或圆饼状。
可选地，中空结构的纵截面在远离所述基座的一端呈弧形。
根据本发明另一方面，提供一种发声装置。所述发声装置包括上述所述的导磁体；所述发声装置还包括用于振动发声的振膜；
所述导磁体设置在所述振膜下方，所述导磁体的芯柱被配置为对振膜振动产生的气流具有导向作用。
可选地，所述发声装置为低音或中音发声装置，所述振膜包括相互连接在一起的折环和锥盆；或者，所述发声装置为高音发声装置，所述振膜包括连接在一起的折环和球顶。
本发明的有益效果：本发明提供一种导磁体，包括基座和与所述基座连接的芯柱；所述芯柱呈中空结构，当所述导磁体应用到发声装置中，在不降低导磁体本身的导磁性的同时又能够降低发声装置的重量。
所述芯柱在远离所述基座的一个端面呈弧面型，所述导磁体应用到发声装置中，其呈弧面型的端面能够对发声装置内产生的气流进行导向，减小发声装置后声腔的共振，提升频响曲线频率上限的延伸，提升发声装置的声学性能。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明导磁体的结构示意图。
图2是本发明导磁体应用到高音发声装置中的结构示意图。
图3是本发明导磁体应用到中音发声装置中的结构示意图。
图4是本发明导磁体应用到低音发声装置中的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
根据本发明的一个实施例，提供一种导磁体。所述导磁体被配置为用于发声装置中。
如图1所示，所述导磁体包括基座101和与所述基座连接的芯柱102；所述芯柱102呈中空结构。所述芯柱102在远离所述基座101的一端具有第一端面1021，所述第一端面1021呈弧面型。所述第一端面1021向远离所述基座101的方向拱起；所述芯柱102被配置为能够对所述发声装置中产生的气流进行导向。
本例子中，所述芯柱102的第一端面1021呈弧面型，具体地，所述第一端面1021向远离所述基座101的方向拱起；当所述导磁体应用到电子产品，例如发声装置中，在发声装置的磁路系统中设置所述导磁体；其中导磁体位于发声装置的振膜的下方，具体地，芯柱102的第一端面1021被配置为靠近发声装置的振膜设置。
当发声装置在工作过程中，所述导磁体的第一端面1021能够对发声装置的后声腔的气流进行导向；具体地，现有技术中振膜在振动过程中推动后声腔内的空气，容易使得发声装置的后声腔产生共振，使得发声装置的音质不理想，容易出现杂音和噪音等现象；本例子中由于芯柱102的第一端面1021的结构的特殊性，在振膜振动推动后声腔内的空气波动时，第一端面1021能够将空气波动产生的气流沿着第一端面的弧面进行导向，减少后声腔的共振，避免了发声装置产生噪音，提高了发声装置的声学性能。
为了减少后声腔的共振，现有技术通常是在后声腔内设置吸音材料；本例子直接对设置在发声装置后声腔内的导磁体进行改进，在不影响导磁体导磁作用的情况下，通过导磁体的结构减少了后声腔的共振，与现有技术相比本例子减低了发声装置的重量。
本例子中，导磁体的芯柱102呈中空结构1022，在不影响导磁体导磁作用的情况下，导磁体的重量降低；具体地，所述中空结构1022的侧壁环绕设置以形成所述芯柱的内壁；例如所述芯柱102的内部被部分掏空使得芯柱102呈中空结构。本例子使得导磁体应用到发声装置中，能够降低发声装置的重量。
在一个例子中，所述基座101形成有通孔，所述通孔与所述中空结构1022连通。例如，基座101与芯柱102一体成型，具体地，利用模具采用注塑方式制作所述导磁体，本例子中能够降低导磁体的重量，同时也能够降低发声装置的重量，实现发声装置的轻小化。
优选地，所述芯柱102呈圆柱型，所述圆柱型在远离所述基座101的一端呈弧面型，所述中空结构1022的纵截面呈矩形，其中所述矩形在远离所述基座的一端呈弧形。
优选地，所述基座101呈圆台状或圆饼状，所述基座101被配置为能够卡设在发声装置的壳体中。
在一个例子中，所述弧面型具有凸起，所述凸起位于所述第一端面的几何中心。具体地，所述弧面型大致呈抛物面型，弧面型的截面呈流线型。
本例子中，所述凸起位于第一端面1021的几何中心，使得第一端面关于所述凸起呈对称结构。当本例子的导磁体应用到发声装置中，导磁体的第一端面1021能够对发声装置的后声腔内的空气波动产生的气流进行导向，同时也能够实现对空气波动产生的气流均匀导向，即后声腔内的空气波动产生的气流的流动方向沿着第一端面1021的凸起对称分布；这样的结构设计使得后声腔内的气流压强均匀，同时减少后声腔的共振，提高发声装置的声学性能。
优选地，所述导磁体呈T型结构。例如，所述导磁体应用到发声装置中。
在一个例子中，所述基座上连接有多个所述芯柱，所述芯柱呈阵列方式均匀排布。例如在所述基座101上连接有多个所述芯柱102，多个所述芯柱102呈矩形阵列方式排布在所述基座101上；本例子中的导磁体可以应用到混合发声装置中，即动圈式发声装置和动铁式发声装置组合在一起，提高混合发声装置的频率响应；例如动圈式发声装置包括所述导磁体，相邻两个所述芯柱102之间设置有容纳腔，所述容纳腔被配置为用于容纳动铁式发声装置的磁路系统。本例子一方面能够缩小混合发声装置的体积；另一方面能够减少后声腔的共振，提高发声装置的声学性能。
优选地，所述导磁体的材质采用铁氧体。当采用铁氧体制作所述导磁体时，铁氧体的电阻率比金属、合金磁性材料大得多，而且还有较高的介电性能。铁氧体的磁性能还表现在高频时具有较高的磁导率。
优选地，所述导磁体可以应用到电子产品中，例如发声装置，其中所述发声装置可以是高音发声装置，中音发声装置，低音发声装置和全频发声装置。
根据本发明一个实施例，提供一种发声装置。如图2所示提供一种高音发声装置。所述发声装置包括外壳，以及收容在所述外壳中的振动系统和磁路系统。所述外壳包括上壳207和与所述上壳207相互配合的下壳208。
所述振动系统包括音圈204和与所述音圈连接的振膜203，本例子中所述振膜203为球顶型振膜。具体地所述发声装置为高音发声装置，所述振膜包括连接在一起的折环和球顶。其中所述“球顶型振膜”为所述振膜203向上拱起，所述球顶型具体的可以呈半球形，以增强振膜203的强度。
所述磁路系统包括导磁体和设置在所述导磁体上的磁体206和导磁板205。
所述振膜203与所述上壳207之间的空间形成前声腔；所述振膜203与下壳208之间的空间形成后声腔。
所述导磁体包括基座201和与所述基座连接的芯柱202；所述芯柱202呈中空结构2022；所述芯柱202在远离所述基座201的一端具有第一端面2021，所述第一端面2021呈弧面型，所述第一端面2021向靠近所述振膜203的方向拱起。
所述振膜203在振动过程中，推动发声装置的后声腔的空气产生波动，所述导磁体的芯柱202能够对后声腔的空气波动产生的气流进行导向。具体地，振膜203在磁路系统的作用下产生振动，进而推动发声装置的后声腔的空气产生波动，所述第一端面2021能够将后声腔空气波动产生的气流沿着第一端面2021的弧面型进行导向，降低后声腔的共振，提升发声装置的声学性能。
根据本发明一个实施例，如图3所示提供一种中音发声装置。所述发声装置包括外壳，以及收容在所述外壳中的振动系统和磁路系统。所述外壳包括上壳307和与所述上壳307相互配合的下壳308。
所述振动系统包括音圈304和与所述音圈连接的振膜303，具体地，所述发声装置为中音发声装置，所述振膜包括相互连接在一起的折环和锥盆。
所述磁路系统包括导磁体和设置在所述导磁体上的磁体306和导磁板305。
所述振膜303与所述上壳307之间的空间形成前声腔；所述振膜与下壳308之间的空间形成后声腔。
所述导磁体包括基座301和与所述基座连接的芯柱302；所述芯柱302呈中空结构3022；所述芯柱302在远离所述基座301的一端具有第一端面3021，所述第一端面3021呈弧面型，所述第一端面3021向靠近所述振膜303的方向拱起.
所述振膜303在振动过程中，推动发声装置的后声腔的空气产生波动，所述导磁体的芯柱302能够对后声腔的空气波动产生的气流进行导向。具体地，振膜303在磁路系统的作用下产生振动，进而推动发声装置的后声腔的空气产生波动，所述第一端面3021能够将后声腔空气波动产生的气流沿着第一端面3021的弧面型进行导向，降低后声腔的共振，提升发声装置的声学性能。
根据本发明一个实施例，提供一种如图4所示提供一种低音发声装置。所述发声装置包括外壳，以及收容在所述外壳中的振动系统和磁路系统。所述外壳包括上壳407和与所述上壳407相互配合的下壳408。
所述振动系统包括音圈404和与所述音圈连接的振膜403，具体地，所述发声装置为低音发声装置，所述振膜包括相互连接在一起的折环和锥盆。
所述磁路系统包括导磁体和环设在所述导磁体上的磁体406和导磁板405。
所述振膜403与所述上壳407之间的空间形成前声腔；所述振膜与下壳408之间的空间形成后声腔。
所述导磁体包括基座401和与所述基座连接的芯柱402；所述芯柱402呈中空结构4022；所述芯柱402在远离所述基座401的一端具有第一端面4021，所述第一端面4021呈弧面型，所述第一端面4021向靠近所述振膜303的方向拱起.
所述振膜403在振动过程中，推动发声装置的后声腔的空气产生波动，所述导磁体的芯柱402能够对后声腔的空气波动产生的气流进行导向。具体地，振膜403在磁路系统的作用下产生振动，进而推动发声装置的后声腔的空气产生波动，所述第一端面4021能够将后声腔空气波动产生的气流沿着第一端面4021的弧面型进行导向，降低后声腔的共振，提升发声装置的声学性能。
本发明的导磁体应用到发声装置中，都能够减小发声装置的后腔体的共振，提升频响曲线频率上限的延伸，提高发声装置的声学性能同时降低发声装置的重量。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (8)
1.一种导磁体，其特征在于，所述导磁体包括基座和与所述基座连接的芯柱；所述芯柱呈中空结构；
所述芯柱在远离所述基座的一端具有第一端面，所述第一端面呈弧面型，所述第一端面向远离所述基座的方向拱起，所述第一端面具有凸起，所述凸起位于所述第一端面的几何中心；
所述导磁体应用于发声装置，所述发声装置包括振膜，所述振膜包括连接在一起的折环和球顶，所述球顶与所述芯柱的第一端面相对设置；
其中，所述芯柱设置有至少一个，当所述芯柱设置有多个时，所述芯柱呈阵列方式均匀排布。
2.根据权利要求1所述的导磁体，其特征在于，所述基座形成有通孔，所述通孔与所述中空结构连通。
3.根据权利要求1所述的导磁体，其特征在于，所述导磁体呈T型结构。
4.根据权利要求1所述的导磁体，其特征在于，所述基座与所述芯柱一体成型。
5.根据权利要求1所述的导磁体，其特征在于，所述基座呈圆台状或圆饼状。
6.根据权利要求1所述的导磁体，其特征在于，中空结构的纵截面在远离所述基座的一端呈弧形。
7.一种发声装置，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的导磁体；所述发声装置还包括用于振动发声的振膜；
所述导磁体设置在所述振膜下方，所述导磁体的芯柱被配置为对振膜振动产生的气流具有导向作用。
8.根据权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置为低音或中音发声装置，所述振膜包括相互连接在一起的折环和锥盆；或者，所述发声装置为高音发声装置，所述振膜包括连接在一起的折环和球顶。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20210716 Address after: 261061 phase II of Geer photoelectric Park, northwest corner of Wei'an road and Liyuan street, Ligu community, Qingchi street, high tech Zone, Weifang City, Shandong Province Applicant after: Weifang geldanna Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 261031 No. 268 Dongfang Road, Weifang hi tech Development Zone, Shandong, China Applicant before: GOERTEK Inc. |
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| GR01 | Patent grant | ||
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