CN110651227A - 自由形式畸变校正 - Google Patents
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Abstract
在一些实施方式中提供了打印并处理层的方法和系统。所述层可以在晶片上或在应用面板上。之后，测量实际打印并处理的特征的位置。基于这些特征的测量差异与设计位置之间的差异，创建至少一个畸变模型。反演每个畸变模型以创建相应的校正模型。当有多个区段时，可以为每个区段创建畸变模型和校正模型。可以组合多个校正模型以创建全局校正模型。
Description
技术领域
本文的实施方式总体上涉及光刻，并且更特定地涉及减小应用面板和晶片的光刻中的畸变误差。
背景技术
光刻广泛用于制造半导体器件和显示设备，诸如液晶显示器(LCD)。然而，在处理过程中，晶片和应用面板可能会发生畸变。畸变可来自不同的处理步骤。畸变的大小和形状可随层的不同而变化。一个层的误差可能会增加后续层的畸变。另外，由于环境导致的热量或玻璃上的热量可能导致与应力相关的变形。
因此，需要减少光刻处理期间的畸变误差。
发明内容
本公开内容的实施方式总体上涉及光刻，并且更特定地涉及减小应用面板和晶片的光刻中的畸变误差。在一实施方式中，提供了一种打印并处理当前层的方法。所述当前层可以在晶片上或在应用面板上。之后，测量实际打印并处理的特征的位置。基于这些特征的测量差异与设计位置之间的差异，创建至少一个畸变模型。反演(invert)每个畸变模型以创建相应的校正模型。当有多个区段时，可以为每个区段创建畸变模型和校正模型。可以组合多个校正模型以创建全局(global)校正模型。
在另一个实施方式中，提供了一种测量图案放置误差的方法。系统打印并处理第一层。第一层可以在晶片上或在应用面板上。此后，将第二层与第一层对准。对准是为了补偿板移位和旋转。进行测量以测量两个层之间的分离(separation)(即特征位置之间的差异)。将第一层和经校正的第二层(使用先前的分离测量结果)打印在新的晶片或新的应用面板上。第三层可以与第二层对准(再次考虑板移位和旋转)，在第二层的顶部上打印并处理。然后在第二层和第三层之间进行分离测量。在又另一个晶片或应用面板上进行第一层、经校正的第二层和经校正的第三层的打印及处理。
在一个实施方式中，在第一层与第二层之间存在至少一个中间层。在该实施方式中，第二层与第一层对准。在第二层的打印并处理之后，在第一层与第二层之间进行分离测量。第一层可以用作所有后续层的参考，而无需在另一个晶片或应用面板上重新打印并处理经校正的层。例如，在获得第一层与第二层之间的分离测量结果之后，可以将后续层与第一层对准并在第二层的顶部上打印并处理后续层。
附图说明
为了能够详细地理解本公开内容的上述特征，可以参考实施方式来对以上简要概述的材料进行更具体的描述，所述材料中的一些在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了典型的实施方式，因此不应被认为是对其范围的限制，因为该材料可以允许其他等效的实施方式。
图1是可以从本文公开的实施方式受益的系统的透视图。
图2描绘了根据本文公开的材料的用于提供畸变校正的处理单元的高级框图的实施方式。
图3A描绘了基板变形的一个示例的三维视图。
图3B描绘了图3A中描绘的变形的矢量表示。
图4A描绘了基板变形的另一个示例的三维视图。
图4B描绘了图4A所示的变形的矢量表示。
图5描绘了根据本文公开的实施方式的用于校正畸变的方法。
图6描绘了根据本文公开的实施方式被划分成多个区段的基板的实施方式。
图7描绘了基板的示例性畸变的矢量表示。
图8描绘了根据本文公开的实施方式，校正由于图案放置误差引起的畸变的方法。
图9描绘了被划分为多个区段并在每个区段中包括畸变的矢量表示的基板的示例。
图10描绘了图9所示的基板，所述基板包括特征位置测量点。
图11A描绘了根据本文公开的实施方式可以校正的另一种类型的畸变的示例的矢量表示。
图11B描绘了根据本文公开的实施方式的校正畸变的方法。
图12描绘了在将线性畸变的校正应用于图11A所示的畸变之后畸变减少的矢量表示。
图13描绘了根据本文公开的实施方式，在将非线性畸变的校正应用于图12所示的残余畸变之后畸变减少的矢量表示。
图14描绘了具有示例畸变的矢量表示和畸变校正的矢量表示的基板。
图15描绘了具有示例畸变的矢量表示和畸变校正的矢量表示的基板。
图16描绘了具有示例畸变的矢量表示和畸变校正的矢量表示的基板。
为了便于理解，尽可能使用相同的附图标记来表示图中共有的相同元件。
具体实施方式
在以下描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开内容的更透彻的理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本材料范围的情况下，可以使用不同的构造进行各种改变。在其他情况下，没有描述众所周知的特征，以避免使所述材料模糊。因此，本公开不被认为限于说明书中所示的特定说明性实施方式，并且所有此类替代实施方式旨在被包括在所附权利要求的范围内。
本文档中交替描述了应用面板和晶片。本文公开的实施方式利用自由形式畸变校正来校正各种畸变，所述各种畸变包括但不限于线性畸变、非线性畸变和图案放置误差。本文公开的自由形式畸变校正还可以被应用来补偿仅校正线性畸变的模态的缺陷。“自由形式”在本文中定义为不规则的并且不需要任何特定的图案或形式。
简而言之，本文描述的实施方式总体涉及获得层中多个点的实际打印特征位置与对应的设计特征位置之间的差异。所述差异代表一种形式的畸变，所述一种形式的畸变可以用来确定哪个校正模型最适合用来减少畸变。在一些实施方式中，将每个差异的反演用作对每个测量点的校正。
在选择了适当的畸变校正之后，将光反射到数字微镜设备(“DMD”)(未示出)。每个DMD包括多个可单独控制的镜子(未示出)。基于在此提供的屏蔽数据和畸变校正，多个镜子中的每个镜子可以处于“ON(开启)”位置或“OFF(关闭)”位置。当光到达镜子时，处于“ON”位置的镜子将多个写入射束反射到投影透镜(未示出)。然后，投影透镜将写入射束投射到基板140。处于“OFF”位置的镜子将光反射到集光器(light dump)(未示出)，而不是基板140。在一些情况下，应用本文公开的畸变校正方案来改变哪些镜子是“ON”和“OFF”，以逐层对应于晶片/应用面板上的校正位置。
在其他实施方式中，面板/晶片可分为多个区段。可以分析每个区段中的至少一个点，以确定每个区段的最佳校正模型。应用于一个区段的校正模型不必与应用于另一区段的校正模型相同。增加所分析的点的数目也可以提高畸变校正的准确性。
在一些实施方式中，校正模型可以基于测量反馈或基于模型的变化(model basedvariation)而动态地适用于处理变化。例如，一种变化可以是对与温度有关的膨胀的校正，其中可以使用作为温度的函数的模型来确定畸变并补偿所述畸变。
图1是可以从本文公开的实施方式受益的系统100的透视图。系统100包括基架110、平板120、两个或更多个平台130、以及处理装置160。基架110可以放置在制造设施的地板上并且可以支撑平板120。被动空气隔离器112可以位于基架110与平板120之间。平板120可以是一块整体的花岗岩，并且两个或更多个平台130可以设置在平板120上。基板140可以由两个或更多个平台130中的每一个平台支撑。可以在平台130中形成多个孔(未示出)，以允许多个升降销(未示出)延伸穿过所述多个孔。升降销可以上升到伸长位置以例如从一个或多个传送机械手(未示出)接收基板140。一个或多个传送机械手可用于从两个或更多个平台130装载和卸载基板140。
基板140可以例如由石英制成并且用作平板显示器的一部分。在其他实施方式中，基板140可以由其他材料制成。在一些实施方式中，基板140可以具有在其上形成的光刻胶层。光刻胶对辐射敏感，并且可以是正性光刻胶或负性光刻胶，这意味着在将图案写入光刻胶之后，光刻胶的暴露于辐射的部分将分别可溶或不溶于施加至光刻胶的光刻胶显影剂。光刻胶的化学组成决定了光刻胶是正性光刻胶还是负性光刻胶。例如，光刻胶可以包含重氮萘醌、酚醛树脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基戊二酰亚胺)和SU-8中的至少一种。以这种方式，可以在基板140的表面上形成图案，以形成电子电路。
系统100还可包括一对支撑件122和一对轨道124。所述一对支撑件122可以设置在平板120上。平板120和所述一对支撑件122可以是单件材料。一对轨道124可以由一对支撑件122支撑。两个或更多个平台130可沿轨道124在X方向上移动。在一个实施方式中，所述一对轨道124是一对平行的磁通道。如图所示，所述一对轨道124中的每个轨道124是线性的。在其他实施方式中，轨道124可具有非线性形状。编码器126可以耦接到每个平台130，以便向控制器(未示出)提供位置信息。
处理装置160可以包括支撑件162和处理单元164。支撑件162可以设置在平板120上，并且可包括开口166以用于让两个或更多个平台130在处理单元164下方通过。处理单元164可以由支撑件162支撑。在一个实施方式中，处理单元164是图案发生器，所述图案发生器被配置为在光刻工艺中曝光光刻胶。
在一些实施方式中，图案发生器可以被配置为执行无掩模光刻工艺。处理单元164可包括多个图像投影装置(未示出)。在一个实施方式中，处理单元164可含有84个图像投影装置。每个图像投影装置设置在壳体165中。处理装置160可用于执行无掩模直接图案化。
在操作期间，两个或更多个平台130中的一个在X方向上从如图1所示的装载位置移动到处理位置。处理位置可以指当平台130经过处理单元164下方时平台130的一个或多个位置。在操作期间，两个或更多个平台130可以由多个空气轴承(未示出)提升并且可以沿着一对轨道124从装载位置移动到处理位置。多个竖直引导空气轴承(未示出)可以耦接到每个平台130，并定位成与每个支撑件122的内壁128相邻，以便使平台130的运动稳定化。两个或更多个平台130中的每一个还可以通过沿着轨道150移动而在Y方向上移动，以用于处理基板140和/或使基板140转位。两个或更多个平台130中的每一个都能够独立操作并且可以在一个方向上扫描基板140并且在另一方向上步进。在一些实施方式中，当两个或更多个平台130中的一个正在扫描基板140时，两个或更多个平台130中的另一个正在卸载曝光的基板并装载下一个待曝光的基板。
计量系统实时测量两个或更多个平台130中的每个平台的X和Y横向位置坐标，以便多个图像投影装置中的每一个可以准确地定位正在光刻胶覆盖的基板中写入的图案。计量系统还提供对两个或更多个平台130中的每个平台围绕竖直轴或Z轴的角位置的实时测量。角位置测量可用于借助于伺服机构在扫描过程中保持角位置恒定，或者可用于对正写入到基板140上的图案的位置应用校正。
图2描绘了根据本文公开的实施方式的用于创建畸变模型、畸变校正模型和对图案放置误差进行校正的处理单元164的高级框图的实施方式。例如，处理单元164适合用于执行图5、图8和图11B的方法。图2中的处理单元164包括处理器210以及用于存储控制程序的存储器204等。
在各个实施方式中，存储器204还包括用于通过执行本文所述的实施方式来创建畸变模型、创建校正模型以及校正图案放置误差的程序(例如描绘为“校正模型模块”212)。存储器204包括用于掩模设计的程序(未示出)。在一实施方式中，关于掩模设计的文件被存储在图形数据系统文件(例如“GDS”)中。然而，文件可以是提供图形数据的任何格式。当被指示时，这些程序基于校正模型来确定哪些镜子将未使用的光传输到集光器，以及哪些镜子照射基板。
处理器210与常规支持电路208(诸如电源、时钟电路、高速缓存存储器等)以及协助执行存储在存储器204中的软件例程206的电路协作。如此，可以预期的是，可以从存储设备(例如光盘驱动器、软盘驱动器、磁盘驱动器等)加载本文讨论为软件处理的处理步骤中的一些处理步骤，并在存储器204内实现及由处理器210操作这些处理步骤。因此，本材料的各种步骤和方法可以存储在计算机可读介质上。处理单元164还包含输入输出电路202，所述输入输出电路202形成与处理单元164通信的各种功能元件之间的接口。
尽管图2描绘了被编程为执行根据本公开内容的各种控制功能的处理单元164，但术语计算机不是仅限于在本领域中称为计算机的那些集成电路，而是广泛地指计算机、处理器、微控制器、微型计算机、可编程逻辑控制器、专用集成电路和其他可编程电路，并且这些术语在本文中可互换使用。另外，尽管描绘了一个通用计算机1000，但是该描绘是为了简洁起见。应当理解的是，本文描述的每种方法都可以在单独的计算机中使用。
通常，可以将畸变建模为作为基板/玻璃上的位置的函数的相对于原始设计(x,y)的(△x,△y)变化。这可以用等式(1)和(2)表示为：
△x(x,y)＝f(x,y) 等式(1)
△y(x,y)＝g(x,y) 等式(2)
其中f(x,y)表示作为位置的函数的x中的畸变量；并且g(x,y)表示作为位置的函数的y中的畸变量。f和g函数可以采取多项式形式，其中多项式系数可以基于测量数据进行校准。
图3A示出了基板的变形300的示例的三维视图。例如，当在基板上处理多个层时，这些层可能发生畸变并形成“驼峰”，如变形300所示。“X”和“Y”坐标的度量单位为微米。“Z”轴没有度量单位。在图3A所示的视图中，中心几乎为零，而拐角和边缘是发生最大畸变的地方。图3B描绘了图3A中描绘的变形300的矢量表示302。
图4A描绘了基板的变形400的另一个示例的三维视图。例如，当将基板放置在“卡盘”的顶部上时，在基板上施加真空压力以使基板变平并减小畸变。但是，在边缘和拐角附近仍然可能出现畸变，因为在边缘和拐角附近吸力可能不那么大。根据真空的配置，畸变的形状可不同于图4所示的畸变。图4B描绘了图4A中描绘的变形400的矢量表示402。
图5描绘了根据本文公开的实施方式的用于校正畸变的方法500。当在晶片或应用面板上打印并处理层时，方法500开始。在本文档中使用的“打印并处理”包括典型步骤，诸如例如沉积、清洁、显影、蚀刻和曝光。如此，将不更详细地描述打印并处理。方框502处的打印并处理可以用于任何层。
在方框502之后，方法500向方框506前进。在方框506处，在基板上测量特征的位置点以获得这些特征的实际位置。将测量结果发送到处理单元164。在一实施方式中，测量结果为笛卡尔坐标的形式。在另一个实施方式中，测量结果为矢量的形式。在又一个实施方式中，测量结果为相对于参考点的距离和角度的形式。
在方框508处，计算在方框506处获取的测量结果与存储在存储器206中的设计特征位置之间的差异。在一实施方式中，当需要时可以使用所计算的差异来更新设计测量结果。
在一实施方式中，可以通过将整个设计拆分为小单元/区段，基于所述区段的中心计算校正量(△xcorr,△ycorr)，以及相应地移动在所述区段内的像素化设计，来以离散方式应用一种校正形式。方法500还可包括将基板划分成多个区段的可选方框504。方框504可以在方框510之前的任何时间发生。说明性地，方框504被描绘为在方框506之前发生。图6描绘了分成多个区段的基板600的实施方式。仅出于说明性目的，将基板600划分成九个区段6021、6022、6023、6024、6025、6026、6027、6028和6029(统称为“区段602”)。每个区段还包括多个可测量的特征位置点。例如，区段6024包括八个特征位置点。
还可以对区段边界进行“平滑化”，以降低掩模特征从一个区段到另一个区段不连续的可能性。例如，如果有一条线需要穿过区段边界，则所述线可能会不连续。在一实施方式中，将低通滤波器(例如高斯滤波器)应用于区段边界和边缘处的校正以使不连续部平滑化。
当将基板分为多个区段时，可以为每个区段测量特征位置点，并且可以为每个区段创建单独的畸变模型。并非必须测量任何给定区段中的所有特征位置点。随着在任何区段中测量的特征位置点的数量增加，所述区段中的畸变映射的准确性也可能增大。当不执行可选方框504时，可以将基板作为一个区段进行分析。
返回到图5，在方框510处，基于实际打印特征位置与设计特征位置之间的差异(即畸变类型)，创建一个或多个畸变模型。例如，在一实施方式中，如果“枕形畸变”与特定掩模或掩模中的特定区段相关联，则可以应用与枕形畸变相关联的畸变模型。各种等式可用于创建畸变模型。在一实施方式中，可以通过将每个多边形点(x,y)移动到新位置来将一种形式的校正应用于设计多边形。
被定义为：
其中是新位置；x和y表示设计位置；f(x,y)表示作为位置的函数的x中的畸变量；并且g(x,y)表示作为位置的函数的y中的畸变量。
尽管在此描述了各种等式，但是这些等式或其他等式都可以用于校正线性畸变。一些等式可以采用多项式方程的形式。例如，
其中△x是给定(x,y)位置的x中的畸变；sN表示包含位置特征/点的区段；M1、M2、......、MN表示每个区段的多项式的项数；N表示区段的数目；Pl(x,y)是由以下等式(6)、(7)、(8)、(9)、(10)和(11)提供的多项式项；并且p1,x0；p1,x1是通过拟合测量获得的P0、P1等的系数：
其中△y是给定(x,y)位置的y中的畸变；sN表示包含位置特征/点的区段；M1、M2、......、MN表示每个区段的多项式的项数；N表示区段的数目；Pl(x,y)是由以下等式(6)、(7)、(8)、(9)、(10)和(11)提供的多项式项；并且p1,x0；p1,x1是通过拟合测量获得的P0、P1等的系数：
P0(x,y)＝1 等式(6)
P1(x,y)＝x 等式(7)
P2(x,y)＝y 等式(8)
P3(x,y)＝x2 等式(9)
P4(x,y)＝y2 等式(10)
P5(x,y)＝xy 等式(11)
在一实施方式中，当存在多个畸变模型时，可以将这些畸变模型组合以创建一个畸变模型，如等式(4)和(5)所示。然而，在另一实施方式中，反演每个畸变模型，并且将各校正模型组合以创建一个校正模型。在另一个实施方式中，校正模型基于根据多个处理的畸变的平均值。例如，在样本之间存在畸变测量变化的情况下，可以对多个样本进行畸变测量。这些样本的平均畸变可用于创建校正模型。
在另一个实施方式中，方法500重复执行方框502、506、508和510，直到打印并处理了倒数第二层。此后，根据倒数第二层上的实际特征位置和倒数第二层的设计特征位置，来创建使用至少一个校正模型的最后一层。
图7描绘了基板702的示例畸变704的矢量表示700。矢量708表示每个测量点处的示例畸变704的大小和方向。每个矢量706表示每个测量点处的畸变的反演，所述反演可用于校正所述测量点处的畸变。
图8描绘了根据本文公开的实施方式的校正由于图案放置错误而引起的畸变的方法800。方法800在方框802处通过打印并处理第一层开始。在方框804处，将诸如第二层的“另一”层与第一层对准。方法800中使用的“对准”是指针对板移位和旋转而进行对准。对准后，对第二层进行打印并处理。在方框806处，测量第一层与第二层之间的分离(即(△x,△y))。本文所用的“分离”是一个层的特征的打印位置与另一层中的特征的打印位置之间的差异。所测量的分离可以存储在存储器204中以供以后使用。
方法800的其他实施方式包括几个可选方框。例如，在一实施方式中，在方框806之后，方法800进行到可选方框808。
在方框808处，在不同的基板上使用在方框806处获取的测量结果来重新打印第一层并重新打印经校正的第二层。已重新打印第二层，以便使用在方框806中获取的分离测量结果的反演使所述第二层与第一层对准。此后，方法800行进到可选方框810。在方框810处，在第一层和经校正的第二层的顶部上对准、打印并处理后续层(诸如第三层)。在可选方框812处，测量第二层与第三层之间的分离(△x,△y)。所测量的分离可以存储在存储器中，并且所测量的分离的反演可以用于重新打印并处理经校正的第三层。在方框812之后，方法800朝着方框808进行处理，其中在另一基板上打印并处理第一层、经校正的第二层和经校正的第三层。此后，方法800前进到如上所述的方框810和812。在该实施方式中，可选方框808、810和812形成迭代循环，所述迭代循环操作直到期望的层被打印、对准、处理和测量为止。
在另一个实施方式中，第一层可以用作每个后续层的参考。例如，在方法800的实施方式中，在方框810处，第三层已经与第一层对准并且打印在第二层的顶部上。第二层是在第一层与第三层之间的中间层。因为第一层用作参考层，所以在打印第三层之前无需在另外的基板上打印第一层和第二层。每一层可以与第一层对准，并且在同一基板上打印并处理。在方框810之后，方法800进行到可选方框812。在方框812处，测量第一层与第三层之间的分离并将其存储在存储器204中以供以后使用。测量第一层与每个后续层之间的分离并将其存储在存储器204中以供以后使用。方框810和812用作迭代循环，直到期望的层被打印、对准、处理和测量为止。
图9描绘被划分为多个区段(9021、9022、9023、和9024(统称为“区段902”)并且在每个区段中包括畸变的矢量表示的基板900。每个区段902在所述区段的不同区域中包括畸变。
图10描绘了基板900，所述基板900包括多个设计特征测量位点(例如设计特征测量位点10021、10022和10023(统称为“设计特征测量位点1002”)。任何区段902中的任何或所有设计特征测量位点1002可用于测量具有该设计特征测量位点1002的区段中的畸变。例如，在区段9022和9024中的每一者中，仅选择一个测量点1000。在区段9021中，从四个选定的测量点1000进行测量以使用相应的实际特征点1004进行分析，从而应用畸变校正(例如非线性缩放校正)。通常，增加一区段中的测量的数目允许更高级别的校正。例如，在区段9023中，选择八个测量点1000以应用比提供给其他区段的畸变校正的级别更高级别的畸变校正。
图11A描绘了另一种类型的畸变1100的矢量表示。图11A还包括具有约100微米的畸变1104的区段1102。在一个实施方式中，可以通过直接应用非线性校正1106来校正畸变1104。
在另一个实施方式中，线性校正可以应用于畸变1104以减少区段1102中的畸变量。“线性畸变”可能是某种类型的缩放误差。线性畸变可以通过使用某种类型的缩放旋转和/或移位来进行校正。例如，图12示出了在将线性畸变校正应用于图11所示的畸变1104之后，在部分1102中畸变1204减小至约45微米的矢量表示1200。发生线性畸变校正后，可以应用非线性畸变校正以进一步减少畸变量。例如，图13描绘了在已经将非线性畸变校正应用于图12中所示的畸变1204之后，畸变1304减小(例如减小至约9e-14微米)的矢量表示1300。
图11B描绘了根据本文公开的实施方式的校正畸变的方法1101。在方框1103处，打印并处理两个层(例如第一层和第二层)。在方框1105处，测量第一层上的特征的位置与第二层上的这些相同特征之间的差异。在一实施方式中，在方框1105之后，方法1101行进到可选方框1107。在方框1107处，使用来自步骤1105的测量结果来计算线性畸变(例如由于缩放、旋转和移位引起的误差)。此后，方法1101行进到可选方框1109。在方框1109处，将线性畸变的校正应用于第二层。在应用线性畸变校正之后，所述方法行进到方框1111。在方框1111处，基于方框1105处的测量结果来创建畸变模型，反演所述畸变模型以创建一个或多个校正模型，并且将所述一个或多个校正模型进行组合(当存在多个区段和校正模型时)。在方框1113处，对畸变应用非线性校正。
在方法1101的另一个实施方式中，在方框1105之后，方法1101行进到方框1111以计算非线性畸变，而无需执行可选的方框1107和1109。在方框1111之后，如上所述执行方框1113。
尽管在方法1101中可使用等式(6)-(11)校正非线性畸变，但是也可使用其他等式。例如，当区段1102中的畸变是某种类型的“枕形”畸变时，枕形畸变模型的实施方式可以是：
其中
定义在基板上距基板中心给定距离r的新点，而△r是r与所述特征的打印位置之间的差。
其中△r是r与所述特征的打印位置之间的差，r是距坐标系中心的距离，并且K是最大畸变。例如，当K为100微米时，最大畸变可以为100微米。
在方框1107中，通过等式(14)和(15)提供用于校正线性畸变的比例等式的示例。例如，
△x(x,y)＝αxx 等式(14)
其中△x是x中的畸变量，αx是x系数的缩放比例，并且x是位置。
△y(x,y)＝αyy 等式(15)
其中△y是y中的畸变量，αy是y系数的缩放比例，并且y是位置。
等式(16)和等式(17)提供可用于校正非线性畸变的其他等式的示例。例如，
其中△x是给定(x,y)位置在x中的畸变；l表示多项式项的指数；L表示多项式的项数；并且Pl(x,y)是由等式(6)、(7)、(8)、(9)、(10)和(11)提供的多项式项。
其中△y是给定(x,y)位置在y中的畸变；l表示多项式项的指数；L表示多项式的项数；并且Pl(x,y)是由等式(6)、(7)、(8)、(9)、(10)和(11)提供的多项式项。
可以应用校准算法以确定模型参数αx、αy以及pxl和pyl。可以根据本文公开的材料使用的校准算法的示例是Cholesky算法(也称为“Cholesky分解”)。
图14描绘了基板1400的非线性畸变1404的示例的矢量表示和针对畸变1404的校正1402的矢量表示。图15描绘了基板1500的非线性畸变1504的示例的矢量表示和针对畸变1504的校正1502的矢量表示。图16描绘了基板1600的非线性畸变1604的示例的矢量表示以及针对畸变1604的校正1602的矢量表示。
如本文所用，术语“具有”、“含有”、“包括”、“包含”等是开放式术语，其指示存在所述要素或特征，但不排除另外的要素或特征。除非上下文另有明确说明，否则冠词“一”、“一个”和“所述”旨在包括复数和单数。
虽然前述内容是针对本公开内容的实施方式，但是可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计出本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由随附的权利要求书来确定。
Claims (15)
1.一种方法，包括：
在基板上打印并处理第一层；
测量所述第一层上的实际特征位置；
根据所述实际特征位置和所述第一层的设计特征位置创建至少一个畸变模型；
反演所述至少一个畸变模型以创建至少一个校正模型；以及
使用所述至少一个校正模型来打印并处理第二层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个畸变模型以多项式形式表示。
3.根据权利要求1所述的方法，其中响应于所述实际特征位置与所述设计特征位置之间的差异来选择所述至少一个畸变模型。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
重复
所述打印，
所述测量，
所述创建，以及
所述反演，直到倒数第二层被打印并处理；以及
使用根据所述倒数第二层上的实际特征位置和所述倒数第二层的设计特征位置创建的所述至少一个校正模型来打印并处理最后一层。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在测量之前，将所述基板划分成多个区段，
其中所述区段中的每个区段包括所述实际特征位置中的至少一个实际特征位置。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述至少一个畸变模型是多个畸变模型，反演所述多个畸变模型中的每个畸变模型以创建所述至少一个校正模型，并将所述至少一个校正模型中的每个校正模型组合以创建全局校正模型。
7.根据权利要求5所述的方法，其中将低通滤波器应用于所述区段的相邻边界。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个校正模型基于从多个代表性处理测量的平均畸变。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个校正模型是根据所述至少一个畸变模型的平均值创建的。
10.一种方法，包括：
在第一基板上打印并处理第一层；
针对板移位和旋转，使第二层与所述第一层对准；
打印并处理所述第二层；以及
测量所述第一层与所述第二层之间的分离。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
使用测得的所述第一层与所述第二层之间的所述分离来重新打印所述第一层和经校正的第二层，其中所述重新打印在与所述第一基板不同的第二基板上进行；
针对板移位和旋转，使第三层与所述第二层对准；
打印并处理所述第三层；以及
测量所述第三层与所述第二层之间的分离。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：
使用测得的所述第二层与所述第三层之间的所述分离来重新打印所述第一层、所述经校正的第二层和经校正的第三层，其中所述重新打印在与所述第一基板和所述第二基板不同的第三基板上进行。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二层是在所述第一层之后的每个单独的层，
针对板移位和旋转，使每个第二层与所述第一层对准；
打印并处理每个第二层；以及
测量每个第二层与所述第一层之间的分离。
14.一种方法，包括：
在基板上打印并处理第一层；
针对板移位和旋转，使第二层与所述第一层对准；
在所述基板上打印并处理所述第二层；
测量所述第一层与所述第二层之间的分离；
针对板移位和旋转，使第三层与所述第一层对准；
在所述基板上打印并处理所述第三层；以及
测量所述第三层与所述第一层之间的分离。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括在所述第一层与所述第三层之间的至少一个中间层，其中
所述至少一个中间层中的每个相应层已经：
针对板移位和旋转而与所述第一层对准，
在所述基板上打印并处理，以及
测量了与所述第一层的分离。
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