CN110649158A - 以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺 - Google Patents
以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110649158A CN110649158A CN201910939257.6A CN201910939257A CN110649158A CN 110649158 A CN110649158 A CN 110649158A CN 201910939257 A CN201910939257 A CN 201910939257A CN 110649158 A CN110649158 A CN 110649158A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- process according
- carbonyl sulfide
- preparing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 239000003607 modifier Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- AZUXXYCNTKYZJB-UHFFFAOYSA-N chloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[SiH2]Cl AZUXXYCNTKYZJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 4
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000005232 molecular self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，包括如下步骤：(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；(3)以羰基硫作为界面改性剂对步骤(2)得到的衬底的修饰层进行改性；(4)在步骤(3)得到的衬底的修饰层上制备有机半导体材料层；(5)在步骤(4)得到的衬底的机半导体材料层上制备源电极和漏电极。本发明公开的以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，利用COS气体的有机材料亲和性，改变ODTS表面界面的表面能，提高器件的成品率。
Description
技术领域
本发明涉及材料领域，具体涉及一种以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺。
背景技术
有机场效应晶体管作为柔性电子的最基本构成单元，近年来得到飞速的发展，同时也受到了工业界的广泛关注与投资。新型材料不断涌现，材料的本征迁移率不断得到提升。同时，依托于界面改性技术及成膜方式的优化，材料的迁移率也不断得到提升，2014年斯坦福大学的鲍教授，创新的利用中心的旋涂法，实现了BTBT类材料最高43cm2V-1s-1的迁移率。然而，在实际的底栅顶接触的器件结构中，需要利用十八烷基氯硅烷对器件表面进行分子自组装，形成单分子的自组装层，改善半导体层与绝缘层的接触。但是在实际的器件制备过程中，如果在SIO2的表面形成一个完美的单分子自组装层，界面会形成一个表面能极小的疏水性薄膜，导致半导体层的材料无法在其表面附着，无法形成半导体层。这就意味着，在真正工业化生产的时候，产品的成膜率会很低。如何有效的解决这一问题，就成了此种制备工艺成败的关键。
发明内容
本发明的目的是提供一种以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，改变修饰层的表面能，从而使有机半导体层更容易旋涂在修饰层表面，提高器件成品率。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，包括如下步骤：
(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；
(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；
(3)以羰基硫作为界面改性剂对步骤(2)得到的衬底的修饰层进行改性；
(4)在步骤(3)得到的衬底的修饰层上制备有机半导体材料层；
(5)在步骤(4)得到的衬底的机半导体材料层上制备源电极和漏电极。
进一步的，步骤(3)中，将衬底置于羰基硫气氛中退火20min，对衬底的修饰层进行改性。
进一步的，步骤(1)中，所述衬底采用硅片、玻璃片、PI片或PMMA片，所述绝缘层为二氧化硅材料层、三氧化二铝材料层或五氧化二钽材料层。
进一步的，所述衬底为具有二氧化硅薄膜的硅片，所述硅片为100晶面P型重掺杂，其厚度为300mm。
进一步的，步骤(2)中，所述修饰层为十八烷基三氯硅烷材料层或辛基三氯硅烷材料层。
进一步的，步骤(2)中，将衬底浸泡在1mol/L的十八烷基氯硅烷的甲苯溶液中24小时，制得所述十八烷基三氯硅烷材料层。
进一步的，步骤(4)中，所述有机半导体材料层为C8-BTBT-C8材料层，C8-BTBT-C8的分子结构如下：
进一步的，步骤(4)中，首先制备C8-BTBT-C8的氯苯溶液，其浓度为10mol/L，然后将C8-BTBT-C8的氯苯溶液旋涂在衬底的绝缘表面上，旋涂转速为5000r/min，旋涂厚度为50nm，制得所述C8-BTBT-C8材料层。
进一步的，所述源电极和所述漏电极为金电极、银电极、铜电极或铝电极。
进一步的，真空蒸镀50nm厚的金电极，作为源电极和漏。
上文中，在保证完美单分子自组装的同时，使有机半导体层更容易旋涂在单分子自组装层(修饰层)上。COS作为一种最简单的有机气体分子，与有机材料有着天生的亲和性，通过COS与单分子自组装层之间形成范德华力，改变ODTS单分子层的表面能。从而使半导体层更容易旋涂在ODTS表面，提高器件成品率。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明公开的以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，利用COS气体的有机材料亲和性，改变ODTS表面界面的表面能，提高器件的成品率。
附图说明
图1为本发明公开的有机场效应晶体管的示意图；
图2为本发明公开的制备工艺的流程图。
其中，1、衬底；2、绝缘层；3、修饰层；4、有机半导体材料层；5、源电极；6、漏电极；
SIO2、二氧化硅；ODTS、十八烷基氯硅烷；Tol、甲苯；C8-BTBT-C8、对2,7-二辛基[1]苯并噻吩[3,2-b][1]苯并噻吩；COS、羰基硫。
具体实施方式
结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例一
参见图1，有机场效应晶体管包括衬底1、绝缘层2、修饰层3、有机半导体材料层；4、源电极5以及漏电极6。
参见图2，有机场效应晶体管的制备工艺步骤如下：
①以300nm厚的二氧化硅硅片为起始点，晶相：100晶面，P型重掺杂；
②把硅片浸泡在1mol/L的十八烷基氯硅烷的甲苯溶液中，浸泡24小时；
③将硅片置于COS中退火20min；
COS退火的目的在于使，COS分子扩散到ODTS表面。利用COS的亲有机材料特性，改变材料的表面能，提高有机半导体材料在ODTS表面的附着性，最终提高器件制备的成品率；
④然后将C8-BTBT-C8旋涂在硅片表层，
C8-BTBT-C8溶解在氯苯中；浓度：10mol/L；
旋涂转速：5000r/min
最终膜厚：50nm；
⑤最后真空蒸镀50nm厚的金电极作为源漏电极。
产品最终性能表：
不同COS退火时间下器件制备成功率表。
| COS退火时间(min) | 器件制备成功率 |
| 5 | 5％ |
| 10 | 20％ |
| 15 | 30 |
| 20 | 100％ |
| 30 | 80％ |
| 60 | 0％ |
。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；
(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；
(3)以羰基硫作为界面改性剂对步骤(2)得到的衬底的修饰层进行改性；
(4)在步骤(3)得到的衬底的修饰层上制备有机半导体材料层；
(5)在步骤(4)得到的衬底的机半导体材料层上制备源电极和漏电极。
2.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中，将衬底置于羰基硫气氛中退火20min，对衬底的修饰层进行改性。
3.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底采用硅片、玻璃片、PI片或PMMA片，所述绝缘层为二氧化硅材料层、三氧化二铝材料层或五氧化二钽材料层。
4.如权利要求3所述的制备工艺，其特征在于，所述衬底为具有二氧化硅薄膜的硅片，所述硅片为100晶面P型重掺杂，其厚度为300mm。
5.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述修饰层为十八烷基三氯硅烷材料层或辛基三氯硅烷材料层。
6.如权利要求5所述的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，将衬底浸泡在1mol/L的十八烷基氯硅烷的甲苯溶液中24小时，制得所述十八烷基三氯硅烷材料层。
7.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(4)中，所述有机半导体材料层为C8-BTBT-C8材料层。
8.如权利要求7所述的制备工艺，其特征在于，步骤(4)中，首先制备C8-BTBT-C8的氯苯溶液，其浓度为10mol/L，然后将C8-BTBT-C8的氯苯溶液旋涂在衬底的绝缘表面上，旋涂转速为5000r/min，旋涂厚度为50nm，制得所述C8-BTBT-C8材料层。
9.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述源电极和所述漏电极为金电极、银电极、铜电极或铝电极。
10.如权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，真空蒸镀50nm厚的金电极，作为源电极和漏电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910939257.6A CN110649158B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910939257.6A CN110649158B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110649158A true CN110649158A (zh) | 2020-01-03 |
| CN110649158B CN110649158B (zh) | 2022-12-09 |
Family
ID=69012080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910939257.6A Active CN110649158B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110649158B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102222766A (zh) * | 2011-05-12 | 2011-10-19 | 天津理工大学 | 一种8-羟基喹啉铝为修饰层的c60有机场效应晶体管 |
| US20120161109A1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Xerox Corporation | Small molecule semiconductor |
| WO2015147130A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 富士フイルム株式会社 | 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法 |
| CN105932156A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-09-07 | 南京邮电大学 | 一种印刷制作有机场效应晶体管的方法 |
| CN107192755A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-22 | 合肥工业大学 | 一种超薄膜及基于其的有机场效应晶体管传感器的制备方法 |
-
2019
- 2019-09-30 CN CN201910939257.6A patent/CN110649158B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120161109A1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Xerox Corporation | Small molecule semiconductor |
| CN102222766A (zh) * | 2011-05-12 | 2011-10-19 | 天津理工大学 | 一种8-羟基喹啉铝为修饰层的c60有机场效应晶体管 |
| WO2015147130A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 富士フイルム株式会社 | 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法 |
| CN105932156A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-09-07 | 南京邮电大学 | 一种印刷制作有机场效应晶体管的方法 |
| CN107192755A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-22 | 合肥工业大学 | 一种超薄膜及基于其的有机场效应晶体管传感器的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JESSE T. E. QUINN,ET AL: "Recent progress in the development of n-type organic semiconductors for organic field effect transistors", 《J. MATER. CHEM. C》 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110649158B (zh) | 2022-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ren et al. | High‐performance, ultrathin, ultraflexible organic thin‐film transistor array via solution process | |
| Liu et al. | Self‐Assembled Monolayers of Phosphonic Acids with Enhanced Surface Energy for High‐Performance Solution‐Processed N‐Channel Organic Thin‐Film Transistors | |
| CN110265548B (zh) | 一种铟掺杂n型有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
| Zhao et al. | High‐performance full‐photolithographic top‐contact conformable organic transistors for soft electronics | |
| KR20050005797A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| CN102881828A (zh) | 一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法 | |
| TW200843118A (en) | Ambipolar transistor design | |
| CN103258960A (zh) | 一种有机薄膜晶体管的制备方法 | |
| TWI474400B (zh) | 疏水性二氧化矽層及有機薄膜電晶體的製造方法 | |
| CN110649158B (zh) | 以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| CN109148685B (zh) | 一种高介电常数的复合材料及其应用 | |
| WO2017054407A1 (zh) | 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法、以及显示装置 | |
| WO2017128697A1 (en) | Organic thin film transistor, and fabricating method thereof | |
| JP2014229643A (ja) | 有機トランジスタ及びその製造方法 | |
| CN110112293A (zh) | 一种高分子聚合物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| KR20120031000A (ko) | 알킬실란 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 박막 트랜지스터 | |
| CN110649159B (zh) | 以羰基硫作为电极改性剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| Dominguez et al. | Incorporation of ZnO nanoparticles on solution processed zinc oxide thin-film transistors | |
| CN110707215B (zh) | 以羰基硫和氨气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| CN110620177B (zh) | 以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| CN102655212A (zh) | 一种有机场效应晶体管结构及其制备方法 | |
| CN106340588A (zh) | 一种自组装膜优化的n型有机场效应晶体管的制备方法 | |
| CN110635036B (zh) | 以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| CN106159091A (zh) | 有机单晶薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN112652716A (zh) | 一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 215152 Anmin Road, Panyang Industrial Park, Huangdai Town, Xiangcheng District, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: Jinhong Gas Co.,Ltd. Address before: 215152 No. 6 Anmin Road, Panyang Industrial Park, Huangdi Town, Xiangcheng District, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant before: SUZHOU JINHONG GAS Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |