CN110635036B - 以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 - Google Patents
以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110635036B CN110635036B CN201910915534.XA CN201910915534A CN110635036B CN 110635036 B CN110635036 B CN 110635036B CN 201910915534 A CN201910915534 A CN 201910915534A CN 110635036 B CN110635036 B CN 110635036B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- material layer
- nitrogen
- semiconductor material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000012938 design process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- AZUXXYCNTKYZJB-UHFFFAOYSA-N chloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[SiH2]Cl AZUXXYCNTKYZJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，包括如下步骤：(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；(4)以体积比为3‑5:5‑7的羰基硫和氮气作为双极型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成双极型半导体材料层；(5)在步骤(4)得到的衬底的双极型半导体材料层上制备源电极和漏电极。本发明中的方法与传统的结构结构设计相比，实现方式简单，同时避免了复杂的有机合成和分子设计过程。极大的简化了整个产品的设计历程。
Description
技术领域
本发明涉及材料领域，具体涉及一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺。
背景技术
有机场效应晶体管作为柔性电子的最基本构成单元，近年来得到飞速的发展。区别于传统硅基半导体利用掺杂技术来实现P型及N型区域的技术，有机半导体材料利用分子的结构设计来获得P型及N型材料。然而，虽然分子的结构设计带来无数不同种类的半导体材料，但是由于有机半导体固有的能级原因，材料以P型有机半导体为主。同时由于现阶段对于N型分子的材料设计手段主要以加入拉电子基团来实现有机半导体材料的HOMO以及LUMO的降低，从而实现从P型有机半导体材料到N型有机半导体材料的转换。但由于材料的LUMO过低，N型有机半导体材料极易在空气中氧化。所以在有机半导体领域极其缺乏在空气中稳定的N型有机半导体材料。同时，由于分子的结构设计及合成会应用大量的有机溶剂及其他化学物质，导致三废处理成本极大。而对于有机半导体的实际应用来说，双极型的半导体材料能够扩大单一器件的使用范围，使单一器件可以同时实现P型及N型晶体管的功能，极大的减少器件数量。如何增加空气中稳定的双极型半导体材料的数量和种类是本领域亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺，使P型有机场效应晶体管材料转换成PN双极型材料，使半导体场效应晶体管同时实现P型及N型场效应晶体管性能。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，包括如下步骤：
(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；
(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；
(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；
(4)以体积比为3-5:5-7的羰基硫和氮气作为双极型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成双极型半导体材料层；
(5)在步骤(4)得到的衬底的双极型半导体材料层上制备源电极和漏电极。
进一步的，步骤(4)中，将硅片置于体积比为4:6的羰基硫和氮气的混合气氛中退火1h，制得所述双极型半导体材料层。
进一步的，步骤(1)中，所述衬底采用硅片、玻璃片、PI片或PMMA片，所述绝缘层为二氧化硅材料层、三氧化二铝材料层或五氧化二钽材料层。
进一步的，所述衬底为具有二氧化硅薄膜的硅片，所述硅片为100晶面P型重掺杂，其厚度为300mm。
进一步的，步骤(2)中，所述修饰层为十八烷基三氯硅烷材料层或辛基三氯硅烷材料层。
进一步的，步骤(2)中，将衬底浸泡在1mol/L的十八烷基氯硅烷的甲苯溶液中24小时，制得所述十八烷基三氯硅烷材料层。
进一步的，步骤(3)中，所述P型有机半导体材料层的分子结构选自如下12种分子结构中任意一者：
进一步的，步骤(3)中，首先制备P3HT的氯苯溶液，其浓度为10mol/L，然后将P3HT的氯苯溶液旋涂在衬底的绝缘表面上，旋涂转速为5000r/min，旋涂厚度为100nm，制得所述P3HT材料层。
进一步的，所述源电极和所述漏电极为金电极、银电极、铜电极或铝电极。
进一步的，真空蒸镀50nm厚的金电极，作为源电极和漏电极，所述金电极的厚度为50nm。
经过探索，我们发现COS其分子式中的硫和氧的富电子特性，同时其又属于有机分子，使其十分适合作为有机半导体薄膜的N型掺杂剂，COS能够使P型有机半导体转变成N型有机半导体。基于此，我们进一步探索通过加入惰性组分(N2)来调控COS气氛的浓度，从而实现对有机场效应晶体管材料的极性调控。最终，找到最优比例实现了平衡性能的PN双极性场效应晶体管，利用COS的富电子特性，同时控制COS+N2气体体系中COS浓度，实现参杂剂浓度的控制，从而调控P型半导体成双极性半导体材料。使P型有机场效应晶体管材料转换成PN双极性材料，使半导体场效应晶体管同时实现P型及N型场效应晶体管性能。衬底同时作为门电极，绝缘层设于半导体层与门电极之间，修饰层用于改善SiO2的表面形貌和减少由于SiO2表面的裸露氢键形成的载流子陷阱，使器件性能更好。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明公开的以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺，此方法与传统的分子结构设计相比，实现方式简单，同时避免了复杂的有机合成和分子设计过程。极大的简化了整个产品的设计历程。
附图说明
图1为本发明公开的有机场效应晶体管的示意图；
图2为本发明公开的制备工艺的流程图。
其中，1、衬底；2、绝缘层；3、修饰层；4、有机半导体材料层；5、源电极；6、漏电极；
SiO2、二氧化硅；ODTS、十八烷基氯硅烷；Tol、甲苯；P3HT、聚-3-己基噻吩；COS、羰基硫；N2、氮气。
具体实施方式
结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例一
参见图1，有机场效应晶体管包括衬底1、绝缘层2、修饰层3、有机半导体材料层4、源电极5以及漏电极6。
参见图2，有机场效应晶体管的制备工艺步骤如下：
①以300nm厚的二氧化硅硅片为起始点，晶相：100晶面，P型重掺杂；
②把硅片浸泡在1mol/L的十八烷基氯硅烷的甲苯溶液中，浸泡24小时；
③然后将P3HT旋涂在硅片表层，
P3HT溶解在氯苯中；浓度：10mol/L；
旋涂转速：5000r/min
最终膜厚：100nm；
④然后将硅片至于COS+N2中退火1h，COS与N2的体积比为4:6，
COS退火的目的在于使COS分子扩散进入P3HT材料。同时，通过调控COS和N2的比例来实现半导体层中参杂剂含量的调控，从而实现双极性有机场效应晶体管。
⑤最后真空蒸镀50nm厚的金电极作为源漏电极。
产品最终性能表：
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；
(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；
(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P3HT材料层；
(4)以体积比为3-5:5-7的羰基硫和氮气作为双极型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P3HT材料层掺杂形成双极型半导体材料层；
(5)在步骤(4)得到的衬底的双极型半导体材料层上制备源电极和漏电极。
2.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(4)中，将硅片置于体积比为4:6的羰基硫和氮气的混合气氛中退火1h，制得所述双极型半导体材料层。
3.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底采用硅片、玻璃片、PI片或PMMA片，所述绝缘层为二氧化硅材料层、三氧化二铝材料层或五氧化二钽材料层。
4.如权利要求3所述的制备工艺，其特征在于，所述衬底为具有二氧化硅薄膜的硅片，所述硅片为100晶面P型重掺杂，其厚度为300mm。
5.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述修饰层为十八烷基三氯硅烷材料层或辛基三氯硅烷材料层。
6.如权利要求5所述的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中，将衬底浸泡在1mol/L的十八烷基三氯硅烷的甲苯溶液中24小时，制得所述十八烷基三氯硅烷材料层。
7.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中，所述P3HT材料层的分子结构选自如下12种分子结构中任意一者：
8.如权利要求7所述的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中，首先制备P3HT的氯苯溶液，其浓度为10mol/L，然后将P3HT的氯苯溶液旋涂在衬底的绝缘表面上，旋涂转速为5000r/min，旋涂厚度为100nm，制得所述P3HT材料层。
9.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述源电极和所述漏电极为金电极、银电极、铜电极或铝电极。
10.如权利要求9所述的制备工艺，其特征在于，真空蒸镀50nm厚的金电极作为源电极和漏电极，所述金电极的厚度为50nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910915534.XA CN110635036B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910915534.XA CN110635036B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110635036A CN110635036A (zh) | 2019-12-31 |
| CN110635036B true CN110635036B (zh) | 2022-12-09 |
Family
ID=68974153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910915534.XA Active CN110635036B (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110635036B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105340097A (zh) * | 2013-04-23 | 2016-02-17 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管 |
| WO2016047587A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界効果トランジスタ、有機半導体結晶の製造方法、及び、有機半導体素子 |
| CN106165105A (zh) * | 2014-03-26 | 2016-11-23 | 富士胶片株式会社 | 非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005122293A2 (en) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Princeton University | Formation of ordered thin films of organics on metal oxide surfaces |
-
2019
- 2019-09-26 CN CN201910915534.XA patent/CN110635036B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105340097A (zh) * | 2013-04-23 | 2016-02-17 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管 |
| CN106165105A (zh) * | 2014-03-26 | 2016-11-23 | 富士胶片株式会社 | 非发光性有机半导体器件用涂布液、有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法 |
| WO2016047587A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界効果トランジスタ、有機半導体結晶の製造方法、及び、有機半導体素子 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Recent progress in the development of n-type organic semiconductors for organic field effect transistors;Jesse T. E. Quinn,ET AL;《J. Mater. Chem. C》;20171231;全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110635036A (zh) | 2019-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| He et al. | Enhanced Performance Consistency in Nanoparticle/TIPS Pentacene‐Based Organic Thin Film Transistors | |
| CN108832002B (zh) | 一种基于pva修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池 | |
| Shahbazi et al. | Studying saturation mobility, threshold voltage, and stability of PMMA-SiO2-TMSPM nano-hybrid as OFET gate dielectric | |
| CN109786555B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
| Yang et al. | Ambipolar thin-film transistors and an inverter based on pentacene/self-assembled monolayer modified ZnO hybrid structures for balanced hole and electron mobilities | |
| EP2157614B1 (en) | Gate insulating film forming agent for thin-film transistor | |
| Guo et al. | Highly efficient perovskite solar cells based on a dopant-free conjugated DPP polymer hole transport layer: influence of solvent vapor annealing | |
| CN110635027A (zh) | 一种基于MXene电极的半导体器件及其制备方法 | |
| Jeong et al. | Photo-patternable high-k ZrOx dielectrics prepared using zirconium acrylate for low-voltage-operating organic complementary inverters | |
| CN114361338A (zh) | 一种增强n型半导体稳定性的方法 | |
| CN109065729B (zh) | 基于有机-无机范德华异质结的双极性场效应晶体管 | |
| CN110635036B (zh) | 以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| Zhao et al. | Room‐Temperature Fabrication of High‐Quality Lanthanum Oxide High‐κ Dielectric Films by a Solution Process for Low‐Power Soft Electronics | |
| Nketia-Yawson et al. | High-mobility electrolyte-gated perovskite transistors on flexible plastic substrate via interface and composition engineering | |
| Choudhary et al. | Study on dielectric properties of PVP and Al 2 O 3 thin films and their implementation in low-temperature solution-processed IGZO-based thin-film transistors | |
| CN110707215B (zh) | 以羰基硫和氨气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| Kim et al. | Effect of ammonia (NH3) plasma treatment on silicon nitride (SiNx) gate dielectric for organic thin film transistor with soluble organic semiconductor | |
| Rao et al. | Tuning the electrical performance of solution-processed In2O3TFTs by low-temperature with HfO2-PVP hybrid dielectric | |
| Mai et al. | Effect of chloride treatment on optical and electrical properties of PbS quantum dots | |
| CN108963080B (zh) | 一种多孔有机半导体薄膜的制备方法 | |
| CN110620177B (zh) | 以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺 | |
| Yoon et al. | Effects of iodine doping on small molecule organic semiconductors for high charge carrier mobility and photoconductivity | |
| CN113451514B (zh) | 一种双极性提升的聚合物有机薄膜晶体管及制备方法 | |
| CN114315868A (zh) | 路易斯碱负离子掺杂有机半导体电子受体分子及方法和器件 | |
| CN108493347B (zh) | 一种高光暗电流比和高光响应度的有机光电探测器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 215152 Anmin Road, Panyang Industrial Park, Huangdai Town, Xiangcheng District, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: Jinhong Gas Co.,Ltd. Address before: 215152 No. 6 Anmin Road, Panyang Industrial Park, Huangdi Town, Xiangcheng District, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant before: SUZHOU JINHONG GAS Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |