CN110634759A - 一种湿法刻蚀缺陷的检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种湿法刻蚀缺陷的检测方法，涉及半导体检测缺陷领域。具体包括以下步骤：提供一测试晶圆，对所述测试晶圆的上表面进行一湿法刻蚀工艺；于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预定厚度；检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。本发明的有益效果：对经过硅湿法刻蚀后的测试晶圆，增加去除测试晶圆表面一预定厚度，排除测试晶圆的粗糙层对检测的干扰，使缺陷在缺陷扫描时能被轻易准确的检测出。

Description

一种湿法刻蚀缺陷的检测方法
技术领域
本发明涉及一种半导体检测缺陷方法，尤其涉及一种湿法刻蚀缺陷的检测方法。
背景技术
集成电路是在晶圆的表面一层一层叠加形成，随着半导体制造技术的飞速发展，集成电路功能越来越强大，其制造过程也越来越复杂。从晶圆到集成电路，其制造工艺相当复杂，对应的制造成本也非常高，因此需要对每一道工序做严格控制。若是其中任何一个工艺步骤的控制不当，则会使得形成的集成电路出现质量问题，导致晶圆的报废。因此需要对每一道工序之前对需要工艺的机台做严格控制，在实际的生产过程中，往往先对需要工艺的机台用测试晶圆(monitor wafer)进行实验监控，如果实验数据在我们的控制范围内，则机台才符合可生产状态。
在测试晶圆进行湿法刻蚀时，湿法刻蚀时酸液对晶圆进行刻蚀，晶圆表面会变得十分粗糙，表面变得疏松多孔。缺陷扫描只能对晶圆表面进行检测，预先设定的缺陷扫描菜单会将粗糙层的表面设定为正常，并进行过滤，将粗糙层过滤掉的同时与粗糙层形貌类似的缺陷也会存在被一并过滤的可能。所以会导致缺陷扫描时未检测到缺陷，但实际中存在缺陷的现象。而线上产品往往经过之前繁琐的工艺比测试晶圆更容易出现缺陷，并将缺陷放大，将产品进行湿法刻蚀后，大量的缺陷会出现在晶圆表面，最终导致产品质量问题，现有的用测试晶圆检测湿法刻蚀的方法不能很好地监控线上产品，需要一种更可靠的检测方法来检测缺陷。
发明内容
本发明为了解决上述现有技术，特提出了一种湿法刻蚀缺陷的检测方法，包括以下步骤：
提供一测试晶圆，对所述测试晶圆的上表面进行一湿法刻蚀工艺；
于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预定厚度；
-检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。
优选的，所述测试晶圆具有一外延层，所述湿法刻蚀工艺刻蚀所述外延层。
优选的，所述外延层通过对所述测试晶圆执行一外延工艺获得。
优选的，所述于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预设厚度的步骤中，通过一抛光工艺去除所述预定厚度。
优选的，所述抛光工艺为化学机械研磨。
优选的，所述预定厚度通过以下步骤获得：
对一已执行所述湿法刻蚀工艺的测试晶圆进行切片；
获取所述切片上粗糙层的厚度，并以所述粗糙层的厚度为所述预定厚度。
优选的，上述获取所述切片上粗糙层的厚度的步骤中，通过扫描电镜和/或透射电镜观察所述切片以获得所述粗糙层的厚度。
优选的，所述预定厚度为58-60nm。
优选的，所述预定厚度为58nm，58.5nm，59nm，59.5nm或者60nm。
优选的，上述检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷的步骤中，通过扫描电镜和/或透射电镜观察所述测试晶圆，以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。
本发明具有以下有益效果：
对经过湿法刻蚀后的测试晶圆，增加去除测试晶圆表面一预定厚度，排除测试晶圆的粗糙层对检测的干扰，使缺陷在缺陷扫描时能被轻易准确的检测出。
附图说明
图1为一种湿法刻蚀缺陷的检测方法的流程图；
图2为本发明较佳的实施例中，获得预定厚度的流程图；
图3为本发明较佳的实施例中，经过湿法刻蚀后的测试晶圆示意图；
图4为本发明较佳的实施例中，经过抛光工艺后的测试晶圆示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
本发明为了解决上述问题，现提出了一种湿法刻蚀缺陷的检测方法，如图1所示，包括以下步骤：
提供一测试晶圆，对测试晶圆的上表面进行一湿法刻蚀工艺；
于经过湿法刻蚀工艺后的测试晶圆上表面去除一预定厚度；
检测去除预定厚度后的测试晶圆以获得湿法刻蚀工艺对测试晶圆造成的缺陷。
具体地，本实施例中，如图3所示，将测试晶圆1放入湿法刻蚀液中进行湿法刻蚀，经过湿法刻蚀后测试晶圆1的厚度变薄的同时会在测试晶圆1的表面形成一粗糙层2；如图4所示，对经过湿法刻蚀之后的测试晶圆1去除一预定厚度以排除粗糙层2对湿法刻蚀缺陷检测的妨碍；优选的，采用抛光工艺去除预定厚度；更优选的，采用化学机械研磨去除预定厚度；再检测经过上述步骤后的测试晶圆1，获得准确的湿法刻蚀工艺对测试晶圆1造成的缺陷3，缺陷3主要为孔状缺陷。
上述技术方案，对经过湿法刻蚀后的测试晶圆增加抛光工艺，去除测试晶圆1表面一预定厚度，排除测试晶圆1的粗糙层2对检测的干扰，使缺陷3在缺陷扫描时能被轻易准确的检测出。
本发明较佳的实施例中，测试晶圆1具有一外延层，湿法刻蚀工艺刻蚀外延层。
具体地，本实施例中，可在测试晶圆1上外延一层外延层，该外延工艺简单并容易控制而且能很好的避免外延本身的异常，使实验中缺陷3的数据更准确。
本发明较佳的实施例中，外延层通过对测试晶圆1执行一外延工艺获得。
具体地，本实施例中，将测试晶圆1在外延炉中淀积一层外延层，优选的，该外延工艺的条件与在线产品的外延工艺条件相同。
本发明较佳的实施例中，于经过湿法刻蚀工艺后的测试晶圆上表面去除一预设厚度的步骤中，通过一抛光工艺去除预定厚度。
本发明较佳的实施例中，抛光工艺可采用化学机械研磨。
具体地，本实施例中，通过化学机械研磨来去除测试晶圆1上的一预定厚度，化学机械研磨工艺技术成熟，可靠性高。
本发明较佳的实施例中，如图2所示，预定厚度通过以下步骤获得：
对另一已执行所述湿法刻蚀工艺的测试晶圆进行切片；
获取切片上粗糙层的厚度，并以粗糙层的厚度为预定厚度。
具体地，本实施例中，对另一经过所述湿法刻蚀工艺的测试晶圆进行切片来获取粗糙层2的厚度，取该粗糙层2的厚度做为预定厚度，去除预定厚度时更为准确，其中另一经过所述湿法刻蚀工艺的测试晶圆可以单独进行所述湿法刻蚀工艺，也可以和所述测试晶圆1一起进行所述湿法刻蚀工艺。
本发明较佳的实施例中，上述获取所述切片上粗糙层的厚度的步骤中，通过扫描电镜和/或透射电镜观察切片以获得粗糙层2的厚度。
具体地，本实施例中，扫描电镜和透射电镜可以精确的获得粗糙层2的厚度。
本发明较佳的实施例中，预定厚度为58-60nm。
具体地，本实施例中，本湿法刻蚀缺陷的检测方法常用的预定厚度在58-60nm。
本发明较佳的实施例中，预定厚度可以是58nm，58.5nm，59nm，59.5nm或者60nm。
本发明较佳的实施例中，上述检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷的步骤中，通过扫描电镜和/或透射电镜观察测试晶圆1，以获得湿法刻蚀工艺对测试晶圆1造成的缺陷3。
通过上述技术方案，对经过湿法刻蚀后的测试晶圆1增加抛光工艺，去除测试晶圆1表面一预定厚度，排除测试晶圆1的粗糙层2对检测的干扰，使缺陷3在缺陷扫描时能被轻易准确的检测出，从而减少线上产品的异常，进而提高线上产品的质量。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种湿法刻蚀缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一测试晶圆，对所述测试晶圆的上表面进行一湿法刻蚀工艺；
于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预定厚度；
检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述测试晶圆具有一外延层，所述湿法刻蚀工艺刻蚀所述外延层。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述外延层通过对所述测试晶圆执行一外延工艺获得。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述于经过所述湿法刻蚀工艺后的所述测试晶圆上表面去除一预设厚度的步骤中，通过一抛光工艺去除所述预定厚度。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述抛光工艺为化学机械研磨。
6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述预定厚度通过以下步骤获得：
对另一已执行所述湿法刻蚀工艺的测试晶圆进行切片；
获取所述切片上粗糙层的厚度，并以所述粗糙层的厚度为所述预定厚度。
7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，上述获取所述切片上粗糙层的厚度的步骤中，通过扫描电镜和/或透射电镜观察所述切片以获得所述粗糙层的厚度。
8.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述预定厚度为58-60nm。
9.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述预定厚度为58nm，58.5nm，59nm，59.5nm或者60nm。
10.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，上述检测所述去除预定厚度后的测试晶圆以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷的步骤中，通过扫描电镜和/或透射电镜观察所述测试晶圆，以获得所述湿法刻蚀工艺对所述测试晶圆造成的缺陷。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5460034A (en) * 1992-07-21 1995-10-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for measuring and analyzing surface roughness on semiconductor laser etched facets
US20030143850A1 (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Macronix International Co., Ltd., Method for controlling and monitoring a chemical mechanical polishing process
JP2006108151A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
CN102339772A (zh) * 2010-07-16 2012-02-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测通孔缺陷的方法
CN102543786A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 无锡华润上华半导体有限公司 Cmp工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法
CN103822812A (zh) * 2014-03-10 2014-05-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件测试样品的制作方法
CN107293475A (zh) * 2016-04-01 2017-10-24 上海新昇半导体科技有限公司 减少外延衬底缺陷的形成方法
CN107331610A (zh) * 2016-04-28 2017-11-07 上海新昇半导体科技有限公司 提高硅晶片外延层表面平整度的方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5460034A (en) * 1992-07-21 1995-10-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for measuring and analyzing surface roughness on semiconductor laser etched facets
US20030143850A1 (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Macronix International Co., Ltd., Method for controlling and monitoring a chemical mechanical polishing process
JP2006108151A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
CN102339772A (zh) * 2010-07-16 2012-02-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测通孔缺陷的方法
CN102543786A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 无锡华润上华半导体有限公司 Cmp工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法
CN103822812A (zh) * 2014-03-10 2014-05-28 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件测试样品的制作方法
CN107293475A (zh) * 2016-04-01 2017-10-24 上海新昇半导体科技有限公司 减少外延衬底缺陷的形成方法
CN107331610A (zh) * 2016-04-28 2017-11-07 上海新昇半导体科技有限公司 提高硅晶片外延层表面平整度的方法

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