CN110634757B - 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺 - Google Patents
一种晶圆背面覆铜的焊接工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110634757B CN110634757B CN201910909799.9A CN201910909799A CN110634757B CN 110634757 B CN110634757 B CN 110634757B CN 201910909799 A CN201910909799 A CN 201910909799A CN 110634757 B CN110634757 B CN 110634757B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper sheet
- wafer
- welding
- copper
- soaking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
- H01L2224/8001—Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/80011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
- H01L2224/8001—Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/80012—Mechanical cleaning, e.g. abrasion using hydro blasting, brushes, ultrasonic cleaning, dry ice blasting, gas-flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
- H01L2224/8001—Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/80019—Combinations of two or more cleaning methods provided for in at least two different groups from H01L2224/8001 - H01L2224/80014
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
- H01L2224/80024—Applying flux to the bonding area in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/802—Applying energy for connecting
- H01L2224/80201—Compression bonding
- H01L2224/80203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
Abstract
本发明涉及一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,属于晶圆制造技术领域,该工艺步骤如下:S1:打磨;S2:清洗;S3:退火;S4:第二次打磨和清洗:将退火后的铜片重复步骤S1和S2;S5:印刷:对铜片上表面印刷锡膏;S6:焊接:将晶圆放置于印刷完锡膏的铜片上,晶圆背面与铜片接触,晶圆上方放置上基板,铜片下方放置下基板,形成焊接机构,将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接,焊接温度为290℃,焊接完成后进行冷却;S7:清洗:将焊接上铜片的晶圆使用溴丙烷浸泡,然后进行超声波清洗,然后再用酒精浸泡进行超声波清洗;S8:检测空洞;用以解决现有技术中芯片温升高、芯片封装时易碎裂的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,属于晶圆制造技术领域。
背景技术
IGBT芯片器件作为功率设备的核心组件,也是设备的主要发热源,一般器件的工作温度超过一定的限制范围,其工作性能将显著下降,进而影响系统运行的可靠性,因此为了降低芯片热阻,提高芯片的散热能力,IGBT芯片的厚度要求越来越薄,但是芯片的超薄化使得芯片在封装过程中容易出现碎裂的情况,因此如何实现既能降低芯片的热阻,提高芯片的散热能力,同时又能避免芯片封装过程易碎裂的现象发生,是急需解决的技术问题。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,用以解决现有技术中芯片温升高、芯片封装时易碎裂的技术问题。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,该工艺步骤如下:S1:打磨:对铜片上下表面使用砂纸进行打磨;S2:清洗:将铜片放置于酒精浸泡后,进行超声波清洗;S3:退火:在铜片上方和下方分别放置上基板和下基板形成退火结构,在310℃条件下进行退火;S4:第二次打磨和清洗:将退火后的铜片重复步骤S1和S2;S5:印刷:对铜片上表面印刷锡膏;S6:焊接:将晶圆放置于印刷完锡膏的铜片上,晶圆背面与铜片接触,晶圆上方放置上基板,铜片下方放置下基板,形成焊接机构,将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接,焊接温度为290℃,焊接完成后进行冷却;S7:清洗:将焊接上铜片的晶圆使用溴丙烷浸泡,然后进行超声波清洗,然后再用酒精浸泡进行超声波清洗;S8:检测空洞,空洞率在3%内即为合格。
本发明的有益效果是:通过对铜片用砂纸进行打磨和用酒精浸泡后进行超声波清洗,清除铜片上下表面的杂质和颗粒,使铜片上下表面更光滑,有利于提高后续晶圆与铜片的焊接质量;通过对铜片进行退火操作,同时使用上基板和下基板对铜片进行固定,去除内应力,防止铜片退火时发生变形;通过对退火后的铜片进行再次打磨和清洗,进一步对铜片上下表面进行清理,提高后续晶圆与铜片的焊接质量;通过使用上基板和下基板对晶圆和铜片进行固定,有利于防止铜片与晶圆焊接时发生铜片变形的现象,降低废品率;通过采用溴丙烷进行超声波清洗焊接后的铜片与晶圆,提高清洗效果;(1)改变了传统的晶圆背面覆铝封装工艺,在晶圆背面焊接铜片,由于铜具有较高的电导率和热导率,封装时由晶圆切割的芯片背面的铜片与陶瓷覆铜板(DBC)的上层铜材料相匹配,提高模块的抗疲劳性;(2)由于铜的韧度高,芯片在封装过程中可降低碎片率,同时减薄后的芯片降低了芯片的热阻,降低了模块的温升;(3)解决了IGBT模块温升高的问题,增强了产品的可靠性,同时也填补了我国在IGBT芯片背面覆铜这一领域的空白。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述下基板的尺寸与铜片尺寸相同。
采用上述进一步方案的有益效果是,有利于降低铜片退火时的形变量。
进一步,步骤S5中使用钢网对铜片上表面进行印刷锡膏,所述钢网的厚度为0.25mm,所述钢网上设置若干个网孔。
进一步,所述网孔的形状为矩形,网孔的间距为0.4mm。
采用上述进一步方案的有益效果是,通过设置钢网以及在钢网上设置网孔,有利于对铜片上表面均匀的印刷锡膏,使得锡膏的厚度与钢网厚度一直,提高印刷锡膏的效率。
进一步,步骤S6中对焊接完成的晶圆与铜片进行逐级冷却,冷却温度设定为200℃、175℃、150℃、100℃、50℃。
采用上述进一步方案的有益效果是,通过设置逐级冷却,并对不同等级的冷却温度进行设定,有利于避免铜片因骤冷而发生形变,保证焊接质量。
进一步,步骤S2中铜片清洗时,酒精温度为38℃,浸泡时间为10min,超声波清洗时间为30s。
采用上述进一步方案的有益效果是,通过设定酒精的浸泡温度和浸泡时间,以及超声波清洗的时间,提高铜片的清洗效率。
进一步,步骤S7中溴丙烷浸泡的温度为38℃,浸泡时间为10min,酒精浸泡温度为38℃,超声波清洗时间均为30s。
采用上述进一步方案的有益效果是,通过设置溴丙烷的浸泡温度和浸泡时间,提高焊接铜片后的晶圆的清洗效果,通过酒精浸泡和超声波清洗,进一步提高焊接铜片后的晶圆的清洗效率。
附图说明
图1为步骤S3中退火结构的使用示意图;
图2为步骤S6中铜片使用钢网印刷锡膏的主视示意图;
图3为步骤S6中铜片使用钢网印刷锡膏的俯视示意图;
图4为步骤7焊接结构的使用示意图;
图5为本发明的工艺流程示意图。
图中1.上基板,2.铜片,3.下基板,4.钢网,5.晶圆,41.网孔。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,该工艺步骤如下:
S1:打磨:对铜片2上下表面使用2000钼的砂纸进行打磨;
S2:清洗:将铜片2放置于温度为38℃的酒精浸泡10min后,进行超声波清洗30s,通过设定酒精的浸泡温度和浸泡时间,以及超声波清洗的时间,提高铜片的清洗效率;
S3:退火:在铜片2上方和下方分别放置上基板1和下基板3,上所述下基板3的尺寸与铜片2尺寸相同,有利于降低铜片2退火时的形变量,形成退火结构,在310℃条件下进行退火;
S4:第二次打磨和清洗:将退火后的铜片2重复步骤S1和S2;
S5:印刷:对铜片2上表面印刷锡膏,使用钢网4对铜片2上表面进行印刷锡膏,所述钢网4的厚度为0.25mm,所述钢网4上设置若干个网孔41,所述网孔41的形状为矩形,网孔41的间距为0.4mm,通过设置钢网4以及在钢网4上设置网孔41,有利于对铜片2上表面均匀的印刷锡膏,使得锡膏的厚度与钢网4厚度一直,提高印刷锡膏的效率;
S6:焊接:将晶圆5放置于印刷完锡膏的铜2片上,晶圆5背面与铜片2接触,晶圆5上方放置上基板1,铜片2下方放置下基板3,形成焊接机构,将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接,焊接温度为290℃,对焊接完成的晶圆5与铜片2进行逐级冷却,冷却温度设定为200℃、175℃、150℃、100℃、50℃,通过设置逐级冷却,并对不同等级的冷却温度进行设定,有利于避免铜片2因骤冷而发生形变,保证焊接质量;
S7:清洗:将焊接上铜片2的晶圆5使用温度为38℃的溴丙烷浸泡10min,然后进行超声波清洗30s,然后再用温度为38℃的酒精浸泡进行超声波清洗30s;
S8:检测空洞,空洞率在3%内即为合格。
通过对铜片2用砂纸进行打磨和用酒精浸泡后进行超声波清洗,清除铜片2上下表面的杂质和颗粒,使铜片2上下表面更光滑,有利于提高后续晶圆5与铜片2的焊接质量;通过对铜片2进行退火操作,同时使用上基板1和下基板3对铜片2进行固定,去除内应力,防止铜片2退火时发生变形;通过对退火后的铜片2进行再次打磨和清洗,进一步对铜片2上下表面进行清理,提高后续晶圆5与铜片2的焊接质量;通过使用上基板1和下基板3对晶圆5和铜片2进行固定,有利于防止铜片2与晶圆5焊接时发生铜片2变形的现象,降低废品率;通过采用溴丙烷进行超声波清洗焊接后的铜片2与晶圆5,提高清洗效果;(1)改变了传统的晶圆5背面覆铝封装工艺,在晶圆5背面焊接铜片2,由于铜具有较高的电导率和热导率,封装时由晶圆5切割的芯片背面的铜片2与陶瓷覆铜板(DBC)的上层铜材料相匹配,提高模块的抗疲劳性;(2)由于铜的韧度高,芯片在封装过程中可降低碎片率,同时减薄后的芯片降低了芯片的热阻,降低了模块的温升;(3)解决了IGBT模块温升高的问题,增强了产品的可靠性,同时也填补了我国在IGBT芯片背面覆铜这一领域的空白。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,其特征在于:该工艺步骤如下:S1:打磨:对铜片上下表面使用砂纸进行打磨;S2:清洗:将铜片放置于酒精浸泡后,进行超声波清洗;S3:退火:在铜片上方和下方分别放置上基板和下基板,形成退火结构,在310℃条件下进行退火;S4:第二次打磨和清洗:将退火后的铜片重复步骤S1和S2;S5:印刷:对铜片上表面印刷锡膏;S6:焊接:将晶圆放置于印刷完锡膏的铜片上,晶圆背面与铜片接触,晶圆上方放置上基板,铜片下方放置下基板,形成焊接机构,将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接,焊接温度为290℃,焊接完成后进行冷却;S7: 清洗:将焊接上铜片的晶圆使用溴丙烷浸泡,然后进行超声波清洗,然后再用酒精浸泡进行超声波清洗;S8:检测空洞,空洞率在3%内即为合格。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,其特征在于:所述下基板的尺寸与铜片尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,其特征在于:步骤S5中使用钢网对铜片上表面进行印刷锡膏,所述钢网的厚度为0.25mm,所述钢网上设置若干个网孔。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,其特征在于:所述网孔的形状为矩形,网孔的间距为0.4mm。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,其特征在于:步骤S6中对焊接完成的晶圆与铜片进行逐级冷却,冷却温度设定为200℃、175℃、150℃、100℃、50℃。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,其特征在于:步骤S2中铜片清洗时,酒精温度为38℃,浸泡时间为10min,超声波清洗时间为30s。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,其特征在于:步骤S7中溴丙烷浸泡的温度为38℃,浸泡时间为10min,酒精浸泡温度为38℃,超声波清洗时间均为30s。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910909799.9A CN110634757B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺 |
PCT/CN2019/119752 WO2021056778A1 (zh) | 2019-09-25 | 2019-11-20 | 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910909799.9A CN110634757B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110634757A CN110634757A (zh) | 2019-12-31 |
CN110634757B true CN110634757B (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=68974450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910909799.9A Active CN110634757B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110634757B (zh) |
WO (1) | WO2021056778A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114300561B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-05-02 | 安徽钜芯半导体科技有限公司 | 一种高性能光伏模块芯片的加工工艺 |
CN114260530A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-01 | 烟台台芯电子科技有限公司 | 基于igbt模块大面积陶瓷覆铜板的焊接工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103515521A (zh) * | 2013-09-16 | 2014-01-15 | 惠州雷士光电科技有限公司 | 一种覆铜AlSiC复合散热基板及其制备方法 |
CN107256830A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-10-17 | 合肥邦诺科技有限公司 | 一种利用丝网印刷技术制备厚膜型氮化铝覆铜基板的方法 |
CN108878351A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 华中科技大学 | 一种基于可自还原银离子浆料的低温键合方法 |
CN109560059A (zh) * | 2018-12-02 | 2019-04-02 | 仪征市坤翎铝业有限公司 | 一种晶闸管芯片 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7408258B2 (en) * | 2003-08-20 | 2008-08-05 | Salmon Technologies, Llc | Interconnection circuit and electronic module utilizing same |
US20130256894A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | International Rectifier Corporation | Porous Metallic Film as Die Attach and Interconnect |
CN103785991A (zh) * | 2012-10-27 | 2014-05-14 | 汉中新环干式变压器有限责任公司 | 大面积铜板平面焊接方法 |
CN107498128A (zh) * | 2017-09-01 | 2017-12-22 | 安徽华东光电技术研究所 | 用于微波调试过程中覆锡铜皮的制作工艺 |
CN208240652U (zh) * | 2018-06-20 | 2018-12-14 | 广东美的制冷设备有限公司 | 功率模块及空调器 |
-
2019
- 2019-09-25 CN CN201910909799.9A patent/CN110634757B/zh active Active
- 2019-11-20 WO PCT/CN2019/119752 patent/WO2021056778A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103515521A (zh) * | 2013-09-16 | 2014-01-15 | 惠州雷士光电科技有限公司 | 一种覆铜AlSiC复合散热基板及其制备方法 |
CN107256830A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-10-17 | 合肥邦诺科技有限公司 | 一种利用丝网印刷技术制备厚膜型氮化铝覆铜基板的方法 |
CN108878351A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 华中科技大学 | 一种基于可自还原银离子浆料的低温键合方法 |
CN109560059A (zh) * | 2018-12-02 | 2019-04-02 | 仪征市坤翎铝业有限公司 | 一种晶闸管芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021056778A1 (zh) | 2021-04-01 |
CN110634757A (zh) | 2019-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110634757B (zh) | 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺 | |
JP5918008B2 (ja) | 冷却器の製造方法 | |
JP6734033B2 (ja) | 無酸素銅板、無酸素銅板の製造方法およびセラミック配線基板 | |
CN106517828A (zh) | 一种通过添加Mo‑Mn–Ni金属中间层连接钼组玻璃/可伐合金的激光焊方法 | |
CN101862922B (zh) | 一种二元合金密封焊料丝 | |
CN113939095B (zh) | 一种陶瓷覆铜板及其制备方法 | |
CN115595535B (zh) | 一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法 | |
JP2016127197A (ja) | 放熱基板 | |
JP6152626B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
TWI636716B (zh) | 在陶瓷基材上製造多平面鍍金屬層的方法 | |
CN115172190A (zh) | 一种功率芯片在t型管壳上的合金焊接方法 | |
US10057993B2 (en) | Manufacturing method of power-module substrate | |
CN102122681A (zh) | 一种太阳能电池片的连接方法 | |
CN112151400B (zh) | 一种解决smd管壳键合点金铝系统的方法 | |
CN113752403A (zh) | 一种碳化硅靶材组件及其制备方法 | |
CN103894720A (zh) | 一种高纯钴靶材坯料与背板的焊接方法 | |
JP6232725B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
CN113500264A (zh) | 一种锗靶钎焊焊接方法以及焊接结构 | |
CN112738988A (zh) | 陶瓷覆铜板及其制备方法、陶瓷电路板 | |
TWI423458B (zh) | 太陽能電池片的串焊方法 | |
CN110963716A (zh) | 真空玻璃预涂覆金属焊料的装置和方法 | |
CN109079269A (zh) | 一种半导体功率模块钎焊排气结构及钎焊工艺 | |
CN113394186B (zh) | 金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法 | |
CN111593349B (zh) | 一种用于制备超薄钛箔的化学铣切液及铣切方法 | |
CN114373689A (zh) | 一种大功率模块的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A Welding Process for Copper Cladding on the Back of Wafers Effective date of registration: 20230629 Granted publication date: 20201225 Pledgee: Rizhao bank Limited by Share Ltd. Yantai branch Pledgor: YANTAI TAIXIN ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023980046494 |