CN110600624A - 有机发光二极管制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管制作方法，涉及光电领域。该有机发光二极管制作方法通过在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层；在真空条件下，所述设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层和电极层；在蒸镀完毕后去除第一覆盖层。本发明提高了整个有机发光二极管发光效率，并且操作简单，实现成本低，实验重复性高。

Description

有机发光二极管制作方法
技术领域
本发明涉及光电领域，具体而言，涉及一种有机发光二极管制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。由美籍华裔教授邓青云(Ching W.Tang)于1979年在实验室中发现。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。OLED的特性是自己发光，不像TFT LCD需要背光，因此可视度和亮度均高，其次，是电压需求低且省电效率高，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为21世纪最具前途的产品之一。
现有技术中的整个有机发光二极管的发光效率不高，而传统的提高光效的方式主要为从器件本身入手，包括改变各功能层材料、厚度、掺杂比例以及器件结构等，大都需要不断调整优化，且对于不同光色、不同结构的器件，所需优化的因素各有不同，实验的复杂性往往导致重复性偏低，而且同一OLED器件结构下，光效提高往往面临着瓶颈。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管制作方法，其旨在改善现有的上述的问题。
本发明提供一种技术方案：
第一方面，本发明实施例一种有机发光二极管制作方法，所述有机发光二极管制作方法包括：
在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层；
在真空条件下，所述设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层和电极层；
在蒸镀完毕后去除第一覆盖层。
进一步地，所述第一覆盖层是为贴附层或涂层或贴附层与涂层的组合。
进一步地，所述涂层是水彩颜料层或油画颜料层。
进一步地，所述贴附层为铝胶带层或PET高温胶带层。
进一步地，所述贴附层与涂层的组合是透明薄膜和颜料涂层的组合。
进一步地，所述第一覆盖层为磁性贴片或磁性板。
进一步地，在所述在蒸镀完毕后去除第一覆盖层的步骤之前，对已经形成的有机发光二极管进行封装处理。
进一步地，所述透明基板为刚性基板或柔性基板。
进一步地，所述刚性基板或柔性基板的厚度小于等于2mm，进一步为0.5mm-1.1mm。
进一步地，所述在真空条件下，所述设置有覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层的步骤包括：
在真空条件下，在透明基板的导电层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
第二方面，本发明实施例还提供了一种有机发光二极管制作方法，所述有机发光二极管制作方法包括：
在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层；
在真空条件下，所述设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层；
在蒸镀完毕后去除第一覆盖层；
在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第二覆盖层；
在所述透明基板的导电层上蒸镀电极层；
去除所述第二覆盖层。
进一步地，所述第二覆盖层是磁性贴片或磁性板。
本发明提供的有机发光二极管制作方法的有益效果是：在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层；在真空条件下，所述设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层和电极层；在蒸镀完毕后去除第一覆盖层。由于透明基板在蒸镀完毕以后，被第一覆盖层覆盖的区域的温度下降速率比未覆盖时的温度下降速率慢，使有机功能层上的有机分子材料在慢退火的条件下发生分子排布上的调整，这种调整在器件制作完成之后再去加热是无法实现的，本发明可提高有机发光二极管发光效率，并且实现简单实验重复性高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明第一实施例提供的有机发光二极管制作方法的流程图；
图2为图1中的步骤S102的具体流程图；
图3为本发明第二实施例提供的有机发光二极管制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
第一实施例
请参阅图1，本发明实施例提供了一种有机发光二极管制作方法，所述有机发光二极管制作方法包括：
步骤S101：在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层。
其中，第一覆盖层可以为但不限于贴附层或涂层或贴附层与涂层的组合，甚至还可以为磁性贴片或磁性板，在此不做限制。其中，贴附层可以采用但不限于铝胶带层或PET高温胶带层，涂层可以采用但不限于颜料涂层，颜料涂层可以采用水彩颜料层或油画颜料层。贴附层与涂层的组合可以采用透明薄膜和颜料涂层的组合。透明基板可以采用但不限于玻璃基板。需要说明的是，由于透明基板界面对发光性能的影响至关重要，透明基板界面在使用前必须仔细清洗，目的是除去表面上物理附着的污物和化学附着的有机物等。
本实施例中，透明基板可以采用刚性基板或柔性基板，其中，刚性基板或柔性基板的厚度小于等于2mm，进一步为0.5mm-1.1mm。
步骤S102：在真空条件下，在所述设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层和电极层。
其中，多层功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层。
其中，如图2所示，步骤S102的具体方式可以为：
步骤S1021：在真空条件下，在设置有第一覆盖层的透明基板的正面先蒸镀空穴注入层。
步骤S1022：在空穴注入层上蒸镀空穴传输层。
步骤S1023：在空穴传输层上蒸镀发光层。
步骤S1024：在发光层上蒸镀电子传输层。
步骤S1025：在电子传输层上蒸镀电子注入层。
步骤S103：对已经形成的有机发光二极管进行封装处理。
步骤S104：去除第一覆盖层。
经过第一次蒸镀，可以有效地提高发光二极管的发光效率。
第二实施例
本发明实施例提供了另一种有机发光二极管制作方法，需要说明的是，本实施例所提供的有机发光二极管制作方法，其基本原理及产生的技术效果和上述实施例相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。所述有机发光二极管制作方法包括：
步骤S201：在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层。
步骤S202：在真空条件下，所述设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层。
步骤S203：在蒸镀完毕后去除第一覆盖层。
步骤S204：在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第二覆盖层。
其中，第二覆盖层也可以为但不限于贴附层或涂层，甚至还可以为磁性贴片或磁性板，在此不做限制。其中，贴附层可以采用但不限于铝胶带层或PET高温胶带层，涂层可以采用但不限于颜料涂层。对背面覆盖有第一覆盖层以及正面蒸镀有多个功能层的透明基板，进行再次蒸镀电极层，此时待蒸镀结束，经过第二次蒸镀后的有机发光二极管，光效是第一次蒸镀后的发光二极管的光效的两倍。
步骤S205：在所述透明基板的导电层上蒸镀电极层。
步骤S206：对已经形成的有机发光二极管进行封装处理。
步骤S207：去除所述第二覆盖层。
本实施例中，可将发光二极管接通电源，点亮有机发光二极管，使用IVL测试系统进行对发光二极管进行测试，即可得到其光效数据。
综上所述，本发明提供的有机发光二极管制作方法，首先将透明基板或位于透明基板的透明玻璃板的背面设置有第一覆盖层；在真空条件下，在透明基板背面设置覆盖层，可有效提升大尺寸面板发光效率，并且简单可行，实现成本低。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述有机发光二极管制作方法包括：
在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层；
在真空条件下，设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层和电极层；
在蒸镀完毕后去除第一覆盖层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一覆盖层为贴附层或涂层，或贴附层与涂层的组合。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述贴附层或涂层为铝胶带层或PET高温胶带层或颜料涂层或透明薄膜和颜料涂层的组合。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述第一覆盖层为磁性贴片或磁性板。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，在所述在蒸镀完毕后去除第一覆盖层的步骤之前，对已经形成的有机发光二极管进行封装处理。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述透明基板为刚性基板或柔性基板。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述刚性基板或柔性基板的厚度小于等于2mm，进一步为0.5mm-1.1mm。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述在真空条件下，设置有覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层和电极层的步骤包括：
在真空条件下，在透明基板的导电层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
9.一种有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述有机发光二极管制作方法包括：
在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第一覆盖层；
在真空条件下，设置有所述第一覆盖层的透明基板的导电层上依次蒸镀多层功能层；
在蒸镀完毕后去除第一覆盖层；
在透明基板的与预先设置的导电层相对的一面设置第二覆盖层；
在所述透明基板的导电层上蒸镀电极层；
去除所述第二覆盖层。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管制作方法，其特征在于，所述第二覆盖层是磁性贴片或磁性板。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324502A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Fujifilm Corp デバイスの製造方法
CN102779952A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 日东电工株式会社 有机el元件的制造方法及其制造装置、有机el元件
CN105870327A (zh) * 2016-06-17 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled的制作方法及柔性oled
CN107180924A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN107403882A (zh) * 2017-08-08 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324502A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Fujifilm Corp デバイスの製造方法
CN102779952A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 日东电工株式会社 有机el元件的制造方法及其制造装置、有机el元件
CN107180924A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
CN105870327A (zh) * 2016-06-17 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled的制作方法及柔性oled
CN107403882A (zh) * 2017-08-08 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器的制备方法

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