CN110578169B - 提纯硅的装置 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 73
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 73
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 68
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 48
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 48
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 20
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 18
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 229910021422 solar-grade silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
- C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
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Abstract
本发明公开了一种提纯硅的装置。所述装置首先将粗硅与可与硅形成过共晶或者过包晶的高纯金属熔化在内设温度定向控制管的坩埚中，利用温度定向控制管产生高的侧向和纵向温度梯度，结合行波磁场控制初生单质硅在过共晶合金系中的结晶过程，提高初生单质硅的生长界面稳定性，抑制助熔金属夹杂物的形成。首先制备的棒材为初生单质硅在中心，助熔金属在外侧的结构。然后，在顶部高温区实现硅的过饱和溶解，再借助行波磁场发生器的往复运动，实现中心初生单质硅棒的粗化长大。生长完毕且冷却后，切掉头部金属吸杂区域。获得的初生硅再次重复上述过程，实现高纯硅的制备。因此，本申请所述装置可以避免引用大量的金属夹杂物，且工艺简单，制备的硅纯度高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体硅技术领域，尤其涉及一种提纯硅的装置。
背景技术
随着石油能源的枯竭，太阳能作为一种取之不竭的洁净能源引起了世界各国的重视，太阳能级硅材料是制备太阳能电池的基础。冶金法是一种制备太阳能级多晶硅方法，具有经济、工艺简单且对环境污染少的特点，因此成为制备太阳能级硅材料的最优方法，其可以快速去除硅的金属杂质，然后再通过区域熔炼、电子束高温真空熔炼可有效去除高饱和蒸汽压的元素，如磷元素。
传统上主要通过定向凝固来通过冶金法提纯多晶硅，但是由于冶金元素的添加，大大提高了初生硅的凝固温度间隔，普通的定向凝固装置很容易使得生长界面失稳，引入大量的金属夹杂物，因此后续还必须经过多晶硅的破碎机酸洗等工艺去除相应的夹杂物。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是如何提供一种可以避免引用大量的金属夹杂物，工艺简单，纯度高的提纯硅的装置。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种提纯硅的装置，其特征在于包括坩埚，所述坩埚内设置有温度定向控制管，所述控制管的下端延伸至所述坩埚的底部以下，且所述控制管的上端与所述坩埚的上端开口齐平；所述坩埚的外周设置有加热器组，所述加热器组的外侧设置有行波磁场发生器，且所述行波磁场发生器在发生器上下驱动装置的驱动下可上下运动，所述发生器上下驱动装置受控于凝固控制器，位于所述坩埚内的所述控制管内设置有陶瓷杆，所述陶瓷杆的下端设置有加热丝，所述陶瓷杆的外侧端部设置有陶瓷杆上下驱动装置，所述陶瓷杆上下驱动装置受控于所述凝固控制器，所述加热丝下侧的温度定向控制管内设置有注液管，所述温度定向控制管的下侧端口的下方设置有Ga-In-Sn回流槽，所述回流槽内设置有第一液位器，所述第一液位器用于感应所述回流槽内回流的Ga-In-Sn合金液的液位高度，所述注液管的下端延伸至所述温度定向控制管的外侧，且所述注液管的下端穿过所述Ga-In-Sn回流槽的底部进入到所述回流槽下侧的Ga-In-Sn注入槽内，所述Ga-In-Sn注入槽内设置有冷却Ga-In-Sn合金液，且所述Ga-In-Sn注入槽内设置有第二液位器，所述第二液位器用于感应所述注入槽内Ga-In-Sn合金液的液位高度，所述注液管的下端位于注入槽内冷却Ga-In-Sn合金液的液面以下，所述Ga-In-Sn注入槽的侧壁上设置有与其相连通的调压管，所述Ga-In-Sn注入槽的下侧设置有升降平台，所述升降平台用于驱动所述注入槽上下运动，从而带动所述注液管上下运动，所述升降平台受控于所述凝固控制器。
进一步的技术方案在于：所述坩埚的上端开口内设置有投料管，所述投料管用于向所述坩埚内投入粗硅。
进一步的技术方案在于：所述行波磁场发生器的外侧设置有保温套，所述保温套用于维持所述坩埚内的温度，行波磁场发生器内部具有水冷装置，外部具有隔热保护层。
进一步的技术方案在于：所述注液管与所述回流槽的接触处设置有密封圈，所述密封圈用于防止回流的Ga-In-Sn合金液外泄。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述装置首先将粗硅与可与硅形成过共晶或者过包晶的高纯金属熔化在内设温度定向控制管的坩埚中，利用温度定向控制管产生高的侧向和纵向温度梯度，结合行波磁场控制初生单质硅在过共晶合金系中的结晶过程，抑制助熔金属夹杂物的形成。首先制备的棒材为初生单质硅在中心，助熔金属在外侧的结构。然后，在顶部高温区实现硅的过饱和溶解，再借助行波磁场发生器的往复运动，实现中心初生单质硅棒的粗化长大。生长完毕且冷却后，切掉头部金属吸杂区域。获得的初生硅再次重复上述过程，实现高纯硅的制备。因此，本申请所述装置可以避免引用大量的金属夹杂物，且工艺简单，制备的硅纯度高。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明实施例所述装置的结构示意图；
图2是本发明实施例所述装置在制备硅的过程中初生硅长大示意图；
图3是本发明实施例所述装置中坩埚的结构示意图；
其中：1：坩埚；1-1：温度定向控制管；2：保温套；3：行波磁场发生器；3-1：行波磁场发生器的冷却支撑杆；4：含硅合金熔体；5：初生单质硅；6：加热器组；7：Ga-In-Sn回流槽；8：回流的Ga-In-Sn合金液；9：调压管；10：冷却Ga-In-Sn合金液；11：Ga-In-Sn注入槽；12：升降平台；13：密封圈；14：注液管；15：凝固控制器；16：投料管；17：粗硅；18：陶瓷杆；19：加热丝；20：第一液位器；21：第二液位器。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如图1所示，本发明实施例公开了一种提纯硅的装置，包括坩埚1，所述坩埚1的上端开口内设置有投料管16，所述投料管16用于向所述坩埚1内投入粗硅17；如图3所示，所述坩埚1内设置有温度定向控制管1-1，所述控制管的下端延伸至所述坩埚1的底部以下，且所述控制管的上端与所述坩埚1的上端开口齐平；所述坩埚1的外周设置有加热器组6，所述加热器组6的外侧设置有行波磁场发生器3，且所述行波磁场发生器3在发生器上下驱动装置的驱动下可上下运动，所述行波磁场发生器3的外侧设置有保温套2，所述保温套2用于维持所述坩埚1内的温度，行波磁场发生器3内部具有水冷装置，外部具有隔热保护层；
所述发生器上下驱动装置受控于凝固控制器15，位于所述坩埚1内的所述控制管内设置有陶瓷杆18，所述陶瓷杆18的下端设置有加热丝19，所述陶瓷杆18的外侧端部设置有陶瓷杆上下驱动装置，所述陶瓷杆上下驱动装置受控于所述凝固控制器15，所述加热丝19下侧的温度定向控制管1-1内设置有注液管14，所述温度定向控制管1-1的下侧端口的下方设置有Ga-In-Sn回流槽7，所述回流槽内设置有第一液位器20，所述第一液位器20用于感应所述回流槽内回流的Ga-In-Sn合金液8的液位高度；
所述注液管14的下端延伸至所述温度定向控制管1-1的外侧，且所述注液管14的下端穿过所述Ga-In-Sn回流槽7的底部进入到所述回流槽下侧的Ga-In-Sn注入槽11内，所述注液管14与所述回流槽的接触处设置有密封圈13，所述密封圈13用于防止回流的Ga-In-Sn合金液外泄；所述Ga-In-Sn注入槽11内设置有冷却Ga-In-Sn合金液10，且所述Ga-In-Sn注入槽11内设置有第二液位器21，所述第二液位器21用于感应所述注入槽内Ga-In-Sn合金液的液位高度，所述注液管14的下端位于注入槽内冷却Ga-In-Sn合金液10的液面以下；所述Ga-In-Sn注入槽11的侧壁上设置有与其相连通的调压管9，所述Ga-In-Sn注入槽11的下侧设置有升降平台12，所述升降平台12用于驱动所述注入槽上下运动，从而带动所述注液管14上下运动，所述升降平台12受控于所述凝固控制器15。
本发明实施例还公开了一种提纯硅的方法，所述方法使用上述硅提纯装置，其特征在于包括如下步骤：
1）将粗硅与可与硅形成过共晶或者过包晶的高纯金属放置在内设温度定向控制管1-1的坩埚1中；优选的，合金体系中的金属块为铜或铝，其与粗硅的比例为：Cu-Si(60-95at.%)，Al-Si(55-95at.%)。或金属元素与硅存在共晶和包晶体系，其成分位于相图的过共晶或者过包晶侧，过共晶或者过包晶的凝固相为初生硅；
2）启动坩埚外侧的加热器组6将坩埚内的粗硅与可与硅形成过共晶或者过包晶的高纯金属熔化为含硅合金熔体4；将下端具有加热丝19的陶瓷杆18从坩埚1的顶部方向插入到温度定向控制管1-1中，直至坩埚底部位置，将注液管14从坩埚1的底部方向插入到所述温度定向控制管1-1中，且所述加热丝19与所述注液管14之间保持有一段距离；通过调压管9向Ga-In-Sn注入槽11中注入可控压力气体，使Ga-In-Sn注入槽11内的冷却Ga-In-Sn合金液10注入到温度定向控制管1-1中，通过Ga-In-Sn回流槽内的第一液位器20和Ga-In-Sn注入槽内的第二液位器21感应的信息计算温度定向控制管1-1中冷却Ga-In-Sn合金液10液面的高度，使得加热丝19与温度定向控制管1-1中液面高度差保持恒定；
温度定向控制管1-1内的Ga-In-Sn液面高度
与调压管9内压力
的关系如下：
式中ρ为Ga-In-Sn的密度；g为重力加速度；R 1 为温度定向控制管（1-1）的内径；R 2 为注液管（14）外径；R 3 为注液管（14）内径；
3）通过加热丝19使得含硅合金熔体4温度处于较高的温度状态，通过控制温度定向控制管1-1内的Ga-In-Sn液面高度实现温度定向控制管1-1附近熔体的强制冷却，从而实现初生单质硅5的凝固，在温度定向控制管1-1附近的熔体中产生高的侧向和纵向温度梯度提高初生单质硅5的凝固的界面稳定性；通过行波磁场发生器3，加速熔体内的对流，降低初生单质硅5的凝固界面附近溶质的富集，加速硅原子的传输；
4）利用凝固控制器15保持加热丝19、行波磁场发生器3及升降平台12同步沿着坩埚轴向运动，优选的，升降平台12、行波磁场发生器3以及陶瓷杆18的移动速度为0.1mm/s-10mm/s；同时调节调压管9的气体压力，保持温度定向控制管1-1内的Ga-In-Sn液面高度与加热丝19和行波磁场发生器3的协调运动，从而实现初生单质硅5从坩埚底部向顶部的顺序凝固；在初生单质硅5的凝固过程中不断通过投料管16向含硅合金熔体4中投入粗硅17；
5）待控制温度定向控制管1-1内的Ga-In-Sn液面移动至与含硅合金熔体4的液面齐平时，停止升降平台12的运动；加热丝19使得含硅合金熔体4上表面的温度最高；然后控制行波磁场发生器3往复运动，使得不断投入的粗硅17溶解后重新凝固到初生单质硅5上，使其不断长大，如图2所示；
6）待生长完毕后，关闭加热器组6，停止行波磁场发生器3的运动，取出整个铸锭，切掉头部金属吸杂区域，获得的初生硅再次重复上述过程，实现高纯硅的制备。
所述方法及装置首先将粗硅与可与硅形成过共晶或者过包晶的高纯金属熔化在内设温度定向控制管的坩埚中，利用温度定向控制管产生高的侧向和纵向温度梯度，结合行波磁场控制初生单质硅在过共晶合金系中的结晶过程，提高初生单质硅的生长界面稳定性，抑制助熔金属夹杂物的形成。首先制备的棒材为初生单质硅在中心，助熔金属在外侧的结构。然后，在顶部高温区实现硅的过饱和溶解，再借助行波磁场发生器的往复运动，实现中心初生单质硅棒的粗化长大。生长完毕且冷却后，切掉头部金属吸杂区域。获得的初生硅再次重复上述过程，实现高纯硅的制备。因此，本申请所述装置和方法可以避免引用大量的金属夹杂物，且工艺简单，制备的硅纯度高。
Claims (2)
1.一种提纯硅的装置，其特征在于包括坩埚（1），所述坩埚（1）的上端开口内设置有投料管（16），所述投料管（16）用于向所述坩埚（1）内投入粗硅（17），所述坩埚（1）内设置有温度定向控制管（1-1），所述控制管的下端延伸至所述坩埚（1）的底部以下，且所述控制管的上端与所述坩埚（1）的上端开口齐平；所述坩埚（1）的外周设置有加热器组（6），所述加热器组（6）的外侧设置有行波磁场发生器（3），且所述行波磁场发生器（3）在发生器上下驱动装置的驱动下可上下运动，所述发生器上下驱动装置受控于凝固控制器（15），位于所述坩埚（1）内的所述控制管内设置有陶瓷杆（18），所述陶瓷杆（18）的下端设置有加热丝（19），所述陶瓷杆（18）的外侧端部设置有陶瓷杆上下驱动装置，所述陶瓷杆上下驱动装置受控于所述凝固控制器（15），所述加热丝（19）下侧的温度定向控制管（1-1）内设置有注液管（14），所述温度定向控制管（1-1）的下侧端口的下方设置有Ga-In-Sn回流槽（7），所述回流槽内设置有第一液位器（20），所述第一液位器（20）用于感应所述回流槽内回流的Ga-In-Sn合金液（8）的液位高度，所述注液管（14）的下端延伸至所述温度定向控制管（1-1）的外侧，且所述注液管（14）的下端穿过所述Ga-In-Sn回流槽（7）的底部进入到所述回流槽下侧的Ga-In-Sn注入槽（11）内，所述Ga-In-Sn注入槽（11）内设置有冷却Ga-In-Sn合金液（10），且所述Ga-In-Sn注入槽（11）内设置有第二液位器（21），所述第二液位器（21）用于感应所述注入槽内Ga-In-Sn合金液的液位高度，所述注液管（14）的下端位于注入槽内冷却Ga-In-Sn合金液（10）的液面以下，所述注液管（14）与所述回流槽的接触处设置有密封圈（13），所述密封圈（13）用于防止回流的Ga-In-Sn合金液外泄，所述Ga-In-Sn注入槽（11）的侧壁上设置有与其相连通的调压管（9），所述Ga-In-Sn注入槽（11）的下侧设置有升降平台（12），所述升降平台（12）用于驱动所述注入槽上下运动，从而带动所述注液管（14）上下运动，所述升降平台（12）受控于所述凝固控制器（15）。
2.如权利要求1所述的提纯硅的装置，其特征在于：所述行波磁场发生器（3）的外侧设置有保温套（2），所述保温套（2）用于维持所述坩埚（1）内的温度，行波磁场发生器（3）内部具有水冷装置，外部具有隔热保护层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910994763.5A CN110578169B (zh) | 2019-10-18 | 2019-10-18 | 提纯硅的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910994763.5A CN110578169B (zh) | 2019-10-18 | 2019-10-18 | 提纯硅的装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110578169A CN110578169A (zh) | 2019-12-17 |
| CN110578169B true CN110578169B (zh) | 2020-06-05 |
Family
ID=68815097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910994763.5A Active CN110578169B (zh) | 2019-10-18 | 2019-10-18 | 提纯硅的装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110578169B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111991834B (zh) * | 2020-09-08 | 2021-11-16 | 安徽银丰药业股份有限公司 | 一种薄荷脑加工用结晶桶 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101302605A (zh) * | 2008-07-01 | 2008-11-12 | 上海大学 | 强静磁场控制高温合金定向凝固组织枝晶的方法 |
| CN101875106B (zh) * | 2009-11-20 | 2011-12-28 | 北京科技大学 | 一种定向凝固高铌钛铝基合金的制备方法 |
| CN106757336A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | 大连理工大学 | 一种横向提高多晶硅定向凝固提纯得率的设备和方法 |
| CN108655375A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-16 | 上海大学 | 利用轴向均恒磁场制备功能梯度材料的方法及其定向凝固装置 |
| CN108672670A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-10-19 | 湖南城市学院 | 一种可提供压力铸造的金属铸坯连续制造装置和方法 |
| CN109097828A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-28 | 孟静 | 单晶硅片的制备系统 |
| CN109911902B (zh) * | 2019-05-05 | 2022-06-24 | 上海大学 | 一种硅的提纯装置及方法 |
-
2019
- 2019-10-18 CN CN201910994763.5A patent/CN110578169B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110578169A (zh) | 2019-12-17 |
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|---|---|---|---|
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