CN110568102A - 一种利用气相色谱仪测定mo源纯度的方法 - Google Patents

一种利用气相色谱仪测定mo源纯度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110568102A
CN110568102A CN201910868360.6A CN201910868360A CN110568102A CN 110568102 A CN110568102 A CN 110568102A CN 201910868360 A CN201910868360 A CN 201910868360A CN 110568102 A CN110568102 A CN 110568102A
Authority
CN
China
Prior art keywords
source
sample
gas chromatograph
determining
purity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910868360.6A
Other languages
English (en)
Inventor
顾宏伟
茅嘉原
洪海燕
於婷婷
周俊臣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUZHOU PUYAO PHOTOELECTRIC MATERIAL CO Ltd
Original Assignee
SUZHOU PUYAO PHOTOELECTRIC MATERIAL CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU PUYAO PHOTOELECTRIC MATERIAL CO Ltd filed Critical SUZHOU PUYAO PHOTOELECTRIC MATERIAL CO Ltd
Priority to CN201910868360.6A priority Critical patent/CN110568102A/zh
Publication of CN110568102A publication Critical patent/CN110568102A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02Column chromatography
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02Column chromatography
    • G01N30/04Preparation or injection of sample to be analysed
    • G01N30/06Preparation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02Column chromatography
    • G01N30/60Construction of the column
    • G01N30/6052Construction of the column body

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)

Abstract

本发明公开了一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,包括以下步骤:(1)在惰性气体保护下,取待测MO源,放入样品瓶中,然后取NMP溶液加入上述样品瓶中,充分震荡,使MO源与NMP溶液完全互溶,得到样品NMP溶液;(2)将进样系统置于惰性手套箱内;(3)利用进样系统,采用氢气为载气,将样品NMP溶液进样于气相色谱仪中,该气相色谱仪采用硅油固定液色谱柱;(4)根据气相色谱仪得到的色谱图,利用峰面积归一法测定MO源纯度。本发明的方法可以有效缩短MO源检测时间,提高检测精度,降低样品处理过程中的风险,比较安全可靠。

Description

一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法
技术领域
本发明涉及金属无机化合物的纯度测定的技术领域,具体涉及一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法。
背景技术
MO源即高纯金属无机化合物,或叫化合物半导体微结构材料,是先进的金属无机化学气相沉积(简称MOCVD)等技术生长半导体微结构材料的支撑材料,其优异的电学、光学和磁学等性能,可将半导体和集成电路推向更高的频率。在我国MO源已被大量用于LED、太阳能电池、航空航天技术等多个领域。
MO源由于自身具有易燃和自燃的特性,因此无法直接用酸溶液溶解处理。现有技术的MO源纯度的测定是将样品放置在低温环境中,经过8小时缓慢氧化,然后用5%的稀硝酸定容成1%样品溶液,后测试ICP。这种方法处理过程和测定过程缓慢,且处理过程和测定过程中易存在样品自燃危险。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,此方法可以有效缩短MO源检测时间,提高检测精度,降低样品处理过程中的风险,比较安全可靠。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,包括以下步骤:
(1)在惰性气体保护下,取待测MO源,放入样品瓶中,然后取NMP溶液加入上述样品瓶中,充分震荡,使MO源与NMP溶液完全互溶,得到样品NMP溶液;
(2)将进样系统置于惰性手套箱内;
(3)利用进样系统,采用氢气为载气,将样品NMP溶液进样于气相色谱仪中,该气相色谱仪采用硅油固定液色谱柱;
(4)根据气相色谱仪得到的色谱图,利用峰面积归一法测定MO源纯度。
优选的,所述MO源为三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、三甲基铝、二茂镁中的一种。
优选的,所述惰性气体为氮气。
上述技术方案中,所述色谱柱柱温为240℃。
上述技术方案中,所述载气的温度为260℃。
上述技术方案中,所述NMP溶液用精馏方法进行提纯,并控制其杂质总含量小于50ppb。
本发明的有益效果是:本发明在惰性气体氛围中将MO源样品溶解于NMP溶液中,然后进样于气相色谱仪中进行检测,根据色谱图利用峰面积归一法测定MO源的纯度;此方法可以有效缩短MO源检测时间,提高检测精度,降低样品处理过程中的风险。样品经过溶解后立即进入气相色谱仪,样品准备时间短,测样效率高,而且样品处于惰性气体氛围中,不再具有自燃性质,比较安全稳定。本发明中的气相色谱仪采用硅油固定液色谱柱,硅油的流出效果最好,得到的色谱图峰型对称,无分解现象,提高了检测精度。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,包括以下步骤:
(1)在氮气气体的保护下,取待测MO源,放入样品瓶中,然后取NMP溶液加入上述样品瓶中,充分震荡,使MO源与NMP溶液完全互溶,得到样品NMP溶液;
(2)将进样系统置于惰性手套箱内;
(3)利用进样系统,采用氢气为载气,将样品NMP溶液进样于气相色谱仪中,该气相色谱仪采用硅油固定液色谱柱;该气相色谱仪采用福州福立仪器厂生产的GC7900Plus型气相色谱仪,该气相色谱仪采用的色谱柱柱温为240℃;进样所采用的载气的温度为260℃。
(4)根据气相色谱仪得到的色谱图,利用峰面积归一法测定MO源纯度。
上述技术方案中,MO源为三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、三甲基铝、二茂镁中的一种。
上述技术方案中,为了保证检测精度,NMP溶液用精馏方法进行提纯,并控制其杂质总含量小于50ppb。
本发明的方法可以有效缩短MO源检测时间,提高检测精度,降低样品处理过程中的风险。样品经过溶解后立即进入气相色谱仪,样品准备时间短,测样效率高,而且样品处于惰性气体氛围中,不再具有自燃性质,比较安全稳定。
针对色谱柱,为了使MO源中有机杂质更好得分离,一般要使用惰性固定液色谱柱,而且极性不能太大。因此,经过对各种不同固定液(SE-30,阿皮松脂,硅油)的色谱柱进行研究分析,得出硅油的流出效果最好,峰型对称,无分解现象,故本发明的气相色谱仪采用硅油固定液色谱柱。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在惰性气体保护下,取待测MO源,放入样品瓶中,然后取NMP溶液加入上述样品瓶中,充分震荡,使MO源与NMP溶液完全互溶,得到样品NM P溶液;
(2)将进样系统置于惰性手套箱内;
(3)利用进样系统,采用氢气为载气,将样品NMP溶液进样于气相色谱仪中,该气相色谱仪采用硅油固定液色谱柱;
(4)根据气相色谱仪得到的色谱图,利用峰面积归一法测定MO源纯度。
2.根据权利要求1所述的一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,其特征在于:所述MO源为三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、三甲基铝、二茂镁中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,其特征在于:所述惰性气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,其特征在于:所述色谱柱柱温为240℃。
5.根据权利要求1所述的一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,其特征在于:所述载气的温度为260℃。
6.根据权利要求1所述的一种利用气相色谱仪测定MO源纯度的方法,其特征在于:所述NMP溶液用精馏方法进行提纯,并控制其杂质总含量小于50ppb。
CN201910868360.6A 2019-09-11 2019-09-11 一种利用气相色谱仪测定mo源纯度的方法 Pending CN110568102A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910868360.6A CN110568102A (zh) 2019-09-11 2019-09-11 一种利用气相色谱仪测定mo源纯度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910868360.6A CN110568102A (zh) 2019-09-11 2019-09-11 一种利用气相色谱仪测定mo源纯度的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110568102A true CN110568102A (zh) 2019-12-13

Family

ID=68779935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910868360.6A Pending CN110568102A (zh) 2019-09-11 2019-09-11 一种利用气相色谱仪测定mo源纯度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110568102A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115166075A (zh) * 2022-06-24 2022-10-11 南大光电半导体材料有限公司 Mo源中氯离子含量的检测方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900343B1 (en) * 1998-11-25 2005-05-31 Basell Polyolefine Gmbh Method for the purification of metallocenes
US20080081127A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Thompson David M Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
US20090136684A1 (en) * 2006-08-09 2009-05-28 David Walter Peters Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
CN102393437A (zh) * 2011-11-10 2012-03-28 深圳天祥质量技术服务有限公司 纺织品中有机锡的检测方法
CN103743839A (zh) * 2013-12-30 2014-04-23 西北工业大学 测定正辛基二茂铁及杂质含量的hplc方法
CN103852536A (zh) * 2014-03-26 2014-06-11 昆山洛丹伦生物科技有限公司 一种电子元器件塑料部件中有机锡的检测方法
CN106226454A (zh) * 2016-08-06 2016-12-14 青岛农业大学 一种测定三甲基镓中痕量氯离子的离子色谱方法
CN106573790A (zh) * 2014-08-21 2017-04-19 东曹精细化工株式会社 化学上稳定的烷基铝溶液、烷基铝水解组合物溶液、铝氧化物膜涂布形成用组合物、具有铝氧化物膜的物品、其制造方法、氧化铝薄膜的制造方法、钝化膜的制造方法、钝化膜、使用其的太阳能电池元件
RO132682A2 (ro) * 2016-12-07 2018-06-29 Incdo-Inoe 2000 - Filiala Institutul De Cercetări Pentru Instrumentaţie Analitică Metodă rapidă de determinare în ultraurme a compuşilor organometalici din probe de sol prin extracţie ultrasonică-headspace-microextracţie pe fază solidă şi gaz cromatografie cuplată cu spectrometriede masă () trofic: apă de suprafaţă, sol, aer, vegetaţie
CN110057934A (zh) * 2019-04-29 2019-07-26 浙江环境监测工程有限公司 一种用gc-ms检测土壤中二茂铁和二环戊二烯的方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900343B1 (en) * 1998-11-25 2005-05-31 Basell Polyolefine Gmbh Method for the purification of metallocenes
US20090136684A1 (en) * 2006-08-09 2009-05-28 David Walter Peters Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
US20080081127A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Thompson David M Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
CN102393437A (zh) * 2011-11-10 2012-03-28 深圳天祥质量技术服务有限公司 纺织品中有机锡的检测方法
CN103743839A (zh) * 2013-12-30 2014-04-23 西北工业大学 测定正辛基二茂铁及杂质含量的hplc方法
CN103852536A (zh) * 2014-03-26 2014-06-11 昆山洛丹伦生物科技有限公司 一种电子元器件塑料部件中有机锡的检测方法
CN106573790A (zh) * 2014-08-21 2017-04-19 东曹精细化工株式会社 化学上稳定的烷基铝溶液、烷基铝水解组合物溶液、铝氧化物膜涂布形成用组合物、具有铝氧化物膜的物品、其制造方法、氧化铝薄膜的制造方法、钝化膜的制造方法、钝化膜、使用其的太阳能电池元件
CN106226454A (zh) * 2016-08-06 2016-12-14 青岛农业大学 一种测定三甲基镓中痕量氯离子的离子色谱方法
RO132682A2 (ro) * 2016-12-07 2018-06-29 Incdo-Inoe 2000 - Filiala Institutul De Cercetări Pentru Instrumentaţie Analitică Metodă rapidă de determinare în ultraurme a compuşilor organometalici din probe de sol prin extracţie ultrasonică-headspace-microextracţie pe fază solidă şi gaz cromatografie cuplată cu spectrometriede masă () trofic: apă de suprafaţă, sol, aer, vegetaţie
CN110057934A (zh) * 2019-04-29 2019-07-26 浙江环境监测工程有限公司 一种用gc-ms检测土壤中二茂铁和二环戊二烯的方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
F. R. HARTLEY ET AL.: "Analysis of orgarnometallic compounds: gas chromatography", 《THE CHEMISTRY OF THE METAL-CARBON BOND》 *
孙明璐: "高纯三甲基铝中痕量氧杂质的NMR定量研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)工程科技Ⅰ辑》 *
阎圣刚 等: "三甲基镓、三乙基铝直接气相色谱分析方法的研究", 《低温与特气》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115166075A (zh) * 2022-06-24 2022-10-11 南大光电半导体材料有限公司 Mo源中氯离子含量的检测方法
CN115166075B (zh) * 2022-06-24 2024-02-27 南大光电半导体材料有限公司 Mo源中氯离子含量的检测方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Uchida et al. Two‐step formation of methane–propane mixed gas hydrates in a batch‐type reactor
Vallecillos et al. Fully automated ionic liquid-based headspace single drop microextraction coupled to GC–MS/MS to determine musk fragrances in environmental water samples
CN106001597B (zh) 一种元素分析仪中铜柱的回收方法
CN110568102A (zh) 一种利用气相色谱仪测定mo源纯度的方法
CN110642227A (zh) 一种砷烷的合成提纯方法
Chen et al. Monitoring solvent dynamics and ion associations in the formation of cubic octamer polyanion in tetramethylammonium silicate solutions
CN107632011B (zh) 一种高纯铋中杂质元素含量的测定方法
Henßge et al. Titrimetric determination of silicon dissolved in concentrated HF–HNO3-etching solutions
CN104744300A (zh) 液相色谱-质谱联用仪用乙腈的提纯方法
CN103253660A (zh) 一种超高氮掺杂的石墨烯的制备方法
CN102928452B (zh) 一种咪唑型离子液体阴离子氢键形成能力的测定方法
CN103911600A (zh) 一种制备InP薄膜材料的方法
CN113024595A (zh) 1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷基环丙沙星荧光探针及其在铁离子检测中的应用
Li et al. Studies on extracting microcystin-LR From Microcystis aeruginosa by water bath
Vergragt et al. Distortion of the triplet state of benzene in a borazole host. A study by microwave induced delayed phosphorescence at 1.2 K
Yun-Chang et al. Analysis of organic acid preservatives in glace fruits by high performance liquid chromatography combined with ionic liquid-based accelerated solvent extraction
Cheng et al. Raman Spectroscopy Characterization of Dissolved Polysilicon Byproduct SiCl 4 in Ionic Liquids
CN110749559A (zh) 一种铝及铝合金中低含量硅的快速检测方法
CN104190108A (zh) 一种固相萃取提取干燥装置
CN108333269A (zh) 一种联苯四甲酸二酐的纯度分析方法
JP2011196956A (ja) 分析方法
CN113893835B (zh) 空心锆基卟啉型金属有机骨架固相微萃取纤维的制备及应用
CN215505888U (zh) 实验室用高纯溶剂制备装置
Yu Synthesis and development progress of high purity arsine.
Shaverina et al. ICP-AES analysis of high-purity silicon

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191213

RJ01 Rejection of invention patent application after publication