CN110557954A - 用于将载体夹持到装置的布置 - Google Patents
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Abstract
提供一种用于在处理腔室中进行处理期间将载体固定或夹持到装置的布置。所述布置包括:第一夹持元件,所述第一夹持元件耦接到所述载体;和第二夹持元件,所述第二夹持元件耦接到所述装置。所述第一夹持元件和所述第二夹持元件被配置为可相对于彼此固定或夹持。所述布置进一步包括止挡元件,以用于在所述第一夹持元件和所述第二夹持元件中的一个故障时支撑所述载体。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于将载体固定或夹持到装置的布置,更具体地涉及在处理腔室中进行处理期间的对准装置。此外,本公开内容的实施方式涉及用于支撑基板或掩模的载体、用于在基板上沉积层的设备以及保持和对准布置。
背景技术
已知用于在基板上沉积材料的若干方法。作为一个示例,可以通过使用蒸发工艺、物理气相沉积(PVD)工艺(诸如溅射工艺、喷涂工艺等)或化学气相沉积(CVD)工艺来涂覆基板。可以在要涂覆的基板所在的沉积设备的处理腔室中执行工艺。沉积材料提供在处理腔室中。多种材料(诸如有机材料、分子、金属、氧化物、氮化物和碳化物)可以用于在基板上的沉积。此外,可以在处理腔室中进行其它工艺,如蚀刻、结构化、退火或类似工艺。
例如,对于大面积基板,例如在显示器制造技术中,可以考虑涂覆工艺。可以在若干应用和若干技术领域中使用涂覆基板。例如,一种应用可以是有机发光二极管(OLED)面板。另外的应用包括绝缘面板、微电子器件(诸如半导体器件)、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、滤色器或类似物。OLED是由(有机)分子薄膜组成的固态器件,所述固态器件通过施加电力来产生光。作为一个示例,与例如液晶显示器(LCD)相比,OLED显示器可以在电子装置上提供明亮显示并减少使用功率。在处理腔室中,产生(例如,蒸发、溅射或喷射等)有机分子并使有机分子在基板上沉积成层。材料可以例如穿过具有边界或特定图案的掩模,以在基板上的期望位置处沉积材料,例如以在基板上形成OLED图案。
与处理的基板、特别是沉积层的质量有关的方面是基板相对于掩模的对准。作为一个示例,对准应是准确的和稳定的,以便实现良好的工艺结果。因此,使用耦接到基板和/或掩模载体的装置来用于使基板相对于掩模对准。然而,用于对准基板和掩模的系统可能易受外部干扰,诸如振动。这种外部干扰可能在处理期间有损基板和掩模的对准,这造成处理的基板的质量降低,特别是可能有损沉积层的对准。因此,有益的是,用于使基板相对于掩模对准的装置可以以安全的方式固定到载体。
为了将对准装置固定到载体,载体可以例如通过分别存在于载体和装置的表面处的专用夹持元件的相互作用来夹持到装置。
鉴于上述,需要一种能够在载体与耦接到载体的装置之间提供改进的夹持动作的布置、载体和设备。
发明内容
鉴于上述,提供一种用于在处理腔室中进行处理期间将载体固定或夹持到装置的布置、用于支撑基板的载体、用于在基板上沉积层的布置,以及保持和对准布置。本公开内容的另外的方面、益处和特征从权利要求书、说明书和附图中清楚。
根据一个实施方式,提供一种用于在处理腔室中进行处理期间将载体固定或夹持到装置的布置。所述布置包括:第一夹持元件,所述第一夹持元件耦接到所述载体;第二夹持元件,所述第二夹持元件耦接到所述装置,所述第一夹持元件和所述第二夹持元件被配置为可相对于彼此固定或夹持;和止挡元件,所述止挡元件用于在所述第一夹持元件和所述第二夹持元件中的一个故障时支撑所述载体。
根据另一个实施方式,提供一种用于在真空腔室中支撑基板或掩模的载体。所述载体包括:夹持布置,所述夹持布置用于将所述载体固定或夹持到装置;和止挡元件,所述止挡元件用于在所述夹持布置故障时支撑所述载体。
根据另一个实施方式,提供一种用于在基板上沉积层的设备。所述设备包括:处理腔室,所述处理腔室适于在所述处理腔室中进行层沉积;根据本文所述的实施方式的布置,所述布置用于在所述处理腔室内的载体;和沉积源,所述沉积源用于在基板上沉积形成层的材料,其中所述载体被配置为承载所述基板或设置在所述基板与所述沉积源之间的掩模。
根据另一个实施方式,提供一种保持和对准布置。所述布置包括:夹持装置,所述夹持装置用于在处理腔室中进行处理期间支撑作为基板载体和/或掩模载体的载体;和对准装置,所述对准装置用于使所述基板载体相对于所述掩模载体移动,其中所述夹持装置至少包括耦接到所述基板载体或所述掩模载体的第一夹持元件和耦接到所述对准装置的第二夹持元件,所述第一夹持元件和第二夹持元件被配置为可相对于彼此固定或夹持,并且其中所述保持和对准布置进一步包括止挡元件,以用于在所述第一夹持元件和所述第二夹持元件中的一个故障时支撑所述载体。
附图说明
为了能够详细地理解本公开内容的上述特征所用方式,上面简要地概述的本公开内容的更特定的描述可以参考实施方式进行。附图涉及本公开内容的实施方式,并且描述于下:
图1是用于在基板上制造OLED的沉积工艺的示意图;
图2A示出了用于在处理腔室中的层沉积期间以竖直取向支撑基板和掩模的保持布置的示意性前视图;
图2B示出了图2A的保持布置的示意性侧视图;
图3示出了根据本公开内容的实施方式的用于将载体固定或夹持到装置的布置的示意图;
图4示出了根据本公开内容的实施方式的用于支撑基板或掩模的载体的示意表示;
图5示出了图4中所示的夹持布置的截面图;
图6示出了在脱离状况下根据本公开内容的实施方式的用于将载体固定或夹持到装置的布置的示意表示;
图7示出了在接合状况下图6的布置的示意表示;
图8A示出了根据本公开内容的实施方式的布置的示意表示,其中提到止挡元件;
图8B示出了在正常状况下图8A的布置的止挡元件的细节;
图8C示出了在滑移状况下图8A的布置的止挡元件的细节;
图9示出了在接合状况下根据本公开内容的另一个实施方式的用于将载体固定或夹持到装置的布置的示意表示;
图10示出了在接合状况下根据本公开内容的另一个实施方式的用于将载体固定或夹持到装置的布置的示意表示;
图11A示出了在接合状况下根据本公开内容的替代实施方式的用于将载体固定或夹持到装置的布置的示意表示;
图11B示出了在脱离状况下的图11A的布置的止挡元件的细节;
图11C示出了在接合状况下图11A的布置的止挡元件的细节;
图12示出了根据本公开内容的实施方式的用于在基板上沉积层的设备的示意表示;和
图13示出了根据本公开内容的实施方式的保持和对准布置的示意表示。
具体实施方式
现将详细地参考本公开内容的各种实施方式,这些实施方式的一个或多个示例示于图中。在以下对图的描述内,相同参考标记是指相同部件。仅描述了相对于单独的实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供,而不表示本公开内容的限制。此外,示出为或描述为一个实施方式的部分的特征可以在另外的实施方式上或结合另外的实施方式使用,以产生又一实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。
本文所述的实施方式可以用于检查例如用于制造的显示器的大面积涂覆基板。本文所述的设备和方法被配置用于的基板或基板接收区域可以是具有例如1m2或更大的大小的大面积基板。例如,大面积基板或载体可以是第4.5代(对应于约0.67m2基板(0.73×0.92m))、第5代(对应于约1.4m2基板(1.1m×1.3m))、第7.5代(对应于约4.29m2基板(1.95m×2.2m))、第8.5代(对应于约5.7m2基板(2.2m×2.5m))、或甚至第10代(对应于约8.7m2基板(2.85m×3.05m))。可以类似地实现甚至更高代(诸如第11代和第12代)以及对应的基板面积。例如,对于OLED显示器制造,可以通过用于蒸发材料的设备的蒸发来涂覆上述各代的基板(包括第6代)的一半大小。该代基板的一半大小可以产生于在全基板大小上进行的一些工艺、以及在先前处理的基板的半部上进行的后续工艺。
如本文所使用的术语“基板”应特别地涵盖基本上非柔性的基板,例如晶片、透明晶体(诸如蓝宝石或类似物)的切片、或玻璃板。然而,本公开内容不限于此,并且术语“基板”可以涵盖柔性基板,诸如卷材(web)或箔。术语“基本上非柔性”应理解为是为了区分于“柔性”。特别地,基本上非柔性的基板可以具有一定程度的柔性,例如具有0.5mm或更小的厚度的玻璃板,其中与柔性基板相比,基本上非柔性的基板的柔性小。
基板可以由适于材料沉积的任何材料制成。例如,基板可以由选自由以下项组成的组的材料制成:玻璃(例如,钙钠玻璃、硼硅玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料(compound material)、碳纤维材料或可通过沉积工艺涂覆的任何其它材料或材料组合。
图1示出了用于在基板10上制造OLED的沉积工艺的示意图,而图2A和2B示出了用于在处理腔室中进行层沉积期间在基板载体11上支撑基板10和在掩模载体21上支撑掩模20的保持布置40的示例,其中基板10和掩模20保持在基本上竖直的位置。
如图1所示,为了制造OLED,有机分子可以通过沉积源30提供(例如,蒸发)并沉积在基板10上。包括掩模20的掩模布置定位在基板10与沉积源30之间。掩模20具有特定图案,例如所述特定图案由多个开口或孔22提供,使得有机分子穿过开口或孔22(例如,沿着路径32)以在基板10上沉积图案化有机化合物层或膜。可以使用不同掩模或掩模20相对于基板10的位置在基板10上沉积多个层或膜,例如,以产生例如具有不同的颜色性质的像素。作为一个示例,可以沉积第一层或膜以产生红色像素34,可以沉积第二层或膜以产生绿色像素36,并且可以沉积第三层或膜以产生蓝色像素38。层或膜,例如有机材料,可以布置在两个电极之间,诸如阳极和阴极(未示出)。两个电极中的至少一个电极可以是透明的。
基板10和掩模20可以在沉积工艺期间布置在竖直取向上。在图1中,箭头指示竖直方向Y和水平方向X。如贯穿本公开内容所使用,术语“竖直方向”或“竖直取向”应理解为是为了区分于“水平方向”或“水平取向”。也就是说,“竖直方向”或“竖直取向”涉及例如保持布置和基板的基本上竖直的取向,其中与严格的竖直方向或竖直取向的几度偏差,例如高达10°或甚至高达15°,仍被视为“基本上竖直的方向”或“基本上竖直的取向”。竖直方向可以基本上平行于重力。
图2A示出了用于在处理腔室中进行层沉积期间支撑基板载体11和掩模载体21的保持布置40的示意图,该处理腔室可以用于根据本文所述的实施方式的布置和设备。图2B示出了图2A中所示的保持布置40的侧视图。
在竖直操作的工具上使用的对准系统可以从处理腔室外工作,即从大气侧工作。对准系统可以用例如延伸穿过处理腔室的壁的刚性臂连接到基板载体和掩模载体。对于在真空外的对准系统,掩模载体或掩模与基板载体或基板之间的机械路径很长,使得系统易受外部干扰(振动、加热等)和公差影响。
另外地或替代地,对准系统的致动器可以包括在真空腔室内。因此,可以减小刚性臂的长度。例如,可机械地接触基板载体和掩模载体的致动器可以至少部分地提供在用于掩模载体的轨道与用于基板载体的轨道之间。
保持布置40可以包括可连接到基板载体11和掩模载体21中的至少一个的两个或更多个对准致动器,其中保持布置40被配置为在第一平面中或平行于第一平面支撑基板载体11,其中两个或更多个对准致动器中的第一对准致动器41可以被配置为使基板载体11和所述掩模载体21至少在第一方向Y上相对于彼此移动,其中所述两个或更多个对准致动器中的第二对准致动器42可以被配置为使基板载体11和掩模载体21至少在第一方向Y和不同于第一方向Y的第二方向X上相对于彼此移动,并且其中第一方向Y和第二方向X在第一平面上。两个或更多个对准致动器也可以被称为“对准块”。因此,对准块或对准致动器可以改变基板10和掩模20相对于彼此的位置。例如,对准块可以由固定到基板载体11或掩模载体21的第一元件和固定到设有一个或多个致动器的对准装置的第二元件构成。第一元件可以通过相互作用(即机械、磁性、电磁等)夹持到第二元件。
如图2B所示,掩模20可以附接到掩模载体21,并且保持布置40被配置为用于在基本上竖直的取向上支撑基板载体11和掩模载体21中的至少一个,特别是基板载体11和掩模载体21两者,尤其是在层沉积期间。沉积根据图2B中所示的箭头沿着Z方向发生。
通过使用两个或更多个对准致动器使基板载体11和掩模载体21至少在第一方向Y和第二方向X上相对于彼此移动,基板载体11可以相对于掩模载体21或掩模20对准,沉积层的质量可以得到改进。
为了执行掩模20相对于基板10的位置的调整,通过对准块的致动,还可以执行光学检查,以便检查相对于正确对准的可能变化或偏差。
图3描述了用于将载体51固定或夹持到装置52的布置50。布置50包括耦接到载体51的第一夹持元件53和耦接到装置52的第二夹持元件54。根据可与本文所述的其它实施方式组合的本文所述的实施方式,第一夹持元件可以是以下中的一个:载体的一部分、附接到载体的夹持元件、与载体一体地形成的夹持元件,以及载体的表面。另外地或替代地,根据可与本文所述的其它实施方式组合的本文所述的实施方式,第二夹持元件可以是以下中的一个:装置的一部分、附接到装置的夹持元件、与装置一体地形成的夹持元件、以及装置的表面。第一夹持元件53和第二夹持元件54被配置为可彼此固定。为此目的,一旦装置52被夹持到载体51上,第一夹持元件53的表面的一部分就与第二夹持元件54的表面的一部分接触。为了在第一夹持元件53和第二夹持元件54中的一个的故障时支撑载体51,布置50还包括止挡元件55。应注意,载体51可以被配置为承载基板10或掩模20,如图2B中所示的基板载体11或掩模载体21一样。
以这种方式,根据本公开内容的布置50在载体51与装置52之间提供改进的夹持。有利地,装置52可以是对准装置,所述对准装置可以固定到载体51以进行基板10和掩模20的相对移动。当例如载体51被配置为在基本上竖直的位置承载基板10和/或掩模20时,这种改进的夹持可以是有益地有用的。实际上,在通过夹持元件53、54的相互作用将装置52固定到载体51之后,止挡元件55可以防止或减少装置相对于基板10的可能随时间而发生的漂移移动。
图4示出了根据本公开内容的实施方式的用于支撑基板和/或掩模的载体51。载体51包括用于将载体51固定到装置52的夹持布置。夹持布置包括耦接到载体51的第一夹持部分501和耦接到装置52的第二夹持部分502(在图中未示出)。第一夹持部分501可固定或可夹持到第二夹持部分502。特别地,图4示出了具有矩形形状的载体51,所述载体51具有位于四个角部处或四个角部附近的四个第一夹持部分501。待固定到载体51的装置52可以具有四个第二夹持部分502,四个第二夹持部分502可以耦接到载体51上的对应第一夹持部分501。或者,各自具有至少第二夹持部分502的四个装置52可以通过将每个第二夹持部分502耦接到载体51上存在的对应第一夹持部分501来固定到载体51。根据替代配置,各自具有两个第二夹持部分502的两个装置52可以成对地固定到载体51上存在的两个第一夹持部分501。
图5示出了图4的第一夹持部分501沿着A-A线的剖视图。第一夹持部分501包括第一夹持元件53,第一夹持元件53具有可与第二夹持元件54(在图中未示出)接触的外表面531和与载体51或与成角度的定位元件56(诸如铰链)接触的内表面532。提供连接构件57,以用于将第一夹持元件53固定到所述成角度的定位元件56和/或载体51。第一夹持元件53可以包括磁性可吸引材料,即磁板。包括在第二夹持部分处的磁体,诸如永磁体、电磁体或电永磁体,可以连接到磁板,例如磁性材料的板。
图6描述了在脱离状况下根据本公开内容的布置50的运行。通过使第一夹持元件53的外表面531相对于第二夹持元件54的表面541移动,载体51上存在的第一夹持部分501可与装置52上存在的第二夹持部分502接合或脱离。图6中的双箭头描述了这种移动。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,止挡元件55包括至少一个突起和对应凹陷,突起可与凹陷接合或可插入凹陷中。突起与凹陷的接合确保第一夹持元件53几乎在相同位置处保持固定到第二夹持元件54。实际上,突起和凹陷用作能够减少或避免可能随时间而发生的夹持元件之间的相对滑移移动的硬止挡元件。
特别地,如图5和图6所示,突起可以是销551,并且凹陷可以是空腔552,使得销551可以插入空腔552中或从空腔552抽出。
特别地,根据本公开内容的一个实施方式,销551可连接到载体51或是载体51的一部分,并且空腔552是第二夹持元件54的一部分。
图6和图7描述了第一夹持元件53(或第一夹持部分501)可通过使第一夹持元件53的外表面531与第二夹持元件54的外表面541接触来固定或夹持到第二夹持元件54(或第二夹持部分502)。第一夹持元件53可以通过对应的外表面531、541的相互作用(即机械、磁性、电磁等)夹持到第二夹持元件54。
例如,通过将销551插入对应空腔552中来执行附加的固定或夹持动作。以这种方式,装置52牢固地固定到载体51上。止挡元件55,并且特别是与空腔552耦接的销551,可以减少或防止可能随时间而出现的关于例如因漂移移动而造成的两个夹持元件53、54之间的相互夹持作用的可能问题。
如图4和图5所示,第一夹持元件53具有平坦表面并可以由固定到载体51的板(例如磁板)构成。止挡元件55可以包括位于第一夹持元件53的相对侧的两个销551,其中每个销551可插入对应空腔552中。两个销551被定向成从载体延伸,例如沿着载体51的主表面的竖直线。以这种方式,第一夹持元件53和第二夹持元件54之间的连接得到进一步改进。在替代配置中,销551可以根据相对于第一夹持元件53的不同取向来布置。
根据本公开内容的实施方式,载体可以被夹持到例如对准致动器的装置。例如,实施方式包括耦接到载体的第一夹持元件和耦接到装置的第二夹持元件,第一夹持元件和第二夹持元件被配置为可相对于彼此固定或夹持。提供止挡元件。止挡元件在第一夹持元件和第二夹持元件中的一个故障时支撑载体。例如,如果载体将会滑移,即第一夹持元件和第二夹持元件相对于彼此滑移,例如无意中移动,止挡元件支撑载体或抓住载体。作为另一个示例,如果夹持元件中的一个将会发生故障,那么止挡元件支撑载体或抓住载体。
根据本文所述的实施方式,止挡元件或止挡元件的部件可以位于夹持元件中的一个或两个处。例如,止挡元件可以耦接到一个或两个夹持元件,或与一个或两个夹持元件一体地形成。根据本文所述的实施方式,止挡元件或止挡元件的部件可以在载体和/或装置处。例如,止挡元件可以耦接到载体和/或装置,或与载体和/或装置一体地形成。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的实施方式,止挡元件可以由突起以及载体和装置中的一个还有在载体和装置的对应其它实体处的凹陷形成。此外,另外地或替代地,止挡元件可以由突起以及载体和装置形成。可以通过第二夹持元件提供用于将载体固定或夹持到装置的布置,第二夹持元件包括与第一夹持元件的突起重叠的另一个突起。
图8A示出了在接合状况下的布置50。因此,第二夹持元件54与第一夹持元件53接触。销551插入空腔552中。图8B和图8C示出了在销551不触及空腔552的任何内表面时的正常状况(图8B)下和在销551触及空腔552的内表面时的滑移状况(图8C)下的销551与空腔552之间的相互作用的细节。销与空腔之间的相互作用减少可能发生的移动。例如,在磁体故障期间,载体可能滑移,特别是对于竖直地取向的基板来说。销与空腔的相互作用防止载体彻底掉落。作为可与其它实施方式组合的又一个任选修改,由于台阶或钩的存在,可以防止销551在滑移状况下被从空腔552中拉出。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,销551具有宽度,并且空腔552具有边缘,例如,内边缘或壁,以形成另一个宽度。空腔552的另一个宽度可以大于销551的宽度。因此,如图8B所示,一旦将销551插入空腔552中,在销551与所述空腔552的边缘之间形成间隙553。特别地,间隙553可以范围在1mm和2mm之间,优选地约为1.5mm。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,销551具有圆形直径(或诸如矩形或多边形的另一形状的尺寸),并且空腔552具有形成另一个圆形直径(或诸如矩形或多边形的另一个形状的另一个尺寸)的边缘或壁。特别地,销551的圆形直径或尺寸范围在8mm和12mm之间,优选地约10mm。空腔552的另一个圆形直径或另一个尺寸的直径范围在9.5mm和13.5mm之间,优选地约为11.5mm。基于必要性,销551和空腔552的轮廓可以具有不同的形状和大小。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,空腔552可以具有范围在4mm和6mm之间的深度,优选地为5mm。
应注意,销551和空腔552的这些尺寸被认为是优选的范围值,使得止挡元件55可以在第一夹持元件53或第二夹持元件54中的至少一个故障时支撑载体51。这是例如考虑到载体51可以在基本上竖直的位置承载基板10(或掩模20)提供的,基板10具有上述尺寸。
根据本公开内容的一些实施方式,销551可以连接到第一夹持元件53,或可以是第一夹持元件53的一部分,和/或空腔552可以是第二夹持元件54的一部分。这在图9中示出,图9描述了在接合状况下的布置50。
根据图10中所示的本公开内容的布置50的另一个替代实施方式,突起,例如销551,可以连接到第二夹持元件54,或可以是第二夹持元件54的一部分,并且凹陷,例如空腔552,可以是第一夹持元件53的一部分。
在这些类型的配置下,两个相对的销551可以彼此更靠近地定位,并且可有利于第一夹持元件53和第二夹持元件54之间的更强的连接。
图11A示出了根据本公开内容的布置50的另一个实施方式。止挡元件55可以至少包括形成在第一夹持元件53中的第一硬止挡边缘554和形成在第二夹持元件54中的对应第二硬止挡边缘555。第一硬止挡边缘554可与第二夹持元件54的一部分接合,或与第二夹持元件54的一部分接合。第二硬止挡边缘555可与第一夹持元件53的一部分接合,或与第一夹持元件53的一部分接合。
图11B详细地描述了当第一夹持元件53和第二夹持元件54远离彼此移动时的脱离状况。图11C描述了当第一夹持元件53和第二夹持元件54靠近彼此移动时的接合状况。硬止挡边缘554、555可以被配置为第一夹持元件53和第二夹持元件54的外表面531和541的上突起或下突起。为了实现接合,如果第一夹持元件53的硬止挡边缘554由第一夹持元件53的外表面531的上突起形成,那么第二夹持元件54的硬止挡边缘555由第二夹持元件54的外表面541的对应下突起形成,反之亦然。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,载体被配置为在基本上竖直的位置承载基板10或掩模20。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,第一夹持元件53可以包括磁性可吸引材料,即磁板,第二夹持元件54可以包括电永磁体元件。以这种方式,两个夹持元件53、54之间的夹持动作以及因此载体51与装置52之间的固定得到进一步改进。
特别地,电永磁体元件可以通过施加电流在磁化状态和非磁化状态之间切换,其中电永磁体元件被配置为在去除电流之后保持在磁化状态或非磁化状态。
根据一个实施方式,电永磁体元件可以包括夹持磁体组件,所述夹持磁体组件包括夹持磁体和控制磁体组件,所述控制磁体组件包括至少一个控制磁体和至少一个线圈。特别地,一个线圈基本上可以包围控制磁体组件的一个控制磁体,并且被配置为切换一个控制磁体的极性。电永磁体元件可以至少包括由稀土金属,特别是钕合金制成的永磁体。
图12描述了用于在基板10上沉积层的设备60。该布置包括适于层沉积的处理腔室61和根据上述任何实施方式的布置50。布置50可以用于在处理腔室61中进行处理期间将载体51固定或夹持到装置52。所述设备此外包括用于在基板10上沉积形成层的材料的沉积源30。具体地,载体可以被配置为承载基板10或设置在基板10与沉积源30之间的掩模20。作为示例,在图12的设备中,载体51被配置为承载基板10,如图2B的基板载体11一样。
在设备60中使用布置50有益于以稳定和更永久的方式将装置52固定到载体51。装置52可以是例如用于使载体12相对于掩模20移动的对准装置,以便使掩模图案相对于待处理的基板10的表面确切地对准。例如,所述装置可以连接到基板载体51和掩模载体。有利地,布置50用于夹持装置52和用于随时间而保持夹持而不会在处理腔室61内发生故障,例如在基板10进行处理(即,层沉积)期间。
图13示出了根据本公开内容的保持和对准布置70。布置70包括夹持装置58,以用于在处理腔室中进行处理期间支撑基板载体51和/或掩模载体21。图13的布置70示出了支撑基板载体51的夹持装置58。布置70此外包括用于使基板载体51相对于掩模载体21移动的对准装置52。特定地,夹持装置58至少包括耦接到基板载体51或掩模载体21的第一夹持元件53和耦接到对准装置52的第二夹持元件54。第一夹持元件53和第二夹持元件54被配置为可相对于彼此固定或夹持。夹持装置58包括止挡元件55,以在第一夹持元件53和第二夹持元件54中的一个故障时支撑载体51。根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式,保持和对准布置可以包括将基板载体耦接到对准装置的第一夹持装置(参见图13中的附图标记58)和将掩模载体耦接到对准装置的第二夹持装置(图13中未示出)。可以根据本文所述的实施方式和/或与第一夹持装置类似地提供第二夹持装置。
止挡元件55改进夹持装置58的夹持动作,因为它们可以防止第一夹持元件53和第二夹持元件54之间的可能随时间因装置52相对于载体51的漂移移动而发生的滑移。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,对准装置52可以被配置为被固定或夹持到基板载体51和掩模载体21。因此,夹持装置58可以包括专用止挡元件55以用于在对应夹持元件故障时支撑基板载体51和掩模载体21两者。
对准装置52可以包括作用在基板载体51和/或掩模载体21上的一个或多个致动器,以执行基板10相对于掩模20的移动。致动器可以是装置52的整体部分或可以是通过合适的连接手段连接到装置52的单独部件。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的本公开内容的一些实施方式,第一夹持元件53可以耦接到铰链元件。因此,对准装置52可以在不同方向上(即,沿着在由载体51限定的平面(例如,图2A中的XY平面)中或平行于该平面的线性方向、沿着垂直于该平面(例如图2B中的z方向)和/或在围绕垂直于所述平面的轴线的成角度的方向上)移动载体51。
在销551与空腔552(或突起与凹槽)之间的间隙553的存在也可以用于允许载体51的在不同方向上的微调运动,即使在第一夹持元件53已经固定到第二夹持元件53之后也是如此。例如,间隙553可以允许载体51的围绕垂直于由载体51限定的平面的轴线的成角度的移动。
根据本发明的实施方式具有若干优点,包括改进装置52与载体51之间的夹持动作的可能性。特别地,这些实施方式具有防止夹持元件53、54之间可能随时间而发生滑移的优点,尤其在载体51被配置为在基本上竖直的位置承载基板10或掩模20时。此外,根据本公开内容的实施方式具有允许在若干不同方向上微调载体51的位置的优点。
虽然前述针对的是本公开内容的实施方式,但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下,可以设计本公开内容的其它和进一步实施方式,并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。
Claims (17)
1.一种用于在处理腔室中进行处理期间将载体固定或夹持到装置的布置,所述布置包括:
第一夹持元件,所述第一夹持元件耦接到所述载体;
第二夹持元件,所述第二夹持元件耦接到所述装置,所述第一夹持元件和所述第二夹持元件被配置为可相对于彼此固定或夹持;和
止挡元件,所述止挡元件用于在所述第一夹持元件和所述第二夹持元件中的一个故障时支撑所述载体。
2.根据权利要求1所述的布置,其中所述止挡元件包括以下中的至少一个:至少一个突起和至少一个销。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的布置,其中所述止挡元件包括以下中的至少一个:至少一个凹陷和至少一个空腔。
4.根据权利要求3所述的布置,其中所述突起可插入所述凹陷中,或者其中所述销可插入所述空腔中。
5.根据权利要求2所述的布置,其中所述突起或所述销可连接到所述载体或所述第一夹持元件,或是所述载体或所述第一夹持元件的一部分。
6.根据权利要求2至4中任一项所述的布置,其中所述第二夹持元件包括与所述第一夹持元件的所述突起重叠的另一个突起。
7.根据权利要求3所述的布置,其中所述销可连接到所述第二夹持元件,或是所述第二夹持元件的一部分。
8.根据权利要求3至4中任一项所述的布置,其中所述销具有宽度,并且所述空腔具有形成比所述宽度大的另一个宽度的边缘或壁。
9.根据权利要求3至4中任一项所述的布置,其中在将所述销插入所述空腔中时,在所述销与所述空腔之间形成间隙,特别是在1mm与2mm之间、特别是约1.5mm的间隙。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的布置,其中间隙设置在所述载体与所述装置之间,所述间隙在1mm至2mm之间,特别是约1.5mm。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的布置,其中所述止挡元件至少包括第一硬止挡边缘和第二硬止挡边缘,所述第一硬止挡边缘可与所述第二硬止挡边缘接合。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的布置,其中所述载体被配置为在基本上竖直的位置承载基板或掩模。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的布置,其中所述第一夹持元件包括磁板,并且所述第二夹持元件包括电永磁体。
14.一种用于在真空腔室中支撑基板或掩模的载体,所述载体包括:
夹持装置,所述夹持装置用于将所述载体固定或夹持到装置;和
止挡元件,所述止挡元件用于在所述夹持布置故障时支撑所述载体。
15.一种用于在基板上沉积层的设备,所述设备包括:
处理腔室,所述处理腔室适于在所述处理腔室中进行层沉积;
根据权利要求1至13中任一项的布置,所述布置用于在所述处理腔室内的载体,和
沉积源,所述沉积源用于在所述基板上沉积形成层的材料,其中所述载体被配置为承载所述基板或设置在所述基板与所述沉积源之间的掩模。
16.一种保持和对准布置,所述保持和对准布置包括:
夹持装置,所述夹持装置用于在处理腔室中进行处理期间支撑作为基板载体和/或掩模载体的载体,和
对准装置,所述对准装置用于使所述基板载体相对于所述掩模载体移动,其中所述夹持装置至少包括耦接到所述基板载体或所述掩模载体的第一夹持元件和耦接到所述对准装置的第二夹持元件,所述第一夹持元件和第二夹持元件被配置为可相对于彼此固定或夹持,并且其中所述保持和对准布置进一步包括止挡元件,以用于在所述第一夹持元件和所述第二夹持元件中的一个故障时支撑所述载体。
17.根据权利要求16所述的布置,所述保持和对准布置进一步包括铰链元件,所述铰链元件耦接到所述第一夹持元件。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1421937A (zh) * | 2001-11-26 | 2003-06-04 | 伊斯曼柯达公司 | 提供生产有机发光二极管装置的结合掩模的定位掩模部分 |
CN1800436A (zh) * | 2005-01-05 | 2006-07-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于对准托盘和托盘固定器的装置 |
CN103154304A (zh) * | 2010-09-30 | 2013-06-12 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置 |
WO2016080235A1 (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | シャープ株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
CN107109621A (zh) * | 2015-01-12 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 用于在处理腔室中的层沉积期间支撑基板载体和掩模载体的固持布置、用于在基板上沉积层的设备、以及用于对准支撑基板的基板载体与掩模载体的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4364196B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2009-11-11 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | トレイ用整列システム |
US20170342541A1 (en) * | 2014-12-10 | 2017-11-30 | Applied Materials, Inc. | Mask arrangement for masking a substrate in a processing chamber |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1421937A (zh) * | 2001-11-26 | 2003-06-04 | 伊斯曼柯达公司 | 提供生产有机发光二极管装置的结合掩模的定位掩模部分 |
CN1800436A (zh) * | 2005-01-05 | 2006-07-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于对准托盘和托盘固定器的装置 |
CN103154304A (zh) * | 2010-09-30 | 2013-06-12 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置 |
WO2016080235A1 (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | シャープ株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
CN107109621A (zh) * | 2015-01-12 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 用于在处理腔室中的层沉积期间支撑基板载体和掩模载体的固持布置、用于在基板上沉积层的设备、以及用于对准支撑基板的基板载体与掩模载体的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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