CN110556465B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110556465B
CN110556465B CN201910466750.0A CN201910466750A CN110556465B CN 110556465 B CN110556465 B CN 110556465B CN 201910466750 A CN201910466750 A CN 201910466750A CN 110556465 B CN110556465 B CN 110556465B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
phosphor
emitting device
fluorescent member
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910466750.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110556465A (zh
Inventor
岩浅真规子
藤尾多茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2019095441A external-priority patent/JP7116321B2/ja
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of CN110556465A publication Critical patent/CN110556465A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110556465B publication Critical patent/CN110556465B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
    • A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
    • A61L2/08—Radiation
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
    • A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
    • A61L2/08—Radiation
    • A61L2/084—Visible light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
    • A61L2202/00—Aspects relating to methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects
    • A61L2202/10—Apparatus features
    • A61L2202/11—Apparatus for generating biocidal substances, e.g. vaporisers, UV lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供发光装置，具有除菌效果且具有高的显色性。发光装置具备：在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件；和包含由来自所述发光元件的光激发而发光的至少一种荧光体的荧光构件，基于所述发光元件的光和所述荧光体的光的混色光的相关色温在遵循JIS Z8725的测定下是2000K以上且7500K以下，在所述发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为15％以上，由式(1)定义的比率a是0.9以上且1.6以下。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
作为发光二极管(Light emitting diode，以下也记载为“LED”)那样的发光元件，已知使用发出蓝色光的发光元件、和由来自发光元件的光激发而发出黄色光的荧光体来发出白色系的混色光的发光装置。这样的发光装置的380nm以上且780nm以下的人的可见光区域中的辐射强度强，发光效率高，但有时不能充分获得蓝绿色区域以及红色区域中的辐射强度。因此，在照射物的视觉表现(以下称作“显色性”)上存在改良的余地。
在此，光源的显色性的评价程序被确定为以下：根据JIS Z8726，用试验光源和基准光源分别对具有给定的反射率特性的试验色(R1到R15)进行测色，对该情况下的色差ΔEi(i是1到15的整数)进行数值计算来算出显色评价数，由此进行光源的显色性的评价。显色评价数Ri(i是1到15的整数)的上限是100。即，试验光源和与其对应的色温的基准光源的色差越小，则显色评价数就越接近100地变高。在显色评价数当中，R1到R8的平均值被称作平均显色评价数(以下也记载为Ra)，R9到R15被称作特殊显色评价数。关于特殊显色评价数，R9被设为红色，R10被设为黄色，R11被设为绿色，R12被设为蓝色，R13被设为西方人的肤色，R14被设为树叶的颜色，R15被设为日本人的肤色。为了提高显色性，例如在专利文献1中提出了一种发光装置，该发光装置除了使用从绿色发出黄色光的荧光体以外，还使用发出红色光的荧光体。
发光装置根据要使用的场所不同，有时会辐射具有杀菌效果的光来谋求在使用环境中减少菌数的除菌效果。例如，已知：一般，细菌的DNA(脱氧核糖核酸)的光的吸收光谱在260nm波长附近存在吸收段，300nm以下的紫外线辐射具有杀菌效果。但是，还已知：300nm以下的紫外线对人和动物的DNA也会带来影响。还已知：根据细菌的种类，通过可见区域即380nm以上且420nm以下的波长范围内的紫色区域的光也可减少菌数，具有除菌效果。由于可见区域的光给人和动物带来的影响比300nm以下的波长范围的紫外线区域的光少，是安全的，因此正在尝试利用380nm以上且420nm以下的波长范围内的光来抑制菌的增殖。
例如，在专利文献2中提出一种表面杀菌方法，通过照射在400nm到410nm的波长范围内具有光强度的极大值的光(近紫外光)，从而在不给人体带来不良影响的情况下进行杀菌。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2008-34188号公报
专利文献2：JP特开2010-207278号公报
但是，在使用放出具有除菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围内的光的发光元件的情况下，与在发出白色系的混色光的发光装置中所使用的例如在450nm附近具有发光峰值波长的发光元件相比，紫色区域的辐射强度会变大，不能充分得到蓝色区域的辐射强度，显色性需要进一步进行改良。
发明内容
因此，本发明的一个方案的目的在于，提供具有除菌效果且具有在人的视觉环境中也能舒适使用的高的显色性的发光装置。
本发明包含以下的方案。
本发明的第一方案是一种发光装置，具备：在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件；和包含由来自所述发光元件的光激发而发光的至少一种荧光体的荧光构件，基于所述发光元件的光和所述荧光体的光的混色光的相关色温在遵循JISZ8725的测定下是2000K以上且7500K以下，在所述发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为15％以上，由以下的式(1)定义的比率a处于0.9以上且1.6以下的范围内。
【数学表达式1】
比率
(式(1)中，BS是所述发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围内的最大发光强度，GS是485nm以上且548nm以下的波长范围内的最大发光强度，式(1)的分母是所述GS相对于所述BS的比，式(1)中，BL是所述发光装置的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围内的最大发光强度，GL是485nm以上且548nm以下的波长范围内的最大发光强度，式(1)的分子是所述GL相对于所述BL的比。)
发明效果
根据本发明，能提供具有除菌效果且具有在人的视觉环境中也能舒适使用的高的显色性的发光装置。
附图说明
图1是表示发光装置的一例的概略截面图。
图2是表示发光装置的第二例的概略截面图。
图3是表示发光装置的第三例的概略截面图。
图4是表示发光装置的第四例的概略截面图。
图5是表示发光装置的第五例的概略截面图。
图6是表示发光装置的第六例的概略截面图。
图7是表示发光装置的第七例的概略截面图。
图8是绘制出根据从实施例1到10以及比较例1到3的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a和平均显色评价数Ra的图。
图9是绘制出根据从实施例1到10以及比较例1到3的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计和平均显色评价数Ra的图。
图10是绘制出从1减去根据从实施例1到10以及比较例1到3的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a后的值的绝对值A和平均显色评价数Ra的图。
图11是绘制出从1减去根据从实施例1、6、9以及比较例1到3的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a后的值的绝对值A和平均显色评价数Ra的图。
图12是绘制出从3减去根据从实施例1到10以及比较例1到3的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B和平均显色评价数Ra的图。
图13是绘制出从3减去根据从实施例1、6、9以及比较例1到3的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B和平均显色评价数Ra的图。
图14是表示相关色温为3500K附近的实施例1到3以及比较例1到3的发光装置的发光光谱和相关色温为3500K的基准光源(完全辐射体)的发光光谱的图。
图15是表示相关色温为3500K附近的实施例4到10的发光装置的发光光谱和相关色温为3500K的基准光源(完全辐射体)的发光光谱的图。
图16是绘制出根据从实施例11以及比较例4到5的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a和平均显色评价数Ra的图。
图17是绘制出根据从实施例11以及比较例4到5的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计和平均显色评价数Ra的图。
图18是表示相关色温为4000K附近的实施例11以及比较例4、5的发光装置的发光光谱和相关色温为4000K的基准光源(完全辐射体)的发光光谱的图。
图19是绘制出根据从实施例12以及比较例6到7的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a和平均显色评价数Ra的图。
图20是绘制出根据从实施例12以及比较例6到7的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计和平均显色评价数Ra的图。
图21是表示相关色温为6500K附近的实施例12以及比较例6、7的发光装置的发光光谱和相关色温为6500K的基准光源(CIE日光)的发光光谱的图。
图22是绘制出根据从实施例13到14以及比较例8到9的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a和平均显色评价数Ra的图。
图23是绘制出根据从实施例13到14以及比较例8到9的各发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计和平均显色评价数Ra的图。
图24是表示相关色温为2700K附近的实施例13、14以及比较例8、9的发光装置的发光光谱和相关色温为2700K的基准光源(完全辐射体)的发光光谱的图。
附图标记说明
10 发光元件
40 成形体
50、51、52 荧光构件
70、71、72 荧光体
80 反射构件
90密封构件
100、200、300、400、500、600、700 发光装置
具体实施方式
以下，基于一个实施方式来说明本发明所涉及的发光装置。其中，以下所示的实施方式是用于将本发明的技术思想具体化的例示，本发明并不限定于以下的发光装置。另外，颜色名称与色度坐标的关系、光的波长范围与单色光的颜色名称的关系等遵循JIS Z8110。
发光装置具备：在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件；和包含由来自所述发光元件的光激发而发光的至少一种荧光体的荧光构件，基于所述发光元件的光和所述荧光体的光的混色光的相关色温(correlated color temperature，以下有时记载为“Tcp”)在遵循JIS Z8725的测定下是2000K以上且7500K以下，在所述发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例是15％以上，由以下的式(1)定义的比率a是0.9以上且1.6以下。
【数学表达式2】
比率
(式(1)中，BS是所述发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围内的最大发光强度，GS是485nm以上且548nm以下的波长范围内的最大发光强度，式(1)的分母是所述GS相对于所述BS的比GS/BS。式(1)中，BL是所述发光装置的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围内的最大发光强度，GL是485nm以上且548nm以下的波长范围内的最大发光强度，式(1)的分子是所述GL相对于所述BL的比GL/BL。)
基于附图来说明本发明的一个实施方式的发光装置的一例。图1是表示发光装置100的概略截面图。
发光装置100如图1所示那样具备：在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件10；和包含由来自发光元件10的光激发而发光的至少一种荧光体70的荧光构件50。
发光装置100例如具备成形体40、发光元件10和荧光构件50。成形体40将第一引线20以及第二引线30、和包含热可塑性树脂或热固化性树脂的树脂部42一体成形而成。成形体40形成具有底面和侧面的凹部，在凹部的底面载置发光元件10。发光元件10具有一对正负的电极，该一对正负的电极分别经由金属线60与第一引线20以及第二引线30分别电连接。发光元件10由荧光构件50被覆。荧光构件50包含对来自发光元件10的光进行波长变换的荧光体70和密封材料。荧光体70由来自发光元件的光激发，并在特定的波长范围具有至少一个发光峰值波长，且可以包含发光峰值波长的波长范围不同的2种以上的荧光体。与发光元件10的正负一对电极连接的第一引线20以及第二引线30向构成发光装置100的封装的外侧露出第一引线20以及第二引线30的一部分。能经由这些第一引线20以及第二引线30从外部接受电力的提供而使发光装置100发光。
发光装置中所使用的荧光构件50优选包含荧光体70以及密封材料。密封材料能使用从热可塑性树脂以及热固化性树脂中选出的树脂。若考虑制造的容易度，则用作密封材料的树脂例如可举出硅酮树脂、环氧树脂。荧光构件除了荧光体70以及密封材料以外，还可以包含填料、光稳定剂、着色剂等其他成分。作为填料，例如能举出二氧化硅、钛酸钡、氧化钛、氧化铝等。荧光构件中的荧光体以及密封材料以外的其他成分的含有量能基于设为目标的发光装置的大小、相关色温、色调在适合范围进行设定。例如，荧光构件中的荧光体以及密封材料以外的其他成分的含有量能相对于密封材料100质量份设为0.01质量份以上且20质量份以下。
发光元件10被用作激发光源。发光元件10在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长。发光元件10的发光峰值波长的范围优选处于385nm以上且415nm以下的范围内，更优选处于390nm以上且410nm以下的范围内，进一步优选处于400nm以上且410nm以下的范围内。发光元件10若是在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件，就能提供如下那样的发光装置：从发光装置辐射对环境气氛中的细菌具有杀菌效果的波长范围的光，减少环境气氛中的细菌的菌数，从而具有除菌效果。在本说明书中，所谓“除菌”是指对成为对象的环境气氛中的细菌进行杀菌，减少菌数。发光元件10的发光光谱的半值宽度例如可以是30nm以下，也可以是25nm以下，还可以是20nm以下。半值宽度是指发光光谱中的发光峰值的半值全宽(Full Width at Half Maximum：FWHM)，是指示出各发光光谱中的发光峰值的最大值的50％的值的发光峰值的波长宽度。发光元件10例如优选是使用氮化物系半导体(InxAlYGa1-X-YN，0≤X，0≤Y，X+Y≤1)的半导体发光元件。通过使用半导体发光元件作为发光元件，能得到高效率且相对于输入的线性高并且耐机械性冲击也强的稳定的发光装置。在不足380nm的范围具有发光峰值波长的发光元件虽然杀菌效果变高，但也会对人和动物带来影响，显色性也会降低，因而并不优选。在超过420nm的范围具有发光峰值波长的发光元件由于杀菌效果变低，除菌效果变低，因此并不优选。
发光装置的基于从发光元件辐射的光和来自荧光体的光的混色光的相关色温在遵循JIS Z8725的测定下处于2000K以上且7500K以下的范围内。在JIS Z9112下，关于发光装置的光源色与相关色温的范围的关系，将2600K到3250K定义为灯泡色，将3250K到3800K定义为暖白色，将3800K到4500K定义为白色，将4600K到5500K定义为昼白色，将5700K到7100K定义为日光色。若发光装置的相关色温为2000K以上且7500K以下的范围，就能成为发出由JIS Z9112定义的灯泡色、暖白色、白色、昼白色、日光色的光源色的光的发光装置。从发光装置发出的混色光的相关色温可以处于2700K以上且7000K以下的范围内，也可以处于2700K以上且6500K以下的范围内。
在发光装置中，在发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为15％以上。在发光装置的光谱分布中，若相对于380nm以上且780nm以下的积分值100％，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为15％以上，就具有15％以上的从发光装置发出的混色光当中具有杀菌效果的波长范围的光成分，能提高发光装置的除菌效果。虽然从发光装置发出的混色光当中具有杀菌效果的波长范围的光成分多的话对除菌有效，但若具有杀菌效果的波长范围的光成分过多，则从人的标准相对可见度(标准分光可见效率)的峰值偏离的发光就会变多，因此发光效率会降低。在发光装置中，在发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例从除菌效果的观点出发优选16％以上，更优选17％以上，从发光效率的观点出发，优选50％以下，更优选40％以下，进一步优选35％以下，更进一步优选30％以下。以下，在本说明书中，有时将发光装置的光谱分布中380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值记载为“380nm-420nm发光量”，有时将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值记载为“总发光量”。
发光装置的式(1)中定义的比率a是0.9以上且1.6以下。式(1)中定义的比率a是如下那样的比率：该比率将发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中485nm以上且548nm以下的波长范围的绿色光的最大发光强度GS相对于430nm以上且不足485nm的波长范围的蓝色光的最大发光强度BS的比GS/BS作为分母，将发光装置的光谱分布中485nm以上且548nm以下的波长范围的绿色光的最大发光强度GL相对于430nm以上且不足485nm的波长范围的蓝色光的最大发光强度BL的比GL/BL作为分子。若发光装置的式(1)中定义的比率a处于0.9以上且1.6以下的范围内，就从发光装置发出由发光装置发出的混色光的绿色成分相对于蓝色成分的比率与由基准光源发出的光的绿色成分相对于蓝色成分的比率大致相同、或补充了绿色成分后得到的混色光。若发光装置的式(1)中定义的比率a处于0.9以上且1.6以下的范围内，则发光装置就具有除菌效果，且显色性也变高。在从发光装置发出的混色光的相关色温为2000K以上且不足4000K的情况下，从发光装置发出的混色光的式(1)中定义的比率a从除菌效果以及显色性的观点出发，优选是1.0以上且1.6以下，更优选是1.1以上且1.6以下。在从发光装置发出的混色光的相关色温为4000K以上且7500K以下的情况下，从发光装置发出的混色光的式(1)中定义的比率a从除菌效果以及显色性的观点出发，优选是1.1以上，且优选是1.5以下。根据JIS Z8726，对于基准的光来说，在样本光源的相关色温不足5000K时，原则上使用完全辐射体，在样本光源的相关色温为5000K以上时，原则上使用CIE(国际照明委员会：Commission Internationalde l’Eclairage)日光。在本说明书中，基准光源遵循JIS Z8726中规定的基准的光。
从1减去式(1)中定义的比率a后的值的绝对值A优选是0.6以下。在此，从1减去比率a后的值的绝对值A是以下值：将发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中的比GS/BS和从发光装置发出的混色光的光谱分布中的比GL/BL，为相同值的情况设为1，从1减去比率a后的值的绝对值A。若从1减去比率a后的值的绝对值A更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源，就从发光装置发出蓝色成分与绿色成分的平衡良好的混色光。若从1减去比率a后的值的绝对值A为0.6以下，则即使是发出具有杀菌效果的蓝色成分的光的发光装置，也会从发光装置发出更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源的混色光且蓝色成分与绿色成分的平衡良好的混色光。从1减去比率a后的值的绝对值A可以是0.5以下，也可以是0.4以下。
发光装置的平均显色评价数Ra是80以上。根据JIS Z9112的基于荧光灯/LED的光源色以及显色性的区分，LED的显色性被区分为普通形和高显色形，规定高显色形的平均显色评价数Ra是80以上。根据CIE的方针，与所使用的场所相应的优选的平均显色评价数Ra在进行一般作业的工厂中被设为60以上且不足80，在住宅、旅馆、餐厅、店铺、办公室、学校、病院、进行精密作业的工厂等中被设为80以上且不足90，在谋求高的显色性的美术馆、博物馆、进行临床检查的场所等中被设为90以上。若发光装置的平均显色评价数Ra为80以上，就能作为具有例如能在住宅、旅馆、餐厅、店铺等人的生活环境中舒适使用的显色性的照明来使用。发光装置的平均显色评价数Ra若具有除菌效果，则平均显色评价数Ra就可以是更高的数值，平均显色评价数Ra可以为81以上，也可以为85以上，还可以为90以上。若平均显色评价数Ra为90以上，就能在要求更严格的颜色的视觉表现的颜色检查、美术馆、博物馆、进行临床检查的场所等中使用。
发光装置优选特殊显色评价数R12是50以上。特殊显色评价数R12表征蓝色。若发光装置的特殊显色评价数R12为50以上，则即使是将在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的、在可见区域中发出蓝紫色的光的发光元件用作激发光源的情况，从发光装置发出的光的超过420nm且500nm以下的蓝色成分至蓝绿色成分也不会变少，能得到从发光装置发出的设为目标的相关色温的光当中维持了各色成分的平衡的混色光。发光装置的特殊显色评价数R12从更加改善被发光装置照射的物体的视觉表现的观点出发，更优选是55以上，进一步优选是60以上。
对于发光装置来说，关于表征蓝色的特殊显色评价数R12以外的特殊显色评价数R9、R10、R11、R13、R14、R15，由于根据使用发光装置的场所的不同，所要求的视觉辨识性以及识别性不同，因此并不被特别限定。对于发光装置来说，表征红色的特殊显色评价数R9可以是负的数值，特殊显色评价数R9也可以是10以上。例如，在对红色进行确认的情况较多的手术室等中，在为了提高除菌效果而使用发光装置的情况下，优选特殊显色评价数R9的数值高。在确认红色的需求少的场所中使用的情况下，发光装置的特殊显色评价数R9的数值并没有特别限定。
发光装置优选由式(1)以及以下的式(2)到式(3)定义的比率a、比率b、以及比率c的合计为2.5以上且4.5以下。
【数学表达式3】
比率
式(2)中，BS是发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，YS是580nm以上且不足610nm的波长范围的最大发光强度，式(2)的分母是所述YS相对于所述BS的比YS/BS。式(2)中、BL是发光装置的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，YL是580nm以上且不足610nm的波长范围的最大发光强度，式(2)的分子是所述YL相对于所述BL的比YL/BL。
【数学表达式4】
比率
式(3)中，BS是发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，RS是610nm以上且780nm以下的波长范围的最大发光强度，式(3)的分母是所述RS相对于所述BS的比RS/BS。式(3)中，BL是发光装置的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，RL是610nm以上且780nm以下的波长范围的最大发光强度，式(3)的分子是所述RL相对于所述BL的比RL/BL。
式(2)中定义的比率b是如下那样的比率：该比率将发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中580nm以上且不足610nm的波长范围的黄色光的最大发光强度YS相对于430nm以上且不足485nm的波长范围的蓝色光的最大发光强度BS的比YS/BS作为分母，将发光装置的光谱分布中580nm以上且不足610nm的波长范围的黄色光的最大发光强度YL相对于430nm以上且不足485nm的波长范围的蓝色光的最大发光强度BL的比YL/BL作为分子。另外，式(3)中定义的比率c是如下那样的比率：该比率将发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中610nm以上且780nm以下的波长范围的红色光的最大发光强度RS相对于430nm以上且不足485nm的波长范围的蓝色光的最大发光强度BS的比RS/BS作为分母，将发光装置的光谱分布中610nm以上且780nm以下的波长范围的红色光的最大发光强度RL相对于430nm以上且不足485nm的波长范围的蓝色光的最大发光强度BL的比RL/BL作为分子。
发光装置的以式(1)定义的比率a、以式(2)定义的比率b以及以式(3)定义的比率c的合计优选处于2.5以上且4.5以下的范围内，更优选处于2.6以上且4.5以下的范围内，进一步优选处于2.8以上且4.4以下的范围内。对于比率a、比率b以及比率c的合计处于2.5到4.5以下的范围内的发光装置来说，相对于发光装置的相关色温下的基准光源的相对于蓝色光的绿色光、黄色光、红色光，发光装置的相对于蓝色光的绿色光、黄色光、红色光的各色成分的光的平衡良好，具有除菌效果且具有高的显色性。
比率b的范围以及比率c的范围并没有特别限定。优选比率a、比率b、以及比率c的合计满足2.5以上且4.5以下的范围内，优选在满足该范围的基础上，比率b处于0.8以上且1.7以下的范围内，比率c处于0.7以上且1.5以下的范围内。
优选从3减去由式(1)定义的比率a、由式(2)定义的比率b以及由式(3)定义的比率c的合计后的值的绝对值B为1.5以下。在此，所谓从3减去比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B是以下值：在比率a、比率b以及比率c中，在各波长范围中，将从发光装置发出的混色光的光谱分布中的比GL/BL、比YL/BL、比RL/BL中的每一个比和发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中的比GS/BS、比YS/BS、比RS/BS中的每一个比为相同值的情况的合计值设为3，从3减去比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B。从3减去比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B若更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源，就会从发光装置发出蓝色成分、绿色成分、黄色成分以及红色成分的平衡良好的混色光。若从3减去比率a、比率b以及比率c后的值的绝对值B为1.5以下，则即使是发出具有杀菌效果的蓝色成分的光的发光装置，也会从发光装置发出更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源的混色光且蓝色成分、绿色成分、黄色成分以及红色成分的平衡良好的混色光。从3减去比率a、比率b以及比率c后的值的绝对值B可以是1.4以下，也可以是1.3以下。
在发光装置中，荧光构件中所包含的荧光体优选包含从由以下第一荧光体、第二荧光体和第三荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，其中，第一荧光体由来自在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件的光激发，在430nm以上且不足485nm的范围内具有发光峰值波长，第二荧光体由来自发光元件的光激发，在485nm以上且不足610nm的范围内具有发光峰值波长，第三荧光体由来自发光元件的光激发，在610nm以上且780nm以下的范围内具有发光峰值波长。
第一荧光体由来自发光元件的光激发，在430nm以上且不足485nm的范围内具有发光峰值波长，发出蓝紫色到蓝色的光。在包含第一荧光体的发光装置中，从发光装置发出的混色光通过第一荧光体来弥补在来自在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值的发光元件的光中不足的蓝色成分的光。发光装置通过从发光元件发出的光而具有除菌效果，且从发光装置发出显色性高的混色光。
第一荧光体优选包含从由以下那样的荧光体构成的群中选出的至少一种第一荧光体，也可以包含两种以上的第一荧光体：在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选出的至少一种元素、和从由卤素构成的群中选出的至少一种元素，且包含以Eu活化的含卤素碱土类金属磷酸盐的荧光体；以及在组成中包含从由Ba、Sr以及Ca构成的群中选出的至少一种元素和Mg，且包含以Eu活化的碱土类金属硅酸盐的荧光体。第一荧光体更优选包含以下荧光体：在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选出的至少一种元素、和从由卤素构成的群中选出的至少一种元素，且包含以Eu活化的含卤素碱土类金属磷酸盐的荧光体。
第一荧光体优选包含从由包含用下述式(I)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(II)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，也可以包含两种以上的荧光体。第一荧光体更优选包含以下荧光体：包含用下述式(I)表征的组成的荧光体。
(Ca，Sr，Ba，Mg)10(PO4)6(F，Cl，Br，I)2：Eu (I)
(Ba，Sr，Ca)3MgSi2O8：Eu (II)
在本说明书中，在表征荧光体的组成的式中，以逗号(，)隔开记载的多个元素的意思是指在组成中包含这些多个元素当中的至少一种元素。组成式中的以逗号(，)隔开记载的多个元素在组成中包含从以逗号隔开的多个元素中选出的至少一种元素，且可以从所述多个元素中组合并包含两种以上的元素。另外，在本说明书中，在表征荧光体的组成的式中，冒号(：)之前表征构成基质晶体的元素以及其摩尔比，冒号(：)之后表征活化元素。
第二荧光体由来自发光元件的光激发，在485nm以上且不足610nm的范围内具有发光峰值波长，且发出蓝绿色到橙色的光。在包含第二荧光体的发光装置中，从发光装置发出的混色光通过第二荧光体来弥补在来自发光元件的光以及来自第一荧光体的光中不足的颜色成分的光。发光装置通过从发光元件发出的光而具有除菌效果，且从发光装置发出显色性高的混色光。
第二荧光体优选包含从由如下荧光体构成的群中选出的至少一种第二荧光体，也可以包含两种以上的第二荧光体：在组成中包含从由除Ce以外的稀土类元素构成的群中选出的至少一种元素和Al并根据需要包含Ga，且包含以Ce活化的稀土类铝酸盐的荧光体；在组成中包含从由Ca、Sr以及Ba构成的群中选出的至少一种碱土类金属元素、和从由F、Cl以及Br构成的群中选出的至少一种卤素元素，且包含以Eu活化的含卤素碱土类金属硅酸盐的荧光体；包含以Eu活化的β赛隆的荧光体；在组成中包含从由La、Y以及Gd构成的群中选出的至少一种稀土类元素和Si，且包含以Ce活化的稀土类氮化物的荧光体；以及包含以Eu活化的碱土类金属硅酸盐的荧光体。
第二荧光体优选包含从由包含用下述式(III)表征的组成的荧光体、包含用下述式(IV)表征的组成的荧光体、包含用下述式(V)表征的组成的荧光体、包含用下述式(VI)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(VII)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，也可以包含两种以上的荧光体。
(Lu，Y，Gd，Tb)3(Al，Ga)5O12：Ce (III)
(Ca，Sr，Ba)8MgSi4O16(F，Cl，Br)2：Eu (IV)
Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2) (V)
(La，Y，Gd)3Si6N11：Ce (VI)
(Ba，Sr，Ca，Mg)2SiO4：Eu (VII)
第三荧光体由来自发光元件的光激发，在610nm以上且780nm以下的范围内具有发光峰值波长，发出红色的光。在包含第三荧光体的发光装置中，从发光装置发出的混色光通过第三荧光体来弥补在来自发光元件的光和来自第一荧光体以及第二荧光体的光中不足的颜色成分的光。发光装置通过从发光元件发出的光而具有除菌效果，且从发光装置发出显色性高的混色光。
第三荧光体优选包含从由如下荧光体构成的群中选出的至少一种第三荧光体，也可以包含两种以上的第三荧光体：在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选择的至少一种元素、Al和Si，且包含以Eu活化的氮化物的荧光体；在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选择的至少一种元素和Si，且包含以Eu活化的氮化物的荧光体；以及在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选择的至少一种元素、Li和Al，且包含以Eu活化的氮化物的荧光体。第三荧光体更优选包含以下荧光体：在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选择的至少一种元素、Al和Si，且包含以Eu活化的氮化物的荧光体。
第三荧光体优选包含从由包含用下述式(VIII)表征的组成的荧光体、包含用下述式(IX)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(X)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，也可以包含两种以上的荧光体。第三荧光体更优选包含以下荧光体：包含用下述式(VIII)表征的组成的荧光体。
(Sr，Ca)AlSiN3：Eu (VIII)
(Ca，Sr，Ba)2Si5N8：Eu (IX)
(Sr，Ca)LiAl3N4：Eu (X)
在荧光体的总质量中，优选第一荧光体的含有率处于1.0质量％以上且50.0质量％以下的范围内，第二荧光体的含有率处于45.0质量％以上且99.0质量％以下的范围内，第三荧光体的含有率处于0质量％以上且50.0质量％以下的范围内。在荧光体的总质量中，若第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的各荧光体的含有率处于所述范围内，则发光装置通过来自在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件的光而具有除菌效果，并能使显色性更高。在具有设为目标的相关色温的发光装置中，只要能得到满足设为目标的显色性的发光装置，则也可以在荧光体中不包含第三荧光体。在荧光体的总质量中，更优选第一荧光体的含有率处于1.0质量％以上且49.0质量％以下的范围内，第二荧光体的含有率处于45.0质量％以上且98.0质量％以下的范围内，第三荧光体的含有率处于1.0质量％以上且49.0质量％以下的范围内。在荧光体的总质量中，进一步优选第一荧光体的含有率处于2.0质量％以上且48.0质量％以下的范围内，第二荧光体的含有率处于45.0质量％以上且96.0质量％以下的范围内，第三荧光体的含有率处于2.0质量％以上且48.0质量％以下的范围内。
图2是表示发光装置的第二例的概略截面图。如图2所示那样，发光装置200具备配置发光元件10以及荧光构件50的成形体40，在配置于成形体40的发光元件10的侧面方向，从成形体40的凹部的底面一直到内壁面配置包含405nm下的反射率为50％以上的氧化物和树脂的反射构件80。通过反射构件80配置在配置于成形体40的发光元件10的侧面方向，能够使从在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件10发出的光被反射构件80效率良好地反射，使杀菌效果高的在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的光效率良好地从发光装置辐射，从而能提高除菌效果。
反射构件80中所包含的405nm下的反射率为50％以上的氧化物优选是包含从由钇、锆、铝、钛构成的群中选择的至少一种的氧化物。通过在反射构件80中包含这样的氧化物，能效率良好地使由发光元件发出的光从发光装置辐射，提高除菌效果。
反射构件80中所包含的树脂可举出热可塑性树脂或热固化性树脂。反射构件80中所包含的树脂可以是与构成成形体40的树脂部42中所包含的树脂相同的树脂，也可以是与树脂部42中所包含的树脂不同的树脂。
图3是表示发光装置的第三例的概略截面图。如图3所示那样，在发光装置300中，荧光构件51配置于发光元件10的上表面，发光元件10的侧面从荧光构件51以及反射构件80露出。若在发光元件10的上表面配置荧光构件51，并使发光元件10的侧面从荧光构件51以及反射构件80露出，则具有杀菌效果的在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的光就不会由荧光体71进行波长变换，而是能从发光元件10的侧面直接从发光元件10向发光装置300的外部辐射，能提高除菌效果。从发光元件10辐射的光的一部分由配置于发光元件10的上表面的荧光构件51中所包含的荧光体71进行波长变换，从发光装置300辐射由发光元件10发出的光和由荧光构件51中所包含的荧光体71进行了波长变换的光，并辐射具有所期望的显色性的混色光。发光元件10从荧光构件51以及反射构件80露出即可，在成形体40的具有底面和侧面的凹部内，能在配置发光元件10、荧光构件51、反射构件80、金属线60的部分以外的部分配置由密封材料构成的密封构件90。密封构件90不包含荧光体70。密封材料例如可举出硅酮树脂、环氧树脂。密封构件90中所包含的树脂可以是与成形体40的树脂部42中所包含的树脂、反射构件80中所包含的树脂、荧光构件51中所包含的树脂相同的树脂，也可以是不同的树脂。另外，在密封构件90中，与荧光构件50、51同样，除了包含密封材料以外，也可以还包含填料、光稳定剂、着色剂等其他成分。作为填料，例如能举出二氧化硅、钛酸钡、氧化钛、氧化铝等。
配置于发光元件10的上表面的荧光构件51能配置于发光元件10的上表面而不配置在发光元件10的上表面以外，以使得未由荧光体进行波长变换的光从发光装置辐射。
图4是表示发光装置的第四例的概略截面图。如图4所示那样，发光装置400具备：包含405nm下的反射率处于1％以上且50％以下的范围内的荧光体71的第一荧光构件51；和包含与该第一荧光构件51中所包含的荧光体71相比405nm下的反射率更高的荧光体72的第二荧光构件52。在发光元件10的上表面配置第一荧光构件51，在第一荧光构件51之上配置第二荧光构件52。图4所示的发光装置400能通过第一荧光构件51中所包含的405nm下的反射率为1％以上且50％以下的荧光体对从发光元件10辐射的光的一部分有效率地进行波长变换，进而能通过从发光元件10辐射的光与由荧光体71进行了波长变换的光的混色光而辐射具有在人的视觉环境中也能舒适使用的、设为目标的发光效率以及显色性的光。第二荧光构件52中所包含的荧光体72与第一荧光构件51中所包含的荧光体71相比405nm下的反射率更高，因此与从发光元件10辐射的光相比，从第一荧光构件51辐射的光被更有效率地进行波长变换，能辐射具有设为目标的发光效率以及显色性的光。第二荧光构件52中所包含的荧光体72只要是与第一荧光构件51中所包含的405nm下的反射率为1％以上且50％以下的荧光体71相比405nm下的反射率更高的荧光体即可。例如，在第一荧光构件51中所包含的荧光体71是405nm下的反射率为1％的荧光体71的情况下，第二荧光构件52中所包含的荧光体72只要是405nm下的反射率超过1％的荧光体72即可，也可以是405nm下的反射率为50％以下的荧光体。例如在第一荧光构件51中所包含的荧光体71是405nm下的反射率为50％的荧光体71的情况下，第二荧光构件52中所包含的荧光体72只要是405nm下的反射率超过50％的荧光体72即可。
第一荧光构件51中所包含的荧光体71是405nm下的反射率为1％以上且50％以下的荧光体即可。第一荧光构件51中所包含的荧光体71优选包含从由第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，也可以包含两种以上的荧光体。第二荧光构件52中所包含的荧光体72只要是405nm下的反射率比第一荧光构件51中所包含的荧光体71高的荧光体即可。第二荧光构件52中所包含的荧光体72优选包含从由第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，也可以包含两种以上的荧光体。
第一荧光构件51配置于发光元件10的成为主面的上表面，以使得从发光元件10辐射的光由第一荧光构件51中所包含的荧光体71进行波长变换而从发光装置400辐射。另外，如图4所示那样，第二荧光构件52配置于第一荧光构件51之上。发光元件10的侧面可以从第一荧光构件51、第二荧光构件52以及反射构件80露出，以使得从发光元件10辐射的光在不被第一荧光构件51中所包含的荧光体71以及第二荧光构件52中所包含的荧光体72进行波长变换的情况下从发光装置400辐射。
图5是表示发光装置的第五例的概略截面图。如图5所示的发光装置500那样，可以通过将第二荧光构件52配置于第一荧光构件51以及反射构件80之上，并覆盖发光元件10的侧面，从而使得发光元件10的侧面不从第二荧光构件52露出。
图6是表示发光装置的第六例的概略截面图。图6所示的发光装置600可以配置第一荧光构件51以便覆盖发光元件10的上表面以及侧面，并在第一荧光构件51之上配置第二荧光构件52。在图6所示的发光装置600中，第一荧光构件51中所包含的荧光体71的405nm下的反射率是1％以上且50％以下，通过该荧光体71将从发光元件10辐射的光效率良好地进行波长变换。进而在发光装置600中，被第一荧光构件51中所包含的荧光体71进行了波长变换的光由第二荧光构件52中所包含的405nm下的反射率比荧光体71高的荧光体72效率良好地进行波长变换。在发光装置600中，辐射从发光元件10辐射的光、被荧光体71进行了波长变换的光、被荧光体72进行了波长变换的光的混色光，该混色光具有在人的视觉环境中也能舒适使用的、设为目标的发光效率以及显色性。第二荧光构件52中所包含的荧光体72与第一荧光构件51中所包含的荧光体71相比405nm下的反射率更高，因此与从发光元件10辐射的光相比，被第一荧光构件51中所包含的荧光体71进行了波长变换的光可由第二荧光构件52中所包含的荧光体72更加效率良好地进行波长变换。
图7是表示发光装置的第七例的概略截面图。图7所示的发光装置700配置第一荧光构件51以便覆盖发光元件10的侧面，并配置第二荧光构件52以便覆盖发光元件10的上表面以及第一荧光构件51。发光装置700中的发光元件10的上表面从第一荧光构件51露出，被第二荧光构件52覆盖。通过发光装置700中的发光元件10的上表面从第一荧光构件51露出，从发光元件10辐射的光就易于从发光装置700放出，具有杀菌效果的光成分就易于从发光装置700放出。若从发光装置700辐射具有杀菌效果的光成分，就能提高除菌效果，并且可通过覆盖发光元件10的侧面的第一荧光构件51中所包含的荧光体71和覆盖发光元件10的上表面以及第一荧光构件51的上表面的第二荧光构件52中所包含的荧光体72而对从发光元件10辐射的光进行波长变换，从发光装置700辐射具有在人的视觉环境中也能舒适使用的、设为目标的发光效率以及显色性的光。
【实施例】
以下，在实施例中更具体地说明本发明。本发明并不限定于这些实施例。
荧光体
在表1记载实施例以及比较例中使用的第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体。
荧光体的平均粒径
作为荧光体的平均粒径，对各荧光体测定以利用费氏粒度测定仪(Fisher SubSieve Sizer)的空气透过法得到的费氏粒度测定仪数(Fisher Sub Sieve Sizer’sNumber)。具体地，是通过如下方式得到的值：称量1cm3的量的样本，在装填到专用的管状容器后，流过恒定压力的干燥空气，根据差压读取比表面积，换算成平均粒径。
发光峰值波长
各荧光体的发光峰值波长根据使用分光荧光光度计(产品名：QE-2000，大冢电子株式会社制，或者产品名：F-4500，株式会社日立高新技术制)测定出的发光光谱来求取。第一荧光体照射激发波长405nm的光来测定发光光谱。第二荧光体和第三荧光体照射激发波长450nm的光来测定发光光谱。
【表1】
表1
实施例1
发光装置200使用发光峰值波长为405nm的发光元件10。使用硅酮树脂作为构成荧光构件50的密封材料。作为第一荧光体，使用包含含卤素碱土类金属磷酸盐的荧光体，作为第二荧光体，使用包含稀土类铝酸盐的荧光体，作为第三荧光体，使用包含氮化物的荧光体。在表1记载实施例以及比较例中使用的第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体。对第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体进行调配，使得基于来自发光元件10的光和包含第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的荧光体70的光的混色光的相关色温成为3500K附近。在表2示出各荧光体相对于第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的总质量100％的含有率。将包含第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的荧光体70添加到硅酮树脂，在混合分散后，进行脱泡而得到构成荧光构件的荧光构件用组成物。另外，在硅酮树脂中添加405nm下的反射率为56.5％的氧化钛，在混合分散后，进行脱泡，来制造反射构件用组成物。在成形体40的凹部内注入反射构件用组成物，配置反射构件用组成物并使其固化，以使得发光元件10的侧面方向从反射构件用组成物露出，形成反射构件80。将得到的荧光构件用组成物注入到成形体40的凹部的反射构件80以及发光元件10上，并填充到成形体40的凹部，进而在150℃下加热3小时，使荧光构件用组成物固化，形成荧光构件50，制造图2所示那样的发光装置200。针对氧化钛，使用分光荧光光度计(产品名：F-4500，株式会社日立高新技术制)来测定波长405nm的反射率。具体来说，以磷酸氢钙(CaHPO4)为基准，求取氧化钛的反射率。
实施例2到10
使第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表2所示那样来调配第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例1同样地制造实施例2到10的发光装置。
比较例1
使用发光峰值波长为450nm的发光元件，不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表2所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例1同样地制造比较例1的发光装置。
比较例2到3
不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表2所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例1同样地制造比较例2以及3的发光装置。
对各实施例以及比较例的发光装置进行以下的评价。
发光光谱(光谱分布)
使用组合多通道分光器和积分球而得到的光测量系统来测定从各实施例以及各比较例的发光装置发出的混色光的发光光谱(光谱分布)。在图14、15、18、21、24示出得到的结果。图14、15、18以及24记载了2000K以上且5000K以下的范围的各发光装置的相关色温下的完全辐射体的光谱，作为基准光源的光谱。图21记载了超过5000K的范围的实施例12的相关色温下的CIE日光的光谱，作为基准光源的光谱。
380nm-420nm发光量/总发光量
在各实施例以及比较例的发光装置的光谱分布中，将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％(总发光量)来算出380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值(380nm-420nm发光量)的比例。在表2到表5示出结果。
比率a、比率b、比率c以及它们的合计
根据各实施例以及比较例的发光装置的发光光谱(光谱分布)求取由式(1)、式(2)、式(3)定义的比率a、比率b、比率c以及它们的合计(比率a+b+c)。另外，求取从1减去比率a后的值的绝对值A和从3减去比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B。在表2到表9示出结果。图8、16、19以及22是将横轴设为比率a并将纵轴设为平均显色评价数Ra而绘制出根据从各实施例以及比较例的发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a以及平均显色评价数Ra的图。图9、17、20以及23是将横轴设为比率a、比率b以及比率c的合计并将纵轴设为平均显色评价数Ra而绘制出根据从各实施例以及比较例的发光装置发出的混色光的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计和平均显色评价数Ra的图。图10以及11是将横轴设为从1减去比率a后的值的绝对值A并将纵轴设为平均显色评价数Ra而绘制出根据从各实施例以及比较例的发光装置发出的混色光的发光光谱得到的绝对值A和平均显色评价数Ra的图。图12以及图13是将横轴设为从3减去比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B并将纵轴设为平均显色评价数Ra而绘制出根据从各实施例以及比较例的发光装置发出的混色光的发光光谱得到的绝对值B和平均显色评价数R的图。
相关色温、平均显色评价数Ra、特殊显色评价数R9、R12
对于各实施例以及比较例的发光装置，采用组合多通道分光器和积分球而得到的光测量系统，遵循JIS Z8725来测定相关色温(Tcp；K)，遵循JIS Z8726来测定平均显色评价数Ra、特殊显色评价数R9、R12。在表2到表9示出结果。
相对发光效率(％)
对于各实施例以及比较例的发光装置，采用使用了积分球的总光通量测定装置来测定以每单位功率的总光通量表征的发光效率(lm/W)。将使用各相关色温下的发光峰值波长为450nm的发光元件的各比较例的发光装置的发光效率设为100％，算出其他实施例以及比较例的相对发光效率(％)。在表2到表9示出其结果。
【表2】
表2
【表3】
表3
如表3以及图8所示那样，在相关色温为3500K附近的实施例1到10的发光装置中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)是17％到30％，比率a是1.1到1.6，辐射较多包含具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的光的混色光，具有除菌效果。在实施例1到10的发光装置中，特殊显色评价R12为60以上，与使用在450nm具有发光峰值波长的发光元件的比较例1的特殊显色评价数R12的数值大致同等，与不使用第一荧光体的比较例2以及3的发光装置的特殊显色评价数R12相比，数值更大。根据该结果，被实施例1到10的发光装置照射的物体改善了蓝色的视觉表现。
如表3以及图9所示那样，在实施例1到10的发光装置中，比率a、比率b以及比率c的合计是3.4以上且4.4以下的范围，可得到包含具有杀菌效果的蓝紫色成分的光且平衡良好地包含蓝色成分、绿色成分、黄色成分、红色成分等各色成分的混色光。实施例1到10的发光装置具有平均显色评价数Ra为80以上的显色性。一般，发光效率和显色性处于折衷的关系，从发光装置发出的混色光当中具有杀菌效果的波长范围的光成分多的话对除菌效果是有效的，但若具有杀菌效果的波长范围的光成分过多，则从人的标准相对可见度(标准分光可见效率)的峰值偏离的波长的发光就会变多，因此发光效率会降低。因此，实施例1到10的相对发光效率虽然与比较例1相比降低，但与比较例2以及3相比更高。
如图10所示那样，从1减去根据实施例1到10的发光装置的发光光谱得到的比率a后的值的绝对值A为0.6以下，在能发出具有杀菌效果的光成分的发光装置中，也能发出更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源且蓝色光与绿色光的平衡良好的混色光。如图11所示那样，存在从1减去根据实施例1、6以及9的发光装置的发光光谱得到的比率a后的值的绝对值A越小则平均显色评价数Ra越大的倾向。根据该结果，若从1减去比率a后的值的绝对值A变小，则即使是发出具有杀菌效果的蓝色光并提高了除菌效果的发光装置，也能发出蓝色光与绿色光的平衡良好且更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源的混色光，能确认到在人的生活环境中也能舒适使用的平均显色评价数Ra变高。
如图12所示那样，从3减去根据实施例1到10的发光装置的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B不足1.5，即使是能发出具有杀菌效果的光成分的发光装置，也能发出更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源且蓝色光、绿色光、黄色光以及红色光的平衡良好的混色光。如图13所示那样，存在从3减去根据实施例1、6以及9的发光装置的发光光谱得到的比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B越小则平均显色评价数Ra越大的倾向。根据该结果，若从3减去比率a、比率b以及比率c的合计后的值的绝对值B变小，则即使是发出具有杀菌效果的蓝色光并提高了除菌效果的发光装置，也能发出蓝色光、绿色光、黄色光以及红色光的平衡良好且更接近于发光装置所具有的相关色温的基准光源的混色光，能确认到在人的生活环境中也能舒适使用的平均显色评价数Ra变高。
如表3所示那样，在比较例1的发光装置中，具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为0％，不具有除菌效果。在比较例2以及3的发光装置中，虽然380nm以上且420nm以下的发光量相对于总发光量的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)为15％以上，但比率a大大超过1.6，失去了混色光的色平衡。在比较例2以及3的发光装置中，比率a大大超过1.6，表征蓝色的视觉表现的特殊显色评价数R12的数值变低。
如图14所示那样，在实施例1到3的发光装置中，在各发光装置的发光光谱(光谱分布)中在380nm以上且420nm以下的范围内存在发光元件的发光峰值波长，从发光元件辐射具有杀菌效果的波长范围的光，并且与比较例2以及3的发光装置的发光光谱相比，在430nm以上且680nm以下的波长范围中具有更接近于基准光源的发光光谱的发光光谱，辐射出各色成分的平衡良好的混色光。
如图15所示那样，在实施例4到10的发光装置中，在各发光装置的发光光谱(光谱分布)中在380nm以上且420nm以下的范围内存在发光元件的发光峰值波长，从发光元件辐射具有杀菌效果的波长范围的光，并且在430nm以上且680nm以下的波长范围中具有更接近于基准光源的发光光谱的发光光谱，辐射出各色成分的平衡良好的混色光。
实施例11
使第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表4所示那样来调配第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体，使得基于来自发光元件10的光和包含第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的荧光体70的光的混色光的相关色温成为4000K附近，除此以外，与实施例1同样地制造实施例11的发光装置。
比较例4
使用发光峰值波长为450nm的发光元件，不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表4所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例11同样地制造比较例4的发光装置。
比较例5
不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表4所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例11同样地制造比较例5的发光装置。
【表4】
表4
【表5】
表5
如表5以及图16所示那样，在相关色温为4000K附近的实施例11的发光装置中，380nm以上且420nm以下的发光量相对于总发光量的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)为30％，比率a为1.4，辐射较多包含具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的光的混色光，具有除菌效果。在实施例11的发光装置中，表征蓝色的视觉表现的特殊显色评价数R12为75，在实施例11的发光装置中，特殊显色评价R12为60以上，大于使用在450nm具有发光峰值波长的发光元件的比较例4的特殊显色评价数R12的数值，改善了被发光装置照射的物体的蓝色的视觉表现。
如表5以及图17所示那样，在实施例11的发光装置中，比率a、比率b以及比率c的合计为4.4，可得到包含具有杀菌效果的蓝紫色成分的光且平衡良好地包含蓝色成分、绿色成分、黄色成分、红色成分的混色光。在实施例11的发光装置中，平均显色评价数Ra是90，具有高的显色性。发光效率和显色性处于折衷的关系，虽然从发光装置发出的混色光当中具有杀菌效果的波长范围的光成分多的话对除菌效果是有效的，但若具有杀菌效果的波长范围的光成分变得过多，则从人的标准相对可见度(标准分光可见效率)的峰值偏离的波长的发光就会变多，因此发光效率会降低。因此，实施例11的发光装置的相对发光效率虽然与比较例4相比降低，但与比较例5相比变高。
如表5所示那样，在比较例4的发光装置中，具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为0％，比率a也低到0.5，不具有除菌效果。在比较例5的发光装置中，380nm以上且420nm以下的发光量相对于总发光量的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)为15％以上，但比率a大大超过1.6，失去了混色光的色平衡。在比较例5的发光装置中，比率a大到2.6，表征蓝色的视觉表现的特殊显色评价数R12的数值低，相对发光效率也变低。
如图18所示那样，在实施例11的发光装置中，在发光光谱(光谱分布)中在380nm以上且420nm以下的波长范围存在发光元件的发光峰值波长，从发光元件辐射具有杀菌效果的波长范围的光，并且与比较例5的发光装置的发光光谱相比，在430nm以上且680nm以下的波长范围中具有更接近于基准光源的发光光谱的发光光谱，辐射出各色成分的平衡良好的混色光。
实施例12
使第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表6所示那样来调配第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体，以使得基于来自发光元件10的光和包含第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的荧光体70的光的混色光的相关色温成为6500K附近，除此以外，与实施例1同样地制造实施例12的发光装置。
比较例6
使用发光峰值波长为450nm的发光元件，不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表6所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例12同样地制造比较例6的发光装置。
比较例7
不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表6所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例12同样地制造比较例7的发光装置。
【表6】
表6
【表7】
表7
如表7以及图19所示那样，在相关色温为6500K附近的实施例12的发光装置中，380nm以上且420nm以下的发光量相对于总发光量的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)为24％，比率a为1.0，辐射包含较多具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的光的混色光，具有除菌效果。在实施例12的发光装置中，特殊显色评价R12为60以上，大于使用在450nm具有发光峰值波长的发光元件的比较例6的特殊显色评价数R12的数值，改善了被发光装置照射的物体的蓝色的视觉表现。
如表7以及图20所示那样，在实施例12的发光装置中，比率a、比率b以及比率c的合计为2.8，可得到包含具有杀菌效果的蓝紫色成分的光且平衡良好地包含蓝色成分、绿色成分、黄色成分、红色成分等各色成分的混色光。在实施例12的发光装置中，平均显色评价数Ra为97，具有高的显色性。发光效率和显色性处于折衷的关系，从发光装置发出的混色光当中具有杀菌效果的波长范围的光成分多的话对除菌效果是有效的，但若具有杀菌效果的波长范围的光成分变得过多，则从人的标准相对可见度(标准分光可见效率)的峰值偏离的波长的发光就会变多，因此发光效率会降低。因此，实施例12的发光装置的相对发光效率虽然与比较例6相比降低，但与比较例7相比变高。
如表7所示那样，在比较例6的发光装置中，具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为0％，比率a也低到0.4，不具有除菌效果。在比较例7的发光装置中，380nm以上且420nm以下的发光量相对于总发光量的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)为70％，比率a大到1.8，失去了混色光的色平衡。在比较例7的发光装置中，表征蓝色的视觉表现的特殊显色评价数R12的数值低，相对发光效率也变低。
如图21所示那样，在实施例12的发光装置中，在发光光谱(光谱分布)中在380nm以上且420nm以下的范围内存在发光元件的发光峰值波长，从发光元件辐射具有杀菌效果的波长范围的光，并且与比较例7的发光装置的发光光谱相比，在430nm以上且680nm以下的波长范围中具有更接近于基准光源的发光光谱的发光光谱，辐射出各色成分的平衡良好的混色光。
实施例13以及14
使第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表8所示那样来调配第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体，使得基于来自发光元件10的光和包含第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体的荧光体70的光的混色光的相关色温成为2700K附近，除此以外，与实施例1同样地制造各实施例的发光装置。
比较例8
使用发光峰值波长为450nm的发光元件，不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表8所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例12同样地制造比较例8的发光装置。
比较例9
不使用第一荧光体，使第二荧光体以及第三荧光体的种类和各荧光体相对于荧光体的总质量的含有率如表8所示那样来调配第二荧光体以及第三荧光体，除此以外，与实施例12同样地制造比较例9的发光装置。
【表8】
表8
【表9】
表9
如表9以及图22所示那样，在相关色温为2700K附近的实施例13以及14的发光装置中，380nm以上且420nm以下的发光量相对于总发光量的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)为16％，比率a是1.3，辐射较多包含具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的光的混色光，具有除菌效果。在实施例13以及14的发光装置中，的特殊显色评价R12为60以上，大于使用在450nm具有发光峰值波长的发光元件的比较例8的特殊显色评价数R12的数值，改善了被发光装置照射的物体的蓝色的视觉表现。
如表9以及图23所示那样，在实施例13以及14的发光装置中，比率a、比率b以及比率c的合计为3.3或3.5，可得到包含具有杀菌效果的蓝紫色成分的光且平衡良好地包含蓝色成分、绿色成分、黄色成分、红色成分等各色成分的混色光。在实施例13的发光装置中，平均显色评价数Ra为94，具有高的显色性。在实施例14的发光装置中，平均显色评价数Ra为81，具有高的显色性。发光效率和显色性处于折衷的关系，从发光装置发出的混色光当中具有杀菌效果的波长范围的光成分多的话对除菌效果是有效的，但若具有杀菌效果的波长范围的光成分变得过多，则从人的标准相对可见度(标准分光可见效率)的峰值偏离的波长的发光就会变多，因此发光效率会降低。因此，实施例13以及14的发光装置的相对发光效率虽然与比较例8相比降低，但与比较例9相比变高。
如表9所示那样，在比较例8的发光装置中，具有杀菌效果的380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为0％，比率a也低到0.6，不具有除菌效果。在比较例9的发光装置中，380nm以上且420nm以下的发光量相对于总发光量的比例(380nm-420nm发光量/总发光量)为44％，比率a大到2.7，失去了混色光的色平衡。在比较例9的发光装置中，表征蓝色的视觉表现的特殊显色评价数R12的数值低，相对发光效率也变低。
如图24所示那样，在实施例13以及14的发光装置中，在发光光谱(光谱分布)中在380nm以上且420nm以下的范围内存在发光元件的发光峰值波长，从发光元件辐射具有杀菌效果的波长范围的光，并且与比较例9的发光装置的发光光谱相比，在430nm以上且680nm以下的波长范围中具有更接近于基准光源的发光光谱的发光光谱，辐射出各色成分的平衡良好的混色光。
工业可利用性
本发明的一个实施方式的发光装置能利用为照明器具、特别能利用为谋求高的显色性和抑制使用环境中的细菌的增殖的除菌效果的医疗用的照明器具、食品用的照明器具。

Claims (37)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件；和
包含由来自所述发光元件的光激发而发光的至少一种荧光体的荧光构件，
基于所述发光元件的光和所述荧光体的光的混色光的相关色温在遵循JIS Z8725的测定下是2000K以上且7500K以下，
在所述发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为15％以上，
由以下的式(1)定义的比率a是0.9以上且1.6以下，
式(1)中，BS是所述发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围内的最大发光强度，GS是485nm以上且548nm以下的波长范围内的最大发光强度，式(1)的分母是所述GS相对于所述BS的比，式(1)中，BL是所述发光装置的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围内的最大发光强度，GL是485nm以上且548nm以下的波长范围内的最大发光强度，式(1)的分子是所述GL相对于所述BL的比。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述发光元件在400nm以上且410nm以下的范围具有发光峰值波长。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
平均显色评价数Ra为80以上，或者，特殊显色评价数R12为50以上。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
从1减去所述比率a后的值的绝对值A为0.6以下。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
由所述式(1)以及以下的式(2)到式(3)定义的比率a、比率b、以及比率c的合计为2.5以上且4.5以下，
式(2)中，BS是所述发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，YS是580nm以上且不足610nm的波长范围的最大发光强度，式(2)的分母是YS相对于所述BS的比，式(2)中，BL是所述发光装置的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，YL是580nm以上且不足610nm的波长范围的最大发光强度，式(2)的分子是所述YL相对于所述BL的比，
式(3)中，BS是所述发光装置所具有的相关色温下的基准光源的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，RS是610nm以上且780nm以下的波长范围的最大发光强度，式(3)的分母是所述RS相对于所述BS的比，式(3)中，BL是所述发光装置的光谱分布中430nm以上且不足485nm的波长范围的最大发光强度，RL是610nm以上且780nm以下的波长范围的最大发光强度，式(3)的分子是所述RL相对于所述BL的比。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
所述比率b处于0.8以上且1.7以下的范围内，
所述比率c处于0.7以上且1.5以下的范围内。
7.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
从3减去所述比率a、所述比率b以及所述比率c的合计后的值的绝对值B为1.5以下。
8.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
从3减去所述比率a、所述比率b以及所述比率c的合计后的值的绝对值B为1.4以下。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
在所述发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为35％以下。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光体包含从由第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，其中，所述第一荧光体由来自所述发光元件的光激发，在430nm以上且不足485nm的范围内具有发光峰值波长，所述第二荧光体由来自所述发光元件的光激发，在485nm以上且不足610nm的范围内具有发光峰值波长，所述第三荧光体由来自所述发光元件的光激发，在610nm以上且780nm以下的范围内具有发光峰值波长。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
所述第一荧光体包含从由如下荧光体构成的群中选出的至少一种第一荧光体：
在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选出的至少一种元素、和从由卤素构成的群中选出的至少一种元素，且包含以Eu活化的含卤素碱土类金属磷酸盐的荧光体；以及
在组成中包含从由Ba、Sr以及Ca构成的群中选出的至少一种元素和Mg，且包含以Eu活化的碱土类金属硅酸盐的荧光体。
12.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
所述第二荧光体包含从由如下荧光体构成的群中选出的至少一种第二荧光体：
在组成中包含从由除Ce以外的稀土类元素构成的群中选出的至少一种元素和Al并根据需要包含Ga，且包含以Ce活化的稀土类铝酸盐的荧光体；
在组成中包含从由Ca、Sr以及Ba构成的群中选出的至少一种碱土类金属元素、和从由F、Cl以及Br构成的群中选出的至少一种卤素元素，且包含以Eu活化的含卤素碱土类金属硅酸盐的荧光体；
包含以Eu活化的β赛隆的荧光体；
在组成中包含从由La、Y以及Gd构成的群中选出的至少一种稀土类元素和Si，且包含以Ce活化的稀土类氮化物的荧光体；以及
包含以Eu活化的碱土类金属硅酸盐的荧光体。
13.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
所述第三荧光体包含从由如下荧光体构成的群中选出的至少一种第三荧光体：
在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选择的至少一种元素、Al和Si，且包含以Eu活化的氮化物的荧光体；
在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选择的至少一种元素和Si，且包含以Eu活化的氮化物的荧光体；以及
在组成中包含从由碱土类金属元素构成的群中选择的至少一种元素、Li和Al，且包含以Eu活化的氮化物的荧光体。
14.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
所述第一荧光体包含从由包含用下述式(I)表征的组成的荧光体以及包含用下述式(II)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，
(Ca，Sr，Ba，Mg)10(PO4)6(F，Cl，Br，I)2：Eu (I)
(Ba，Sr，Ca)3MgSi2O8：Eu (II)。
15.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
第二荧光体包含从由包含用下述式(III)表征的组成的荧光体、包含用下述式(IV)表征的组成的荧光体、包含用下述式(V)表征的组成的荧光体、包含用下述式(VI)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(VII)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，
(Lu，Y，Gd，Tb)3(Al，Ga)5O12：Ce (III)
(Ca，Sr，Ba)8MgSi4O16(F，Cl，Br)2：Eu (IV)
Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2) (V)
(La，Y，Gd)3Si6N11：Ce (VI)
(Ba，Sr，Ca，Mg)2SiO4：Eu (VII)。
16.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
第三荧光体包含从由包含用下述式(VIII)表征的组成的荧光体、包含用下述式(IX)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(X)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，
(Sr，Ca)AlSiN3：Eu (VIII)
(Ca，Sr，Ba)2Si5N8：Eu (IX)
(Sr，Ca)LiAl3N4：Eu (X)。
17.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
在所述荧光体的总质量中，所述第一荧光体的含有率为1.0质量％以上且50.0质量％以下，所述第二荧光体的含有率为45.0质量％以上且99.0质量％以下，所述第三荧光体的含有率为0质量％以上且50.0质量％以下。
18.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置具备配置所述发光元件以及所述荧光构件的成形体，在配置于所述成形体的发光元件的侧面方向，将包含405nm下的反射率为50％以上的氧化物和树脂的反射构件配置于所述成形体。
19.根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光构件配置于所述发光元件的上表面，所述发光元件的侧面从所述荧光构件以及所述反射构件露出。
20.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光构件具备：
包含405nm下的反射率为1％以上且50％以下的荧光体的第一荧光构件；以及
包含405nm下的反射率比第一荧光构件高的荧光体的第二荧光构件，
在所述发光元件的上表面配置所述第一荧光构件，在所述第一荧光构件之上配置所述第二荧光构件。
21.根据权利要求18所述的发光装置，其特征在于，
所述氧化物是包含从由钇、锆、铝、钛构成的群中选出的至少一种的氧化物。
22.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光构件具备：
包含405nm下的反射率为1％以上且50％以下的荧光体的第一荧光构件；以及
包含405nm下的反射率比第一荧光构件高的荧光体的第二荧光构件，
配置所述第一荧光构件以便覆盖所述发光元件的上表面以及侧面，在所述第一荧光构件之上配置所述第二荧光构件。
23.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光构件具备：
包含405nm下的反射率为1％以上且50％以下的荧光体的第一荧光构件；以及
包含405nm下的反射率比第一荧光构件高的荧光体的第二荧光构件，
配置所述第一荧光构件以便覆盖所述发光元件的侧面，在所述第一荧光构件之上配置所述第二荧光构件。
24.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备对树脂和由来自在380nm以上且420nm以下的范围内具有发光峰值波长的发光元件的光激发而发光的第一荧光体、第二荧光体以及第三荧光体进行调配而成的荧光构件用组成物、和配置所述发光元件的成形体，其中，将所述树脂和所述第一荧光体、所述第二荧光体以及所述第三荧光体以如下方式进行调配，即，在所述第一荧光体、所述第二荧光体以及所述第三荧光体的总质量中将所述第一荧光体的含有率设为1.0质量％以上且50.0质量％以下、将所述第二荧光体的含有率设为45.0质量％以上且99.0质量％以下、将所述第三荧光体的含有率设为0质量％以上且50.0质量％以下而得到的发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为15％以上；以及
在将所述发光元件载置于所述成形体后，在所述发光元件上配置荧光构件用组成物并使其固化而形成荧光构件，
所述第一荧光体包含从由具有用下述式(I)表征的组成的荧光体以及具有用下述式(II)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种第一荧光体，
(Ca，Sr，Ba，Mg)10(PO4)6(F，Cl，Br，I)2：Eu (I)
(Ba，Sr，Ca)3MgSi2O8：Eu (II)
所述第二荧光体包含从由包含用下述式(III)表征的组成的荧光体、包含用下述式(IV)表征的组成的荧光体、包含用下述式(V)表征的组成的荧光体、包含用下述式(VI)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(VII)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，
(Lu，Y，Gd，Tb)3(Al，Ga)5O12：Ce (III)
(Ca，Sr，Ba)8MgSi4O16(F，Cl，Br)2：Eu (IV)
Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2) (V)
(La，Y，Gd)3Si6N11：Ce (VI)
(Ba，Sr，Ca，Mg)2SiO4：Eu (VII)
所述第三荧光体包含从由包含用下述式(VIII)表征的组成的荧光体、包含用下述式(IX)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(X)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，
(Sr，Ca)AlSiN3：Eu (VIII)
(Ca，Sr，Ba)2Si5N8：Eu (IX)
(Sr，Ca)LiAl3N4：Eu (X)，
所述第一荧光体由来自所述发光元件的光激发，在430nm以上且不足485nm的范围内具有发光峰值波长，
所述第二荧光体由来自所述发光元件的光激发，在485nm以上且不足610nm的范围内具有发光峰值波长，
所述第三荧光体由来自所述发光元件的光激发，在610nm以上且780nm以下的范围内具有发光峰值波长。
25.根据权利要求24所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述发光元件在400nm以上且410nm以下的范围具有发光峰值波长。
26.根据权利要求24所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在所得到的发光装置的光谱分布中，在将380nm以上且780nm以下的波长范围的积分值设为100％时，380nm以上且420nm以下的波长范围的积分值的比例为35％以下。
27.根据权利要求24所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
从所得到的发光装置发出的光的平均显色评价数Ra为80以上，或者，从所得到的发光装置发出的光的特殊显色评价数R12为50以上。
28.根据权利要求24所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
从所得到的发光装置发出的光的特殊显色评价数R9为10以上。
29.根据权利要求24所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述发光装置的制造方法包括：
准备包含405nm下的反射率为50％以上的氧化物和树脂的反射构件用组成物，将所述反射构件用组成物配置于所述成形体并使其固化，使得配置于所述成形体的发光元件的侧面方向从反射构件用组成物露出，来形成反射构件。
30.根据权利要求29所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
将所述荧光构件用组成物配置于所述发光元件的上表面，并配置所述反射构件用组成物，使得所述发光元件的侧面从所述荧光构件以及所述反射构件露出。
31.根据权利要求24所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述荧光构件具备：
包含从由405nm下的反射率为1％以上且50％以下的所述第一荧光体、所述第二荧光体以及所述第三荧光体构成的群中选择的至少一种荧光体的第一荧光构件；以及
包含从由405nm下的反射率比第一荧光构件高的所述第一荧光体、所述第二荧光体以及所述第三荧光体构成的群中选择的至少一种荧光体的第二荧光构件，
在所述发光元件的上表面配置所述第一荧光构件，在所述第一荧光构件之上配置所述第二荧光构件。
32.根据权利要求31所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一荧光构件配置于所述发光元件的成为主面的上表面，所述第二荧光构件配置于所述第一荧光构件之上。
33.根据权利要求29所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述荧光构件具备：
包含从由405nm下的反射率为1％以上且50％以下的所述第一荧光体、所述第二荧光体以及所述第三荧光体构成的群中选择的至少一种荧光体的第一荧光构件；以及
包含从由405nm下的反射率比第一荧光构件高的所述第一荧光体、所述第二荧光体以及所述第三荧光体构成的群中选择的至少一种荧光体的第二荧光构件，
在所述发光元件的上表面配置所述第一荧光构件，将所述第二荧光构件配置于所述第一荧光构件以及所述反射构件之上，所述发光元件的侧面由所述第二荧光构件覆盖。
34.根据权利要求31所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
配置所述第一荧光构件以便覆盖所述发光元件的上表面以及侧面，在所述第一荧光构件之上配置所述第二荧光构件。
35.根据权利要求31所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
配置所述第一荧光构件以便覆盖所述发光元件的侧面，配置第二荧光构件以便覆盖所述发光元件的上表面以及所述第一荧光构件。
36.根据权利要求29所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述氧化物是包含从由钇、锆、铝、钛构成的群中选出的至少一种的氧化物。
37.根据权利要求24所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述第一荧光体包含具有用下述式(I’)表征的组成的荧光体，
Ca10(PO4)6Cl2：Eu (I’)
所述第二荧光体包含从由包含用下述式(III’)表征的组成的荧光体、包含用下述式(IV)表征的组成的荧光体、包含用下述式(V)表征的组成的荧光体、以及包含用下述式(VI)表征的组成的荧光体构成的群中选出的至少一种荧光体，
(Lu，Y)3(Al，Ga)5O12：Ce (III’)
(Ca，Sr，Ba)8MgSi4O16(F，Cl，Br)2：Eu (IV)
Si6-zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2) (V)
(La，Y，Gd)3Si6N11：Ce (VI)
所述第三荧光体包含含有用下述式(VIII)表征的组成的荧光体，
(Sr，Ca)AlSiN3：Eu (VIII)。
CN201910466750.0A 2018-05-31 2019-05-30 发光装置 Active CN110556465B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-105560 2018-05-31
JP2018105560 2018-05-31
JP2019095441A JP7116321B2 (ja) 2018-05-31 2019-05-21 発光装置
JP2019-095441 2019-05-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110556465A CN110556465A (zh) 2019-12-10
CN110556465B true CN110556465B (zh) 2024-04-02

Family

ID=66857619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910466750.0A Active CN110556465B (zh) 2018-05-31 2019-05-30 发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10770628B2 (zh)
EP (1) EP3576168B1 (zh)
CN (1) CN110556465B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017019933A1 (en) 2015-07-30 2017-02-02 Vital Vio, Inc. Single diode disinfection
US10918747B2 (en) 2015-07-30 2021-02-16 Vital Vio, Inc. Disinfecting lighting device
US10617774B2 (en) 2017-12-01 2020-04-14 Vital Vio, Inc. Cover with disinfecting illuminated surface
US10413626B1 (en) 2018-03-29 2019-09-17 Vital Vio, Inc. Multiple light emitter for inactivating microorganisms
EP3576168B1 (en) * 2018-05-31 2023-05-31 Nichia Corporation Light emitting device
US11639897B2 (en) 2019-03-29 2023-05-02 Vyv, Inc. Contamination load sensing device
WO2021030748A1 (en) 2019-08-15 2021-02-18 Vital Vio, Inc. Devices configured to disinfect interiors
US11878084B2 (en) * 2019-09-20 2024-01-23 Vyv, Inc. Disinfecting light emitting subcomponent

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
CN101081980A (zh) * 2006-06-02 2007-12-05 夏普株式会社 波长变换构件和发光装置
CN101137737A (zh) * 2005-03-14 2008-03-05 株式会社东芝 白色发光灯及使用它的背光源、显示装置及照明装置
CN101785120A (zh) * 2007-08-30 2010-07-21 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN102428582A (zh) * 2009-05-15 2012-04-25 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
CN102763232A (zh) * 2010-02-16 2012-10-31 株式会社东芝 全彩液晶显示装置的背光源用的白色led、全彩液晶显示装置用的背光源及全彩液晶显示装置
JP2013045896A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
CN103222077A (zh) * 2010-12-09 2013-07-24 夏普株式会社 发光装置
CN103328607A (zh) * 2011-03-16 2013-09-25 株式会社东芝 发光装置用荧光体、其制造方法及使用了该荧光体的发光装置
CN106796976A (zh) * 2014-10-08 2017-05-31 首尔半导体株式会社 发光装置
CN107437576A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 日亚化学工业株式会社 发光装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4989936B2 (ja) 2006-07-27 2012-08-01 株式会社朝日ラバー 照明装置
JP5435619B2 (ja) 2009-03-06 2014-03-05 国立大学法人山口大学 表面殺菌装置
CN102405538A (zh) 2009-08-26 2012-04-04 三菱化学株式会社 白色半导体发光装置
JP2011071404A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Kyocera Corp 発光装置および照明装置
JP2011159769A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
JP2011159832A (ja) 2010-02-01 2011-08-18 Yamaguchi Univ 半導体発光装置
JP2012060097A (ja) 2010-06-25 2012-03-22 Mitsubishi Chemicals Corp 白色半導体発光装置
US9287475B2 (en) * 2012-07-20 2016-03-15 Cree, Inc. Solid state lighting component package with reflective polymer matrix layer
CN106888522B (zh) * 2013-03-04 2018-12-07 西铁城电子株式会社 发光装置
JP6201665B2 (ja) * 2013-11-13 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法並びに発光装置及びカラーフィルターの選択方法
KR102184381B1 (ko) * 2014-03-21 2020-11-30 서울반도체 주식회사 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광 소자 및 이를 포함하는 조명장치
JP6501803B2 (ja) * 2015-02-13 2019-04-17 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
US9735323B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
WO2017019933A1 (en) * 2015-07-30 2017-02-02 Vital Vio, Inc. Single diode disinfection
CN108697533B (zh) 2016-02-01 2020-11-17 东芝高新材料公司 近视抑制物品用光源及近视抑制物品用光源的使用方法
US10256374B2 (en) * 2016-03-04 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
US10632214B2 (en) * 2016-06-24 2020-04-28 Soraa, Inc. Bactericidal light source with high quality of light
JP6866580B2 (ja) * 2016-06-29 2021-04-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及び光源
WO2019146327A1 (ja) * 2018-01-29 2019-08-01 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
EP3576168B1 (en) 2018-05-31 2023-05-31 Nichia Corporation Light emitting device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
CN101137737A (zh) * 2005-03-14 2008-03-05 株式会社东芝 白色发光灯及使用它的背光源、显示装置及照明装置
CN101081980A (zh) * 2006-06-02 2007-12-05 夏普株式会社 波长变换构件和发光装置
CN101785120A (zh) * 2007-08-30 2010-07-21 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN102428582A (zh) * 2009-05-15 2012-04-25 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
CN102763232A (zh) * 2010-02-16 2012-10-31 株式会社东芝 全彩液晶显示装置的背光源用的白色led、全彩液晶显示装置用的背光源及全彩液晶显示装置
CN103222077A (zh) * 2010-12-09 2013-07-24 夏普株式会社 发光装置
CN103328607A (zh) * 2011-03-16 2013-09-25 株式会社东芝 发光装置用荧光体、其制造方法及使用了该荧光体的发光装置
JP2013045896A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
CN106796976A (zh) * 2014-10-08 2017-05-31 首尔半导体株式会社 发光装置
CN107437576A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 日亚化学工业株式会社 发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11990571B2 (en) 2024-05-21
US20200365772A1 (en) 2020-11-19
US20190371978A1 (en) 2019-12-05
EP3576168A2 (en) 2019-12-04
US10770628B2 (en) 2020-09-08
EP3576168A3 (en) 2020-02-19
CN110556465A (zh) 2019-12-10
EP3576168B1 (en) 2023-05-31
US20230019657A1 (en) 2023-01-19
US11502226B2 (en) 2022-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110556465B (zh) 发光装置
US11011684B2 (en) Light emitting device
KR102262785B1 (ko) 발광 장치
US7646032B2 (en) White light LED devices with flat spectra
JP5727524B2 (ja) 高演色性の高効率ｌｅｄベース照明モジュール
US10505081B2 (en) Light emitting device
WO2020107425A1 (zh) 一种荧光体混合物及其发光装置
US10256374B2 (en) Light emitting device
US10493175B2 (en) Method for manufacturing light-emitting device
JP6460040B2 (ja) 発光装置
JP7116321B2 (ja) 発光装置
WO2023188921A1 (ja) 発光装置及び照明装置
JP7185146B2 (ja) 発光装置
JP2023152701A (ja) 発光装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant