CN110556321A - 水膜装置 - Google Patents
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 39
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 38
- 239000013072 incoming material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种水膜装置,包括:用于传送硅片的辊道,设于辊道上方的至少一组出水头,可控制各出水头独立出水的出水头控制模组,以及各组出水头分别配置、且用于感应硅片的测量光栅;同一组的出水头沿辊道宽度方向依次设置;测量光栅位于其所对应的一组出水头的来料侧;测量光栅具有由平行光线组成的光幕,各光线竖向贯穿辊道,且各光线沿辊道宽度方向依次设置;光幕在辊道宽度方向上跨域其所对应的一组出水头;所述出水头控制模组,其根据光幕被硅片遮挡的区域,来控制与该区域相对应的出水头出水。本发明水膜装置能适应多种尺寸的硅片,可精确控制不同尺寸硅片的水膜水量,且可达到控制水量与节约用水的目的。
Description
技术领域
本发明涉及水膜装置。
背景技术
在光伏电池制造过程中,需要对硅片背面进行湿法刻蚀,且只刻蚀硅片背面,不希望正面受酸溶液腐蚀,故刻蚀前需要在硅片正面滴一层水膜,通过水膜来保护硅片正面,水膜的水量需控制在覆满整个硅片正面,但又不能覆过满,否则会导致水膜表面张力破坏而漏水的情况。
目前一般采用出水头对辊道上传送的硅片滴加水膜,且在出水头的来料侧设置红外感应装置,红外感应装置采用单光束红外对射,形成一条贯穿辊道的红外线,可通过红外线感应硅片来控制出水头出水,当红外线未被辊道上传送的硅片遮断时,出水头不会出水,当红外线被辊道上传送的硅片遮断时,出水头出水,进而在硅片上形成水膜。
如上所述,目前单个硅片仅通过一条红外线来感应,当辊道上传送的硅片为小片(如条状硅片)时,可能会因为小片行进偏移或是宽度太小,而导致小片未能有效触发红外感应,这会造成小片错过滴水或滴水不足,进而使小片正面的水膜不达标,并导致后续工艺的外观不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种水膜装置,其能适应多种尺寸的硅片。
为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种水膜装置,包括:用于传送硅片的辊道,设于辊道上方的至少一组出水头,可控制各出水头独立出水的出水头控制模组,以及各组出水头分别配置、且用于感应硅片的测量光栅;
同一组的出水头沿辊道宽度方向依次设置;测量光栅位于其所对应的一组出水头的来料侧;测量光栅具有由平行光线组成的光幕,各光线竖向贯穿辊道,且各光线沿辊道宽度方向依次设置;光幕在辊道宽度方向上跨域其所对应的一组出水头;
所述出水头控制模组,其根据光幕被硅片遮挡的区域,来控制与该区域相对应的出水头出水。
优选的,所述测量光栅包括:设于辊道上方的发射器,以及位于辊道下方的受光器。
或者,所述测量光栅包括:设于辊道下方的发射器,以及位于辊道上方的受光器。
优选的,所述硅片的宽度不大于光幕的宽度。
本发明的优点和有益效果在于:提供一种水膜装置,其能适应多种尺寸的硅片。
本发明主要是将现有的单光束红外对射改为光幕,并根据光幕被硅片遮挡的区域,来控制与该区域相对应的出水头出水,故本发明可兼容多种尺寸的硅片,如小片,特别是适应条状硅片。
本发明能控制仅特定位置的出水头出水,可精确控制不同尺寸硅片的水膜水量,且可达到控制水量与节约用水的目的,小片时可节省水膜用水量,例如:1/2片可节省50%用水量, 1/3片可节省66%用水量。
附图说明
图1和图2是本发明的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1和图2所示(图2中未示出辊道),一种水膜装置,包括:用于传送硅片5的辊道1,设于辊道1上方的至少一组出水头2,可控制各出水头2独立出水的出水头控制模组3,以及各组出水头2分别配置、且用于感应硅片5的测量光栅4;
同一组的出水头2沿辊道1宽度方向依次设置;测量光栅4位于其所对应的一组出水头2的来料侧;测量光栅4具有由平行光线组成的光幕,各光线竖向贯穿辊道1,且各光线沿辊道1宽度方向依次设置;光幕在辊道1宽度方向上跨域其所对应的一组出水头2;
所述出水头控制模组3,其根据光幕被硅片5遮挡的区域,来控制与该区域相对应的出水头2出水。
所述测量光栅4包括发射器41和受光器42,发射器41设于辊道1上方,受光器42设于辊道1下方(也可以发射器设于辊道1下方,受光器设于辊道1上方)。
所述硅片5的宽度不大于光幕的宽度。
本发明主要是将现有的单光束红外对射改为光幕,并根据光幕被硅片5遮挡的区域,来控制与该区域相对应的出水头2出水,故本发明可兼容多种尺寸的硅片5,如小片,特别是适应条状硅片5。
本发明能控制仅特定位置的出水头2出水,可精确控制不同尺寸硅片5的水膜水量,且可达到控制水量与节约用水的目的,小片时可节省水膜用水量,例如:1/2片可节省50%用水量, 1/3片可节省66%用水量。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.水膜装置,其特征在于,包括:用于传送硅片的辊道,设于辊道上方的至少一组出水头,可控制各出水头独立出水的出水头控制模组,以及各组出水头分别配置、且用于感应硅片的测量光栅;
同一组的出水头沿辊道宽度方向依次设置;测量光栅位于其所对应的一组出水头的来料侧;测量光栅具有由平行光线组成的光幕,各光线竖向贯穿辊道,且各光线沿辊道宽度方向依次设置;光幕在辊道宽度方向上跨域其所对应的一组出水头;
所述出水头控制模组,其根据光幕被硅片遮挡的区域,来控制与该区域相对应的出水头出水。
2.根据权利要求1所述的水膜装置,其特征在于,所述测量光栅包括:设于辊道上方的发射器,以及位于辊道下方的受光器。
3.根据权利要求1所述的水膜装置,其特征在于,所述测量光栅包括:设于辊道下方的发射器,以及位于辊道上方的受光器。
4.根据权利要求1所述的水膜装置,其特征在于,所述硅片的宽度不大于光幕的宽度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910864626.XA CN110556321A (zh) | 2019-09-12 | 2019-09-12 | 水膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910864626.XA CN110556321A (zh) | 2019-09-12 | 2019-09-12 | 水膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110556321A true CN110556321A (zh) | 2019-12-10 |
Family
ID=68740128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910864626.XA Pending CN110556321A (zh) | 2019-09-12 | 2019-09-12 | 水膜装置 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN110556321A (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100054487A (ko) * | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US20110059245A1 (en) * | 2009-09-08 | 2011-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus and coating method |
CN202004038U (zh) * | 2011-04-19 | 2011-10-05 | 润峰电力有限公司 | 多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置 |
CN102347224A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-02-08 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种注入机用晶片缺口定位装置 |
WO2012119785A1 (de) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Kornelia Tebbe | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer funktionsmaterialbahn |
CN102754198A (zh) * | 2009-10-19 | 2012-10-24 | 吉布尔·施密德有限责任公司 | 用于处理基片的基片表面的方法和装置 |
CN103185159A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-07-03 | 苏州启智机电技术有限公司 | 感应出水系统 |
CN107511287A (zh) * | 2017-10-16 | 2017-12-26 | 佛山沃顿装备技术股份有限公司 | 一种光幕识别喷漆机设备及其喷漆方法 |
CN207425800U (zh) * | 2017-05-09 | 2018-05-29 | 苏州库睿斯自动化设备有限公司 | 一种水膜精确控制系统 |
CN208637387U (zh) * | 2018-08-20 | 2019-03-22 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆安全防护系统 |
CN208861942U (zh) * | 2018-09-18 | 2019-05-14 | 苏州昊建自动化系统有限公司 | 一种刻蚀装置 |
-
2019
- 2019-09-12 CN CN201910864626.XA patent/CN110556321A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100054487A (ko) * | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US20110059245A1 (en) * | 2009-09-08 | 2011-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus and coating method |
CN102754198A (zh) * | 2009-10-19 | 2012-10-24 | 吉布尔·施密德有限责任公司 | 用于处理基片的基片表面的方法和装置 |
CN102347224A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-02-08 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种注入机用晶片缺口定位装置 |
WO2012119785A1 (de) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | Kornelia Tebbe | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer funktionsmaterialbahn |
CN202004038U (zh) * | 2011-04-19 | 2011-10-05 | 润峰电力有限公司 | 多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置 |
CN103185159A (zh) * | 2013-03-29 | 2013-07-03 | 苏州启智机电技术有限公司 | 感应出水系统 |
CN207425800U (zh) * | 2017-05-09 | 2018-05-29 | 苏州库睿斯自动化设备有限公司 | 一种水膜精确控制系统 |
CN107511287A (zh) * | 2017-10-16 | 2017-12-26 | 佛山沃顿装备技术股份有限公司 | 一种光幕识别喷漆机设备及其喷漆方法 |
CN208637387U (zh) * | 2018-08-20 | 2019-03-22 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆安全防护系统 |
CN208861942U (zh) * | 2018-09-18 | 2019-05-14 | 苏州昊建自动化系统有限公司 | 一种刻蚀装置 |
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