CN110551281A - 一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及聚酰亚胺复合膜制备技术领域,具体涉及一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,包括以下步骤:氮化硼改性、原料纯化、聚酰胺酸的制备和成膜,制得的改性氮化硼在聚酰胺酸溶液中分散均匀,并通过氢键作用于聚酰胺酸,复合成膜效果好。制备的复合膜在60Co辐射源的辐照剂量点分别为100Krad、200Krad、500Krad、1Mrad辐照后,其抗拉强度、热学性能、介电常数均无明显减弱,具有良好的力学性能、热学性能、介电性能,抗辐射性能佳,在航空航天等复杂辐射环境中具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及聚酰亚胺复合膜制备技术领域,具体涉及一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法。
背景技术
20世纪中叶,随着电子医疗、航空航天等新兴技术的飞速发展,人们对高强度、耐热性好、重量轻等特点的结构材料提出了更高的要求,在此背景下,一类主链由杂环和芳香环组成的聚合物应运而生,这些聚合物的耐热温度能够达到400℃以上,这是聚合物化学领域的一项重大成就,聚酰亚胺就是这类聚合物中的引人注目的一种。
聚酰亚胺是指由二元胺和二元酐经缩聚反应形成的主链中含有酰亚胺环的高分子聚合物材料,其中,聚合物中最为重要的是含有酞酰亚胺结构的一类。聚酰亚胺一直以其优异的综合性能,如优异的结构多样性、高强度、高模量、优异的耐热性、机械性能、介电性能、成膜性和耐辐射性能,被广泛应用于航空航天、纳米技术、液晶、电子医疗、分离膜、汽车制造、激光和核电等多种领域。
不可忽略的是,在航空航天和工业生产中,设备长时间暴露在辐射环境中,造成系统材料的加速损坏和性能下降,进而影响使用的可靠性和设备寿命。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,制备的复合膜在60Co辐射源辐照后,其抗拉强度、热学性能、介电常数均无明显减弱,具有良好的抗辐射性能,在航空航天等复杂辐射环境中具有良好的应用前景。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:
一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,包括以下步骤:
1)氮化硼改性:甲基三乙氧基硅烷与乙醇混合均匀后,加入水,使用乙酸调节pH至2.5-3.0,加入六方氮化硼,常温反应0.5-1.0h后,行星式球磨机球磨4.0-6.0h,离心机离心15-20min,取沉淀物,120℃真空干燥5.0-8.0h,研磨粉碎,即得改性氮化硼;
2)原料纯化:使用乙酸酐重结晶均苯四甲酸二酐,160℃干燥3.0h,研磨后继续160℃干燥2.0h制得纯化的均苯四甲酸二酐,使用乙醇重结晶4,4’-二氨基二苯醚,110℃干燥3.0h,研磨后继续110℃干燥2.0h制得纯化的4,4’-二氨基二苯醚,向N-甲基吡咯烷酮中加入五氧化二磷,静置0.5h后减压蒸馏,制得纯化的N-甲基吡咯烷酮;
3)聚酰胺酸的制备;将纯化的4,4’-二氨基二苯醚加至纯化的N-甲基吡咯烷酮中,搅拌均匀后,降温至5-10℃,间隔定量添加纯化的均苯四甲酸二酐,添加完毕后,常温反应2.5-3.0h,制得聚酰胺酸;
4)成膜:常温下将步骤1)制得的改性氮化硼缓慢加至步骤3)制得的聚酰胺酸中,搅拌5.0-6.0h,升温至60℃,继续搅拌0.5h后,快速倒在玻璃板上铺膜,按照设定程序升温,80℃保持2.0h,100℃保持2.0h,120℃保持2.0h,140℃保持2.0h,160℃保持2.0h,200℃保持1.0h,240℃保持1.0h,320℃保持0.5h,冷却至室温,将玻璃板浸入去离子水中使薄膜脱落,真空干燥即得。
进一步的,所述步骤1)中甲基三乙氧基硅烷、乙醇、水、六方氮化硼的体积质量比(ml:ml:ml:g)为22:70:7:1。
进一步的,所述步骤1)中离心机的转速为2000rpm。
进一步的,所述步骤3)中纯化的4,4’-二氨基二苯醚与纯化的均苯四甲酸二酐的摩尔比为1:1.01。
进一步的,所述步骤3)中间隔定量添加纯化的均苯四甲酸二酐的方法为先加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至5-10℃后保持3.0-5.0min,再加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至5-10℃后保持3.0-5.0min,再加入剩余1/3的均苯四甲酸二酐。
进一步的,所述步骤4)中改性氮化硼与聚酰胺酸的质量体积比(g:ml)为1:86。
由于采用上述的技术方案,本发明的有益效果如下:
六方氮化硼中的硼元素有空轨道,而氧、氮为两种具有富余孤对电子的元素,从而发生配位反应,形成O-N-B之间的配位键,本发明通过甲基三乙氧基硅烷对六方氮化硼进行表面改性氮化硼,制得的改性氮化硼在聚酰胺酸溶液中分散均匀,并通过氢键作用于聚酰胺酸,复合成膜效果好。制备的复合膜在60Co辐射源的辐照剂量点分别为100Krad、200Krad、500Krad、1Mrad辐照后,其抗拉强度、热学性能、介电常数均无明显减弱,具有良好的力学性能、热学性能、介电性能。
同等辐射剂量率下,本发明制得的聚酰亚胺复合膜的抗拉强度均高于纯PI薄膜,改性氮化硼在聚酰亚胺体系中起到了增强体的作用,增加了复合膜的抗拉强度,同时增强了复合材料对60Co辐射源的抗辐照性能。同时,60Co辐射对纯PI薄膜的热稳定性影响较小,本发明制得的复合膜的热学稳定性较之纯PI薄膜没有明显的变化,表现出较好的热稳定性。在103Hz下,纯PI薄膜的介电损耗为0.04-0.07,本发明制得的复合膜的介电损耗为0.02,低于纯PI薄膜,改性氮化硼在聚酰亚胺复合膜中均匀分布,增强有机复合膜的介电性,降低介电损耗。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,包括以下步骤:
1)氮化硼改性:450.0ml甲基三乙氧基硅烷与1400.5ml乙醇混合均匀后,加入150.2ml水,使用乙酸调节pH至3.0,加入20.1g粒径为1μm的六方氮化硼,常温反应0.5h后,行星式球磨机球磨4.0h,离心机2000rpm离心20min,取沉淀物,120℃真空干燥8.0h,研磨粉碎,即得7.5g白色粉末状改性氮化硼;
2)原料纯化:使用乙酸酐重结晶均苯四甲酸二酐,160℃干燥3.0h,研磨后继续160℃干燥2.0h制得纯化的均苯四甲酸二酐,使用乙醇重结晶4,4’-二氨基二苯醚,110℃干燥3.0h,研磨后继续110℃干燥2.0h制得纯化的4,4’-二氨基二苯醚,向N-甲基吡咯烷酮中加入五氧化二磷,静置0.5h后减压蒸馏,制得纯化的N-甲基吡咯烷酮;
3)聚酰胺酸的制备;将纯化的4,4’-二氨基二苯醚加至纯化的N-甲基吡咯烷酮中,搅拌均匀后,4,4’-二氨基二苯醚完全溶解,溶液降温至10℃,间隔定量添加纯化的均苯四甲酸二酐,即先加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至10℃后保持3.0min,再加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至10℃后保持3.0min,再加入剩余1/3的均苯四甲酸二酐,添加完毕后,常温反应2.5h,制得黄色聚酰胺酸溶液,纯化的4,4’-二氨基二苯醚与纯化的均苯四甲酸二酐的摩尔比为1:1.01;
4)成膜:常温下将步骤1)制得的7.5g改性氮化硼缓慢加至步骤3)制得的643.0ml聚酰胺酸中,搅拌5.0h,升温至60℃,继续搅拌0.5h后,快速倒在玻璃板上铺膜,按照设定程序升温,80℃保持2.0h,100℃保持2.0h,120℃保持2.0h,140℃保持2.0h,160℃保持2.0h,200℃保持1.0h,240℃保持1.0h,320℃保持0.5h,冷却至室温,将玻璃板浸入去离子水中使薄膜脱落,真空干燥即得深黄色薄膜,无肉眼可见的颗粒。
实施例2
一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,包括以下步骤:
1)氮化硼改性:562.2ml甲基三乙氧基硅烷与1750.0ml乙醇混合均匀后,加入188.0ml水,使用乙酸调节pH至2.5,加入25.0g粒径为1μm的六方氮化硼,常温反应1.0h后,行星式球磨机球磨6.0h,离心机2000rpm离心20min,取沉淀物,120℃真空干燥8.0h,研磨粉碎,即得9.9g白色粉末状改性氮化硼;
2)原料纯化:使用乙酸酐重结晶均苯四甲酸二酐,160℃干燥3.0h,研磨后继续160℃干燥2.0h制得纯化的均苯四甲酸二酐,使用乙醇重结晶4,4’-二氨基二苯醚,110℃干燥3.0h,研磨后继续110℃干燥2.0h制得纯化的4,4’-二氨基二苯醚,向N-甲基吡咯烷酮中加入五氧化二磷,静置0.5h后减压蒸馏,制得纯化的N-甲基吡咯烷酮;
3)聚酰胺酸的制备;将纯化的4,4’-二氨基二苯醚加至纯化的N-甲基吡咯烷酮中,搅拌均匀后,4,4’-二氨基二苯醚完全溶解,溶液降温至5℃,间隔定量添加纯化的均苯四甲酸二酐,即先加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至5℃后保持3.0min,再加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至5℃后保持3.0min,再加入剩余1/3的均苯四甲酸二酐,添加完毕后,常温反应2.5h,制得黄色的聚酰胺酸溶液,纯化的4,4’-二氨基二苯醚与纯化的均苯四甲酸二酐的摩尔比为1:1.01;
4)成膜:常温下将步骤1)制得的9.9g改性氮化硼缓慢加至步骤3)制得的836.0ml聚酰胺酸中,搅拌6.0h,升温至60℃,继续搅拌0.5h后,快速倒在玻璃板上铺膜,按照设定程序升温,80℃保持2.0h,100℃保持2.0h,120℃保持2.0h,140℃保持2.0h,160℃保持2.0h,200℃保持1.0h,240℃保持1.0h,320℃保持0.5h,冷却至室温,将玻璃板浸入去离子水中使薄膜脱落,真空干燥即得深黄色薄膜,无肉眼可见的颗粒。
实施例3
一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,包括以下步骤:
1)氮化硼改性:338.2ml甲基三乙氧基硅烷与1050.0ml乙醇混合均匀后,加入112.5ml水,使用乙酸调节pH至3.0,加入15.2g粒径为1μm的六方氮化硼,常温反应0.5h后,行星式球磨机球磨5.0h,离心机2000rpm离心15min,取沉淀物,120℃真空干燥6.0h,研磨粉碎,即得5.6g白色粉末状改性氮化硼;
2)原料纯化:使用乙酸酐重结晶均苯四甲酸二酐,160℃干燥3.0h,研磨后继续160℃干燥2.0h制得纯化的均苯四甲酸二酐,使用乙醇重结晶4,4’-二氨基二苯醚,110℃干燥3.0h,研磨后继续110℃干燥2.0h制得纯化的4,4’-二氨基二苯醚,向N-甲基吡咯烷酮中加入五氧化二磷,静置0.5h后减压蒸馏,制得纯化的N-甲基吡咯烷酮;
3)聚酰胺酸的制备;将纯化的4,4’-二氨基二苯醚加至纯化的N-甲基吡咯烷酮中,搅拌均匀后,4,4’-二氨基二苯醚完全溶解,溶液降温至10℃,间隔定量添加纯化的均苯四甲酸二酐,即先加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至10℃后保持5.0min,再加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至10℃后保持5.0min,再加入剩余1/3的均苯四甲酸二酐,添加完毕后,常温反应3.0h,制得黄色的聚酰胺酸溶液,纯化的4,4’-二氨基二苯醚与纯化的均苯四甲酸二酐的摩尔比为1:1.01;
4)成膜:常温下将步骤1)制得的5.6g改性氮化硼缓慢加至步骤3)制得的482.0ml聚酰胺酸中,搅拌6.0h,升温至60℃,继续搅拌0.5h后,快速倒在玻璃板上铺膜,按照设定程序升温,80℃保持2.0h,100℃保持2.0h,120℃保持2.0h,140℃保持2.0h,160℃保持2.0h,200℃保持1.0h,240℃保持1.0h,320℃保持0.5h,冷却至室温,将玻璃板浸入去离子水中使薄膜脱落,真空干燥即得深黄色薄膜,无肉眼可见的颗粒。
本发明采用钴源辐照实验装置对制得的纯PI薄膜和聚酰亚胺复合膜进行辐射易损性评估测试,辐照剂量率测量采用电离辐射剂量二级标准装置UNIDOS剂量仪,钴源的总剂量率为0.1Gy(Si)/s,辐射剂量率分别为50Krad、100Krad、200Krad、500Krad和1Mrad,纯PI薄膜和聚酰亚胺复合膜的测试尺寸为长60mm、宽60mm、厚100μm,在拉伸性能测试过程中,拉伸速率为2mm/min。以纯PI薄膜作为对照,本发明实施例1-3的力学性能参数如表1所示:
表1力学性能参数
从表1可以看出,同等辐射剂量率下,实施例1-3的聚酰亚胺复合膜的抗拉强度均高于纯PI薄膜,表明改性氮化硼在聚酰亚胺体系中增强了复合膜对60Co辐射源的抗辐照性能。
同时,纯PI薄膜在未经过60Co辐照的初始热分解温度(5%热失重)为550℃,而经过1Mrad剂量点的辐照后,纯PI薄膜的初始热分解温度为520℃;实施例1-3的复合膜在未经过60Co辐照的初始热分解温度均为530℃,而经过1Mrad剂量点的辐照后,实施例1-3复合膜的初始热分解温度为520℃,60Co辐射对纯PI薄膜的热稳定性影响较小,实施例1-3复合膜的热学稳定性较之纯PI薄膜没有明显的变化,表现出较好的热稳定性。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (6)
1.一种抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)氮化硼改性:甲基三乙氧基硅烷与乙醇混合均匀后,加入水,使用乙酸调节pH至2.5-3.0,加入六方氮化硼,常温反应0.5-1.0h后,行星式球磨机球磨4.0-6.0h,离心机离心15-20min,取沉淀物,120℃真空干燥5.0-8.0h,研磨粉碎,即得改性氮化硼;
2)原料纯化:使用乙酸酐重结晶均苯四甲酸二酐,160℃干燥3.0h,研磨后继续160℃干燥2.0h制得纯化的均苯四甲酸二酐,使用乙醇重结晶4,4’-二氨基二苯醚,110℃干燥3.0h,研磨后继续110℃干燥2.0h制得纯化的4,4’-二氨基二苯醚,向N-甲基吡咯烷酮中加入五氧化二磷,静置0.5h后减压蒸馏,制得纯化的N-甲基吡咯烷酮;
3)聚酰胺酸的制备;将纯化的4,4’-二氨基二苯醚加至纯化的N-甲基吡咯烷酮中,搅拌均匀后,降温至5-10℃,间隔定量添加纯化的均苯四甲酸二酐,添加完毕后,常温反应2.5-3.0h,制得聚酰胺酸。
4)成膜:常温下将步骤1)制得的改性氮化硼缓慢加至步骤3)制得的聚酰胺酸中,搅拌5.0-6.0h,升温至60℃,继续搅拌0.5h后,快速倒在玻璃板上铺膜,按照设定程序升温,80℃保持2.0h,100℃保持2.0h,120℃保持2.0h,140℃保持2.0h,160℃保持2.0h,200℃保持1.0h,240℃保持1.0h,320℃保持0.5h,冷却至室温,将玻璃板浸入去离子水中使薄膜脱落,真空干燥即得。
2.根据权利要求1所述的抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中甲基三乙氧基硅烷、乙醇、水、六方氮化硼的体积质量比(ml:ml:ml:g)为22:70:7:1。
3.根据权利要求1所述的抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中离心机的转速为2000rpm。
4.根据权利要求1所述的抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中纯化的4,4’-二氨基二苯醚与纯化的均苯四甲酸二酐的摩尔比为1:1.01。
5.根据权利要求1所述的抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中间隔定量添加纯化的均苯四甲酸二酐的方法为先加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至5-10℃后保持3.0-5.0min,再加入1/3的均苯四甲酸二酐,待胶液体系降至5-10℃后保持3.0-5.0min,再加入剩余1/3的均苯四甲酸二酐。
6.根据权利要求1所述的抗辐射聚酰亚胺复合膜的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中改性氮化硼与聚酰胺酸的质量体积比(g:ml)为1:86。
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