CN110544573A - 线圈组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种线圈组件，该线圈组件能够减小漏磁通，所述线圈组件包括：主体；线圈部，嵌入在所述主体中；屏蔽层，形成在所述主体的表面上；以及接地电极，电连接到所述主体的表面上的屏蔽层并将所述屏蔽层接地。

Description

线圈组件
本申请要求于2018年5月28日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0060267号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
作为线圈电子组件的电感器是与电阻器和电容器一起在电子装置中使用的代表性无源电子组件。
随着电子装置的性能逐渐提高和逐渐小型化，在电子装置中使用的电子组件的数量已经增加并且电子组件已经被小型化。
因此，对去除诸如电子组件的电磁干扰(EMI)的噪声源的需求逐渐增加。
根据现在通用的EMI屏蔽技术，将电子组件安装在基板上，然后通过屏蔽罩同时将电子组件和基板包围。
发明内容
本公开的一方面可提供一种能够减少漏磁通的线圈组件。
本公开的一方面可提供一种能够在减少漏磁通的同时基本上保持组件特性的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：屏蔽层，形成在主体的表面上；接地电极，连接到所述主体的所述表面上的所述屏蔽层并将所述屏蔽层接地。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，具有在厚度方向上彼此相对的一个表面和另一表面以及将所述一个表面和所述另一表面彼此连接的多个壁表面；线圈部，嵌入在所述主体中，并且具有暴露于所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的端表面的端部；电极防漏槽，形成在所述主体的所述另一表面中；绝缘层，包围所述主体的所述另一表面和所述主体的所述多个壁表面；外电极，设置在所述主体的所述端表面与所述绝缘层之间，延伸到所述主体的所述一个表面，并且电连接到所述线圈部；磁屏蔽层，设置在所述主体的所述另一表面与所述绝缘层之间；导电屏蔽层，设置在所述绝缘层上；以及接地电极，在所述主体的所述多个壁表面中的至少一个上电连接到所述导电屏蔽层，延伸到所述主体的所述一个表面，并设置成与所述外电极分开。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，具有沿厚度方向彼此相对的一个表面和另一表面以及将所述一个表面和所述另一表面彼此连接的多个壁表面；线圈部，包括嵌入在所述主体中并且在所述厚度方向上包括至少一匝的线圈图案；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的端表面上，延伸到所述主体的所述一个表面，各自电连接到所述线圈部，并且均包括镀覆层；电极防漏槽，形成在所述主体的所述另一表面与所述主体的端表面之间的每个拐角处；第一绝缘层和磁屏蔽层，顺序地堆叠在所述主体的所述另一表面上；导电屏蔽层，包围所述主体的所述另一表面和所述主体的所述多个壁表面；第二绝缘层，设置在所述导电屏蔽层与所述第一外电极之间、所述导电屏蔽层与所述第二外电极之间、所述导电屏蔽层与所述磁屏蔽层之间以及所述导电屏蔽层与所述主体表面之间；以及接地电极，设置在所述导电屏蔽层上并延伸到所述主体的所述一个表面上。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，具有沿厚度方向彼此相对的一个表面和另一表面以及将所述一个表面和所述另一表面彼此连接的多个壁表面；线圈部，包括嵌入在所述主体中并且在所述厚度方向上包括至少一匝的线圈图案；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的端表面上，延伸到所述主体的所述一个表面，各自电连接到所述线圈部，并且均包括镀覆层；电极防漏槽，形成在所述主体的所述另一表面与所述主体的所述端表面之间的每个拐角处；第一绝缘层和磁屏蔽层，顺序地堆叠在所述主体的所述另一表面上；导电屏蔽层，包围所述主体的所述另一表面和所述主体的所述多个壁表面；第二绝缘层，设置在所述导电屏蔽层与所述第一外电极之间、所述导电屏蔽层与所述第二外电极之间、所述导电屏蔽层与所述磁屏蔽层之间以及所述导电屏蔽层与所述主体表面之间；以及接地电极，设置在所述第二绝缘层和所述导电屏蔽层之间并延伸到所述主体的所述一个表面上。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示意性示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图；
图2是示出图1的除了图1的一些构造以外的构造的示图；
图3是示出沿图1的线I-I'截取的截面的示图；
图4是示出沿图1的线II-II'截取的截面的示图；
图5是示意性示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的示图；
图6是示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的与沿图1的线II-II'截取的截面相对应的截面的示图；
图7是示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的与沿图1的线I-I'截取的截面相对应的截面的示图；以及
图8是示出根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件的与沿图1的线I-I'截取的截面相对应的截面的示图。
具体实施方式
在下文中，现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
在附图中，L方向指第一方向或长度方向、W方向指第二方向或宽度方向并且T方向指第三方向或厚度方向。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件。在参考附图描述本公开中的示例性实施例时，彼此相同或彼此相应的组件将用相同的附图标记表示，并且将省略其重复描述。
可在电子装置中使用各种类型的电子组件。为了去除这样的电子组件之间的噪声等目的，可适当地使用各种类型的线圈组件。
也就是说，电子装置中的线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频(GHz)磁珠、共模滤波器等。
(第一示例性实施例)
图1是示意性示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图。图2是示出图1的除了图1的一些构造以外的构造的示图。图3是示出沿图1的线I-I'截取的截面的示图。图4是示出沿图1的线II-II'截取的截面的示图。同时，为了描述和理解的方便，图2未示出覆盖层。
参照图1至图4，根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、线圈部200、外电极300和400、导电屏蔽层500、绝缘层610和620、接地电极800以及磁屏蔽层900，并且还可包括覆盖层700、中间绝缘层630、内绝缘层IL和绝缘膜IF。
主体100可形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外部形状，并且可具有嵌入其中的线圈部200。
主体100可整体形成为六面体形状。
在下文中，将在假设主体100示意性地具有六面体形状的情况下描述本公开。然而，这样的描述不将包括形成为除六面体形状之外的形状的主体的线圈组件排除出本公开的范围。
主体100可包括在长度方向(L)上彼此相对的第一表面和第二表面，在宽度方向(W)上彼此相对的第三表面和第四表面以及在厚度方向(T)上彼此相对的第五表面和第六表面。将主体100的第五表面和第六表面彼此连接的主体100的第一表面至第四表面分别与主体100的壁表面相对应。主体100的第一表面和第二表面(主体100的多个壁表面中的彼此相对的表面)可表示为两个端表面，并且主体100的第三表面和第四表面(主体100的多个壁表面中的彼此相对的表面)可表示为两个侧表面。
主体100可示意性地形成为使得根据本示例性实施例的其中形成有下面将描述的外电极300和400、绝缘层610和620、导电屏蔽层500和覆盖层700的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但不限于此。
主体100可包含磁性材料和树脂。具体地，主体100可通过堆叠一个或更多个其中磁性材料分散在树脂中的磁性复合片形成。
磁性材料可以是铁氧体或金属磁性粉末。
铁氧体可包括诸如Mg-Zn基、Mn-Zn基、Mn-Mg基、Cu-Zn基、Mg-Mn-Sr基、Ni-Zn基等尖晶石型铁氧体、诸如Ba-Zn基、Ba-Mg基、Ba-Ni基、Ba-Co基、Ba-Ni-Co基等六方晶型铁氧体和诸如Y-基等石榴石型铁氧体以及Li基铁氧体中的至少一种或更多种。
金属磁性粉末可包括选自由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中的一种或更多种。例如，金属磁性粉末可包括纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Al基合金粉末等中的至少一种或更多种。
金属磁性粉末可以是非晶的或晶体的。例如，金属磁性粉末可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末，但不必然限于此。
铁氧体和金属磁性粉末中的每个可具有约0.1μm至30μm的平均直径，但不限于此。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种的磁性材料。这里，磁性材料是不同种类的含义指的是分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、组成、结晶度和形状中的任意一个彼此区分。
树脂可包括但不限于环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等中的一种或其组合。
主体100可包括贯穿下面将描述的线圈部200的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充线圈部200的通孔而形成，但是不限于此。
电极防漏槽120可形成在主体100的第五表面中。当在主体100的表面上形成下面将描述的外电极300和400的情况下，电极防漏槽120可防止外电极300和400之间的电短路。作为示例，在使用镀覆工艺、膏印刷工艺等形成外电极300和400的情况下，电极防漏槽120可通过增加外电极300和400可在其上形成的路径来减小外电极300和400之间的电短路的可能性。
电极防漏槽120可分别形成在主体100的第五表面与主体100的第一表面之间的拐角处以及主体100的第五表面与主体的第二表面之间的拐角处。电极防漏槽120可沿主体100的宽度方向W形成在上述整个拐角上。然而，电极防漏槽120不限于本公开的范围，并且电极防漏槽120的形成位置、形状和数量没有限制，只要电极防漏槽120执行增加其上形成外电极300和400的路径的功能即可。
线圈部200可嵌入主体100中以展示线圈组件的特性。例如，在根据本示例性实施例的线圈组件1000用作功率电感器的情况下，线圈部200可用于通过将电场存储为磁场并且维持输出电压来稳定电子装置的电力。
线圈部200可包括第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220。
第一线圈图案211、下面将描述的内绝缘层IL和第二线圈图案212可沿主体100的厚度方向T顺序地堆叠。
第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每个可形成为平面螺旋的形状。第一线圈图案211可在内绝缘层IL的一个表面(图3中IL的下表面)上围绕主体100的厚度方向(T)形成至少一匝。
过孔220可贯穿内绝缘层IL，并且可分别与第一线圈图案211和第二线圈图案212接触，以将第一线圈图案211和第二线圈图案212彼此电连接。结果，应用于本示例性实施例的线圈部200可形成为在主体100的厚度方向(T)上产生磁场的单个线圈。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的至少一个可包括一个或更多个导电层。
作为示例，在通过镀覆法形成第二线圈图案212和过孔220的情况下，第二线圈图案212和过孔220可包括可以是非电镀镀层的种子层和电镀层。这里，电镀层可具有单层结构或多层结构。具有多层结构的电镀层可形成为其中另一电镀层覆盖任意一个电镀层的共形膜(conformal firm)结构，或者还可形成为其中另一电镀层仅堆叠在任意一个电镀层的表面上的形状。第二线圈图案212的种子层和过孔220的种子层可一体地形成而没有边界形成在它们之间，但是不限于此。第二线圈图案212的电镀层和过孔220的电镀层可一体地形成而没有边界形成在它们之间，但是不限于此。第一线圈图案211可通过第二线圈图案212的形成方法类似的方法形成。
作为另一示例，在第一线圈图案211和第二线圈图案212被单独地形成并且然后一起堆叠在内绝缘层IL上来形成线圈部200的情况下，过孔220可包括高熔点金属层和具有低于高熔点金属层的熔点的熔点的低熔点金属层。这里，低熔点金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。由于在一起堆叠第一线圈图案211和第二线圈图案212时的压力和温度，低熔点金属层至少部分地熔化使得可在低熔点金属层与第一线圈图案211之间、低熔点金属层与第二线圈图案212之间或高熔点金属层与低熔点金属层之间形成金属间化合物(IMC)层。
第一线圈图案211和第二线圈图案212可分别突出在例如内绝缘层IL的下表面和上表面上。作为另一示例，第一线圈图案211嵌入在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可突出在内绝缘层IL的上表面上。在这种情况下，在第一线圈图案211的下表面中可形成凹入部。结果，内绝缘层IL的下表面和第一线圈图案211的下表面可以不位于同一平面上。作为另一示例，第一线圈图案211嵌入在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212嵌入在内绝缘层IL的上表面中，使得第二线圈图案212的上表面可暴露于内绝缘层IL的上表面。
第一线圈图案211和第二线圈图案212的端部可分别暴露于主体100的第一表面和第二表面(主体100的两个端表面)。第一线圈图案211的暴露于主体100的第一表面的端部可与上面描述的第一外电极300接触，使得第一线圈图案211可电连接到第一外电极300。第二线圈图案212的暴露于主体100的第二表面的端部可与上面描述的第二外电极400接触，使得第二线圈图案212可电连接到第二外电极400。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的每个可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。
内绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或者感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用将诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料浸渍在绝缘树脂中的绝缘材料形成。作为示例，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(Bismaleimide Triazine，BT)树脂、可光成像电介质(PID)等的绝缘材料形成。
可使用选自由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、粘土、云母粉、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中的至少一种作为无机填料。
在内绝缘层IL利用包括增强材料的绝缘材料形成的情况下，内绝缘层IL可提供更优异的刚性。在内绝缘层IL利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成的情况下，内绝缘层IL可有利于减薄线圈部200的总厚度。在内绝缘层IL利用包括感光绝缘树脂的绝缘材料形成的情况下，可减少工艺数量，这有利于降低生产成本并且有利于细孔加工。
绝缘膜IF可沿第一线圈图案211、内绝缘层IL和第二线圈图案212的表面形成。保护各个线圈图案211和212和使各个线圈图案211和212绝缘的绝缘膜IF可包括诸如聚对二甲苯的已知的绝缘材料。包括在绝缘膜IF中的绝缘材料可以是任意材料，并且不被具体限制。绝缘膜IF可通过气相沉积等形成，但不限于此，并且还可通过将诸如绝缘膜的绝缘材料堆叠在形成在内绝缘层IL的两个表面上的第一线圈图案211和第二线圈图案212上而形成。然而，根据设计需求等，在本示例性实施例中也可省略上述绝缘膜IF。
同时，尽管未示出，但是第一线圈图案211和第二线圈图案212中的至少一个可形成为多个。例如，线圈部200可具有形成有多个第一线圈图案211并且在多个第一线圈图案中的一个的下表面上堆叠多个第一线圈图案中的另一个的结构。在这种情况下，可在多个第一线圈图案211之间设置附加绝缘层，并且可在附加绝缘层中形成贯穿附加绝缘层的连接过孔，以便将相邻的第一线圈图案彼此连接。
绝缘层610和620可包围主体100的第五表面和作为主体100的多个壁表面的第一表面至第四表面。在本示例性实施例的情况下，由于下面将描述的外电极300和400的连接部310和410设置在主体100的第一表面和第二表面上，并且下面将描述的磁屏蔽层900设置在主体100的第五表面上，因此绝缘层610和620可包围外电极300和400的连接部310和410以及磁屏蔽层900。
绝缘层610和620可包括第一绝缘层610和第二绝缘层620。第一绝缘层610可形成在主体100的第五表面上以包围磁屏蔽层900并且第一绝缘层610可形成在电极防漏槽120的至少一部分中。第二绝缘层620可设置在主体100的第一表面至第五表面上，在主体100上，第二绝缘层620被设置为包围第一绝缘层610、外电极300和400的连接部310和410以及磁屏蔽层900。
绝缘层610和620可利用诸如聚苯乙烯类、醋酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚丙烯类、聚酰胺类、橡胶类和丙烯酸类的热塑性树脂、诸如苯酚类、环氧树脂类、聚氨酯类、三聚氰胺类和醇酸树脂类的热固性树脂、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx形成。
绝缘层610和620可通过在主体100的表面上堆叠诸如绝缘膜的绝缘材料形成，并且可通过诸如化学气相沉积(CVD)的薄膜工艺形成。作为示例，第一绝缘层610可通过在主体100的第五表面上堆叠诸如ABF(Ajinomoto Build-up Film)的绝缘材料形成，并且第二绝缘层620可通过在主体100的第一表面至第五表面上气相沉积聚对二甲苯形成，但是本公开的范围不限于以上描述。
绝缘层610和620中每个可形成在10nm至100μm的厚度范围内。在绝缘层610和620中每个的厚度小于10nm的情况下，线圈组件的特性(例如，Q因子)会降低，并且在绝缘层610和620中每个的厚度超过100μm的情况下，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度增大，这对于薄化是不利的。
外电极300和400可设置在主体100的第一表面和第二表面(主体的两个端表面)与绝缘层610和620之间，并且可延伸到主体100的第六表面(主体100的一个表面)，并且可连接到线圈部200。外电极300和400可包括连接到第一线圈图案211的第一外电极300和连接到第二线圈图案212的第二外电极400。
具体地，第一外电极300可包括：第一连接部310，设置在主体100的第一表面上并连接到第一线圈图案211的端部；以及第一延伸部320，从第一连接部310延伸到主体100的第六表面。第二外电极400可包括：第二连接部410，设置在主体100的第二表面上并连接到第二线圈图案212的端部；以及第二延伸部420，从第二连接部410延伸到主体100的第六表面。设置在主体100的第六表面上的第一延伸部320和第二延伸部420可彼此分开，使得第一外电极300和第二外电极400彼此不接触。
当根据本示例性实施例的线圈组件1000安装在印刷电路板等上时，外电极300和400可将线圈组件1000电连接到印刷电路板等。作为示例，根据本示例性实施例的线圈组件1000可在主体100的第六表面设置为面对印刷电路板之后进行安装。根据本示例性实施例的线圈组件1000通过设置在主体100的第六表面上的外电极300和400的延伸部320和420可容易地连接到印刷电路板等。
外电极300和400可包括导电树脂层和电镀层中的至少一种。导电树脂层可通过膏印刷等形成，并且可包含选自由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组的一种或更多种导电金属以及热固性树脂。电镀层可包括选自由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中的一种或更多种。
导电屏蔽层500可设置在绝缘层610和620上。因此，导电屏蔽层500可设置在主体100的第一表面至第五表面上。具体地，导电屏蔽层500可包括：盖部510，设置在主体100的第五表面(主体100的另一表面)上；以及侧壁部521、522、523和524，连接到盖部510并分别设置在主体的第一表面至第四表面(主体100的多个壁表面)上。也就是说，导电屏蔽层500可设置在主体100的除了主体100的第六表面(根据本示例性实施例的线圈组件1000的安装表面)之外的所有表面上。
第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可彼此一体地形成。第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可按照相同的工艺形成使得没有边界形成在它们之间。作为示例，第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可通过在主体100的第一表面至第五表面上堆叠包括绝缘膜和金属屏蔽膜的单个屏蔽片而一体地形成。这里，屏蔽片的绝缘膜可与上述第二绝缘层620相对应。同时，在上述示例中，由于屏蔽片的物理加工，连接一个侧壁部和另一侧壁部的区域的截面可形成弯曲表面。作为另一示例，在第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524通过诸如溅射的气相沉积形成在主体100的第一表面至第四表面上的情况下，第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524可一体地形成。
盖部510和侧壁部520可一体地形成。也就是说，盖部510和侧壁部520可按照相同的工艺形成，使得没有边界可形成在它们之间。作为示例，盖部510和侧壁部520可通过将包括绝缘膜和金属屏蔽膜的单个屏蔽片附着到主体100的第一表面至第五表面上而一体地形成。这里，屏蔽片的绝缘膜可与上述第二绝缘层620相对应。作为另一示例，盖部510和侧壁部520可通过利用诸如溅射的气相沉积在其上形成有绝缘层610和620的主体100的第一表面至第五表面上形成导电屏蔽层500而一体地形成。
盖部510和侧壁部521、522、523和524可通过弯曲表面彼此连接。作为示例，在将屏蔽片形成为与主体的形状相对应之后，将屏蔽片附着到主体100的第一表面至第五表面的情况下，盖部510和侧壁部521、522、523和524彼此连接的区域的截面可形成为弯曲表面。作为另一示例，在导电屏蔽层500通过诸如溅射的气相沉积形成在其上形成有绝缘层610和620的主体100的第一表面至第五表面上的情况下，盖部510和侧壁部521、522、523和524彼此连接的区域的截面可形成为弯曲表面。
导电屏蔽层500可包括导体，并且可利用例如包括选自由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)、钛(Ti)和镍(Ni)组成的组中的一种或更多种的金属或合金形成。导电屏蔽层500可具有单层结构或多层结构。
导电屏蔽层500可形成在10nm至100μm的厚度的范围内。在导电屏蔽层500的厚度小于10nm的情况下，漏磁通屏蔽效果可能非常低，并且在导电屏蔽层500的厚度超过100μm的情况下，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这对于薄化是不利的。
磁屏蔽层900可设置在主体100的第五表面与绝缘层610和620之间。具体地，磁屏蔽层900可设置在主体100的第五表面上并且可被设置在主体100的第五表面上的第一绝缘层610覆盖。
磁屏蔽层900可包括磁性材料。磁性材料可以是铁氧体或金属磁性粉末。铁氧体可包括诸如Mg-Zn基、Mn-Zn基、Mn-Mg基、Cu-Zn基、Mg-Mn-Sr基、Ni-Zn基等尖晶石型铁氧体、或者诸如Ba-Zn基、Ba-Mg基、Ba-Ni基、Ba-Co基、Ba-Ni-Co基等六方晶型铁氧体以及诸如Y基等石榴石型铁氧体以及Li-基铁氧体中的至少一种或更多种。金属磁性粉末可包括选自由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中的一种或更多种。例如，金属磁性粉末可包括纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Al基合金粉末等的至少一种或更多种。
磁屏蔽层900可包括树脂。具体地，磁屏蔽层900可以是一种将上述磁性材料以粉末形式分散在树脂中的磁屏蔽层。该树脂可包括但不限于环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等的一种或其组合。
磁屏蔽层900可通过在主体100的第五表面上堆叠包括磁屏蔽膜的屏蔽片形成，但不限于此。
磁屏蔽层900可形成在10nm至100μm的厚度范围内。在磁屏蔽层900的厚度小于10nm的情况下，漏磁通屏蔽效果可能非常低，并且在磁屏蔽层900的厚度超过100μm的情况下，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度增大，这对于薄化是不利的。
中间绝缘层630可设置在主体100的第五表面和磁屏蔽层900之间。中间绝缘层630可通过在主体100的第五表面上堆叠诸如绝缘膜的绝缘材料形成并且可通过诸如化学气相沉积(CVD)的薄膜工艺形成。作为示例，中间绝缘层630可通过在主体100的第五表面上堆叠诸如ABF(Ajinomoto Build-up Film)或干膜(DF)的绝缘材料形成。
中间绝缘层630和磁屏蔽层900可通过在主体100的第五表面上堆叠包括绝缘膜和磁屏蔽膜的屏蔽片形成，但不限于此。
接地电极800可连接到主体100的第一表面至第四表面(主体100的壁表面)上的导电屏蔽层500，并且可延伸到主体100的第六表面。根据本示例性实施例，接地电极800可分别形成在设置在主体100的第三表面和第四表面上的第三侧壁部523和第四侧壁部524上，并且可连接到导电屏蔽层500。
由于接地电极800设置为延伸到主体100的第六表面，因此在印刷电路板等上安装根据本示例性实施例的线圈组件1000时，接地电极800可容易地连接到印刷电路板等的接地焊盘。
接地电极800可包括导电树脂层。导电树脂层可通过利用印刷等涂覆导电膏而形成，并且可包含选自由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中的一种或更多种导电金属以及热固性树脂。然而，接地电极800还可通过除了膏印刷法之外的方法形成。作为示例，接地电极800可通过在主体100的表面上执行选择性电解镀覆或通过诸如选择性气相沉积的方法形成。
覆盖层700可设置在导电屏蔽层500上，以覆盖导电屏蔽层500以及接地电极800的设置在主体100的壁表面的部分，并且可与第二绝缘层620接触。具体地，覆盖层700可设置在主体100的第一表面至第五表面上，并且可覆盖第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个的端部以与第二绝缘层620接触。即，覆盖层700可与第二绝缘层620一起将导电屏蔽层500埋入其中。覆盖层700可通过覆盖第一侧壁部521、第二侧壁部522、第三侧壁部523和第四侧壁部524中的每个的端部来防止侧壁部521、522、523和524与延伸部320和420之间的电连接。此外，覆盖层700可防止导电屏蔽层500电连接到其他外部电子组件。
覆盖层700可利用诸如聚苯乙烯类、醋酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚丙烯类、聚酰胺类、橡胶类和丙烯酸类的热塑性树脂、诸如苯酚类、环氧类、聚氨酯类、三聚氰胺类、醇酸树脂类的热固性树脂以及感光性绝缘树脂中的至少一种形成。另外，覆盖层可利用聚对二甲苯形成。
覆盖层700可通过堆叠例如诸如绝缘膜的绝缘材料形成。作为另一示例，覆盖层700可通过诸如化学气相沉积(CVD)的气相沉积形成绝缘材料形成。
覆盖层700可形成在10nm至100μm的厚度范围内。在覆盖层700的厚度小于10nm的情况下，由于绝缘特性弱，外电极300和400可能发生电短路，并且在覆盖层700的厚度超过100μm的情况下，线圈组件的总长度、宽度和厚度可能增大，这对于薄化是不利的。
绝缘层610和620、导电屏蔽层500、磁屏蔽层900和覆盖层700的厚度的总和可大于50nm但不大于100μm。在绝缘层610和620、导电屏蔽层500、磁屏蔽层900和覆盖层700的厚度的总和小于50nm的情况下，会发生电短路的问题、线圈组件的特性(例如，Q因子)降低的问题，并且在绝缘层610和620、导电屏蔽层500、磁屏蔽层900和覆盖层700的厚度的总和超过100μm厚度的情况下，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度增大，这对于薄化是不利的。
同时，尽管未在图1至图4中示出，但是可在主体100的第一表面至第六表面的未形成外电极300和400的区域上形成与绝缘层610和620不同的单独的附加绝缘层。与绝缘层610和620不同的单独的附加绝缘层可形成在主体100的第三表面至第五表面和第六表面的未形成延伸部320和420的区域上。在这种情况下，上述接地电极800可形成在在主体100的第六表面上形成的附加绝缘层上。此外，在这种情况下，第二绝缘层620可与主体100的第三表面和第四表面上的附加绝缘层接触。在通过镀覆形成外电极300和400时，附加绝缘层可用作阻镀剂，但不限于此。
此外，图1至图4示出了存在两个接地电极800，但这仅是示例，所以接地电极800可形成为单个或者形成为不是两个的多个。
由于根据本公开的绝缘层610和620以及覆盖层700设置在线圈组件自身上，所以绝缘层610和620以及覆盖层700可与在将线圈组件安装在印刷电路板上的操作中使线圈组件和印刷电路板成型的模制材料区别开。作为示例，与模制材料不同，根据本公开的绝缘层610和620以及覆盖层700可在没有印刷电路板的情况下限定形成区域。因此，与模制材料不同，根据本公开的绝缘层610和620可不与印刷电路板接触，并且可不由印刷电路板支撑或固定。此外，与包围将线圈组件和印刷电路板彼此连接的诸如焊球的连接构件的模制材料不同，根据本公开的绝缘层610和620以及覆盖层700可形成为不包围连接构件。此外，由于根据本公开的绝缘层610和620不是通过加热环氧树脂模塑料(epoxy molding compound，EMC)等以允许EMC流到印刷电路板上并固化而形成的模制材料，因此不必要考虑在模制材料的形成过程中空隙的产生以及由于模制材料和印刷电路板之间的热膨胀系数的差异引起印刷电路板的翘曲的发生。
此外，由于根据本公开的导电屏蔽层500和磁屏蔽层900设置在线圈组件自身上，因此导电屏蔽层500和磁屏蔽层900可在将线圈组件安装在印刷电路板上之后，与结合到印刷电路板的用于EMI屏蔽的屏蔽罩区别开。作为示例，与屏蔽罩不同，根据本公开的导电屏蔽层500和磁屏蔽层900可不考虑与印刷电路板的物理连接。
根据本示例性实施例的线圈组件1000可通过在线圈组件自身上形成导电屏蔽层500和磁屏蔽层900更有效地阻挡在线圈组件中产生的漏磁通。也就是说，随着电子装置的薄化和高性能化，包括在电子装置中的电子组件的总数以及相邻电子组件之间的距离减小。因此，通过由每个线圈组件自身进行屏蔽，可更有效地阻挡产生在线圈组件中的漏磁通，这更有利于电子装置的薄化和高性能化。此外，与使用屏蔽罩的情况相比，由于屏蔽区域中的有效磁性材料的量增加，所以可改善线圈组件的特性。
此外，根据本示例性实施例的线圈组件1000可具有吸收屏蔽效果和反射屏蔽效果二者。也就是说，磁屏蔽层900可在1MHz或更低的低频带中吸收和屏蔽漏磁通，并且导电屏蔽层500可在超过1MHz的高频带中反射和屏蔽漏磁通。因此，可在相对宽的频带中有效地屏蔽漏磁通。
(第二示例性实施例)
图5是示意性示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的示图。
图6是示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的与沿图1的线II-II'截取的截面相对应的截面的示图。同时，为描述和理解的方便，从图5中去除了覆盖层。
参照图1至图6，根据本示例性实施例的线圈组件2000与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000的不同之处在于接地电极800与导电屏蔽层500之间的结合关系。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例不同的接地电极800和导电屏蔽层500之间的结合关系。本公开中的第一示例性实施例的描述可按照原样应用于本示例性实施例的其余构造。
参照图5和图6，接地电极800可设置在第二绝缘层620和导电屏蔽层500之间并且延伸到主体100的第六表面。具体地，接地电极800可设置在第三侧壁部523与第二绝缘层620之间以及第四侧壁部524与第二绝缘层620之间。也就是说，应用于本公开的示例性实施例的接地电极800可在形成导电屏蔽层500之前，形成在第二绝缘层620上。
(第三示例性实施例)
图7是示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的与沿图1的线I-I'截取的截面相对应的截面的示图。
参照图1至图7，根据本示例性实施例的线圈组件3000与根据本公开的第一示例性实施例的线圈组件1000和第二示例性实施例的线圈组件2000的不同之处在于盖部510。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例不同的盖部510。本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例的描述可按照原样应用于本示例性实施例的其余构造。
参照图7所示，盖部510可形成为使得其中央部分的厚度T1比其外部部分(即，围绕中央部分的外围部分)的厚度T2厚。这将详细描述。
根据本示例性实施例的构成线圈部200的线圈图案211和212中的每个可从内绝缘层IL的中央到内绝缘层IL的外部部分在内绝缘层IL的两个表面上形成多匝，并且线圈图案211和212可沿主体100的厚度方向T堆叠并通过过孔220彼此连接。结果，根据本示例性实施例的线圈组件3000在主体100的垂直于主体100的厚度方向T的长度方向L-宽度方向W上的平面的中央部分处具有最高的磁通密度。因此，在本示例性实施例中，在形成设置在主体100的第五表面上的盖部510(基本上平行于主体100的长度方向L-宽度方向W上的平面)时，考虑到主体100在长度方向L-宽度方向W上的平面中的磁通密度分布，盖部510的中央部分的厚度T1可形成为比其外部的厚度T2厚。
通过这样做，根据本示例性实施例的线圈组件3000可通过与磁通密度分布相对应地将盖部510形成为具有不同的厚度来更有效地减少漏磁通。
(第四示例性实施例)
图8是示出根据本公开中的第四示例性实施例的线圈组件的与沿图1的线I-I'截取的截面相对应的截面的示图。
参照图1至图8，根据本示例性实施例的线圈组件4000与根据本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的线圈组件1000、2000和3000的不同之处在于盖部510和侧壁部521、522、523和524。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述与本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例不同的盖部510和侧壁部521、522、523和524。本公开中的第一示例性实施例至第三示例性实施例的描述可按照原样应用于本示例性实施例的其余构造。
参照图8，盖部510的厚度T3可比侧壁部521、522、523和524的厚度T4厚。
如上所述，线圈部200可在主体100的厚度方向上产生磁场。结果，在主体100的厚度方向T上泄漏的磁通量可能大于在其他方向上泄漏的磁通量。因此，通过将设置在主体100的垂直于主体100的厚度方向T的第五表面上的盖部510的厚度形成为比设置在主体100的壁表面上的侧壁部521、522、523和524的厚度厚，可更有效地减小漏磁通。
作为示例，通过利用包括绝缘膜和金属屏蔽膜的屏蔽片在主体的第一表面至第五表面上形成临时屏蔽层，并且仅在主体100的第五表面上进一步形成屏蔽材料，盖部510的厚度可形成为比侧壁部521、522、523和524的厚度厚。作为另一示例，通过将主体100设置为使得主体100的第五表面面对溅射靶，然后执行用于形成屏蔽层500的溅射，盖部510的厚度可形成为比侧壁部521、522、523和524的厚度厚。然而，本公开的范围不限于上述示例。
考虑到由线圈部200形成的磁场的方向，通过这样做，根据本示例性实施例的线圈组件4000可有效地减小漏磁通。
同时，尽管在上述本公开中的示例性实施例中，根据本公开的外电极300和400被描述为包括连接部310和410以及延伸部320和420的L形电极，但这仅仅是为了便于解释，并且外电极300和400可进行各种形式的修改。作为示例，外电极300和400不形成在主体100的第一表面和第二表面上，而是可仅形成在主体100的第六表面上并且通过通孔电极等连接到线圈部200。作为另一示例，外电极300和400可以是C形电极，C形电极包括分别形成在主体100的第一表面和第二表面上的连接部、从连接部延伸并设置在主体100的第六表面上的延伸部以及和从连接部延伸并设置在主体100的第五表面上的带部。作为另一示例，外电极300和400可以是五表面电极，五表面电极分别包括形成在主体100的第一表面和第二表面上的连接部、从连接部延伸并设置在主体100的第六表面上的延伸部以及从连接部延伸并设置在主体100的第三表面至第五表面上的带部。
此外，在本公开中的示例性实施例中，尽管线圈部的结构被描述为通过镀覆或溅射形成线圈图案的所谓薄膜线圈，但是本公开的范围还包括堆叠式线圈和垂直布置式线圈。堆叠式线圈是指在将导电膏涂覆到每个磁性片之后，堆叠多个磁性片然后硬化或烧结的线圈。垂直布置式线圈是指线圈部围绕平行于线圈组件的下表面(安装表面)的轴形成匝的线圈。
如上所述，根据本公开中的示例性实施例，可减小线圈组件的漏磁通。
此外，可在减小线圈组件的漏磁通的同时基本上保持组件的特性。
尽管上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，可在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下可进行变型和改变。

Claims (19)

1.一种线圈组件，所述线圈组件包括：
主体，具有在一个方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的多个壁表面；
线圈部，嵌入在所述主体中，并且具有暴露于所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的端表面的端部；
电极防漏槽，形成在所述主体的所述第二表面中；
绝缘层，包围所述主体的所述第二表面和所述主体的所述多个壁表面；
外电极，设置在所述主体的所述端表面与所述绝缘层之间，延伸到所述主体的所述第一表面，并且电连接到所述线圈部；
磁屏蔽层，设置在所述主体的所述第二表面与所述绝缘层之间；
导电屏蔽层，设置在所述绝缘层上；以及
接地电极，在所述主体的所述多个壁表面中的至少一个上电连接到所述导电屏蔽层，延伸到所述主体的所述第一表面，并设置成与所述外电极分开。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述接地电极包括导电树脂层。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述接地电极设置在所述导电屏蔽层上并延伸到所述主体的所述第一表面。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述接地电极设置在所述绝缘层和所述导电屏蔽层之间并延伸到所述主体的所述第一表面。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述电极防漏槽形成在所述主体的所述第二表面与所述主体的所述端表面之间的每个拐角处。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括设置在所述主体的所述第二表面和所述磁屏蔽层之间的中间绝缘层。
7.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述导电屏蔽层包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部，并且
所述盖部在所述主体的所述第二表面的中央部分的厚度比所述盖部在所述主体的所述第二表面的外部部分的厚度厚。
8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述导电屏蔽层包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部，并且
所述盖部的厚度比所述侧壁部的厚度厚。
9.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括覆盖所述导电屏蔽层的覆盖层。
10.一种线圈组件，所述线圈组件包括：
主体，具有沿一个方向彼此相对的第一表面和第二表面以及将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的多个壁表面；
线圈部，包括嵌入在所述主体中并且在所述一个方向上包括至少一匝的线圈图案；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的端表面上，延伸到所述主体的所述第一表面，各自电连接到所述线圈部，并且均包括镀覆层；
电极防漏槽，形成在所述主体的所述第二表面与所述主体的端表面之间的每个拐角处；
第一绝缘层和磁屏蔽层，顺序地堆叠在所述主体的所述第二表面上；
导电屏蔽层，包围所述主体的所述第二表面和所述主体的所述多个壁表面；
第二绝缘层，设置在所述导电屏蔽层与所述第一外电极之间、所述导电屏蔽层与所述第二外电极之间、所述导电屏蔽层与所述磁屏蔽层之间以及所述导电屏蔽层与所述主体表面之间；以及
接地电极，设置在所述导电屏蔽层上并延伸到所述主体的所述第一表面上。
11.根据权利要求10所述的线圈组件，其中，所述接地电极包括导电树脂层。
12.根据权利要求10所述的线圈组件，其中，所述导电屏蔽层包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部，并且
所述盖部在所述主体的所述第二表面的中央部分的厚度比所述盖部在所述主体的所述第二表面的外部部分的厚度厚。
13.根据权利要求10所述的线圈组件，其中，所述导电屏蔽层包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部，并且
所述盖部的厚度比所述侧壁部的厚度厚。
14.根据权利要求10所述的线圈组件，所述线圈组件还包括覆盖所述导电屏蔽层的覆盖层。
15.一种线圈组件，所述线圈组件包括：
主体，具有沿一个方向彼此相对的第一表面和第二表面以及将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的多个壁表面；
线圈部，包括嵌入在所述主体中并且在所述一个方向上包括至少一匝的线圈图案；
第一外电极和第二外电极，设置在所述主体的所述多个壁表面中的彼此相对的端表面上，延伸到所述主体的所述第一表面，各自电连接到所述线圈部，并且均包括镀覆层；
电极防漏槽，形成在所述主体的所述第二表面与所述主体的所述端表面之间的每个拐角处；
第一绝缘层和磁屏蔽层，顺序地堆叠在所述主体的所述第二表面上；
导电屏蔽层，包围所述主体的所述第二表面和所述主体的所述多个壁表面；
第二绝缘层，设置在所述导电屏蔽层与所述第一外电极之间、所述导电屏蔽层与所述第二外电极之间、所述导电屏蔽层与所述磁屏蔽层之间以及所述导电屏蔽层与所述主体表面之间；以及
接地电极，设置在所述第二绝缘层和所述导电屏蔽层之间并延伸到所述主体的所述第一表面上。
16.根据权利要求15所述的线圈组件，其中，所述接地电极包括导电树脂层。
17.根据权利要求15所述的线圈组件，其中，所述导电屏蔽层包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部，并且
所述盖部在所述主体的所述第二表面的中央部分的厚度比所述盖部在所述主体的所述第二表面的外部部分的厚度厚。
18.根据权利要求15所述的线圈组件，其中，所述导电屏蔽层包括设置在所述主体的所述第二表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁表面上的侧壁部，并且
所述盖部的厚度比所述侧壁部的厚度厚。
19.根据权利要求15所述的线圈组件，所述线圈组件还包括覆盖所述导电屏蔽层的覆盖层。
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