CN110534437A - 一种基于igbt模块的母排的新型制备工艺 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 8
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 7
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 claims description 3
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 17
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/802—Applying energy for connecting
- H01L2224/80213—Applying energy for connecting using a reflow oven
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
- H01L2224/8034—Bonding interfaces of the bonding area
- H01L2224/80345—Shape, e.g. interlocking features
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，可以实现在进行母排和电极等电子元器件时，抛弃传统的焊盘形式，采用新型的定位筒形式，通过预先设计的延伸型导电件，一方面实现稳定的电性连接，另一方面可以代替现有的工装实现初定位作用，在滴加焊膏后直接进入焊接工序，大幅降低成本和装配的繁琐性，使用的焊膏量与传统工艺比较大幅减少，仅需要极少量的焊膏滴加至定位筒中，即可实现精准、稳定的焊接，进而降低后续工艺的清洗压力，甚至在滴加量严格控制的情况下达到免清洗的地步，采用新型工艺制备的IGBT模块在成本和效率上具有无可比拟的优势，且规避了许多影响产品质量的因素，具有极高的市场推广价值。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
目前国内外的各种IGBT模块，其焊接工艺分为两次焊接和三次焊接两种。传统工艺为两次焊接工艺的焊接方式为：1、先将所需芯片焊接在衬板上，得到衬板组件；2、将衬板组件、母排、弹簧引线和基板焊接在一起，得到IGBT模块。
这种焊接工艺是基于焊膏进行的焊接，由于大量使用焊膏，焊接后得到的IGBT模块内残留有大量的助焊剂，对产品的质量造成不利影响，因此对焊接后的清洗过程要求很高，清洗的时间非常长，效率很低，不能适应大规模生产的要求。
为了解决上述问题，目前国内外一些IGBT模块制造企业普遍采用了三次焊接的工艺，三次焊接工艺的焊接方式为：1、将所需芯片焊接在衬板上，得到衬板组件；2、将衬板组件和基板焊接在一起，得到基板组件；3、在基板组件和母排、弹簧引线之间进行焊接，以及在基板组件和侧框之间涂胶固化，即所谓的一体化焊接和固化过程，之后得到IGBT模块。
其中前两次焊接过程采用焊片进行焊接，第三次焊接采用焊膏并同侧框涂胶固化过程结合在一起进行，这样焊接工序没有增加，但由于大大减少了焊膏的使用，对焊接后的清洗过程的要求大幅降低，清洗时间大幅缩短，因此适应了大批量生产的要求，但是在焊接过程中还是不可避免的会需要工装或者制具对芯片、母排等电子元器件进行定位固定，方能保证焊接质量，然而工装的安装和拆卸需要耗费大量的人力物力及时间，极大的降低了焊接效率，即使市面出现了无需拆卸的保留式工装，无疑增加了焊接成本，且空间利用率上大打折扣。
发明内容
1．要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，它可以实现在进行母排和电极等电子元器件时，抛弃传统的焊盘形式，采用新型的定位筒形式，通过预先设计的延伸型导电件，一方面实现稳定的电性连接，另一方面可以代替现有的工装实现初定位作用，在滴加焊膏后直接进入焊接工序，大幅降低成本和装配的繁琐性，使用的焊膏量与传统工艺比较大幅减少，仅需要极少量的焊膏滴加至定位筒中，即可实现精准、稳定的焊接，进而降低后续工艺的清洗压力，甚至在滴加量严格控制的情况下达到免清洗的地步，采用新型工艺制备的IGBT模块在成本和效率上具有无可比拟的优势，且规避了许多影响产品质量的因素，具有极高的市场推广价值。
2．技术方案
为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。
一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，所述IGBT模块包括衬板、基板、母排、电极、半导体芯片和外壳，所述衬板上固定连接有若干定位筒，所述定位筒内开凿有柱形孔，所述柱形孔下端壁上固定连接有导电块，且导电块下端与衬板上的电路连接，所述母排和电极的引脚和端子处均固定连接有导电针，且导电针分别与母排和电极一体成型，所述IGBT模块的制备工艺包括以下步骤：
步骤一、原材准备：衬板按照设计电路拓扑在表面刻蚀出电路版图，确定半导体芯片、母排和电极的位置；
步骤二、元件检查：分别检查衬板、基板、母排、电极、半导体芯片和外壳，确保合格后进入步骤三，否则更换合格的元件；
步骤三、第一次焊接：将半导体芯片预先焊接在衬板上，得到衬板组件；
步骤四、第二次焊接：将衬板组件焊接至基板上，得到基板组件；
步骤五、元件装配：将焊膏滴加至定位筒中，将母排和电极上的导电针按照设计位置对准插入，实现初定位后得到IGBT模块胚体；
步骤六、第三次焊接：将IGBT模块胚体送进隧道炉的进口，将隧道炉履带的运转速度设定为0.003-0.005m/s，控制隧道炉焊接段温度在220-350℃范围内，在焊接全程中需通氮气保护，进行回流焊接，从隧道炉出口取出IGBT模块胚体；
步骤七、X光探测：用X光扫描仪对焊接好的IGBT模块胚体进行探测，剔除空洞率不符合要求的胚体；
步骤八、外壳安装：将IGBT模块胚体与外壳和其它结构件按要求组装、整理；
步骤九、灌胶保护：通过外壳上的注入口，向IGBT模块胚体中灌注硅凝胶；
步骤十、高温老化：在120-150℃温度范围内，进行12-24h的老化；
步骤十一、端子成型：将引出的电极端子折弯、整形、固定，得到IGBT模块成品；
步骤十二、测试出厂：对IGBT模块成品测试后进行标示包装。
进一步的，所述导电块上端开凿有半球电连槽，所述导电针包括延伸部和半球连接部，且半球连接部与半球电连槽相匹配，所述延伸部和半球电连槽之间涂覆有焊膏层，通过半球电连槽和半球连接部的球面吻合特性，通过增大导体间的接触面积来提高电性连接的稳定性，同时方便装配且定位效果好，另外焊膏更容易润湿导电针和导电块，显著提高焊接质量和结合强度，进而进一步促进电性连接的稳定性。
进一步的，所述半球电连槽的半径与导电块的长度比为1:1.2-1.5，在尽可能降低电阻的同时方便电流通过，与下端的衬板电路实现电性连接，减少无谓的电流损耗。
进一步的，所述延伸部与半球连接部的长度比为1：0.4-2，充分考虑到导电针的整体机械强度和装配时的稳定性，只有满足强度高不易断裂和初定位效果好不易移位，在回流焊接时才能保证焊接质量和精度，进而保证IGBT模块的合格率。
进一步的，所述导电针位于定位筒内的部分与定位筒的长度比为1:1.2-1.4，所述导电针位于定位筒外的部分与导电针的长度比为1:5-6，既要保证导电针足够的插入深度来满足定位筒对其的初定位作用，同时应预留部分长度避免定位筒直接与母排引脚和电极端子直接的物理接触带来的不利因素，且预留长度还应方便技术人员清理焊膏。
进一步的，所述第一次焊接时半导体芯片采用焊片、钼片和焊片的形式进行焊接，所述半导体芯片包括IGBT芯片和FWD芯片，半导体芯片则不宜直接和衬板焊接，因为半导体芯片通常为硅材料，与衬板的热膨胀系数差距很大，直接焊接会在半导体芯片内产生不易消除的应力，且由于半导体器件工作时必然产生冷热循环，会加剧这些应力的生长，从而导致器件疲劳、失效，钼片经过变形量达到60%以上的轧制加工后，钼片的密度基本上接近于钼的理论密度，因此其具有高强度，内部组织均匀和优良的抗高温蠕变性能，可以用于抵消半导体芯片和衬板之间的不均匀热应力。
进一步的，所述第二次焊接时衬板组件直接采用焊片焊接至基板上，衬板和基板直接焊接即可，无需考虑热应力，节省工序焊接简单，且不采用焊膏可以提高IGBT模块产品质量和减少后续的清洗压力。
进一步的，所述隧道炉焊接段依次包括预热阶段、焊接阶段和保温阶段，所述预热阶段、焊接阶段和保温阶段的长度比为1:5-10:1-2，通过良好的温度控制和时间控制，可以显著提高回流焊接的质量，进而提高焊接点的质量和可靠性。
进一步的，所述预热阶段的温度控制在220-250℃，所述焊接阶段的温度控制在300-350℃，所述保温阶段的温度控制在250-300℃，且回流焊接段温度变化全程不超过5℃/min，避免温度过快变化带来的焊膏内部出现热应力过大且不均匀的现象，进而出现开裂或者脱落的情况。
进一步的，所述X光探测之前用无水酒精和硬毛刷擦洗清洁IGBT模块胚体，尤其是焊接点的松香残留、焊锡渣等残留物，用烘干机或者热风筒烘干IGBT模块胚体，烘干完后再检查是否有明显虚焊、短路焊点、以及焊锡渣残留等，接着将防水胶用毛刷刷一遍IGBT模块胚体，或者IGBT模块胚体浸入防水胶一遍，最后等待防水胶凝固方可进入下一步骤，有效的清洁可以提高IGBT模块产品的质量，因为无论是水、灰尘还是焊接工艺残留的松香、焊锡渣等，对电路都具有十分严重的侵蚀作用，因此良好的清洁后再进行灌胶，不仅可以防水、防灰、防腐蚀，灌封胶还具有稳定的介电绝缘性，是防止环境污染的有效保障，同时固化后成为形成柔性弹性体，在较大的温度和湿度范围内能消除冲击和震动所产生的应力。
3．有益效果
相比于现有技术，本发明的优点在于：
本方案可以实现在进行母排和电极等电子元器件时，抛弃传统的焊盘形式，采用新型的定位筒形式，通过预先设计的延伸型导电件，一方面实现稳定的电性连接，另一方面可以代替现有的工装实现初定位作用，在滴加焊膏后直接进入焊接工序，大幅降低成本和装配的繁琐性，使用的焊膏量与传统工艺比较大幅减少，仅需要极少量的焊膏滴加至定位筒中，即可实现精准、稳定的焊接，进而降低后续工艺的清洗压力，甚至在滴加量严格控制的情况下达到免清洗的地步，采用新型工艺制备的IGBT模块在成本和效率上具有无可比拟的优势，且规避了许多影响产品质量的因素，具有极高的市场推广价值。
附图说明
图1为本发明主要的流程框图；
图2为本发明IGBT模块部分的结构示意图；
图3为本发明定位筒部分的结构示意图；
图4为本发明第一次焊接时的结构示意图；
图5为本发明第二次焊接时的结构示意图；
图6为本发明第三次焊接时的结构示意图。
图中标号说明：
1基板、2衬板、3半导体芯片、4电极、5母排、6定位筒、7导电针、71延伸部、72半球连接部、8导电块、9半球电连槽、10焊膏层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通，对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1：
请参阅图2，一种基于IGBT模块的母排5的新型制备工艺，IGBT模块包括衬板2、基板1、母排5、电极4、半导体芯片3和外壳，衬板2上固定连接有若干定位筒6，定位筒6创新性的替代传统的焊盘，传统的焊盘仅能实现电连接的良好接触，并不具备工装的定位效果，且焊盘加工较定位筒6来说较难，对技术人员的技术要求较高，定位筒6在本实施例中的高度为5mm，定位筒6内开凿有柱形孔，提高容纳电连接的空间，柱形孔的形状技术人员可以根据实际情况进行设置，可以为圆柱形也可以为方柱形，本实施例在此不做限制，柱形孔下端壁上固定连接有导电块8，且导电块8下端与衬板2上的电路连接，母排5和电极4的引脚和端子处均固定连接有导电针7，且导电针7分别与母排5和电极4一体成型，导电针7和导电块8均采用导电材料制成，在引脚和端子上引伸出，用于起到过渡的电连接作用，同时配合定位筒6起到对母排5和电极4的初定位作用。
请参阅图1，IGBT模块的制备工艺包括以下步骤：
步骤一、原材准备：衬板2按照设计电路拓扑在表面刻蚀出电路版图，确定半导体芯片3、母排5和电极4的位置；
步骤二、元件检查：分别检查衬板2、基板1、母排5、电极4、半导体芯片3和外壳，确保合格后进入步骤三，否则更换合格的元件；
步骤三、第一次焊接：将半导体芯片3预先焊接在衬板2上，得到衬板2组件；
步骤四、第二次焊接：将衬板2组件焊接至基板1上，得到基板1组件；
步骤五、元件装配：将焊膏滴加至定位筒6中，将母排5和电极4上的导电针7按照设计位置对准插入，实现初定位后得到IGBT模块胚体；
步骤六、第三次焊接：将IGBT模块胚体送进隧道炉的进口，将隧道炉履带的运转速度设定为0.005m/s，控制隧道炉焊接段温度在220-350℃范围内，在焊接全程中需通氮气保护，进行回流焊接，从隧道炉出口取出IGBT模块胚体，用无水酒精和硬毛刷擦洗清洁IGBT模块胚体，尤其是焊接点的松香残留、焊锡渣等残留物，用烘干机或者热风筒烘干IGBT模块胚体，烘干完后再检查是否有明显虚焊、短路焊点、以及焊锡渣残留等，接着将防水胶用毛刷刷一遍IGBT模块胚体，或者IGBT模块胚体浸入防水胶一遍，最后等待防水胶凝固方可进入下一步骤，有效的清洁可以提高IGBT模块产品的质量，因为无论是水、灰尘还是焊接工艺残留的松香、焊锡渣等，对电路都具有十分严重的侵蚀作用，因此良好的清洁后再进行灌胶，不仅可以防水、防灰、防腐蚀，灌封胶还具有稳定的介电绝缘性，是防止环境污染的有效保障，同时固化后成为形成柔性弹性体，在较大的温度和湿度范围内能消除冲击和震动所产生的应力；
步骤七、X光探测：用X光扫描仪对焊接好的IGBT模块胚体进行探测，剔除空洞率不符合要求的胚体；
步骤八、外壳安装：将IGBT模块胚体与外壳和其它结构件按要求组装、整理；
步骤九、灌胶保护：通过外壳上的注入口，向IGBT模块胚体中灌注硅凝胶；
步骤十、高温老化：在120-150℃温度范围内，进行12-24h的老化；
步骤十一、端子成型：将引出的电极4端子折弯、整形、固定，得到IGBT模块成品；
步骤十二、测试出厂：对IGBT模块成品测试后进行标示包装。
请参阅图3，导电块8上端开凿有半球电连槽9，导电针7包括延伸部71和半球连接部72，且半球连接部72与半球电连槽9相匹配，延伸部71和半球电连槽9之间涂覆有焊膏层10，焊膏滴加到定位筒6且盛放在导电块8上的半球电连槽9上，在导电针7插入焊接时，焊膏由于定位筒6的存在不易流失，同时可以更好、更均匀的分布润湿，进而实现焊接，通过半球电连槽9和半球连接部72的球面吻合特性，通过增大导体间的接触面积来提高电性连接的稳定性，同时方便装配且定位效果好，另外焊膏更容易润湿导电针7和导电块8，显著提高焊接质量和结合强度，进而进一步促进电性连接的稳定性。
半球电连槽9的半径与导电块8的长度比为1:1.2，在尽可能降低电阻的同时方便电流通过，与下端的衬板2电路实现电性连接，减少无谓的电流损耗。
延伸部71与半球连接部72的长度比为1：0.4，充分考虑到导电针7的整体机械强度和装配时的稳定性，只有满足强度高不易断裂和初定位效果好不易移位，在回流焊接时才能保证焊接质量和精度，进而保证IGBT模块的合格率。
导电针7位于定位筒6内的部分与定位筒6的长度比为1:1.2，导电针7位于定位筒6外的部分与导电针7的长度比为1:6，既要保证导电针7足够的插入深度来满足定位筒6对其的初定位作用，同时应预留部分长度避免定位筒6直接与母排5引脚和电极4端子直接的物理接触带来的不利因素，且预留长度还应方便技术人员清理焊膏。
请参阅图4，第一次焊接时半导体芯片3采用焊片、钼片和焊片的形式进行焊接，半导体芯片3包括IGBT芯片和FWD芯片，半导体芯片3则不宜直接和衬板2焊接，因为半导体芯片3通常为硅材料，与衬板2的热膨胀系数差距很大，直接焊接会在半导体芯片3内产生不易消除的应力，且由于半导体器件工作时必然产生冷热循环，会加剧这些应力的生长，从而导致器件疲劳、失效，钼片经过变形量达到60%以上的轧制加工后，钼片的密度基本上接近于钼的理论密度，因此其具有高强度，内部组织均匀和优良的抗高温蠕变性能，可以用于抵消半导体芯片3和衬板2之间的不均匀热应力。
请参阅图5，第二次焊接时衬板2组件直接采用焊片焊接至基板1上，衬板2和基板1直接焊接即可，无需考虑热应力，节省工序焊接简单，且不采用焊膏可以提高IGBT模块产品质量和减少后续的清洗压力。
请参阅图6，隧道炉焊接段依次包括预热阶段、焊接阶段和保温阶段，预热阶段、焊接阶段和保温阶段的长度比为1:8:2，通过良好的温度控制和时间控制，可以显著提高回流焊接的质量，进而提高焊接点的质量和可靠性。
预热阶段的温度控制在220-250℃，焊接阶段的温度控制在300-350℃，保温阶段的温度控制在250-300℃，且回流焊接段温度变化全程不超过5℃/min，避免温度过快变化带来的焊膏内部出现热应力过大且不均匀的现象，进而出现开裂或者脱落的情况。
本发明可以实现在进行母排5和电极4等电子元器件时，抛弃传统的焊盘形式，采用新型的定位筒6形式，通过预先设计的延伸型导电件，一方面实现稳定的电性连接，另一方面可以代替现有的工装实现初定位作用，在滴加焊膏后直接进入焊接工序，大幅降低成本和装配的繁琐性，使用的焊膏量与传统工艺比较大幅减少，仅需要极少量的焊膏滴加至定位筒6中，即可实现精准、稳定的焊接，进而降低后续工艺的清洗压力，甚至在滴加量严格控制的情况下达到免清洗的地步，采用新型工艺制备的IGBT模块在成本和效率上具有无可比拟的优势，且规避了许多影响产品质量的因素，具有极高的市场推广价值。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式；但本发明的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述IGBT模块包括衬板（2）、基板（1）、母排（5）、电极（4）、半导体芯片（3）和外壳，所述衬板（2）上固定连接有若干定位筒（6），所述定位筒（6）内开凿有柱形孔，所述柱形孔下端壁上固定连接有导电块（8），且导电块（8）下端与衬板（2）上的电路连接，所述母排（5）和电极（4）的引脚和端子处均固定连接有导电针（7），且导电针（7）分别与母排（5）和电极（4）一体成型，所述IGBT模块的制备工艺包括以下步骤：
步骤一、原材准备：衬板（2）按照设计电路拓扑在表面刻蚀出电路版图，确定半导体芯片（3）、母排（5）和电极（4）的位置；
步骤二、元件检查：分别检查衬板（2）、基板（1）、母排（5）、电极（4）、半导体芯片（3）和外壳，确保合格后进入步骤三，否则更换合格的元件；
步骤三、第一次焊接：将半导体芯片（3）预先焊接在衬板（2）上，得到衬板（2）组件；
步骤四、第二次焊接：将衬板（2）组件焊接至基板（1）上，得到基板（1）组件；
步骤五、元件装配：将焊膏滴加至定位筒（6）中，将母排（5）和电极（4）上的导电针（7）按照设计位置对准插入，实现初定位后得到IGBT模块胚体；
步骤六、第三次焊接：将IGBT模块胚体送进隧道炉的进口，将隧道炉履带的运转速度设定为0.003-0.005m/s，控制隧道炉焊接段温度在220-350℃范围内，在焊接全程中需通氮气保护，进行回流焊接，从隧道炉出口取出IGBT模块胚体；
步骤七、X光探测：用X光扫描仪对焊接好的IGBT模块胚体进行探测，剔除空洞率不符合要求的胚体；
步骤八、外壳安装：将IGBT模块胚体与外壳和其它结构件按要求组装、整理；
步骤九、灌胶保护：通过外壳上的注入口，向IGBT模块胚体中灌注硅凝胶；
步骤十、高温老化：在120-150℃温度范围内，进行12-24h的老化；
步骤十一、端子成型：将引出的电极（4）端子折弯、整形、固定，得到IGBT模块成品；
步骤十二、测试出厂：对IGBT模块成品测试后进行标示包装。
2.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述导电块（8）上端开凿有半球电连槽（9），所述导电针（7）包括延伸部（71）和半球连接部（72），且半球连接部（72）与半球电连槽（9）相匹配，所述延伸部（71）和半球电连槽（9）之间涂覆有焊膏层（10）。
3.根据权利要求2所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述半球电连槽（9）的半径与导电块（8）的长度比为1:1.2-1.5。
4.根据权利要求2所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述延伸部（71）与半球连接部（72）的长度比为1：0.4-2。
5.根据权利要求2所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述导电针（7）位于定位筒（6）内的部分与定位筒（6）的长度比为1:1.2-1.4，所述导电针（7）位于定位筒（6）外的部分与导电针（7）的长度比为1:5-6。
6.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述第一次焊接时半导体芯片（3）采用焊片、钼片和焊片的形式进行焊接，所述半导体芯片（3）包括IGBT芯片和FWD芯片。
7.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述第二次焊接时衬板（2）组件直接采用焊片焊接至基板（1）上。
8.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述隧道炉焊接段依次包括预热阶段、焊接阶段和保温阶段，所述预热阶段、焊接阶段和保温阶段的长度比为1:5-10:1-2。
9.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述预热阶段的温度控制在220-250℃，所述焊接阶段的温度控制在300-350℃，所述保温阶段的温度控制在250-300℃，且回流焊接段温度变化全程不超过5℃/min。
10.根据权利要求1所述的一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述X光探测之前用无水酒精和硬毛刷擦洗清洁IGBT模块胚体，尤其是焊接点的松香残留、焊锡渣等残留物，用烘干机或者热风筒烘干IGBT模块胚体，烘干完后再检查是否有明显虚焊、短路焊点、以及焊锡渣残留等，接着将防水胶用毛刷刷一遍IGBT模块胚体，或者IGBT模块胚体浸入防水胶一遍，最后等待防水胶凝固方可进入下一步骤。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN110534437A true CN110534437A (zh) | 2019-12-03 |
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