CN110520557A - 处理腔导向装置、处理腔和用于将基体支架引导至处理位置处的方法 - Google Patents

处理腔导向装置、处理腔和用于将基体支架引导至处理位置处的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种处理腔导向装置，所述处理腔导向装置构造成用于沿导向方向直线引导能在所述处理腔导向装置中移动的基体支架，以利用所述基体支架向处理位置处的移动，使得处理腔导向装置和基体支架至少构成处理腔导向装置的局部的边界。本发明的特征在于，所述处理腔导向装置具有用于基体支架的滚动体支承结构和至少一个密封面，所述密封面平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在处理腔导向装置中的基体支架处于处理位置处时，密封面与基体支架隔开小于1mm的间距。本发明还涉及一种处理腔和一种用于将基体支架引导到处理位置处的方法。

Description

处理腔导向装置、处理腔和用于将基体支架引导至处理位置 处的方法
技术领域
本发明涉及一种处理腔导向装置、一种处理腔和一种用于将基体支架引导到处理位置处的方法。
背景技术
在例如为了向生长基质上沉积半导体层而给基体涂层时，使用这样的基体支架：将生长基质设置在所述基体支架上。接下来通过处理腔导向装置将该基体支架带入处理位置处。
已知的是，给该基体支架设置下部的和上部的处理腔导向装置，从而能够使基体支架平行地在处理腔导向装置中移动，并且在处理位置处构成处理腔，该处理腔在侧面通过基体支架来限定，并且向上和向下通过处理腔导向装置来限定。例如从WO 2013/004851A1已知的这种装置。
发明内容
本发明的目的在于，改进在先已知的处理腔导向装置，以便能够实现更好的处理条件。
该目的通过根据权利要求1所述的处理腔导向装置、根据权利要求8所述的处理腔、根据权利要求17所述的用于向基体上化学沉积层的装置和根据权利要求18所述的用于将基体支架引导至处理位置处的方法来实现。在从属权利要求中给出有利的设计方案。
优选地，所述处理腔导向装置构造成用于执行根据本发明的方法、特别是执行所述方法的有利的实施形式。优选地，根据本发明的方法设计成用于通过根据本发明的处理腔导向装置来实施，特别是由所述处理腔导向装置的优选实施形式来实施。
根据本发明的处理腔导向装置构造成用于沿导向方向直线引导在输送处理腔导向装置中可移动的基体支架。由此利用所述基体支架向处理位置处的移动使得，能通过处理腔导向装置和基体支架至少构成处理腔导向装置的局部的边界。
由WO 2013/004851 A1已知的对此的一个例子，其具有构造成轨道3的处理腔导向装置，基体支架1能在所述处理腔导向装置中移动(见WO2013/004851A1的图1)。基体支架1和轨道3构成处理腔的局部边界。
重要的是，在本发明中，所述处理腔导向装置具有至少一个密封面，所述密封面平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在处理腔导向装置中的基体支架处于处理位置处时，密封面与基体支架间隔开小于1mm、优选小于0.5mm、特别是小于0.2mm的间距。
本发明基于这样认知，即，目前的处理腔导向装置具有这样缺点：例如对于纯滑动导向装置，进入处理腔导向装置的颗粒会导致运动困难或锁止。同样可能形成磨屑，这种磨屑会进入处理腔并且在这里的磨屑可能导致所沉积的层质量降低。通过与基体支架隔开小于1mm、优选小于0.5mm的间距的密封面，能够确保在基体支架和处理腔导向装置之间有足够的密封，从而只有很少的工艺气体能够在基体支架和密封面之间穿过。
因此，密封面用于在处理腔导向装置和在处理腔导向装置中位于处理位置处的基体支架之间至少实现近似密封。为了改进密封效果，有利的是，所述密封面具有至少2mm、特别是至少10mm、优选地至少20mm的宽度，并且所述密封面垂直于导向方向并且平行于设置在处理腔导向装置中的基体支架的表面。
为了避免在处理腔导向装置中引导的基体支架与密封面之间发生接触，所述处理腔导向装置有利地构造成使得，在处理位置处，密封面与基体支架朝向密封面的表面之间具有至少0.02mm、特别是至少0.05mm、优选至少0.1mm的间距。
优选地，密封面与基体支架朝向密封面的表面之间的间距利用可以设置在处理腔导向装置上和/或基体支架上的导向元件来实现。所述导向元件可以构造成导轨、导向滚轮和/或导向沟，特别是构造成槽。
有利地，密封面沿导向方向延伸足够的长度，以便形成处理腔，特别是沿导向方向至少在基体支架的宽度上形成处理腔。优选地，密封面至少延伸0.5m以上，进一步优选地，至少延伸1m以上。
特别有利的是，密封面在处理腔导向装置的整个长度上沿导向方向延伸。
有利地，除了所述第一密封面，所述处理腔导向装置具有至少一个第二密封面，所述第二密封面平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在处理腔导向装置中的基体支架处于处理位置处时，基体支架设置在这两个密封面之间并且这两个密封面垂直于导向方向隔开一定的间距，所述间距以小于1mm、优选小于0.4mm、特别是小于0.2mm的程度超过基体支架的厚度。由此提高了密封效果。
有利地，所述处理腔导向装置有利地具有用于基体支架的滚动体支承结构。特别是由于在处理期间出现的温度差，基体支架和/或处理腔导向装置可能会发生形状改变，这种形状改变会导致基体支架在处理腔导向装置中卡住或者导致在处理腔导向装置和基体支架之间出现的密封不充分的情况。所述滚动体支承结构避免了这些缺点，其方式是，即使在空间或时间上存在温度梯度时，利用所述滚动体支承结构，所述基体支架沿导向方向也具有良好的可运动性。
可选地，所述滚动体支承结构可以设置在基体支架上。同样在本发明范围内的是，处理腔导向装置和基体支架都具有滚动体支承结构。
有利地，设有与所述滚动体支承结构配合作用的导向元件，所述导向元件防止发生垂直于导向方向的侧向移动。所述导向元件可以如前面所述构造成导轨、导向滚轮和/或导向沟，特别是构造成槽。所述导向元件优选设置在与滚动体支承结构相对应的元件上：当滚动体支承结构设置在导向元件上时，所述导向元件优选设置在基体支架上、特别是设置在基体支架在处理位置处朝向滚动体支承结构的侧面上。当滚动体支承结构设置在基体支架上时，所述导向元件优选设置在处理腔导向装置上，尤其是设置在处理腔导向装置在处理位置处朝向滚动体支承结构的侧面上。
所述处理腔导向装置有利地具有用于容纳基体支架的槽。由此，密封面能够以有利的方式形成于所述槽的侧壁中或侧壁上。所述槽有利地构造成矩形槽。在本发明范围内的是，所述槽具有倒圆的棱边区域。由此，特别有利的是，所述槽的其中一个侧面、优选所述槽的两个侧面至少在部分区域内、有利地在所述槽的整个长度上，沿导向方向构造成密封面。
滚动体支承结构有利地设置在所述槽的底面上。可选地，所述槽的底面构造成用于基体支架的滚动体支承结构的滚动面。
此外本发明涉及一种用于气相沉积硅层的处理腔，所述处理腔具有至少一个根据本发明的处理腔导向装置、特别是所述处理腔导向装置有利的实施形式，以及具有至少一个基体支架。通过所述基体支架在处理腔导向装置中向处理位置处的移动至少局部地构成处理腔的边界。处理腔优选在两个相对置的侧面上具有端侧限定元件，所述端侧限定元件与处理腔导向装置连接。
所述端侧限定元件优选设置成使得，在处理位置处，在两个相对设置的侧面上通过所述端侧限定元件实现在端侧对处理腔的限定，然而，在侧向上通过所述基体支架和处理腔导向装置实现对处理腔的限定。
优选地，所述基体支架具有用于滚动体支承结构中的滚动体的导向结构。特别有利的是，所述基体支架具有槽，优选地为矩形槽，所述槽用于引导处理腔导向装置的滚动体。由此当基体支架在处理腔导向装置中移动时确保了对基体支架可靠的引导。特别地，通过基体支架的对滚动体的导向避免或至少限制了垂直于导向方向的侧向移动。
在另一个有利的设计方案中，所述基体支架具有滚动体支承结构，所述滚动体支承结构设置于所述基体支架朝向处理腔导向装置的侧面上，从而实现了基体支架沿处理腔导向装置的导向方向上低摩擦的移动。
在一个有利的实施方式中，所述基体支架具有密封条，所述密封条沿导向方向延伸并且设置成使得，在处理位置处密封条与处理腔导向装置隔开小于0.3mm、优选小于0.2mm、特别是小于0.1mm的间距。由此，实现了基体支架与处理腔导向装置之间附加的密封并且由此提高了基体支架与处理腔导向装置之间的密封效果。此外，所述密封条特别用于防止颗粒进入导向槽中或从导向槽中喷出。
所述处理腔导向装置有利地布置成位于处理腔下部的处理腔导向装置，并且此外所述处理腔附加地具有至少一个上部的处理腔导向装置，所述上部的处理腔导向装置与端侧限定元件连接并且设置成使得，在处理位置处，所述基体支架设置在下部的和上部的处理腔导向装置之间。同样地，所述上部的处理腔导向装置构造成根据本发明的处理腔导向装置，特别是构造成根据本发明的处理腔导向装置的一个有利的实施方式方式。由此，在处理位置处，在基体支架的上边缘和下边缘上都通过根据本发明的处理腔导向装置来实现密封效果。在前边缘和后边缘上通过沿导向方向设置在前面和/或后面的基体支架和/或通过端侧限定元件来实现对处理腔的限定。
在一个有利的实施方式中，所述处理腔在两个相对设置的侧面上分别通过一个基体支架限定：
有利地所述处理腔具有作为第一基体支架的前面所述的基体支架，并且此外还具有至少一个第二基体支架。此外，除了作为第一处理腔导向装置对的下部的和上部的处理腔导向装置，所述处理腔还具有作为第二处理腔导向装置对的至少一个另外的下部的处理腔导向装置和另外的上部的处理腔导向装置。同样地，第二处理腔导向装置对的处理腔导向装置构造成根据本发明的处理腔导向装置，特别是构造成根据本发明的处理腔导向装置的一个有利的实施方式。
特别有利的是，多个处理腔并排地布置。为此，采用至少三个彼此平行地并排设置的基体支架，中间的基体支架在两侧承载要加工、特别是要进行涂层的基体。因此，第一处理腔在左边和中间的基体支架之间构成，而第二处理腔在中间的和右边的基体支架之间构成。相应地，通过三个下部的和三个上部的处理腔导向装置引导这些基体支架。
处理腔导向装置有利地具有至少一个用于冲刷气体的入口。所述入口设置成，在处理位置处能在处理腔导向装置和基体支架之间供应冲刷气体。由此具有这样的优点，即，可以避免在处理腔导向装置和基体支架之间的区域中，特别是在滚动体支承结构上，出现不希望的沉积物。因此，优选地，在处理期间，特别是在沉积过程中，至少暂时地供应冲刷气体，优选地持续地供应冲刷气体。
这里，在本发明的范围内的是，供应相对于处理腔中的压力具有过压的冲刷气体，以使至少少量地冲刷气体能够进入处理腔。由此，以特别有效的方式避免了来自处理腔的气体和颗粒进入处理腔导向装置和基体支架之间的区域，特别是避免了来自处理腔的气体和颗粒到达滚动体支承结构。可选地或附加地有利的是，设置有冲刷气体导出装置，从而能够同时供应和导出冲刷气体，以便从处理腔导向装置和基体支架之间的空间中除去不希望的气体或颗粒。在处理位置处，第二基体支架设置在第二处理腔导向装置对的下部和上部的处理腔导向装置之间，并且由此通过所述基体支架、处理腔导向装置和端侧限定元件构成处理腔。这里，在本发明范围内的是，处理腔沿导向方向延伸一定的长度，该长度大于基体支架沿导向方向的宽度。
在这种情况下，如前面所述，在当前的构成方案中，在两个相对设置的侧面上通过依次排列多个基体支架实现侧面的边界。
有利地，每个下部的处理腔导向装置分别具有用于基体支架的滚动体支承结构，由此能够以很小的阻力实现基体支架的移动。
特别有利的是，每个上部的处理腔导向装置分别具有滚动体支承结构，以避免在上部的导向装置中产生摩擦力或由于相互间产生的静摩擦和滑动摩擦而出现不均匀的移动。
如前面所述，每个基体支架有利地分别具有密封条，并且所述密封条设置成使得，在处理位置处所述密封条处于基体支架相互朝向的侧面上。由此实现特别有效的密封。
有利地，为了实现低摩擦的移动，处理腔的所有基体支架都在所有朝向处理腔导向装置的侧面上具有滚动体支承结构。
此外，本发明涉及一种用于向基体、特别是生长基质上化学沉积层的装置，所述装置具有如前面所述的根据本发明的处理腔。这种装置具有前面所述的优点。
本发明特别是对于这样的处理是有利的，在这种处理中，向生长基质上化学沉积半导体层和/或阻隔层。本发明特别是在随后将所沉积的层再次从生长基质上揭下的处理中是有利的，以使通过本发明的方法制作出独立的层、特别是半导体层。所沉积的层例如可以是硅层、包含硅的层，如氮化硅层或碳化硅层，或者是如砷化镓层的III-V族半导体层，。
本发明有利地用在半导体层、特别是硅层的制造中，所述半导体层用于生产半导体器件、特别是如太阳能电池的大面积半导体器件。同样地，本发明可以对在生产半导体器件、特别是如太阳能电池的大面积半导体器件的制造中存在的半导体基体、例如用于制造太阳能电池的硅晶片进行涂层。在这种处理中，通常希望的是，用阻隔层或另外的半导体层对半导体基体进行涂层。
附图说明
下面参考实施例和附图来说明其他优选的特征和实施方式。其中：
图1示出具有一个密封面的处理腔导向装置的第一实施例；
图2示出根据图1的处理腔导向装置从上面观察的俯视图；
图3示出具有两个密封面的处理腔导向装置的第二实施例；
图4示出具有四个密封面的处理腔导向装置的第三实施例；
图5示出用于气相沉积的具有总共四个处理腔导向装置的处理腔的实施例。
具体实施方式
所有附图都为示意图，未按比例表示。在图1至5中相同的附图标记标注相同或作用相同的元件。
在图1中示出处理腔导向装置1的第一实施例。处理腔导向装置1构造成用于直线引导能在处理腔导向装置中移动的基体支架2。所述基体支架2在处理腔导向装置中能沿导向方向移动。在图1中，所述导向方向垂直于图面并指向图面。处理腔导向装置具有滚动体支承结构，所述滚动体支承结构由多个转动地支承在处理腔导向装置中的滚动体构成。在图1中，可以看到一个滚动体3。在使用中，基体支架支承在滚动体3上并且由此能够沿导向方向移动。
处理腔导向装置1还具有带有密封面4的突起。所述密封面4平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，在如图1的所示的处理位置处，对于设置在处理腔导向装置中的基体支架2，密封面与基体支架隔开小于1mm、在当前情况下为0.2mm的间距。因此密封面2也沿平行于基体支架2在图1中位于右边的侧面延伸。如前面所述，在基体支架2的该侧面和密封面4之间形成0.2mm的间距。密封面在20mm的宽度A上垂直于导向方向延伸。
处理腔导向装置沿导向方向的长度取决于使用该处理腔导向装置的装置，特别是取决于通过处理腔导向装置构成的处理腔的期望长度。在当前情况下，处理腔导向装置的长度为5m。密封面4沿导向方向在处理腔导向装置的整个长度上延伸并且因此同样具有5m的长度。因此，处理腔在侧向上通过多个前后相继设置在处理腔导向装置中的基体支架来限定。
基体支架2具有多个用于生长基质(在当前情况下是硅晶片)的保持器，该保持器设置于根据第一实施例在处理位置处与密封面4相对设置的侧面上以及因此如图1所示的左边侧面的处理侧上。图中示例性地示出一个生长基质5。
在使用期间，在处理位置处构成处理腔，所述处理腔与在图1中未示出的其他部件构成空间上的包围结构。这种空间上的包围结构部分地通过基体支架2以及通过处理腔导向装置1形成。
对于这种装置的一种常见处理是在生长基质5上、特别是形成为带有多孔化表面的硅晶片的生长基质上来沉积半导体层，特别是进行外延沉积。这里应避免在处理腔(基体支架2的左侧)和外部区域(基体支架2的右侧)之间发生气体交换。
一方面通过所述密封面4确保了在密封面4和基体支架2之间不存在直接的机械接触，另一方面由此通过滚动体支承结构可以以非常小的阻力实现基体支架2的移动。密封面4与基体支架2的朝向密封面4的右侧面之间的狭窄间隙仍构成明显的流动阻力，从而避免了气流通过这个间隙，或者至少明显减少了通过这个间隙的气流。
在图2中示出根据图1中的处理腔导向装置从上面观察的俯视图。这里可以看到，沿导向方向F相继地设置多个滚动体3。滚动体支承结构的所有滚动体可转动地支承在处理腔导向装置中。为了更为清楚起见，仅示出三个滚动体。实际上一个处理腔导向装置明显可以具有更大数量的滚动体，例如此处涉及的5m长度上总共设置有200个滚动体。
在图3中示出根据本发明的处理腔导向装置的第二实施例，该实施例在基本结构上与第一实施例相同。为了避免重复，下面仅说明主要区别：
根据图3的处理腔导向装置还具有第二密封面4a，该第二密封面4a附加于作为第一密封面的所述密封面4。所述第二密封面4a同样平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，在处理位置处，对于设置在处理腔导向装置处的基体支架2，所述基体支架设置在两个密封面4和4a之间。密封面4和4a垂直于导向方向具有间距B，所述间距B以小于0.4mm、优选大致0.2mm的程度超过基体支架的宽度。因此，对于居中设置的基体支架2，在每个侧面与两个密封面4和4a之间存在0.1mm的间隙。
第二密封面4a平行于密封面4并具有相同的尺寸。
因此，根据图3所示的处理腔导向装置具有这样的优点，即，对于从基体支架2左侧流动至基体支架2右侧的气流或者与其方向相反的气流存在较高的流动阻力，这是因为在基体支架的两侧一方面通过密封面4以及另一方面通过密封面4a形成了流动阻力。
此外，这个实施例还提供了这样的优点，即，密封面4和密封面4a作为用于基体支架2的导向结构，以防止发生侧向移动，即图3中水平的移动：
在图1中，所示出的基体支架2在下端侧上具有槽，滚动体3嵌入所述槽中。由此避免发生侧向移动(在图1中水平的并且由此垂直于导向方向的移动)，这是因为，基体支架2中的槽的侧壁通过与滚动体3的侧壁接触而避免或至少限制了侧向移动。
在根据图3的实施例中，基体支架的这种槽不是绝对必要的，因为通过密封面4和4a限制了基体支架向右和向左的侧向移动。在一个可选的有利的实施例中，根据图3的处理腔导向装置仍然具有根据图1所示的槽的基体支架2，以便避免基体支架与密封面4和4a发生接触，由此在基体支架移动时阻力不会增加。
此外根据图3的处理腔导向装置1还具有两个用于冲刷气体的入口7a和7b，所述入口可以与相应的冲刷气体供应管路连接。在运行状态下，冲刷气体通过入口7a、7b供应到处理腔导向装置1和基体支架2之间的中间空间8a和8b中，以使在所述中间空间8a和8b中存在相对于存在于处理腔和大气中的压力的过压。由此实现了，在密封面4和4a上冲刷气体基本进入大气或进入处理腔。由此以特别有效的方式避免了异物颗粒或不希望的气体进入中间空间8a和8b并且特别是避免了对滚动体支承结构的功能产生影响。可选地或附加地，可以在处理腔导向装置的始端和/或末端、优选地既在始端也在末端设有用于冲刷气体的入口。
在图4中示出处理腔导向装置的第三实施例。这里的结构基本上与图3的结构相同并且为了避免重复下面仅说明主要区别：
根据图4的处理腔导向装置具有用于容纳基体支架2的槽。所述槽构造成矩形槽，在所述槽的底面上设置具有滚动体3的滚动体支承结构。处理腔导向装置构造成与基体支架2相配合使得，槽的侧面4和4a之间的间距以及槽的底面4b和4c与基体支架相应的朝向底面的侧面之间的间距<0.2mm，在当前情况下是0.1mm。由此，通过四个密封面4、4a、4b和4c形成流动阻力，所述流动阻力能避免出现从基体支架2左侧到基体支架2右侧或方向相反的气流，或者能至少明显减少这种气流。
附加地，根据图4的生长基质2具有密封条6。所述密封条6同时作为生长基质5的保持条。密封条6沿导向方向(朝向图面中)延伸并且设置成使得，在所示处理位置处，密封条与处理腔导向装置之间隔开小于0.5mm、在当前情况下约为0.2mm的间距。由此，附加地实现了增加了进入槽中或从槽中流出的气体流的流动阻力。
每两个处理腔导向装置有利地一体形成。参考根据本发明的处理腔的实施例和根据图5的图示来对此进行详细说明：
在图5中示出根据本发明的处理腔的一个实施例。作为第一处理腔导向装置对的所述处理腔具有下部的处理腔导向装置1和上部的处理腔导向装置1a。此外，所述处理腔具有作为第二处理腔导向装置对的另一个下部的处理腔导向装置1b和另一个处理腔导向装置1c。下部的处理腔导向装置1和1b一体成型。上部的处理腔导向装置1a和1c也一体成型。所述处理腔附加地具有两个基体支架2和2a，每个所述基体支架分别具有用于生长基质5的保持结构。
处理腔导向装置1、1a、1b和1c按照如图4的处理腔导向装置形成并且因此分别具有用于容纳基体支架的槽。在图5中所示的处理位置处，基体支架设置成使得，各生长基质彼此相对。因此构成一个处理腔P，所述处理腔P在侧面通过基体支架2和2a(或者通过设置在基体支架上的生长基质5)来限定。所述处理腔向上和向下通过处理腔导向装置1、1a、1b和1c来限定。在端侧，所述处理腔分别具有端侧限定元件，所述端侧限定元件与处理腔导向装置流体密封地连接。端侧限定元件的延展尺寸在图5中以虚线示出。因此，端侧限定元件构造成使得，在端侧避免气流从处理腔P中流出或至少减少从处理腔流出的气流量，但基体支架2和2a能沿导向方向从端侧限定元件旁边移动经过。端侧限定元件设置在处理腔导向装置的始端和末端上，所述处理腔导向装置分别具有5m的长度。相互平行设置的端侧限定元件的间距因此同样约为5mm。
与前面所述的实施例不同，在根据图5的实施例中，分别在基体支架上设置滚动体3，并且所述滚动体在槽中滚动，所述槽形成于处理腔导向装置中。因此，在这个实施例中，滚动体支承结构设置在基体支架上。
因此，由此构成处理腔P，所述处理腔沿导向方向具有约5mm的长度并其宽度大致相当于基体支架2和2a相互朝向的表面的间距，该宽度在当前情况下约为10cm。处理腔的高度相当于下部的处理腔导向装置到上部的处理腔导向装置的间距，在当前情况下约为40cm。
在另一个实施例中，给如图5中所示的处理腔扩展另一个生长基质支架，所述生长基质支架在右侧设置在生长基质支架2的旁边。相应地，对于第三生长基质之间也设有分别带有用于滚动体的槽的上部和下部的处理腔导向装置。由此除了在图5中示出的处理腔P，还在生长基质支架2和第三生长基质支架之间构成第二处理腔。相应地，在这个实施例中，生长基质支架2的左侧和右侧均具有要加工的基体。相应地，第三基体支架仅在配设给第二处理腔的左侧具有要加工的基体。

Claims (19)

1.处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，构造成用于沿导向方向直线引导能在所述处理腔导向装置中移动的基体支架，以利用所述基体支架向处理位置处的移动，使得通过处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)和基体支架(2、2a)至少构成处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)的局部的边界，其特征在于，具有至少一个密封面(4、4a)，所述密封面平行于所述导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)中的所述基体支架(2、2a)处于所述处理位置处时，所述密封面(4、4a)与所述基体支架(2、2a)隔开小于1mm的间距。
2.根据权利要求1所述的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述密封面(4、4a)垂直于所述导向方向并平行于设置在所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)中的所述基体支架的表面，所述密封面(4、4a)具有至少2mm、特别是至少10mm、优选地至少20mm的宽度。
3.根据上述权利要求中任意一项所述的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，除了所述第一密封面(4、4a)，所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)还具有至少一个第二密封面(4、4a)，所述第二密封面(4、4a)平行于所述导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)中的所述基体支架(2、2a)处于所述处理位置处时，所述基体支架(2、2a)设置在该两个密封面之间，并且该两个密封面沿垂直于所述导向方向的方向隔开一定的间距，所述间距以小于0.4mm、优选小于0.3mm、特别是小于0.2mm的程度超过所述基体支架的宽度。
4.根据上述权利要求中任意一项中所述的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)具有用于所述基体支架(2、2a)的滚动体支承结构。
5.根据上述权利要求中任意一项中所述的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)具有用于容纳所述基体支架的槽，特别是矩形槽。
6.根据权利要求4和5中所述的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述滚动体支承结构设置在所述槽的底面上。
7.根据权利要求5至6中任意一项中所述的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述槽的一个端面、优选所述槽的两个端面至少在部分区域内构造成所述密封面(4、4a)。
8.用于气相沉积硅层的处理腔(P)，具有至少一个根据上述权利要求中任意一项所述的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)和至少一个基体支架(2、2a)，通过所述基体支架在所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)中向处理位置处的移动，至少构成处理腔(P)的局部的边界，所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)和基体支架相配合地构造成使得，当设置在所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)中的所述基体支架(2、2a)处于所述处理位置处时，所述密封面(4、4a)与所述基体支架(2、2a)隔开小于1mm的间距，其中所述处理腔(P)优选在两个相对设置的侧面上具有端侧限定元件，所述端侧限定元件与所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)连接。
9.根据权利要求8所述的处理腔(P)，其特征在于，所述基体支架(2、2a)具有用于滚动体支承结构中的滚动体的导向结构，所述导向结构特别为槽，或者所述基体支架(2、2a)具有滚动体支承结构，所述滚动体支承结构设置在所述基体支架朝向所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)的侧面上。
10.根据权利要求8至9中任意一项所述的处理腔(P)，其特征在于，所述基体支架(2)具有密封条(6)，所述密封条(6)沿所述导向方向延伸并且设置成使得，在处理位置处，所述密封条(6)与所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)隔开小于0.5mm、优选小于0.3mm、特别是小于0.2mm的间距。
11.根据权利要求8至10中任意一项所述的处理腔(P)，其特征在于，所述处理腔(P)具有作为下部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)的所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，并且附加地具有至少一个上部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，所述上部的处理腔导向装置与端侧限定元件连接并且设置成使得，在处理位置处，所述基体支架(2、2a)设置在该下部的和上部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)之间，所述上部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)特别是由根据权利要求1至6中任意一项所述的处理腔导向装置构成。
12.根据权利要求11所述的处理腔(P)，其特征在于，除了作为第一基体支架(2、2a)的所述基体支架(2、2a)，所述处理腔(P)还具有至少一个第二基体支架(2、2a)，并且除了作为第一处理腔导向装置对的所述下部的和上部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，所述处理腔(P)还具有作为第二处理腔导向装置对的另一个下部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)和另一个上部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)，该另一个下部的和上部的处理腔导向装置构造和设置成使得，在处理位置处，所述第二基体支架(2、2a)设置在所述第二处理腔导向装置对的下部的和上部的处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)之间，并且通过各所述基体支架、各所述处理腔导向装置和端侧限定元件构造成所述处理腔(P)。
13.根据权利要求12所述的处理腔(P)，其特征在于，每个所述下部的处理腔导向装置分别具有用于所述基体支架(2、2a)的滚动体支承结构和/或所述基体支架(2、2a)分别在朝向各所述下部的处理腔导向装置的侧面上设置有滚动体支承结构。
14.根据权利要求12至13中任意一项所述的处理腔(P)，其特征在于，每个所述上部的处理腔导向装置分别具有滚动体支承结构和/或所述基体支架(2、2a)分别在朝向各所述上部的处理腔导向装置的侧面上设置有滚动体支承结构。
15.根据权利要求11至14中任意一项所述的处理腔(P)，其特征在于，每个基体支架(2)都分别具有根据权利要求10所述的密封条(6)并且这些密封条设置成使得，在处理位置处，各所述密封条位于基体支架(2)的相互朝向的侧面上。
16.根据权利要求11至15中任意一项所述的处理腔(P)，其特征在于，所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)具有至少一个用于冲刷气体的入口(7a、7b)，所述入口(7a、7b)设置成使得，在所述处理位置处，能在所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)和所述基体支架(2)之间导入冲刷气体，优选在所述处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)和所述基体支架(2)朝向所述处理腔导向装置的端侧之间导入冲刷气体。
17.用于在基体上化学沉积硅层的装置，具有根据权利要求7至15中任意一项所述的处理腔(P)。
18.用于将基体支架引导至处理位置处的方法，其特征在于，在处理腔导向装置(1、1a、1b、1c)中通过滚动体支承结构来引导所述基体支架(2、2a)。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，优选在沉积过程中，在所述基体支架和所述处理腔导向装置之间供应冲刷气体，优选在基体支架朝向处理腔导向装置的端侧与所述处理腔导向装置之间供应冲刷气体。
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