CN110518345A - 具有接地点的微波探测器及其制造方法 - Google Patents

具有接地点的微波探测器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中所述微波探测器包括一辐射缝隙、一参考地和一辐射源,所述辐射缝隙被设置于所述辐射源和所述参考地之间。所述辐射源进一步具有一中心接地点、至少一左侧接地点以及至少一右侧接地点,所述中心接地点允许所述辐射源的零电位点被接地,所述左侧接地点允许所述辐射源的位于零电位点的左侧的位置被接地,相应地,所述右侧接地点允许所述辐射源的位于零电位点的右侧的位置被接地,如此所述微波探测器的辐射能量趋向于均匀分布,以降低所述微波探测器的耗损和提高所述微波探测器的收发效率,从而所述微波探测器的增益能够被增强。

Description

具有接地点的微波探测器及其制造方法
技术领域
本发明涉及微波技术,特别涉及一具有接地点的微波探测器及其制造方法。
背景技术
微波探测器,例如5.8G天线,是一种基于微波技术探测相应空间内的物体 的动作的探测器,其中该微波探测器通常包括至少一参考地、一辐射缝隙以及一 辐射源,该辐射缝隙被设置于该辐射源和该参考地之间,其中该微波探测器在该 参考地的相对于该辐射缝隙的一侧设置有电路(例如微波激励电路),该辐射源 在其偏离物理中心的位置设置有一个馈电点,该辐射源的该馈电点被电连接于该 微波探测器的该电路,从而当自该微波探测器的该电路向该辐射源的该馈电点提 供交变电信号时,该辐射源和该参考地能够相互作用而收发微波,以用于在后续 获得相应空间内的物体的动作。可以理解的是,该辐射源的物理中心为该辐射源 的零电位点,穿过该辐射源的物理中心的众多直线中的一个直线为该辐射源的能 量平衡线,其中该辐射源的能量平衡线垂直于该辐射源的物理中心点与馈电点的 连线,例如当该辐射源的俯视形状为长方形时,该辐射源的该能量平衡线平行于该辐射源的长边且穿过该辐射源的物理中心,而当该辐射源的俯视形状为圆形 时,该辐射源的该能量平衡线穿过圆形的该辐射源的圆心且垂直于该圆心与馈电 点的连线。然而,由于在该辐射源和该参考地之间存在该辐射缝隙,这导致自该 微波探测器的该电路向该辐射源的该馈电点提供的交变电信号的过零点偏离该 辐射源的该能量平衡线而造成该微波探测器的辐射能量不均衡,并造成该微波探 测器的高次谐波增加,以至于严重地影响了该微波探测器的增益和增加了该微波 探测器的耗损。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中 所述微波探测器的辐射能量趋向于均衡分布,以降低所述微波探测器的耗损和提 高所述微波探测器的收发效率,从而所述微波探测器的增益能够被增强。
本发明的一个目的在于提供一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中 所述微波探测器的辐射能量的散射被有效地减少,以有利于降低所述微波探测器 的高次谐波分量。
本发明的一个目的在于提供一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中 所述微波探测器的品质因子能够被提高,以有利于控制所述微波探测器的带宽, 从而所述微波探测器的抗干扰能力能够被有效地提高。
本发明的一个目的在于提供一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中 所述微波探测器能够有效地降低被雷击的风险,以使得所述微波探测器被适于应 用于户外环境。
本发明的一个目的在于提供一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中 所述微波探测器提供一辐射源、一参考地以及被设置于所述辐射源和所述参考地 之间的一辐射缝隙,其中所述辐射源具有一中心接地点以及位于所述中心接地点 左侧的至少一左侧接地点和位于所述中心接地点右侧的至少一右侧接地点,这些 接地点使得辐射能量能够均衡地分布于所述辐射源。
本发明的一个目的在于提供一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中 所述左侧接地点、所述中心接地点和所述右侧接地点沿着所述辐射源的能量平衡 线分布,以有效地减少辐射能量的散射和避免杂波的出现。优选地,所述左侧接 地点和所述右侧接地点相对于所述中心接地点相对称,如此辐射能量能够趋向于 均衡地分布于所述辐射源,以有效地降低所述微波探测器的耗损和提高所述微波 探测器的收发效率。
本发明的一个目的在于提供一具有接地点的微波探测器及其制造方法,其中 一个所述左侧接地点位于所述辐射源的左侧边缘,一个所述右侧接地点位于所述 辐射源的右侧边缘,如此有利于减小所述微波探测器的带宽而提高所述微波探测 器的抗干扰能力。
依本发明的一个方面,本发明提供一具有接地点的微波探测器,其包括:
一辐射缝隙;
一参考地;
一激励电路,所述激励电路被设置用于提供交变信号;
一辐射源,其中所述辐射源以与所述参考地相平行的方式被间隔地保持于所 述参考地的一侧,其中所述辐射缝隙形成于所述参考地和所述辐射源之间,其中 所述辐射源具有一馈电点,其中所述馈电点偏离于所述辐射源的物理中心点,其 中所述辐射源的所述馈电点被电连接于所述激励电路,其中所述辐射源于所述馈 电点在所述激励电路的交变信号的激励下具有一能量平衡线和以所述能量平衡 线分别在靠近和远离所述馈电点的方向平移而于所述辐射源界定的一能量平衡 带,其中所述馈电点于所述辐射源位于所述能量平衡带之外,其中所述能量平衡 线为所述辐射源上穿过所述辐射源的物理中心点并垂直于所述辐射源的物理中 心点与所述馈电点连线的直线,其中所述能量平衡带沿所述能量平衡线方向以所 述辐射源的物理中心点和所述馈电点的连线为界的两侧形成所述能量平衡带的 两端部,其中所述辐射源于所述能量平衡带的至少一所述端部被接地。
根据本发明的一个实施例,其中所述辐射源于所述能量平衡带的其中一所述 端部具有与所述参考地导电相接的至少一接地点,以允许所述辐射源于所述能量 平衡带的该所述端部藉由所述接地点与所述参考地的导电连接被接地。
根据本发明的一个实施例,其中至少一所述接地点位于所述辐射源的所述能 量平衡线。
根据本发明的一个实施例,其中所述接地点被成对设置,其中被成对设置的 所述接地点于所述辐射源的所述能量平衡带以所述能量平衡线对称分布。
根据本发明的一个实施例,其中所述辐射源于所述能量平衡带的另一所述端 部具有与所述参考地导电相接的至少一所述接地点,以允许所述辐射源于所述能 量平衡带的两所述端部分别藉由所述接地点与所述参考地的导电连接被接地。
根据本发明的一个实施例,其中各所述接地点均位于所述辐射源的所述能量 平衡线。
根据本发明的一个实施例,其中位于所述能量平衡带的同一所述端部的至少 一对所述接地点被成对设置,其中被成对设置的该对所述接地点于所述辐射源的 所述能量平衡带以所述能量平衡线对称分布。
根据本发明的一个实施例,其中位于所述能量平衡带的其中一所述端部的至 少一所述接地点以所述辐射源的物理中心点和所述馈电点的连线与位于所述能 量平衡带的另一所述端部的所述接地点对称。
根据本发明的一个实施例,其中所述接地点于所述能量平衡带的相应所述端 部位于所述辐射源的侧边缘。
根据本发明的一个实施例,其中所述辐射源于所述辐射源的物理中心点具有 与所述参考地导电相接的一中心接地点,以允许所述辐射源于所述辐射源的物理 中心点藉由所述中心接地点与所述参考地的导电连接被接地。
根据本发明的一个实施例,其中所述辐射源于所述辐射源的物理中心点具有 与所述参考地导电相接的至少一中心接地点,以允许所述辐射源于所述辐射源的 物理中心点藉由所述中心接地点与所述参考地的导电连接被接地。
根据本发明的一个实施例,其中所述的微波探测器进一步包括一基础板,其 中所述参考地被贴装于所述基础板的一侧以被所述基础板保持平整,其中所述激 励电路被设置于所述基础板的贴装有所述参考地的一侧的相对侧。
根据本发明的一个实施例,其中所述的微波探测器进一步包括一屏蔽罩,其 中所述屏蔽罩以罩设所述激励电路的方式被设置于所述基础板。
依本发明的另一个方面,本发明进一步提供一微波探测器的制造方法,其中 所述制造方法包括如下步骤:
(a)蚀刻一下板组件的一第二金属板以允许所述第二金属板形成一缺口和 蚀刻所述下板组件的一第三金属板以允许所述第三金属板形成一激励电路的至 少一部分;
(b)贴装一上板组件的一上基板于所述第二金属板;以及
(c)形成自所述上板组件的一第一金属板经所述第二金属板的所述缺口延 伸至和导通于所述激励电路的一导通元件、自所述第一金属板延伸至和导通于所 述第二金属板的至少三接地元件,以制得所述微波探测器,其中所述第一金属板 形成所述微波探测器的一辐射源,所述上基板形成所述微波探测器的一辐射缝 隙,所述第二金属板形成所述微波探测器的一参考地,所述第一金属板的用于连 接所述导通元件的位置形成所述辐射源的一馈电点,所述第一金属板的用于连接 每个所述接地元件的位置分别形成所述辐射源的每个接地点,其中一个所述接地 点位于所述辐射源的零电位点而形成一中心接地点,至少一个所述接地点位于所 述辐射源的零电位点的左侧而形成至少一左侧接地点,至少一个所述接地点位于 所述辐射源的零电位点的右侧而形成至少一右侧接地点。
根据本发明的一个实施例,所述制造方法进一步包括步骤:(d)以罩设所述 激励电路的方式设置一屏蔽罩于所述下板组件的一下基板。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(c)中,通过金属化过孔工艺形成 所述导通元件和每个所述接地元件。
依本发明的另一个方面,本发明进一步提供一微波探测器的制造方法,其中 所述制造方法包括如下步骤:
(A)蚀刻一板材组件的被贴装于一板材主体的上侧表面的一上侧金属板, 以形成一上侧蚀刻板;
(B)蚀刻所述板材组件的被贴装于所述板材主体的下侧表面的一下侧金属 板,以形成一下侧蚀刻板;以及
(C)形成自所述上侧蚀刻板的偏离物理中心的位置延伸至和导通于位于所 述板材主体的下侧表面的一激励电路的一导通元件、自所述上侧蚀刻板延伸至和 导通于所述下侧蚀刻板的至少三接地元件,以制得所述微波探测器,其中所述上 侧蚀刻板形成所述微波探测器的一辐射源,所述板材主体形成所述微波探测器的 一辐射缝隙,所述下侧蚀刻板形成所述微波探测器的一参考地,所述上侧蚀刻板 的用于连接所述导通元件的位置形成所述辐射源的一馈电点,所述上侧蚀刻板的 用于连接每个所述接地元件的位置分别形成所述辐射源的每个接地点,其中一个 所述接地点位于所述辐射源的零电位点而形成一中心接地点,至少一个所述接地 点位于所述辐射源的零电位点的左侧而形成至少一左侧接地点,至少一个所述接 地点位于所述辐射源的零电位点的右侧而形成至少一右侧接地点。
根据本发明的一个实施例,在上述方法中,所述步骤(B)在所述步骤(A) 之前,从而首先蚀刻所述下侧金属板而形成所述下侧蚀刻板,其次蚀刻所述上侧 金属板而形成所述上侧蚀刻板。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(B)中,在蚀刻所述下侧金属板以 形成所述下侧蚀刻板的同时,藉由所述下侧金属板形成所述激励电路的至少一部 分。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(C)中,通过金属化过孔工艺形成 所述导通元件和每个所述接地元件。
根据本发明的一个实施例,所述制造方法进一步包括步骤:(D)以罩设所述 激励电路的方式设置一屏蔽罩于所述参考地。
附图说明
图1是依本发明的一较佳实施例的一微波探测器的制造步骤之一的立体示 意图。图2是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之二的立 体示意图。
图3A和图3B是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤 之三的不同视角的立体示意图。
图4是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之四的立 体示意图。
图5是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之五的立 体示意图。
图6依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之六的立体 示意图,其示意了所述微波探测器的立体状态。
图7A是沿着图6的A-A线剖开后的剖视示意图,其示意了所述微波探测器 在一个剖视位置的剖视状态。
图7B是沿着图6的B-B线剖开后的剖视示意图,其示意了所述微波探测器 在另一个剖视位置的剖视状态。
图8A是仅具有中心接地点的微波探测器的参数测试图。
图8B是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的参数测试图。
图9是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的一个变形实施方式 的立体示意图。
图10是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的一个变形实施方式 的立体示意图。
图11是依本发明的一较佳实施例的一微波探测器的制造步骤之一的立体示 意图。
图12A和图12B是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步 骤之二的不同视角的立体示意图。
图13分别是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之四 的不同视角的立体示意图。
图14是依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之五的立 体示意图,其示意了所述微波探测器的立体状态。
图15A是沿着图14的A’-A’线剖开后的剖视示意图,其示意了所述微波探 测器在一个剖视位置的剖视状态。
图15B是沿着图14的B’-B’线剖开后的剖视示意图,其示意了所述微波探 测器在另一个剖视位置的剖视状态。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中 的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以 下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方 案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
本领域技术人员应理解的是,在本发明的揭露中,术语“纵向”、“横向”、 “上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、 “外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系,其仅是为了 便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定 的方位、以特定的方位构造和操作,因此上述术语不能理解为对本发明的限制。
可以理解的是,术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”,即在一 个实施例中,一个元件的数量可以为一个,而在另外的实施例中,该元件的数量 可以为多个,术语“一”不能理解为对数量的限制。
参考本发明的说明书附图之附图1至图7B,依本发明的一较佳实施例的一微 波探测器在接下来的描述中被揭露和被阐述,其中所述微波探测器包括一辐射源 10、一参考地20以及一辐射缝隙30。
所述辐射源10具有一辐射源上表面11、对应于所述辐射源上表面11的一辐 射源下表面12以及一馈电点13。所述参考地20具有一参考地上表面21和对应 于所述参考地上表面21的一参考地下表面22。所述辐射源10以所述辐射源10 的所述辐射源上表面11和所述参考地20的所述参考地上表面21相互平行的方 式被间隔设置于所述参考地20的一侧,并且所述辐射缝隙30被设置于所述辐射 源10的所述辐射源10和所述参考地20之间。
所述微波探测器进一步包括一激励电路40,其中所述辐射源10的所述馈电 点13被电连接于所述激励电路40,其中所述激励电路40能够将交变电信号自 所述辐射源10的所述馈电点13提供至所述辐射源10,以使辐射能量分布于所 述辐射源10,此时,所述辐射源10和所述参考地20能够相互作用而使所述微 波探测器收发微波。
可以理解的是,所述辐射源10的所述馈电点13偏离所述辐射源10的零电 位点(物理中心点),如此在所述激励电路40自所述辐射源10的所述馈电点13 提供交变电信号时,辐射能量能够分布于所述辐射源10而使所述辐射源10和所 述参考地20相互作用以使所述微波探测器收发微波。
进一步地,所述辐射源10于所述馈电点13在所述激励电路40的交变信号 的激励下具有一能量平衡带,其中所述能量平衡带为所述辐射源10于所述馈电 点13在所述激励电路40的交变信号的激励下,所述辐射源10上零电位和趋于 零电位的区域,具体地,所述能量平衡带为所述辐射源10的所述能量平衡线分 别在靠近和远离所述馈电点13的方向平移而于所述辐射源10界定的区域,也就 是说,所述能量平衡带以所述能量平衡线分别在靠近和远离所述馈电点13的方 向等距平移的两平移线为边界,而于所述辐射源10界定的以所述能量平衡线对 称的所述能量平衡带,并且所述馈电点13处于所述能量平衡带之外。
特别地,所述能量平衡带沿所述能量平衡线方向以所述辐射源10的物理中 心点和所述馈电点13的连线为界的两侧形成所述能量平衡带的两端部,即所述 能量平衡带的两所述端部为以所述辐射源10的物理中心点和所述馈电点13的连 线为界的两侧区域,其中所述辐射源10于所述能量平衡带的至少一所述端部被 接地而于该所述端部形成有至少一接地点14,以自所述接地点14沿所述辐射源 10的物理中心点和所述馈电点13的连线方向上均衡化所述辐射源10的能量分 布,即通过将所述辐射源10于所述能量平衡带的该所述端部接地的方式降低所 述辐射源10的对应该所述端部的区域的能量集中程度,尤其是当所述辐射源10 被设置为长方形时,能够降低长方形的所述辐射源10的对应该所述端部的边角 区域的能量集中程度,进而降低所述微波探测器的高次谐波分量,有利于降低所述微波探测器的耗损和提高所述微波探测器的收发效率,从而使得所述微波探测 器的增益能够被增强,同时降低所述微波探测器的高次谐波分量还有利于降低所 述微波探测器对其他微波装置产生的干扰。
也就是说,因所述辐射源10的所述馈电点13偏离所述辐射源10的物理中 心点而使得自所述馈电点13提供的交变电信号的过零点偏离所述辐射源10的所 述能量平衡线,进而在自所述馈电点13提供交变电信号时造成所述辐射源10上 的能量分布不均,特别是所述辐射源10的对应所述能量平衡带的所述端部的区 域,而通过将所述辐射源10于所述能量平衡带的至少一所述端部接地的方式能 够均衡化所述辐射源10的对应所述能量平衡带的该所述端部的区域的能量分 布。
进一步地,当所述辐射源10于所述能量平衡带的两所述端部分别被接地而 于两所述端部分别形成有至少一所述接地点14时,所述辐射源10的自所述接地 点14沿所述辐射源10的物理中心点和所述馈电点13的连线方向上的能量分布 被均衡化,以使得所述辐射源10的对应所述能量平衡带的区域的能量集中程度 得以降低,即同时降低了所述辐射源10的以所述辐射源10的物理中心点和所述 馈电点13的连线为界的两侧的能量集中程度,有利于进一步降低所述微波探测 器的高次谐波分量。
值得一提的是,所述辐射源10优选地被设置在所述能量平衡带的至少一所 述端部于趋近于所述能量平衡线的位置被接地,即所述接地点14优选地趋近于 所述能量平衡线,如所述接地点14直接形成于所述能量平衡线,通过这样的方 式,所述接地点14为零电位或趋于零电位,有利于所述辐射源10的自所述接地 点14沿所述辐射源10的物理中心点和所述馈电点13的连线方向上的能量分布 的均衡化,进而有利于降低所述微波探测器的高次谐波分量。
可以理解的是,以能量平衡线对称分布的一对所述接地点14等效于在该对 所述接地点14连线上形成于所述能量平衡线的所述接地点14,因此当所述辐射 源10于所述能量平衡带的一所述端部形成有偏离于所述能量平衡线的多个所述 接地点14时,优选地,各所述接地点14成对对称分布于所述能量平衡线两侧。
进一步地,当所述辐射源10于所述能量平衡带的两所述端部分别形成有所 述接地点14时,优选地,位于所述能量平衡带的其中一所述端部的所述接地点 14以所述辐射源10的物理中心点和所述馈电点13的连线与位于所述能量平衡 带的另一所述端部的所述接地点对称或等效对称,如位于所述能量平衡带的其中 一所述端部的所述接地点14等效形成一等效接地点,且位于所述能量平衡带的 另一所述端部的所述接地点14等效形成另一等效接地点,则两所述等效接地点 优选地以所述辐射源10的物理中心点和所述馈电点13的连线对称分布,以利于 所述辐射源10上分别对应所述能量平衡带的两所述端部的区域的能量以所述辐 射源10的物理中心点和所述馈电点13的连线均衡对称的分布,即有利于所述辐 射源10在所述能量平衡线方向的能量的均衡分布,进而有利于降低所述微波探 测器的高次谐波分量。
值得一提的是,通过将所述辐射源10于所述能量平衡带的至少一所述端部 接地的方式还能够降低所述辐射源10与所述参考地20之间的阻抗,从而提高所 述微波探测器的品质因子,以有利于控制所述微波探测器的带宽,从而所述微波 探测器的抗干扰能力能够被有效地提高。
优选地,设所述微波探测器发射的微波波长为λ,其中所述接地点14于所 述能量平衡带的相应所述端部在沿所述能量平衡线方向与所述辐射源10的物理 中心点和所述馈电点13的连线之间的距离大于等于λ/16,以有利于所述辐射 源10的相应所述端部的能量的均衡分布。
进一步地,所述能量平衡线于所述辐射源10的物理中心点具有与所述馈电 点13之间最短的距离,因此当所述辐射源10进一步于所述辐射源10的所述物 理中心点被接地时,所述辐射源10与所述参考地20之间的阻抗能够被进一步大 幅降低,即在所述辐射源10于所述能量平衡带的至少一所述端部被接地的基础 上,通过将所述辐射源10于所述辐射源10的所述物理中心点接地的方式能够更 大程度地降低所述辐射源10与所述参考地20之间的阻抗,从而更大程度地提高 所述微波探测器的抗干扰能力。
在附图1至图7B示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,所述辐射源10 具有一中心接地点14C、至少一左侧接地点14L以及至少一右侧接地点14R,其 中所述辐射源10的零电位点位置被接地而使所述辐射源10形成有所述中心接地 点14C,所述辐射源10的位于零电位点一侧的所述能量平衡带的其中一所述端 部的至少一个位置被接地而使所述辐射源10形成有至少一个所述左侧接地点 14L,相应地,所述辐射源10的位于零电位点另一侧的所述能量平衡带的另一所 述端部的至少一个位置被接地而使所述辐射源10形成有至少一个所述右侧接地 点14R。通过使所述辐射源10形成所述中心接地点14C、所述左侧接地点14L和 所述右侧接地点14R的方式,在所述激励电路40将交变电信号自所述辐射源10 的所述馈电点13提供至所述辐射源10后,辐射能量趋向于均衡分布于所述辐射 源10,如此所述微波探测器的耗损能够被有效地降低和所述微波探测器的收发 效率能够被有效地提高。
优选地,所述辐射源10的所述左侧接地点14L和所述右侧接地点14R相互 对称,如此辐射能量能够均衡地分布于所述辐射源10的左侧和右侧,以降低所 述微波探测器的耗损和提高所述微波探测器的收发效率,从而所述微波探测器的 增益能够被增强。
继续参考附图1至图7B,在本发明的所述微波探测器的这个较佳示例中,所 述辐射源10的所述左侧接地点14L、所述中心接地点14C和所述右侧接地点14R 沿着所述辐射源10的能量平衡线分布,以能够有效地减少辐射能量的散射和避 免杂波的出现。
具体地,在附图1至图7B示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,所述 辐射源10具有一个所述左侧接地点14L和一个所述右侧接地点14R,其中所述 左侧接地点14L位于所述辐射源10的左侧边缘,和所述右侧接地点14R位于所 述辐射源10的右侧边缘,如此通过减少所述微波探测器的带宽的方式能够有效 地提高所述微波探测器的抗干扰能力。
更具体地,附图8A示出了仅具有中心接地点的微波探测器的参数测试图, 附图8B示出了本发明的具有所述中心接地点14C、一个所述左侧接地点14L和 一个所述右侧接地点14R的所述微波探测器的参数测试图,其中参数测试图中的 横坐标x表示微波探测器的震荡频率,参数测试图中的纵坐标y表示微波探测器 的增益,曲线为微波探测器收发的微波。在对比附图8A和图8B后可知:第一, 在振荡频率大约为5.8GHz时,本发明的所述微波探测器的振荡频率为5.9500GHz 时的增益(-22.4614R)明显地高于仅具有中心接地点的微波探测器的振荡频率 为5.9000GHz时的增益(-14C.8849);第二,在振荡频率大约为5.8GHz时,本 发明的所述微波探测器的振荡频率为5.9500GHz时的带宽明显地小于仅具有中 心接地点的微波探测器的振荡频率为为5.9000GHz时的带宽,从而使得本发明的 所述微波探测器的抗干扰能力明显地强于仅具有中心接地点的微波探测器的抗 干扰能力。
继续参考附图1至图7B,所述微波探测器进一步包括一基础板50,所述基 础板50具有一基础板上表面51和对应于所述基础板上表面51的一基础板下表 面52,其中所述参考地20的所述参考地下表面22被贴装于所述基础板50的所 述基础板上表面51,以允许所述基础板50保证所述参考地20的平整度。优选 地,所述激励电路40形成于所述基础板50的所述基础板下表面52,以允许所 述基础板50隔离所述参考地20和所述激励电路40。
继续参考附图1至图7B,所述微波探测器进一步包括一屏蔽罩60,所述屏 蔽罩60具有一屏蔽空间61,其中所述屏蔽罩60以罩设所述激励电路40的方式 被设置于所述基础板50的所述基础板下表面52,以允许所述激励电路40被保 持于所述屏蔽罩60的所述屏蔽空间61,如此所述屏蔽罩60能够阻止所述激励 电路40和所述微波探测器收发的微波相互干扰。
值得一提的是,尽管在附图1至图7B示出的所述微波探测器中,以所述辐 射源10的俯视形状为方形(尤其是长方形)为例来揭露本发明的所述微波探测 器的内容和特征,但本领域技术人员应当连接的是,附图1至图7B示出的带有 辐射形状为方形的所述辐射源10的所述微波探测器仅为举例,其并不应当被视 为对本发明的所述微波探测器的内容和范围限制的限制。例如,在本发明的所述 微波探测器的其他示例中,所述微波探测器的所述辐射源10的俯视形状可以还 是但不限于圆形。
依本发明的另一个方面,参考附图1至6,本发明进一步提供所述微波探测 器的制造方法,其中所述制造方法包括步骤S1:提供一上板组件100,其中所述 上板组件100包括一上基板101和一第一金属板102,所述上基板101具有一第 一附着面1011和对应于所述第一附着面1011的一贴装面1012,所述第一金属 板102被附着于所述上基板101的所述第一附着面101,以使所述上板组件100 的所述上基板101和所述第一金属板102形成层叠结构,参考附图1。
值得一提的是,所述上板组件100的所述上基板101的类型在本发明的所述 制造方法中不受限制,例如所述上基板101的类型可以是但不限于酚醛纸基板、 复合基板、玻纤基板。另外,所述上板组件100的所述第一金属板102的类型在 本发明的所述制造方法中不受限制,例如所述上板组件100的所述第一金属板 102可以是但不限于铜板。也就是说,所述上板组件100可以是一个单面覆铜的 组件。
可选地,在本发明的所述制造方法的其他示例中,所述上基板101的两个相 对侧面均被覆铜,从而在制造所述微波探测器的过程中,被附着于所述上基板 101的一个侧面的铜板被去除,以暴露所述上基板101的该侧面而使所述上基板 101的该侧面形成所述上基板101的所述贴装面1012,相应地,被附着于所述上 基板101的另一个侧面的铜板没有被去除而形成所述第一金属板102,和所述上 基板101的用于附着所述第一金属板102的侧面形成所述上基板101的所述第一 附着面1011。
参考附图2,所述制造方法进一步包括步骤S2:提供一下板组件200,其中 所述下板组件200包括一下基板201、一第二金属板202以及一第三金属板203, 所述下基板201具有一第二附着面2011和对应于所述第二附着面2011的一第三 附着面2012,所述第二金属板202被附着于所述下基板201的所述第二附着面 2011,所述第三金属板203被附着于所述下基板201的所述第三附着面2012, 以使所述下板组件200的所述第二金属板202、所述下基板201和所述第三金属 板203形成层叠结构。
值得一提的是,所述下板组件200的所述下基板201的类型在本发明的所述 制造方法中不受限制,例如所述下基板201的类型可以是但不限于酚醛纸基板、 复合基板、玻纤基板。另外,所述下板组件200的所述第二金属板202和所述第 三金属板203的类型在本发明的所述制造方法中不受限制,例如所述第二金属板 202和所述第三金属板203可以是但不限于铜板。也就是说,所述下板组件200 可以是一个双面覆铜的组件。
参考附图3A和图3B,所述制造方法进一步包括步骤S3:蚀刻所述下板组件 200的所述第二金属板202以允许所述第二金属板202形成一缺口2021,和蚀刻 所述下板组件200的所述第三金属板203以允许所述第三金属板203形成所述激 励电路40或者形成所述激励电路40的一部分。例如,在本发明的所述制造方法 的这个具体示例中,所述第三金属板203的中部被蚀刻而于所述第三金属板203 的中部形成所述激励电路40的至少一部分。
值得一提的是,在本发明的所述制造方法的一个具体示例中,所述下板组件 200的所述第二金属板202和所述第三金属板203能够被同时蚀刻而使所述第二 金属板202形成所述缺口2021和使所述第三金属板203形成所述激励电路40或 者所述激励电路40的一部分。可选地,在本发明的所述制造方法的另一些示例 中,所述下板组件200的所述第二金属板202和所述第三金属板203的蚀刻顺序 能够被选择,例如首先蚀刻所述第二金属板202而使所述第二金属板202形成所 述缺口2021,其次蚀刻所述第三金属板203而使所述第三金属板203形成所述 激励电路40或者所述激励电路40的一部分,或者首先蚀刻所述第三金属板203 而使所述第三金属板203形成所述激励电路40或者所述激励电路40的一部分, 其次蚀刻所述第二金属板202而使所述第二金属板202形成所述缺口2021。
可选地,在本发明的所述制造方法的一个变形示例中,所述制造方法包括步 骤S3’:蚀刻所述下板组件200的所述第二金属板202以允许所述第二金属板 202形成所述缺口2021,和蚀刻所述第三金属板203以允许所述第三金属板203 形成至少一个布线空间而在后续能够于所述布线空间形成所述激励电路40。例 如,通过印刷电路的方式能够于所述布线空间形成所述激励电路40。
参考附图4,所述制造方法进一步包括步骤S4:以所述上板组件100的所述 上基板101的所述贴装面1012贴合于所述下板组件200的所述第二金属板202 的方式贴装所述上板组件100于所述下板组件200。
应当理解的是,所述上板组件100的所述上基板101和所述下板组件200的 所述第二金属板202相互贴合和固定,以避免所述上板组件100和所述下板组件 200相互分离。
值得一提的是,相互贴合和固定所述上板组件100的所述上基板101和所述 下板组件200的所述第二金属板202的方式在本发明的所述制造方法中不受限 制,例如可以在贴合所述上板组件100的所述上基板101和所述下板组件200的 所述第二金属板202之前,首先施胶于所述上基板101的所述贴装面1012和/ 或所述第二金属板202的裸露面,其次贴合所述上基板101的所述贴装面1012 和所述第二金属板202,然后在胶水固化后所述上板组件100的所述上基板101 和所述下板组件200的所述第二金属板202相互贴合和固定。
参考附图5,所述制造方法进一步包括步骤S5:通过金属化过孔工艺于所述 第二金属板202的所述缺口2021的位置形成上端部穿过所述上基板101以导通 地连接于所述第一金属板102和下端部穿过所述下基板201以导通地连接所述激 励电路40的一导通元件70,和形成穿过所述上基板101而导通地连接所述第一 金属板102和所述第二金属板202的至少三个接地元件80。
换言之,所述微波探测器的所述导通元件70的上端部向上延伸以在穿过所 述上基板101后被导通地连接于所述第一金属板102,和所述导通元件70的下 端部向下延伸以在穿过所述下基板201后被导通地连接于所述激励电路40,并 且所述第二金属板202形成的所述缺口2021用于阻止所述导通元件70和所述第 二金属板202被导通,从而在后续,在所述微波探测器被制造完成而允许所述第 一金属板102形成所述辐射源10、所述上基板101形成所述辐射缝隙30、所述 第二金属板202形成所述参考地20和所述下基板201形成所述基础板50后,所 述导通元件70与所述第一金属板102的连接位置形成所述辐射源10的所述馈电 点13,从而所述导通元件70导通地连接所述辐射源10的所述馈电点13和所述 激励电路40。
这些所述接地元件80中的一个所述接地元件80为一中心接地元件80a,这 些所述接地元件80中的至少一个所述接地元件80为至少一左侧接地元件80b, 相应地,这些所述接地元件80中的至少一个所述接地元件80为至少一右侧接地 元件80c。所述中心接地元件80a于所述第一金属板102的物理中心在穿过所述 上基板101后导通地连接所述第一金属板102和所述第二金属板202,所述左侧 接地元件80b于所述第一金属板102的左侧在穿过所述上基板101后导通地连接 所述第一金属板102和所述第二金属板202,所述右侧接地元件80c于所述第一 金属板102的右侧在穿过所述上基板101后导通地连接所述第一金属板102和所 述第二金属板202,从而在后续,在所述微波探测器被制造完成而允许所述第一金属板102形成所述辐射源10、所述上基板101形成所述辐射缝隙30、所述第 二金属板202形成所述参考地20和所述下基板201形成所述基础板50后,所述 微波探测器的所述中心接地元件80a、所述左侧接地元件80b和所述右侧接地元 件80c导通地连接所述辐射源10和所述参考地20而使所述辐射源10被接地, 并且所述中心接地元件80a和所述辐射源10的连接位置形成所述辐射源10的所 述中心接地点14C,所述左侧接地元件80b和所述辐射源10的连接位置形成所 述辐射源10的所述左侧接地点14L,所述右侧接地元件80c和所述辐射源10的 连接位置形成所述辐射源10的所述右侧接地点14R。
参考附图6,以所述屏蔽罩60罩设所述激励电路40的方式固定地安装所述 屏蔽罩60于所述下基板201,以制得所述微波探测器。
也就是说,本发明的所述制造方法包括如下步骤:
(a)蚀刻所述下板组件200的所述第二金属板202以允许所述第二金属板 202形成所述缺口2021和蚀刻所述下板组件200的所述第三金属板203以允许 所述第三金属板203形成所述激励电路40的至少一部分;
(b)贴装所述上板组件100的所述上基板101于所述第二金属板202;以及
(c)形成自所述上板组件100的所述第一金属板102经所述第二金属板202 的所述缺口2021延伸至和导通于所述激励电路40的所述导通元件70、自所述 第一金属板102延伸至和导通于所述第二金属板202的至少三个所述接地元件 80,以制得所述微波探测器,其中所述第一金属板102形成所述微波探测器的所 述辐射源10,所述上基板101形成所述微波探测器的所述辐射缝隙30,所述第 二金属板202形成所述微波探测器的所述参考地20,所述第一金属板102的用 于连接所述导通元件80的位置形成所述辐射源10的所述馈电点13,所述第一 金属板102的用于连接每个所述接地元件80的位置分别形成所述辐射源10的每 个接地点,其中一个所述接地点位于所述辐射源10的零电位点而形成所述中心 接地点14C,至少一个所述接地点位于所述辐射源10的零电位点的左侧而形成 至少一个所述左侧接地点14L,至少一个所述接地点位于所述辐射源10的零电 位点的右侧而形成至少一个所述右侧接地点14R。
所述制造方法进一步包括步骤:(d)以罩设所述激励电路40的方式设置所 述屏蔽罩60于所述下板组件200的所述下基板201。
附图9示出了本发明的所述微波探测器的一个变形示例,与附图1至图7B 示出的所述微波探测器不同的是,在附图9示出的所述微波探测器的这个较佳示 例中,所述辐射源10的所述左侧接地点14L和所述右侧接地点14R的数量均是 两个,两个所述左侧接地点14L、所述中心接地点14C和两个所述右侧接地点14R 均分布于所述辐射源10的能量平衡线,并且所述左侧接地点14L和所述右侧接 地点14R相对于所述中心接地点14C对称。
具体地,在附图9中,两个所述左侧接地点14L分别被命名为一第一左侧接 地点14La和一第二左侧接地点14Lb,两个所述右侧接地点14R分别被命名为一 第一右侧接地点14Ra和一第二右侧接地点14Rb,其中所述第一左侧接地点14La、 所述第二左侧接地点14Lb、所述中心接地点14C、所述第二右侧接地点14Rb和 所述第一右侧接地点14Ra分布于所述辐射源10的能量平衡线,并且所述第一左 侧接地点14La和所述第一右侧接地点14Ra相对于所述中心接地点14C相互对 称,和所述第二左侧接地点14Lb和所述第二右侧接地点14Rb相当于所述中心接 地点14C相互对称。
优选地,所述第一左侧接地点14La、所述第二左侧接地点14Lb、所述中心 接地点14C、所述第二右侧接地点14Rb和所述第一右侧接地点14Ra均衡地形成 于所述辐射源10的能量平衡线,从而使得所述第一左侧接地点14La、所述第二 左侧接地点14Lb、所述中心接地点14C、所述第二右侧接地点14Rb和所述第一 右侧接地点14Ra中任意相邻接地点之间的间距相等。
附图10示出了本发明的所述微波探测器的一个变形示例,与附图1至图7B 示出的所述微波探测器不同的是,在附图10示出的所述微波探测器的这个较佳 示例中,所述辐射源10的所述左侧接地点14L和所述右侧接地点14R的数量均 是两个而使所述辐射源10的所述左侧接地点14L和所述右侧接地点14R分别成 对出现,其中两个所述左侧接地点14L相对于所述辐射源10的能量平衡线对称, 两个所述右侧接地点14R相对于所述辐射源10的能量平衡线对称,并且两个所 述左侧接地点14L和两个所述右侧接地点14R相对于所述中心接地点14C对称。
具体地,在附图10中,两个所述左侧接地点14L被命名为一左侧第一接地 点14LA和一左侧第二接地点14LB,两个所述右侧接地点14R被命名为一右侧第 一接地点14RA和一右侧第二接地点14RB,其中所述左侧第一接地点14LA和所 述左侧第二接地点14LB相对于所述辐射源10的能量平衡线对称,所述右侧第一 接地点14RA和所述右侧第二接地点14RB相对于所述辐射源10的能量平衡线对 称,并且所述左侧第一接地点14LA和所述右侧第一接地点14RA相对于所述中心 接地点14C对称,和所述左侧第二接地点14LB和所述右侧第二接地点14RB相对 于所述中心接地点14C对称。
参考本发明的说明书附图之附图11至图15B,依本发明的另一较佳实施例的 一微波探测器在接下来的描述中被揭露和被阐述,其中所述微波探测器包括一辐 射源10’、一参考地20’以及一辐射缝隙30’。
所述辐射源10’具有一辐射源上表面11’、对应于所述辐射源上表面11’的 一辐射源下表面12’以及一馈电点13’。所述参考地20’具有一参考地上表面 21’和对应于所述参考地上表面21’的一参考地下表面22’。所述辐射源10’ 以所述辐射源10’的所述辐射源上表面11’和所述参考地20’的所述参考地上 表面21’相互平行的方式被设置于所述参考地20’的一侧,并且所述辐射缝隙 30’形成于所述辐射源10’和所述参考地20’之间。
值得一提的是,尽管在附图11至图15B中示出的所述微波探测器的所述辐 射源10’的俯视形状为方形(尤其是长方形),但是在所述微波探测器的其他可 能示例中,所述辐射源10’的俯视形状还可以是但不限于圆形。
所述微波探测器进一步包括一激励电路40’,其中所述辐射源10’的所述馈 电点13’被电连接于所述激励电路40’,其中所述激励电路40’能够将交变电 信号自所述辐射源10’的所述馈电点13’提供至所述辐射源10’,以使辐射能 量分布于所述辐射源10’,此时,所述辐射源10’和所述参考地20’能够相互 作用而使所述微波探测器收发微波。
在附图11至图15B示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,所述辐射源10’具有一中心接地点14C’、至少一左侧接地点14L’以及至少一右侧接地点 14R’,其中所述辐射源10’的零电位点(物理中心)位置被接地而使所述辐射 源10’形成有所述中心接地点14C’,所述辐射源10’的位于零电位点左侧的至 少一个位置被接地而使所述辐射源10’形成有至少一个所述左侧接地点14L’, 相应地,所述辐射源10’的位于零电位点右侧的至少一个位置被接地而使所述 辐射源10’形成有至少一个所述右侧接地点14R’。通过使所述辐射源10’形成 的中心接地点14C’、所述左侧接地点14L’和所述右侧接地点14R’的方式,在 所述激励电路40’将交变电信号自所述辐射源10’的所述馈电点13’提供至所 述辐射源10’后,辐射能量趋向于均衡分布于所述辐射源10’,如此所述微波探 测器的耗损能够被有效地降低和所述微波探测器的收发效率能够被有效地提高。 优选地,所述辐射源10’的所述左侧接地点14L’和所述右侧接地点14R’相互 对称,如此辐射能量能够均衡地分布于所述辐射源10’的左侧和右侧,以降低 所述微波探测器的耗损和提高所述微波探测器的收发效率,从而所述微波探测器 的增益能够被增强。
继续参考附图11至图15B,在本发明的所述微波探测器的这个较佳示例中, 所述辐射源10’的所述左侧接地点14L’、所述中心接地点14C’和所述右侧接 地点14R’沿着所述辐射源10’的能量平衡线分布,以能够有效地减少辐射能量 的散射和避免杂波的出现。
具体地,在附图11至图15B示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,所 述辐射源10’具有一个所述左侧接地点14L’和一个所述右侧接地点14R’,其 中所述左侧接地点14L’位于所述辐射源10’的左侧边缘,和所述右侧接地点 14R’位于所述辐射源10’的右侧边缘,如此通过减少所述微波探测器的带宽的 方式能够有效地提高所述微波探测器的抗干扰能力。
继续参考附图11至图15B,所述微波探测器进一步包括一屏蔽罩60’,所述 屏蔽罩60’具有一屏蔽空间61’,其中所述屏蔽罩60’以罩设所述激励电路40’ 的方式被设置于所述参考地20’的所述参考地下表面22’,以允许所述激励电路 40’被保持于所述屏蔽罩60’的所述屏蔽空间61’,如此所述屏蔽罩60’能够 阻止所述激励电路40’和所述微波探测器收发的微波相互干扰。
依本发明的另一个方面,参考附图11至图14,本发明进一步提供所述微波 探测器的制造方法,其中所述制造方法包括步骤S1:提供一板材组件300’,其 中所述板材组件300’包括一板材主体301’、一上侧金属板302’以及一下侧金 属板303’,所述板材主体301’具有一上侧表面3011’和对应于所述上侧表面 3011’的一下侧表面3012’,所述上侧金属板302’贴装于所述板材主体301’ 的所述上侧表面3011’,和所述下侧金属板303’贴装于所述板材主体301’的 所述下侧表面3012’,如此所述上侧金属板302’、所述板材主体301’和所述下 侧金属板303’形成层叠结构,参考附图11。
值得一提的是,所述板材组件300’的所述板材主体301’的类型在本发明 的所述制造方法中不受限制,例如所述板材主体301’的类型可以是但不限于酚 醛纸基板、复合基板、玻纤基板。另外,所述板材组件300’的所述上侧金属板 302’和所述下侧金属板303’的类型在本发明的所述制造方法中不受限制,例 如所述板材组件300’的所述上侧金属板302’和所述下侧金属板303’可以是 但不限于铜板。也就是说,所述板材组件300’可以是一个单面覆铜的组件。
参考附图12,所述制造方法进一步包括步骤S2:蚀刻所述上侧金属板302’, 以允许所述上侧金属板302’的一部分形成一上侧蚀刻板304’,和蚀刻所述下侧 金属板303’,以允许所述下侧金属板303’的一部分形成一下侧蚀刻板305’和 所述激励电路40’。
值得一提的是,蚀刻所述上侧金属板302’和蚀刻所述下侧金属板303’的 顺序在本发明的所述制造方法中不受限制,例如在本发明的所述制造方法的一个 较佳示例中,同时蚀刻所述上侧金属板302’和蚀刻所述下侧金属板303’,以允 许所述上侧金属板302’的一部分形成所述上侧蚀刻板304’,和允许所述下侧金 属板303’的一部分形成所述下侧蚀刻板305’和所述激励电路40’。在本发明 的所述制造方法的另一个较佳示例中,选择性地首先蚀刻所述上侧金属板302’ 和所述下侧金属板303’中的一个金属板,然后再蚀刻所述上侧金属板302’和 所述下侧金属板303’中的另一个金属板。
另外,在附图11至图14示出的所述制造方法的这个较佳示例中,所述下侧 金属板303’的四周边缘部分形成所述下侧蚀刻板305’,所述激励电路40’形 成于所述下侧蚀刻板305’的中部,并且在一个平行于所述板材主体301’的投 影面中,所述上侧蚀刻板304’于所述投影面中的投影被包含在所述下侧蚀刻板 305’于所述投影面的投影中。可选地,所述下侧金属板303’的一侧形成所述 下侧蚀刻板305’,所述下侧金属板303’的另一侧形成所述激励电路40’,并且 在一个平行于所述板材主体301’的投影面中,所述上侧蚀刻板304’于所述投 影面中的投影被包含在所述下侧蚀刻板305’于所述投影面的投影中。
参考附图13,所述制造方法进一步包括步骤S3:通过金属化过孔工艺形成 上端部穿过所述板材主体301’以导通地连接于所述上侧蚀刻板304’和下端部 穿过所述板材主体301’以导通地连接于所述激励电路40’的一导通元件70’, 和形成穿过所述板材主体301’而导通地连接所述上侧蚀刻板304’和所述下侧 蚀刻板305’的至少三个接地元件80’。
换言之,所述导通元件70’的上端部向上延伸以在穿过所述板材主体301’ 后导通地连接于所述上侧蚀刻板304’,和所述导通元件70’的下端部向下延伸 以在穿过所述板材主体301’后导通地连接于所述下侧蚀刻板305’,从而在后续, 在所述微波探测器被制造完成而允许所述上侧蚀刻板304’形成所述辐射源10’、 所述板材主体301’形成所述辐射缝隙30’和所述下侧蚀刻板305’形成所述参 考地20’后,所述导通元件70’导通地连接所述辐射源10’和所述激励电路40’, 其中所述导通元件70’与所述上侧蚀刻板304’的连接位置形成所述辐射源10’ 的所述馈电点13’。
这些所述接地元件80’中的一个所述接地元件80’为一中心接地元件80a’, 这些所述接地元件80’中的至少一个所述接地元件80’为至少一左侧接地元件 80b’,相应地,这些所述接地元件80’中的至少一个所述接地元件80’为至少 一右侧接地元件80c’。所述中心接地元件80a’于所述上侧蚀刻板304’的物理 中心在穿过所述板材主体301’后被导通地连接于所述下侧蚀刻板305’,所述左 侧接地元件80b’于所述上侧蚀刻板304’的左侧在穿过所述板材主体301’后 被导通地连接于所述下侧蚀刻板305’,所述右侧接地元件80c’于所述上侧蚀刻 板304’的右侧在穿过所述板材主体301’后被导通地连接于所述下侧蚀刻板305’,从而在后续,在所述微波探测器被制造完成而允许所述上侧蚀刻板304’ 形成所述辐射元件10、所述板材主体301’形成所述辐射缝隙30’和所述下侧 蚀刻板305’形成所述参考地20’后,所述中心接地元件80a’、所述左侧接地 元件80b’和所述右侧接地元件80c’导通地连接所述辐射源10’和所述参考地 20’而使所述辐射源10’被接地,并且所述中心接地元件80a’和所述辐射源 10’的连接位置形成所述辐射源10’的所述中心接地点14C’,所述左侧接地元 件80b’和所述辐射源10’的连接位置形成所述辐射源10’的所述左侧接地点14L’,所述右侧接地元件80c’和所述辐射源10’的连接位置形成所述辐射源10’的所述右侧接地点14R’。
参考附图14,以所述屏蔽罩60’罩设所述激励电路40’的方式固定地安装 所述参考地20’,以制得所述微波探测器。
也就是说,本发明的所述制造方法进一步包括步骤:
(A)蚀刻所述板材组件300’的被贴装于所述板材主体301’的所述上侧表 面3011’的所述上侧金属板302’,以形成所述上侧蚀刻板304’;
(B)蚀刻所述板材组件300’的被贴装于所述板材主体301’的所述下侧表 面3012’的所述下侧金属板303’,以形成所述下侧蚀刻板305’;以及
(C)形成自所述上侧蚀刻板304’的偏离物理中心的位置延伸至和导通于位 于所述板材主体301’的所述下侧表面3012’的所述激励电路40’的所述导通 元件70’、自所述上侧蚀刻板304’延伸至和导通于所述下侧蚀刻板305’的至 少三个所述接地元件80’,以制得所述微波探测器,其中所述上侧蚀刻板304’ 形成所述微波探测器的所述辐射源10’,所述板材主体301’形成所述微波探测 器的所述辐射缝隙30’,所述下侧蚀刻板305’形成所述微波探测器的所述参考 地20’,所述上侧蚀刻板304’的用于连接所述导通元件70’的位置形成所述辐 射源10’的所述馈电点13’,所述上侧蚀刻板304’的用于连接每个所述接地元 件80’的位置分别形成所述辐射源10’的每个接地点,其中一个所述接地点位 于所述辐射源10’的零电位点而形成所述中心接地点14C’,至少一个所述接地 点位于所述辐射源10’的零电位点的左侧而形成至少一个所述左侧接地点14L’, 至少一个所述接地点位于所述辐射源10’的零电位点的右侧而形成至少一个所 述右侧接地点14R’。
值得一提的是,在本发明的所述制造方法另一个较佳示例中,所述步骤(B) 在所述步骤(A)之前,从而首先蚀刻所述下侧金属板303’而形成所述下侧蚀 刻板305’,其次蚀刻所述上侧金属板302’而形成所述上侧蚀刻板304’。可选 地,在本发明的所述制造方法的再一个较佳示例中,所述步骤(A)和所述步骤 (B)同时进行,从而同时蚀刻所述上侧金属板302’和所述下侧金属板303’而 形成所述上侧蚀刻板304’和所述下侧蚀刻板305’。
优选地,在所述步骤(B)中,在蚀刻所述下侧金属板303’以形成所述下侧 蚀刻板305’的同时,藉由所述下侧金属板303’形成所述激励电路40’的至少 一部分。
本领域的技术人员可以理解的是,以上实施例仅为举例,其中不同实施例的 特征可以相互组合,以得到根据本发明揭露的内容很容易想到但是在附图中没有 明确指出的实施方式。
本领域的技术人员应理解,上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为 举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及 结构原理已在实施例中展示和说明,在没有背离所述原理下,本发明的实施方式 可以有任何变形或修改。

Claims (22)

1.一具有接地点的微波探测器,其特征在于,包括:
一辐射缝隙;
一参考地;
一激励电路,所述激励电路被设置用于提供交变信号;以及
一辐射源,其中所述辐射源以与所述参考地相平行的方式被间隔地保持于所述参考地的一侧,其中所述辐射缝隙形成于所述参考地和所述辐射源之间,其中所述辐射源具有一馈电点,其中所述馈电点偏离于所述辐射源的物理中心点,其中所述辐射源的所述馈电点被电连接于所述激励电路,其中所述辐射源于所述馈电点在所述激励电路的交变信号的激励下具有一能量平衡线和以所述能量平衡线分别在靠近和远离所述馈电点的方向等距平移而于所述辐射源界定的一能量平衡带,其中所述馈电点于所述辐射源位于所述能量平衡带之外,其中所述能量平衡线为所述辐射源上穿过所述辐射源的物理中心点并垂直于所述辐射源的物理中心点与所述馈电点连线的直线,其中所述能量平衡带沿所述能量平衡线方向以所述辐射源的物理中心点和所述馈电点的连线为界的两侧形成所述能量平衡带的两端部,其中所述辐射源于所述能量平衡带的至少一所述端部被接地。
2.根据权利要求1所述的具有接地点的微波探测器,其中所述辐射源于所述能量平衡带的其中一所述端部具有与所述参考地导电相接的至少一接地点,以允许所述辐射源于所述能量平衡带的该所述端部藉由所述接地点与所述参考地的导电连接被接地。
3.根据权利要求2所述的具有接地点的微波探测器,其中至少一所述接地点位于所述辐射源的所述能量平衡线。
4.根据权利要求2所述的具有接地点的微波探测器,其中所述接地点被成对设置,其中被成对设置的所述接地点于所述辐射源的所述能量平衡带以所述能量平衡线对称分布。
5.根据权利要求2所述的具有接地点的微波探测器,其中所述辐射源于所述能量平衡带的另一所述端部具有与所述参考地导电相接的至少一所述接地点,以允许所述辐射源于所述能量平衡带的两所述端部分别藉由所述接地点与所述参考地的导电连接被接地。
6.根据权利要求5所述的具有接地点的微波探测器,其中各所述接地点均位于所述辐射源的所述能量平衡线。
7.根据权利要求5所述的具有接地点的微波探测器,其中位于所述能量平衡带的同一所述端部的至少一对所述接地点被成对设置,其中被成对设置的该对所述接地点于所述辐射源的所述能量平衡带以所述能量平衡线对称分布。
8.根据权利要求5所述的具有接地点的微波探测器,其中位于所述能量平衡带的其中一所述端部的至少一所述接地点以所述辐射源的物理中心点和所述馈电点的连线与位于所述能量平衡带的另一所述端部的所述接地点对称。
9.根据权利要求2至8中任一所述的具有接地点的微波探测器,设所述微波探测器发射的微波波长为λ,其中所述接地点于所述能量平衡带的相应所述端部在沿所述能量平衡线方向与所述辐射源的物理中心点和所述馈电点的连线之间的距离大于等于λ/16。
10.根据权利要求9所述的具有接地点的微波探测器,其中所述接地点于所述能量平衡带的相应所述端部位于所述辐射源的侧边缘。
11.根据权利要求2至8中任一所述的具有接地点的微波探测器,其中所述辐射源于所述辐射源的物理中心点具有与所述参考地导电相接的至少一中心接地点,以允许所述辐射源于所述辐射源的物理中心点藉由所述中心接地点与所述参考地的导电连接被接地。
12.根据权利要求9所述的具有接地点的微波探测器,其中所述辐射源于所述辐射源的物理中心点具有与所述参考地导电相接的一中心接地点,以允许所述辐射源于所述辐射源的物理中心点藉由所述中心接地点与所述参考地的导电连接被接地。
13.根据权利要求1至8中任一所述的具有接地点的微波探测器,其中所述的微波探测器进一步包括一基础板,其中所述参考地被贴装于所述基础板的一侧以被所述基础板保持平整,其中所述激励电路被设置于所述基础板的贴装有所述参考地的一侧的相对侧。
14.根据权利要求13所述的具有接地点的微波探测器,其中所述的微波探测器进一步包括一屏蔽罩,其中所述屏蔽罩以罩设所述激励电路的方式被设置于所述基础板。
15.一微波探测器的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:
(a)蚀刻一下板组件的一第二金属板以允许所述第二金属板形成一缺口和蚀刻所述下板组件的一第三金属板以允许所述第三金属板形成一激励电路的至少一部分;
(b)贴装一上板组件的一上基板于所述第二金属板;以及
(c)形成自所述上板组件的一第一金属板经所述第二金属板的所述缺口延伸至和导通于所述激励电路的一导通元件、自所述第一金属板延伸至和导通于所述第二金属板的至少三接地元件,以制得所述微波探测器,其中所述第一金属板形成所述微波探测器的一辐射源,所述上基板形成所述微波探测器的一辐射缝隙,所述第二金属板形成所述微波探测器的一参考地,所述第一金属板的用于连接所述导通元件的位置形成所述辐射源的一馈电点,所述第一金属板的用于连接每个所述接地元件的位置分别形成所述辐射源的每个接地点,其中一个所述接地点位于所述辐射源的零电位点而形成一中心接地点,至少一个所述接地点位于所述辐射源的零电位点的左侧而形成至少一左侧接地点,至少一个所述接地点位于所述辐射源的零电位点的右侧而形成至少一右侧接地点。
16.根据权利要求15所述的制造方法,进一步包括步骤:(d)以罩设所述激励电路的方式设置一屏蔽罩于所述下板组件的一下基板。
17.根据权利要求15或16所述的制造方法,其中在所述步骤(c)中,通过金属化过孔工艺形成所述导通元件和每个所述接地元件。
18.一微波探测器的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:
(A)蚀刻一板材组件的被贴装于一板材主体的上侧表面的一上侧金属板,以形成一上侧蚀刻板;
(B)蚀刻所述板材组件的被贴装于所述板材主体的下侧表面的一下侧金属板,以形成一下侧蚀刻板;以及
(C)形成自所述上侧蚀刻板的偏离物理中心的位置延伸至和导通于位于所述板材主体的下侧表面的一激励电路的一导通元件、自所述上侧蚀刻板延伸至和导通于所述下侧蚀刻板的至少三接地元件,以制得所述微波探测器,其中所述上侧蚀刻板形成所述微波探测器的一辐射源,所述板材主体形成所述微波探测器的一辐射缝隙,所述下侧蚀刻板形成所述微波探测器的一参考地,所述上侧蚀刻板的用于连接所述导通元件的位置形成所述辐射源的一馈电点,所述上侧蚀刻板的用于连接每个所述接地元件的位置分别形成所述辐射源的每个接地点,其中一个所述接地点位于所述辐射源的零电位点而形成一中心接地点,至少一个所述接地点位于所述辐射源的零电位点的左侧而形成至少一左侧接地点,至少一个所述接地点位于所述辐射源的零电位点的右侧而形成至少一右侧接地点。
19.根据权利要求18所述的制造方法,其中在上述方法中,所述步骤(B)在所述步骤(A)之前,从而首先蚀刻所述下侧金属板而形成所述下侧蚀刻板,其次蚀刻所述上侧金属板而形成所述上侧蚀刻板。
20.根据权利要求18所述的制造方法,其中在所述步骤(B)中,在蚀刻所述下侧金属板以形成所述下侧蚀刻板的同时,藉由所述下侧金属板形成所述激励电路的至少一部分。
21.根据权利要求18至20中任一所述的制造方法,其中在所述步骤(C)中,通过金属化过孔工艺形成所述导通元件和每个所述接地元件。
22.根据权利要求18至20中任一所述的制造方法,进一步包括步骤:(D)以罩设所述激励电路的方式设置一屏蔽罩于所述参考地。
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