CN110515265A - 光学临近矫正批量处理方法及其处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理方法，分别将光学临近矫正芯片图形中的图形和标记字符选定为不同的层，将标记字符层中相邻的字符连接为整体结构，生成第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度作为标记字符前层，将图形层中相邻的多边形连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度作为图形前层；将标记字符前层和图形前层合并为一层。本发明还公开了一种适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理系统。本发明生成的前层图形能满足前后层位置关系的要求，图形整齐美观，易于统一调试和管理。

Description

光学临近矫正批量处理方法及其处理系统
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种适用于具有多种层次和或多种尺寸光学临近矫正芯片图形的光学临近矫正批量处理方法。
背景技术
光学邻近矫正(OPC)是一种光刻增强技术，光学邻近矫正(OPC)主要在半导体芯片的生产过程中使用，目的是为了保证生产过程中设计的图形的边缘得到完整的刻蚀。这些投影图像出现违规行为，如线宽度比设计窄或宽，这些都可以通过改变掩模版来补偿成像。其他的失真,如圆角，受光学工具分辨率的制约，更加难以弥补。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近矫正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来纠正这些错误。根据宽度和间距约束即基于规则的OPC，或者是通过使用紧凑的模型动态仿真(即基于模型的OPC)的结果预先计算出一个查找表，根据这个查找表来决定怎样移动图案的边缘，找到最好的解决方案。OPC的目标是尽可能的使硅片上生产出的电路与原始的电路一致。
随着半导体制程的演进,对光学邻近矫正的要求也越来越高。在出版Mask掩模版时，OPC会搭载芯片光学邻近矫正图形OPC chip来进行缺陷测试weak point、Model verify校验模型等。在芯片光学邻近矫正图形OPC chip中，为了保证各层芯片光学邻近矫正图形OPC chip所处的前后层环境与实际晶圆wafer一致，在原有芯片光学邻近矫正图形的基础上需对各层次增加前层，Poly pattern多晶硅图形增加AA有源区前层参考图1和图2所示，接触图形CT pattern增加AA有源区和PO多晶硅前层参考图3和图4所示，过孔图形Viapattern增加金属前层Metal。目前常规方法对不同层次加前层的处理方式不同，而且即便是同一层次，不同图形的处理方式也不同。常规方法主要存在以下几个方面的缺陷：
1.加前层的形状、大小等规格不规范，产生的前层图形缺乏统一性；
2.生成前层的方法随机性很强，操作不规范，每次生成前层图形都要对生成脚本进行编辑和调试，耗时长，效率低；
3.不同形状特点的层次如多晶硅层和接触层需采用不同的脚本，不具有普适性；
4.芯片光学邻近矫正图形和标识label没有区分处理，生成的前层图形不美观。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能保证芯片光学邻近矫正图形和实际产品具有相同的层次堆叠环境，并且能实现具有多种层次和或多种尺寸光学邻近矫正芯片图形批量处理的光学临近矫正批量处理方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种能保证芯片光学邻近矫正图形和实际产品具有相同的层次堆叠环境，并且能实现具有多种层次和或多种尺寸光学邻近矫正芯片图形批量处理的光学临近矫正批量处理系统。
为解决上述技术问题，本发明提供适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理方法，包括以下步骤：
分别将光学临近矫正芯片图形中的图形pattern和标记字符Label选定为不同的层；
将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构，生成能将整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；
将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；
将标记字符Label前层和图形pattern前层合并为一层，根据图形规则layermapping设置层次名称和编号。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构。
OVERUNDER操作是Calibre SVRFStandardVerificationRuleFormat语句，其适用于将图形先增大再缩小，可将相邻图形连接为一体；
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作对所述整体结构进行补充，生成能将所述整体结构包围的第一类矩形。
EXTENTS操作是Calibre SVRFStandardVerificationRuleFormat语句，其适用于将非四边形的各个缺角补齐，形成一个四边形；
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作将各多边形连接结构边缘补齐生成第二类矩形。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，将各脚距Pitch大于第一距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形，该正方形作为将各脚距Pitch大于第一距离图形生成第二类矩形的图形前层。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，通过Calibre SVRF语句的CENTERLINE操作各脚距Pitch大于预设距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形。
CENTERLINE操作是Calibre SVRFStandardVerificationRuleFormat语句，其适用于以四边形的中心为原点，上下左右四个方向扩张相同尺寸形成一个正方形；
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，所述第一规则为D1＝Dz+X，W1＝Wz+X；
D1是第一类矩形长度，Dz是标识字符最长处的长度，W1是第一类矩形宽度，Wz是标识字符最宽处的宽度，X＝5nm～8nm。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，所述第二预设规则为D2＝8μm～10μm，W2＝8μm～10μm；
D2是第二类矩形长度，W2是第二类矩形宽度。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，所述第一预设距离为800nm，所述第一固定边长为8μm～10μm。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，所述芯片光学临近矫正图形的标记字符层和图形层基于TPGEN生成，标记字符前层和图形前层基于Calibresvrf语句生成。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理方法，所述处理方法至少适用于多晶硅层PO、接触层CT和或过孔层Via。
调整所述第一类矩形、第二类矩形和正方形尺寸，采用Calibre SVRFStandardVerificationRuleFormat语句：SIZE UP/DOWN：将原图形尺寸增大/减小。
本发明提供一种适用于具有多种层次和或多种尺寸光学临近矫正芯片图形的光学临近矫正批量处理系统，包括：
分层模块，其适用于将芯片光学临近矫正图形中的图形pattern和标记字符Label分别选定为不同的层；
标记字符层处理模块，其适用于将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构，生成能将整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；
图形层处理模块，其适用于将将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；
整合模块，其适用于将标记字符Label前层和图形pattern前层合并为一层，根据图形规则layer mapping设置层次名称和编号。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，标记字符层处理模块，通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，标记字符层处理模块，通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作对所述整体结构进行补充，生成能将所述整体结构包围的第一类矩形。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，图形层处理模块，通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，图形层处理模块，通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作将各多边形连接结构边缘补齐生成第二类矩形。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，图形层处理模块，将各脚距Pitch大于第一距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形，该正方形作为将各脚距Pitch大于第一距离图形生成第二类矩形的图形前层。可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，图形层处理模块，通过Calibre SVRF语句的CENTERLINE操作各脚距Pitch大于预设距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，所述第一规则为D1＝Dz+X，W1＝Wz+X；
D1是第一类矩形长度，Dz是标识字符最长处的长度，W1是第一类矩形宽度，Wz是标识字符最宽处的宽度，X＝5nm～8nm。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，所述第二预设规则为D2＝8μm～10μm，W2＝8μm～10μm；
D2是第二类矩形长度，W2是第二类矩形宽度。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，所述第一预设距离为800nm，所述第一固定边长为8μm～10μm。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，所述芯片光学临近矫正图形的标记字符层和图形层基于TPGEN生成，标记字符前层和图形前层基于Calibresvrf语句生成。
可选择的，进一步改进所述的光学临近矫正批量处理系统，所述处理方法至少适用于多晶硅层PO、接触层CT和或过孔层Via。
本发明提供的批量处理方法/批量处理系统基于TPGEN生成OPC chip图形，对Pattern和Label区分处理，在对Label加前层的操作中，主要依靠OVERUNDER将相邻字符连接为一体，再通过EXTENTS补齐缺角，最后适当size up调整前层图形至合适的尺寸；在对Pattern的处理中，除OVERUNDER、EXTENTS、size up等与标识字符Label相同的操作外，还需进行CENTERLINE操作将前层图形大小统一为相同尺寸。在获得标识字符层前层和图形前层之后，可将二者合并为一层，并根据图形规则layer mapping赋予该层次相应的名称和编号。本发明提供的批量处理方法/批量处理系统能够通过脚本分别对OPC chip的图形Pattern和标识字符Label进行增加前层的操作，通过尺寸调整，能适用于多种层次和或多种尺寸的光学临近矫正芯片图形，生成的前层图形满足前后层位置关系的要求，而且图形整齐美观，易于统一调试和管理。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是PO层光学临近矫正芯片图形分布示意图。
图2是AA前层光学临近矫正芯片图形分布示意图。
图3是CT层光学临近矫正芯片图形分布示意图。
图4是AA/PO前层光学临近矫正芯片图形分布示意图。
图5是本发明示意图一，其显示将pattern和Label选定为不同的层次。
图6是本发明示意图二，其显示OVERUNDER操作将Label中相邻的字符连接为一个整体。
图7是本发明示意图三，其显示通过EXTENTS进行补充生成能将Label包围的矩形。
图8是本发明示意图四，其显示CENTERLINE操作将各脚距Pitch大于第一距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形。
图9和图10是本发明示意图五和本发明示意图六，其显示将Label前层和Pattern前层合并为一层根据layer mapping设置曾次名称和编号。
附图标记说明
1 是图形层图形
2 是标记字符层标记字符
3 是图形前层第二类矩形/正方形
4 是标记字符前层第一类矩形
5 是连接相邻标识字符连接形成的整体结构。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明提供适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理方法第一实施例，包括以下步骤：
将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构，生成能将整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；
将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；
将标记字符Label前层和图形pattern前层合并为一层，根据图形规则layermapping设置层次名称和编号。本申请并不改变标记字符层和图形层，对标记字符层和图形层调整、补充后形成的层是作为标记字符前层和图形前层使用。
本发明提供的批量处理方法第一实施例对Pattern和Label区分处理，在获得Label前层和Pattern前层之后，可将二者合并为一层，并根据layer mapping赋予该层次相应的名称和编号。该第一实施例能够通过脚本分别对OPC chip的Pattern和Label进行增加前层的操作，通过尺寸调整，能适用于多种层次，生成的前层图形满足前后层位置关系的要求，而且图形整齐美观，易于统一调试和管理。
本发明提供适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理方法第二实施例，所述芯片光学临近矫正图形的标记字符层和图形层基于TPGEN生成，标记字符前层和图形前层由Calibre svrf语句生成，包括以下步骤：
参考图5所示，分别将光学临近矫正芯片图形中的图形pattern和标记字符Label选定为不同的层，图形层1和标记字符层2；
参考图6、图7所示，通过OVERUNDER操作操作将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构5通过EXTENTS操作对所述整体结构进行补充，生成能将所述整体结构包围的第一类矩形4，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；所述第一规则为D1＝Dz+X，W1＝Wz+X；D1是第一类矩形长度，Dz是标识字符最长处的长度，W1是第一类矩形宽度，Wz是标识字符最宽处的宽度，X＝5nm～8nm。
参考图8所示，通过OVERUNDER操作将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构，通过EXTENTS操作将各多边形连接结构边缘补齐生成第二类矩形3，通过size up或size down根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；所述第二预设规则为D2＝8μm～10μm，W2＝8μm～10μm；
将标记字符Label前层和图形pattern前层合并为一层，根据图形规则layermapping设置层次名称和编号。
其中，通过CENTERLINE操作将各脚距Pitch大于第一距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形，该正方形作为将各脚距Pitch大于第一距离图形生成第二类矩形的图形前层，所述第一预设距离为800nm，所述第一固定边长为8μm～10μm，继续参考8所示。
参考图9、图10所示，将标记字符Label前层和图形pattern前层合并为一层，根据图形规则layer mapping设置层次名称和编号。本申请并不改变标记字符层和图形层，对标记字符层和图形层调整、补充后形成的层是作为标记字符前层和图形前层使用。
本发明处理方法的第一实施例和第二实施例至少适用于多晶硅层PO、接触层CT和或过孔层Via。
本发明提供一种适用于具有多种层次和或多种尺寸光学临近矫正芯片图形的光学临近矫正批量处理系统第一实施例，各功能模块能通过计算机编程例如脚本在OPC工具中实现，包括：
分层模块，其适用于将芯片光学临近矫正图形中的图形pattern和标记字符Label分别选定为不同的层；
标记字符层处理模块，其适用于将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构，生成能将整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；
图形层处理模块，其适用于将将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；
整合模块，其适用于将标记字符Label前层和图形pattern前层合并为一层，根据图形规则layer mapping设置层次名称和编号。
对应本发明提供的批量处理方法第一实施例，本发明提供的批量处理系统第一实施例也采用相同的原理，对Pattern和Label区分处理，在获得Label前层和Pattern前层之后，可将二者合并为一层，并根据layer mapping赋予该层次相应的名称和编号。该第一实施例能够通过脚本分别对OPC chip的Pattern和Label进行增加前层的操作，通过尺寸调整，能适用于多种层次，生成的前层图形满足前后层位置关系的要求，而且图形整齐美观，易于统一调试和管理。
本发明提供一种适用于具有多种层次和或多种尺寸光学临近矫正芯片图形的光学临近矫正批量处理系统第二实施例，所述芯片光学临近矫正图形的标记字符层和图形层基于TPGEN生成，标记字符前层和图形前层由Calibre svrf语句生成，各功能模块能通过计算机编程例如脚本在OPC工具中实现，包括：
分层模块，其适用于将芯片光学临近矫正图形中的图形pattern和标记字符Label分别选定为不同的层；
标记字符层处理模块，通过OVERUNDER操作操作将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构通过EXTENTS操作对所述整体结构进行补充，生成能将所述整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；
所述第一规则为D1＝Dz+X，W1＝Wz+X；
D1是第一类矩形长度，Dz是标识字符最长处的长度，W1是第一类矩形宽度，Wz是标识字符最宽处的宽度，X＝5nm～8nm。
图形层处理模块，通过OVERUNDER操作将图形层pattern中相邻的多边形polygon连接形成多边形连接结构，通过EXTENTS操作将各多边形连接结构边缘补齐生成第二类矩形，通过size up或size down根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；
所述第二预设规则为D2＝8μm～10μm，W2＝8μm～10μm；
图形层处理模块，还通过CENTERLINE操作将各脚距Pitch大于第一距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形，该正方形作为将各脚距Pitch大于第一距离图形生成第二类矩形的图形前层，所述第一预设距离为800nm，所述第一固定边长为8μm～10μm。
整合模块，将标记字符Label前层和图形pattern前层合并为一层，根据图形规则layer mapping设置层次名称和编号。
本发明处理系统的第一实施例和第二实施例至少适用于多晶硅层PO、接触层CT和或过孔层Via。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (24)

1.一种光学临近矫正批量处理方法，适用于具有多种层次和或多种尺寸光学临近矫正芯片图形，其特征在于，包括以下步骤：
分别将光学临近矫正芯片图形中的图形和标记字符选定为不同的层；
将标记字符层中相邻的字符连接为整体结构，生成能将整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；
将图形层中相邻的多边形连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；
将标记字符前层和图形前层合并为一层，根据图形规则设置层次名称和编号。
2.如权利要求1所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将标记字符层中相邻的字符连接为整体结构。
3.如权利要求1所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作对所述整体结构进行补充，生成能将所述整体结构包围的第一类矩形。
4.如权利要求1所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将图形层中相邻的多边形连接形成多边形连接结构。
5.如权利要求1所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作将各多边形连接结构边缘补齐生成第二类矩形。
6.如权利要求1所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：
将各脚距大于第一距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形，该正方形作为将各脚距大于第一距离图形生成第二类矩形的图形前层。
7.如权利要求6所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：
通过Calibre SVRF语句的CENTERLINE操作各脚距大于预设距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形。
8.如权利要求1所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：
所述第一规则为D1＝Dz+X，W1＝Wz+X；
D1是第一类矩形长度，Dz是标识字符最长处的长度，W1是第一类矩形宽度，Wz是标识字符最宽处的宽度，X＝5nm～8nm。
9.如权利要求1所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：
所述第二预设规则为D2＝8μm～10μm，W2＝8μm～10μm；
D2是第二类矩形长度，W2是第二类矩形宽度。
10.如权利要求6所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：所述第一预设距离为800nm，所述第一固定边长为8μm～10μm。
11.如权利要求1-10任意一项所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：
所述芯片光学临近矫正图形的标记字符层和图形层基于TPGEN生成，标记字符前层和图形前层基于Calibre svrf语句生成。
12.如权利要求1-10任意一项所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：所述处理方法至少适用于多晶硅层、接触层和或过孔层。
13.一种光学临近矫正批量处理系统，适用于具有多种层次和或多种尺寸光学临近矫正芯片图形，其特征在于，包括：
分层模块，其适用于将芯片光学临近矫正图形中的图形和标记字符分别选定为不同的层；
标记字符层处理模块，其适用于将标记字符层中相邻的字符连接为整体结构，生成能将整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；
图形层处理模块，其适用于将将图形层中相邻的多边形连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度，该第二类矩形作为图形前层；
整合模块，其适用于将标记字符前层和图形前层合并为一层，根据图形规则设置层次名称和编号。
14.如权利要求13所述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：标记字符层处理模块，通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将标记字符层中相邻的字符连接为整体结构。
15.如权利要求13所述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：标记字符层处理模块，通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作对所述整体结构进行补充，生成能将所述整体结构包围的第一类矩形。
16.如权利要求13所述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：图形层处理模块，通过Calibre SVRF语句的OVERUNDER操作将图形层中相邻的多边形连接形成多边形连接结构。
17.如权利要求13所述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：图形层处理模块，通过Calibre SVRF语句的EXTENTS操作将各多边形连接结构边缘补齐生成第二类矩形。
18.如权利要求13所述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：图形层处理模块，将各脚距大于第一距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形，该正方形作为将各脚距大于第一距离图形生成第二类矩形的图形前层。
19.如权利要求18述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：
图形层处理模块，通过Calibre SVRF语句的CENTERLINE操作各脚距大于预设距离图形生成的第二类矩形统一修正为第一固定边长的正方形。
20.如权利要求13光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：
所述第一规则为D1＝Dz+X，W1＝Wz+X；
D1是第一类矩形长度，Dz是标识字符最长处的长度，W1是第一类矩形宽度，Wz是标识字符最宽处的宽度，X＝5nm～8nm。
21.如权利要求13的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：
所述第二预设规则为D2＝8μm～10μm，W2＝8μm～10μm；
D2是第二类矩形长度，W2是第二类矩形宽度。
22.如权利要求18所述的光学临近矫正批量处理方法，其特征在于：所述第一预设距离为800nm，所述第一固定边长为8μm～10μm。
23.如权利要求13-21任意一项所述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：所述芯片光学临近矫正图形的标记字符层和图形层基于TPGEN生成，标记字符前层和图形前层基于Calibre svrf语句生成。
24.如权利要求13-21任意一项所述的光学临近矫正批量处理系统，其特征在于：所述处理方法至少适用于多晶硅层、接触层和或过孔层。
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