CN110510655A - 一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法 - Google Patents

一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110510655A
CN110510655A CN201910781874.8A CN201910781874A CN110510655A CN 110510655 A CN110510655 A CN 110510655A CN 201910781874 A CN201910781874 A CN 201910781874A CN 110510655 A CN110510655 A CN 110510655A
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper
molybdenum
oxidate nano
heterogeneous structure
structure material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910781874.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110510655B (zh
Inventor
刘仲武
唐春梅
余红雅
钟喜春
邱万奇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN201910781874.8A priority Critical patent/CN110510655B/zh
Publication of CN110510655A publication Critical patent/CN110510655A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110510655B publication Critical patent/CN110510655B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00—Compounds of copper
    • C01G3/02—Oxides; Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00—Compounds of molybdenum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/16—Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明属于光电材料领域，公开了一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法。直接采用Cu片为基底或在非Cu材料基底上生长一层Cu膜，然后采用电场辅助热氧化法加热处理，在基底上得到CuO纳米棒；采用热蒸发法在CuO纳米棒表面制备铜钼氧化物纳米片层，得到所述氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料。本发明制备的CuO纳米棒为单晶，铜钼氧化物纳米片层为纳米晶或单晶；获得了以CuO纳米棒为树干，铜钼氧化物为枝的树枝状形貌；纳米异质结构的高比表面积以及大面积的异质界面等特性有望获得预期的增强或优异的物理化学性能。

Description

一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法
技术领域
本发明属于光电材料领域，具体涉及一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法。
背景技术
纳米异质结构的成分、形貌和结构等都将影响其电学、光学和磁学等物理和化学性质，其独特的性质和在电池、传感器和电容器等功能器件中的应用价值受到了研究者的广泛关注。特别是一维异质纳米棒/线，其二维受限载流子、高比表面积和异质界面之间的高接触面积等特性使其有可能出现预期的增强或优异的性能。但是，目前大部分纳米异质结构都是通过化学法合成的，存在步骤多、工艺复杂和环境污染等问题。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法。本发明通过结合溅射沉积、热氧化和热蒸发法，成功在不同基底上制备了基于一维氧化铜(CuO)纳米棒，并以铜钼氧化物为第二相的纳米异质结构材料。
本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料。
本发明目的通过以下技术方案实现：
一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，包括如下制备步骤：
(1)直接采用Cu片为基底或在非Cu材料基底上生长一层Cu膜，然后采用电场辅助热氧化法加热处理，在基底上得到CuO纳米棒；
(2)采用热蒸发法在CuO纳米棒表面制备铜钼氧化物纳米片层，得到所述氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料。
进一步地，步骤(1)中Cu片基底在使用前经砂纸打磨再超声清洗的方式去除Cu片表面的氧化层和污染物。
进一步地，步骤(1)中非Cu材料基底包括但不限于Si片、玻璃、Al2O3基片、泡沫镍。更优选为Si片。
进一步地，步骤(1)中所述在非Cu材料基底上生长一层Cu膜采用溅射沉积方法制备，具体条件为：以纯Cu为靶材，本底真空度：2～4×10-4Pa，氩气气氛，溅射压力：0.3～0.7Pa，室温沉积，溅射功率：100～200W；Cu膜的厚度为1～10μm。
进一步地，所述非Cu材料基底是指Si片基底，在溅射沉积Cu膜之前，预先溅射沉积一层Cr作为缓冲层。
进一步地，步骤(1)中所述电场辅助热氧化法加热处理的条件为：热氧化温度：300～450℃，时间：4～24h，空气气氛，电场强度：0～16667V m-1，电场方向向上。
进一步地，步骤(2)中所述热蒸发法在CuO纳米棒表面制备铜钼氧化物纳米片层的具体过程为：将Mo片经砂纸打磨、超声清洗、干燥后置于加热板上，然后将含有CuO纳米棒的基底悬空倒置于Mo片上方2～10mm，在空气气氛下加热Mo片温度至400～500℃，进行热蒸发沉积0.5～32h，在CuO纳米棒表面制备得到铜钼氧化物纳米片层。
一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料，通过上述方法制备得到。
进一步地，所述氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料是以CuO纳米棒为树干，铜钼氧化物纳米片层为枝的树枝状形貌；其中CuO纳米棒的直径为20～200nm，铜钼氧化物纳米片层的晶粒尺寸为5～200nm。
本发明的制备方法及所得到的产物具有如下优点及有益效果：
(1)本发明使用溅射沉积、热氧化和热蒸发法等非化学法来制备氧化物异质结构材料的工作目前还没有被报道过，且这一制备方法具有工艺简单、成本低、无需催化剂、能大范围制备和环境友好性等优点。
(2)本发明可直接将氧化物异质结构组装到不同基底上以满足不同功能器件的需求，适用于能在较低的300～450℃温度下保持结构不被破坏的不同基底。
(3)本发明制备的CuO纳米棒为单晶，铜钼氧化物纳米片层为纳米晶或单晶；获得了以CuO纳米棒为树干，铜钼氧化物为枝的树枝状形貌；纳米异质结构的高比表面积以及大面积的异质界面等特性有望获得预期的增强或优异的物理化学性能。
附图说明
图1是本发明实施例中氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备流程图。
图2是实施例1中Si基上氧化铜铜钼氧化物纳米异质结构材料的扫描电镜图。
图3是实施例2中Si基上树枝状氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的扫描电镜图。
图4是实施例2中Si基上树枝状氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的透射电镜图。
图5是实施例2中Si基上树枝状氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的元素能谱面扫描图。
图6是实施例2中Si基上树枝状氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料中不同元素的X射线光电子能谱图。
图7是Si基上热氧化制备的CuO纳米棒、Si基上热蒸发制备的α-MoO3微纳米片层以及实施例1和实施例2中Si基上氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的拉曼光谱图。
图8是实施例3中Cu片上氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的扫描电镜图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例的一种Si基上氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料，通过如下方法制备得到：
(1)采用直流磁控溅射方法在n型Si(100)基底上生长Cu膜。将基底分别置于丙酮和乙醇中超声清洗15min，烘干后粘于样品托上，随后装入真空腔中的样品位。用砂纸打磨靶材以去除Cu靶和Cr靶表面的氧化物等杂质，本底真空度：2×10-4Pa，氩气气氛，溅射压力：0.3Pa，室温沉积。具体先以100W的功率沉积3min的Cr作为细晶粒缓冲层，再以100W的功率、-150V的偏压沉积5min的Cu，随后以100W的功率沉积10min的Cu，最后以200W的功率溅射15min的Cu。
(2)通过电场辅助热氧化法加热Si基底上生长的Cu膜制备单晶CuO纳米棒。其中热氧化温度：400℃，时间：8h，空气气氛，电场强度：16667V m-1，电场方向向上。
(3)采用热蒸发法在CuO纳米棒表面制备铜钼氧化物纳米片层。先用砂纸打磨Mo片再超声清洗以去除表面的杂质和氧化物，将干燥后的Mo片直接置于电热板上。将步骤(2)获得的与基底结合力良好的CuO纳米棒作为基底悬空倒置于Mo片上方，其中工作距离：2mm，加热温度：450℃，加热时间：8h，空气气氛。得到树枝状氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料。
本实施例中氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备流程图如图1所示，主要采用热氧化法和热蒸发法。所得氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的扫描电镜图如图2所示。当热蒸发工作距离为2mm时，光滑的纯CuO纳米棒和CuO层表面均出现了大量明显的不规则纳米片层，且纳米棒上的部分纳米片层呈现Z字形，形成了基于CuO纳米棒的纳米异质结构。
实施例2
本实施例的一种Si基上氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料，通过如下方法制备得到：
(1)采用直流磁控溅射方法在n型Si(100)基底上生长Cu膜。将基底分别置于丙酮和乙醇中超声清洗15min，烘干后粘于样品托上，随后装入真空腔中的样品位。用砂纸打磨靶材以去除Cu靶和Cr靶表面的氧化物等杂质，本底真空度：2×10-4Pa，氩气气氛，溅射压力：0.3Pa，室温沉积。具体先以100W的功率沉积3min的Cr作为细晶粒缓冲层，再以100W的功率、-150V的偏压沉积5min的Cu，随后以100W的功率沉积10min的Cu，最后以200W的功率溅射15min的Cu。
(2)通过电场辅助热氧化法加热Si基底上生长的Cu膜制备单晶CuO纳米棒。其中热氧化温度：400℃，时间：8h，空气气氛，电场强度：16667V m-1，电场方向向上。
(3)采用热蒸发法在CuO纳米棒表面制备铜钼氧化物纳米片层。先用砂纸打磨Mo片再超声清洗以去除表面的杂质和氧化物，将干燥后的Mo片直接置于电热板上。将步骤(2)获得的与基底结合力良好的CuO纳米棒作为基底悬空倒置于Mo片上方，其中工作距离：5mm，加热温度：450℃，加热时间：8h，空气气氛。得到树枝状氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料。
本实施例中所得树枝状氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的扫描电镜图、透射电镜图、元素能谱面扫描图及不同元素的X射线光电子能谱图分别如图3～6所示。当热蒸发工作距离为5mm时，图3～5中光滑的纯CuO纳米棒和CuO层表面均出现了明显的纳米片层，形成了基于CuO纳米棒的纳米异质结构。与工作距离为2mm时的图2相比，工作距离为5mm时的沉积速率更慢，纳米片层的数量更少但更细长，其择优和方向性更明显，形状更规整，形成了明显的以CuO纳米棒为主干的树枝状结构。图5的元素能谱面扫描图中树枝状结构的树干主要是Cu和O元素，而枝状的纳米片层含有Cu、Mo和O元素。图6的X射线光电子能谱图证明样品表面形成了未被完全包覆的CuO纳米棒和基于+2价Cu和+6价Mo的铜钼氧化物。
图7是Si基上热氧化制备的CuO纳米棒、Si基上热蒸发制备的α-MoO3微纳米片层以及实施例1和实施例2中Si基上氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的拉曼光谱图。纯CuO纳米棒中所有的峰来自于CuO，而α-MoO3微纳米片层中的峰来源于Si基和α-MoO3。而实施例1和实施例2中除了来自于CuO的峰外，其他的峰明显不同于α-MoO3，来源于铜钼氧化物。
实施例3
本实施例的一种Cu片上氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料，通过如下方法制备得到：
(1)分别用1500#、3000#和5000#砂纸打磨99.999％的纯Cu片，随后将Cu片分别置于丙酮和无水乙醇中超声清洗15分钟以去除表面的氧化层和污染物，干燥后即可直接用于下一步的氧化。
(2)通过电场辅助热氧化法加热Cu片制备CuO纳米线。其中热氧化温度：400℃，时间：8h，空气气氛，电场强度：16667V m-1，电场方向向上。
(3)采用热蒸发法在CuO纳米线表面制备铜钼氧化物纳米片层。先用砂纸打磨Mo片再超声清洗以去除表面的杂质和氧化物，将干燥后的Mo片直接置于电热板上。将步骤(2)获得的与基底结合力良好的CuO纳米线作为基底悬空倒置于Mo片上方，其中工作距离：5mm，加热温度：450℃，加热时间：2h，空气气氛。得到氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料。
本实施例中所得氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的扫描电镜形貌图如图8所示，在Cu片表面成功获得了基于CuO纳米线的纳米异质结构阵列。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
(1)直接采用Cu片为基底或在非Cu材料基底上生长一层Cu膜，然后采用电场辅助热氧化法加热处理，在基底上得到CuO纳米棒；
(2)采用热蒸发法在CuO纳米棒表面制备铜钼氧化物纳米片层，得到所述氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中Cu片基底在使用前经砂纸打磨再超声清洗的方式去除Cu片表面的氧化层和污染物。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中非Cu材料基底是指Si片、玻璃、Al2O3基片或泡沫镍。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于：所述非Cu材料基底是指Si片。
5.根据权利要求1所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述在非Cu材料基底上生长一层Cu膜采用溅射沉积方法制备，具体条件为：以纯Cu为靶材，本底真空度：2～4×10-4Pa，氩气气氛，溅射压力：0.3～0.7Pa，室温沉积，溅射功率：100～200W；所述Cu膜的厚度为1～10μm。
6.根据权利要求5所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于：所述非Cu材料基底是指Si片基底，在溅射沉积Cu膜之前，预先溅射沉积一层Cr作为缓冲层。
7.根据权利要求1所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述电场辅助热氧化法加热处理的条件为：热氧化温度：300～450℃，时间：4～24h，空气气氛，电场强度：0～16667V m-1，电场方向向上。
8.根据权利要求1所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述热蒸发法在CuO纳米棒表面制备铜钼氧化物纳米片层的具体过程为：将Mo片经砂纸打磨、超声清洗、干燥后置于加热板上，然后将含有CuO纳米棒的基底悬空倒置于Mo片上方2～10mm，在空气气氛下加热Mo片温度至400～500℃，进行热蒸发沉积0.5～32h，在CuO纳米棒表面制备得到铜钼氧化物纳米片层。
9.一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料，其特征在于：通过权利要求1～8任一项所述的方法制备得到。
10.根据权利要求9所述的一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料，其特征在于：所述氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料是以CuO纳米棒为树干，铜钼氧化物纳米片层为枝的树枝状形貌；其中CuO纳米棒的直径为20～200nm，铜钼氧化物纳米片层的晶粒尺寸为5～200nm。
CN201910781874.8A 2019-08-23 2019-08-23 一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法 Active CN110510655B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910781874.8A CN110510655B (zh) 2019-08-23 2019-08-23 一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910781874.8A CN110510655B (zh) 2019-08-23 2019-08-23 一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110510655A true CN110510655A (zh) 2019-11-29
CN110510655B CN110510655B (zh) 2021-10-26

Family

ID=68627297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910781874.8A Active CN110510655B (zh) 2019-08-23 2019-08-23 一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110510655B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112144028A (zh) * 2020-08-17 2020-12-29 广东省测试分析研究所（中国广州分析测试中心） 一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102351249A (zh) * 2011-07-21 2012-02-15 华南理工大学 一种纳米结构三氧化钼的制备方法
CN109786135A (zh) * 2019-01-30 2019-05-21 吉林大学 一种氧化铜@钼酸镍/泡沫铜复合电极材料及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102351249A (zh) * 2011-07-21 2012-02-15 华南理工大学 一种纳米结构三氧化钼的制备方法
CN109786135A (zh) * 2019-01-30 2019-05-21 吉林大学 一种氧化铜@钼酸镍/泡沫铜复合电极材料及其制备方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHUNMEI TANG等: "Electric field assisted growth and field emission properties of thermally oxidized CuO nanowires", 《RSC ADVANCES》 *
CHUNMEI TANG等: "Improved thermal oxidation growth of non-flaking CuO nanorod arrays on Si substrate from Cu film and their nanoscale electrical properties for electronic devices", 《CERAMICS INTERNATIONAL》 *
D. MURUGESAN等: "Two dimensional α-MoO3 nanosheets decorated carbon cloth electrodes for high-performance supercapacitors", 《COLLOIDS AND SURFACES A》 *
MORTEZA SAGHAFI YAZDI等: "Mechano-chemical activation of MoO3-CuO/C powder mixture to synthesis nano crystalline Mo-Cu alloy", 《JOURNAL OF ULTRAFINE GRAINED AND NANOSTRUCTURED MATERIALS》 *
YIDONG ZHANG等: "Polyoxometalates@Metal-Organic Frameworks Derived Porous MoO3@CuO as Electrodes for Symmetric All-Solid-State Supercapacitor", 《ELECTROCHIMICA ACTA》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112144028A (zh) * 2020-08-17 2020-12-29 广东省测试分析研究所（中国广州分析测试中心） 一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法
CN112144028B (zh) * 2020-08-17 2021-07-06 广东省测试分析研究所（中国广州分析测试中心） 一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110510655B (zh) 2021-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108374153A (zh) 一种磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法
CN104445047B (zh) 一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法
CN106148911A (zh) 一种可控制备单层分形二硫化钼的方法
CN106756870B (zh) 一种等离子体增强化学气相沉积生长石墨烯的方法
CN106328260B (zh) 一种金属网络透明导电电极的全液相制备方法
CN108411267B (zh) 一种制备自由态多面体纳米Ag颗粒的方法
CN102199744A (zh) 一种具有微纳褶皱图案的薄膜制备方法
CN103700576A (zh) 一种自组装形成尺寸可控的硅纳米晶薄膜的制备方法
CN102351249B (zh) 一种纳米结构三氧化钼的制备方法
CN101325227A (zh) ZnO/纳米金刚石共面栅紫外光探测器的制备方法
CN101545095B (zh) 石墨衬底上生长氮化硼膜的方法
CN102345162B (zh) 一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法
CN110510655A (zh) 一种氧化铜/铜钼氧化物纳米异质结构材料及其制备方法
CN104124286B (zh) 一种利用自生长贵金属等离基元纳米结构
CN102925866A (zh) 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺
WO2024103780A1 (zh) 一种钙钛矿氧化物自支撑薄膜、制备方法及其应用
CN111430221B (zh) 锡自催化生长的锗锡合金硅基材料及定向异质外延方法
CN102636958A (zh) 提高激光热刻蚀图形分辨率的薄膜结构及其制备方法
CN101851781B (zh) 一种制备AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法
CN108022694B (zh) 一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法
CN113929313B (zh) 一种三维导电纳米棒及其阵列电子传输层的制备方法
CN109518149A (zh) 沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法
CN106744673B (zh) 一种横向生长非晶硅纳米线的制备方法
CN114566424A (zh) 一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法
Zhang et al. The way towards for ultraflat and superclean graphene

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant