CN110506332A - 半导体辐射源 - Google Patents

Abstract

在一个实施方式中，半导体辐射源（1）包括电容器本体（3）以及用于产生辐射的半导体芯片（2）。半导体芯片（2）和电容器主体（3）彼此堆叠地布置。此外，半导体芯片（2）与电容器本体（3）平面且直接地电连接。

Description

半导体辐射源

技术领域

说明了一种半导体辐射源。

发明内容

待解决的任务在于说明一种半导体辐射源，该半导体辐射源可以有效地用大电流脉冲式地运行。

该任务尤其通过具有权利要求1的特征的半导体辐射源来加以解决。优选的扩展是从属权利要求的主题。

根据至少一个实施方式，所述半导体辐射源包括一个或多个半导体芯片。至少一个半导体芯片被设计为产生辐射。也就是说，在所述半导体辐射源的运行期间发射的辐射由所述至少一个半导体芯片生成。所述半导体芯片优选地是半导体激光器芯片，如边缘发射半导体激光器或表面发射半导体激光器，例如具有垂直谐振器结构的表面发射激光器（英语：vertical cavity surface emitting laser，垂直腔表面发射激光器，或简写为VCSEL）。同样，所述半导体芯片可以是超发光二极管。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片被设计为产生近紫外辐射、可见光或近红外辐射。由所述半导体芯片产生的辐射的最大强度的波长例如至少为360nm或400nm或700nm和/或至多1080nm或960nm或860nm或485nm。可能的是，从多个不同光谱区域发射辐射。例如，在半导体辐射源中具有最大强度的不同波长的多个半导体芯片可以彼此组合。替换地，按规定仅产生一个确定的波长。

根据至少一个实施方式，所述半导体辐射源包括一个或多个电容器本体。经由至少一个电容器本体向所述至少一个半导体芯片通电，特别是在脉冲运行中。也就是说，所述电容器本体被设计为电运行所述半导体芯片。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片和所述电容器本体彼此堆叠地布置。如果存在多个半导体芯片和/或多个电容器本体，则在堆叠的半导体芯片和电容器本体之间可以存在1：1的关联，使得仅一个半导体芯片和一个电容器本体彼此堆叠地安装。优选地，在平面图中观察，所述一个或多个半导体芯片完全位于所述电容器本体的底面内。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片和所述电容器本体以平面方式彼此电连接。特别优选地，所述半导体芯片和所述电容器本体之间的电连接是没有中间组件的直接电连接。这特别是意味着：在所述半导体芯片和所述电容器本体之间仅存在平面的电连接工具，如焊料或导电粘合剂。特别优选地，所述半导体本体和所述电容器本体之间的电连接是没有接合线的。

在至少一个实施方式中，所述半导体辐射源包括至少一个用于产生辐射的半导体芯片以及包括至少一个电容器本体。所述半导体芯片和所分配的电容器本体彼此堆叠地布置。此外，所述半导体芯片以平面方式并且优选直接地电连接到所述电容器本体。

在短时间内切换大电流情况下的问题是电感的减小，例如在电容器、激光器和诸如场效应晶体管的开关元件之间的电流路径中。利用所说明的半导体辐射源可以减小电感，从而可以实现短的脉冲上升时间和大的开关电流。

减小电感的替代方法在于将所述半导体辐射源的分立的各个组件尽可能靠近地放置，以最小化电引线的路径长度。部分地，可以通过将短路电流切换到电路的一部分来进行电感补偿。然而，在这种情况下，对电感的补偿是以电功率为代价的。

对于本文描述的半导体辐射源来说，所述电容器本体例如以硅芯片的形式加以使用，所述硅芯片在至少一侧上例如具有例如由金制成的金属涂层，使得所述电容器本体可以用作双重部件。一方面，所述电容器本体用作针对所述半导体芯片的安装平台，也称为基板。另一方面，所述电容器本体用作针对短激光脉冲的储能器。这种组合意味着：实际上消除了任何电感，否则例如会通过所述半导体芯片和所述电容器本体之间的接合线或电导线引起电感。在这种情况下，所述半导体芯片优选是其中已经去除了生长衬底的薄膜激光器芯片，其中，所述电容器本体优选地用作针对所述半导体芯片的半导体层序列的载体衬底。

利用本文描述的半导体辐射源可以实现低的总电感，由此可以实现更高的电流强度和/或更短的辐射脉冲，这带来了更高的效率。此外，可以实现小的部件尺寸。所述半导体辐射源可以用在汽车领域中，例如用在前大灯中。由于可以针对电容器主体使用标准化的部件，因此可以降低所述半导体辐射源的成本。此外，所述半导体辐射源优选适用于高温，例如在前大灯应用中。这可能意味着可以在例如至少180℃或150℃或120℃的运行温度时采用所述半导体辐射源。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片是半导体激光器芯片。例如，使用无衬底的半导体激光器芯片，也称为薄膜激光器芯片。因此，所述半导体芯片优选地没有半导体层序列的生长衬底，在该半导体衬底序列中存在用于产生辐射的活性区。所述电容器本体可以作为所述半导体芯片的机械载体起作用，使得如果没有所述电容器本体所述半导体芯片就不能机械地自承载。

根据至少一个实施方式，所述电容器本体的底面大于所述半导体芯片的底面。替代地，所述电容器芯片和所述半导体芯片可以具有相同的底面。相同的底面特别是意味着：在平面图中观察所述半导体芯片和所述电容器芯片是重合的。与此不同，所述半导体芯片和所述电容器本体也可能不重合，从而特别是所述电容器本体在平面图中观察在一侧或多侧上突出于所述半导体芯片之外。优选地，所述半导体芯片完全位于所述电容器本体上，从而所述半导体芯片不会侧向突出于所述电容器本体之外。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片与所述电容器本体之间的电接触面的大小是所述电容器本体的底面的至少35％或50％或70％或90％。换句话说，在所述电容器本体和所述半导体芯片之间进行完全平面或几乎完全平面的电接触。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片与所述电容器本体之间的电接触面的大小是所述半导体芯片的基面的至少60％或80％或95％。所述基面特别是在平面图中观察到的所述半导体芯片的面。也就是说，所述半导体芯片可以经由整个基面或几乎经由整个基面被电接触。特别地，所述基面是所述半导体芯片的主侧，即最大侧。例如，所述半导体芯片被形成为长方体形或近似长方体形。

根据至少一个实施方式，在平面图中观察，所述半导体芯片和所述电容器本体沿着主方向或沿着每个方向具有相同的横向尺寸，带有至多5％或10％或20％的公差。也就是说，所述半导体芯片和所述电容器本体在平面图中观察可以相同大小或近似相同大小。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片的主发射方向平行于所述半导体芯片的基面和/或所述电容器本体的底面和/或所述半导体芯片与所述电容器本体之间的电接触面。替代地，所述主发射方向定向为垂直于所述基面和/或垂直于所述底面和/或垂直于所述电接触面。在此情况下，术语“垂直”和“平行”分别是指相对于彼此的角度是90°和0°，特别是带有至多5°或10°或15° 的公差。

根据至少一个实施方式，所述半导体辐射源包括一个或多个操控单元。至少一个操控单元包括一个开关元件或包括多个开关元件，用于半导体芯片的脉冲式运行。所述开关元件例如是场效应晶体管。除了所述至少一个开关元件之外，所述操控单元还可以包含集成电路，特别是专用集成电路，简称为ASIC。所述操控单元还可以包括存储单元和/或标识单元。如果存在多个半导体芯片或多个发射器区域用于产生特别是激光辐射，则可以给每个半导体芯片和/或每个发射器单元分配一个单独的开关元件或多个单独的开关元件。

根据至少一个实施方式，所述操控单元电连接到所述半导体芯片的与所述电容器本体相对的一侧。此连接可以通过一个或多个线路或通过一个或多个接合线进行。也就是说，在所述半导体芯片和所述操控单元之间不一定存在平面的电连接。

根据至少一个实施方式，所述操控单元和所述电容器本体并排布置在共同的载体上。在这种情况下，所述操控单元和所述电容器本体在平面图中观察优选不彼此重叠。

根据至少一个优选实施方式，所述操控单元、所述电容器和所述半导体芯片彼此堆叠地布置。在这种情况下，这三种组件可以彼此直接堆叠，从而在这些组件之间仅存在诸如焊料或粘合剂的连接工具。

根据至少一个实施方式，所述电容器本体位于所述操控单元与所述半导体芯片之间。替代地，所述半导体芯片可以位于所述操控单元和所述电容器主体之间。所提到的组件可以分别以平面方式彼此电连接。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片被构造为脊形波导激光器。于是，所述半导体芯片包括脊形波导（英语：ridge waveguide）。

根据至少一个实施方式，所述脊形波导位于所述半导体芯片的背离所述电容器本体的一侧。因此，半导体层序列可以在所述脊形波导和所述电容器主体之间连续地延伸至超出所述半导体芯片。因此，可以直接经由半导体芯片的所述一侧上的电容器对所述半导体层序列进行有效的馈电。所述脊形波导例如位于所述半导体芯片的p型侧，从而所述半导体芯片的n型侧可以朝向所述电容器本体并且可选地与所述电容器主体直接电连接。

根据至少一个实施方式，所述电容器本体是芯片。特别地，所述电容器本体被构造为单片式本体，其按规定不能被划分为子组件。所述电容器本体特别是基于硅。

根据至少一个实施方式，所述电容器主体由多个电并联的单个电容器组成。相应的单个电容器可以通过一个芯片中（例如又基于硅）的单片式集成电路制造。可能的是，每个单个电容器具有位于所述电容器主体的外表面处的单独的电连接。替代地，通向这些单个电容器的电引线可以在所述电容器本体的外表面处组合。如果存在多个用于产生辐射的半导体芯片，则可以向每个半导体芯片或每个发射器区域分配这些单个电容器之一。

根据至少一个实施方式，在所述半导体芯片与所述电容器本体之间和/或在所述半导体芯片与所述操控单元之间和/或在所述操控单元与所述电容器本体之间的直接、平面式电连接导线或电连接仅具有可忽略的电感。例如，所述连接导线或所述电连接的电感至多为100pH或50pH或10pH。因此，所述连接导线或所述电连接的电感显著低于接合线的情况。

根据至少一个实施方式，所述电容器本体和/或所述单个电容器具有至少10nF或20nF或50nF的电容。也就是说，所述电容器本体具有比较大的电容。

根据至少一个实施方式，所述半导体辐射源是可表面安装的。也就是说，用于对半导体辐射源进行外部电接触的电连接面优选地位于共同的平面中。这样的电连接面特别是安装在所述电容器本体处或在所述操控单元处或在所述半导体辐射源的载体处。

根据至少一个实施方式，所述电容器本体与所述半导体芯片一起的总厚度为至少0.1mm或0.2mm。替代地或附加地，该总厚度至多为1mm或0.5mm。替代地或附加地，所述电容器本体和/或所述半导体芯片的平均横向尺寸，即特别是所述电容器本体和/或所述半导体芯片在平面图中观察到的平均边缘长度为至少0.2mm或0.4mm和/或至多2mm或1mm或0.6mm。可能的是，所述电容器本体的厚度大于所述半导体芯片的厚度。例如，所述电容器本体的厚度是所述半导体芯片的厚度的至少两倍或5倍。

根据至少一个实施方式，所述半导体辐射源包括多个半导体芯片。替代地，存在唯一的半导体芯片，该半导体芯片被划分为多个发射器区域，所述多个发射器区域可以被共同地电操控或彼此独立地电操控。在平面图中观察，所述半导体芯片或所述发射器区域优选地在阵列中规则地以二维方式布置。该布置可以基于矩形图案或六边形图案。

根据至少一个实施方式，所述半导体芯片和/或发射器区域共同布置在唯一的电容器上。替代地，半导体芯片和/或发射器单元的组可以分别安装在唯一的电容器主体上。此外可能的是，所述半导体芯片分布式地安装在多个电容器本体上。在此情况下，可以为每个半导体芯片设置恰好一个电容器本体，反之亦然。

根据至少一个实施方式，所述半导体辐射源被设计为产生具有小的平均脉冲持续时间的激光脉冲或辐射脉冲。例如，所述脉冲持续时间为至少0.2ns或0.5ns和/或至多5ns或2ns。

具体地在依赖于运行时间的应用（所谓的TOF应用或飞行时间应用）的情况下，还需要在亚毫微秒范围内的越来越短的光脉冲。在具有接合线接触的常规分立结构中，由于相对较高的电感（例如，与印刷电路板上的线路或与接合线相关），这样的切换时间受运行制约是不可能或很难实现的。因此，本文描述的半导体辐射源特别适合于这样的应用。

附图说明

在下文中将参照附图基于实施例更详细地解释本文描述的半导体辐射源。在此情况下，在各个附图中相同的附图标记表示相同的元件。但是，在此情况下没有显示比例关系，而是为了更好地理解，可以将各个要素夸大地显示。

图1A、2A、3、4A、5A、6A、7A、8A和8B示出本文所描述的半导体辐射源的实施例的示意性截面图，

图5B、6B和7B示出本文所描述的半导体辐射源的实施例的示意性平面图，

图1B、2B、4B和9示出本文所描述的半导体辐射源的实施例的示意性电路图，

图10示出用于本文所描述的半导体辐射源的电容器主体的示例的透视图，

图11示出半导体辐射源的一种变型的示意性截面图。

具体实施方式

图1示出了半导体辐射源1的实施例。例如，将半导体辐射源1设计成发射近红外辐射。

半导体辐射源1包括半导体芯片2。例如，半导体芯片2是边缘发射激光器。此外，半导体辐射源1包含操控单元4和电容器主体3。半导体芯片2、电容器主体3和操控单元4安装在共同的载体5上。载体5是承载和机械支撑半导体辐射源1的组件。

用于产生辐射的半导体芯片2以及电容器本体3彼此堆叠地布置在载体5 上。操控单元4在侧向上位于该堆叠的旁边。经由平面的线路55或经由连续的电接触面将电容器本体3与操控单元4彼此电连接。电容器本体3和半导体芯片2经由直接的平面电连接D彼此连接，在图1B中以粗线示出。其余电连接可以通过接合线6实现。

电容器本体3以及半导体芯片2连接到电源电压V和连接到接地导线GND。此外，操控单元4的诸如场效应晶体管的开关元件41与信号导线S连接。操控单元4例如由至少一个开关元件41和专用集成电路组成。由于平面的电连接D，半导体芯片2以及电容器本体3实际上没有电感地彼此电连接。由此可以实现快速的脉冲上升时间和大电流以用于运行半导体芯片2。电流强度例如在5A和35A之间。对于汽车领域的应用来说，特别是LIDAR（LightDetection and Ranging，光检测和测距），电流强度典型地在20A至35A的范围内，例如大约是30A。对于其他飞行时间应用来说，电流强度典型地在5A和15A之间，例如大约是10A。

与图1A中的图示不同，半导体芯片2和电容器主体3可能设置在未示出的共同壳体（也称为封装）中。作为如在所有实施例中的接合线6的替代，可以使用例如在相应组件的侧面上或沿着这样的侧面引导的电线路。

对于图1的实施例来说，半导体芯片的阳极侧接触部位于背离载体5的一侧。背离载体5的这一侧经由一个或多个接合线6或经由至少一个电线路与操控单元4电连接。相反，根据图2交换极性，从而半导体芯片2的阳极侧朝向载体5。图2的实施例的其余部分与图1的实施例一致。

对于图3的实施例来说，半导体芯片2和操控单元4都安装在共同的电容器本体3上。因此，电容器本体3可以用作针对半导体芯片2和操控单元4的安装平台。因此，载体5是可选的。半导体芯片2的阳极侧可以朝向电容器本体3或者也可以背离电容器本体3。也就是说，在图3中可以存在根据图1B或根据图2B的电互连。

在图4的实施例中示出了操控单元4、电容器本体3以及半导体芯片2都以所说明的顺序彼此堆叠地布置。因此，在电容器本体3的两侧都存在平面的直接电连接D。其余的电连接通过接合线6或者替代地通过金属化部或线路形成，特别是沿着侧面形成。

与图4A不同，操控单元4可以用作安装平面，从而于是可以省略载体5。

所属的电互连在图4B中被符号化。在电容器本体3的两侧，电连接D实际上被配置成无电感的。在这种情况下，图4B的电互连对应于图1B中所示的互连。替代地，所述互连可以如结合图2B所示地进行。

根据图5A，再次给出操控单元4、半导体芯片2以及电容器本体3的堆叠布置。在此情况下，半导体芯片2直接位于电容器本体3和操控单元4之间，并且经由平面的电连接D与电容器本体3和操控单元4连接。在平面图中观察，半导体芯片2、电容器本体3和操控单元4可以被重合地布置。

对于图6的实施例来说，半导体芯片2是具有脊形波导22的脊形波导半导体激光器。脊形波导22位于半导体芯片2的背离电容器本体3的一侧。可能的是，电容器本体3作为针对半导体芯片2的支撑载体起作用。

可选地，在平面图中观察电容器本体3可以以窄条的方式环形围绕半导体芯片2。因此，半导体芯片2完全位于电容器本体3上。半导体芯片2的主发射方向沿着脊形波导22进行并且因此平行于电容器本体3的主侧。

在图7中示出了半导体芯片2具有大量的发射器单元21。这些发射器单元21在平面图中观察特别是以规则的、例如正方形晶格的形式布置。发射器单元21可以彼此独立地被电操控或者可以电并联。半导体芯片2例如是表面发射半导体激光器，其发射方向垂直于电容器本体3的主侧。所有发射器单元21都被电分配给共同的电容器本体3。

对于图8的实施例来说，存在多个用于产生辐射的半导体芯片2。在这种情况下，参见图8A，每个半导体芯片2可以存在单独的电容器主体3，或者参见图8B，所有半导体芯片2可以安装在共同的电容器主体3上。

关于来自图7的发射器单元21也可以存在对应于图8A的布置。

此外，在图8B中示出了操控单元4可以集成在载体5中。在该示例中，载体5特别是基于硅。同样地可以适用于所有其他实施例。

在图8A中存在用于所有半导体芯片2的共同的操控单元4。替代地，对于由半导体芯片2和所属的电容器主体3组成的每个堆叠可以存在自己的操控单元4。

在图9中示出了也可以在所有其他实施例中以相同方式存在的电互连。在此情况下，图9的电路以类似于图2B的电路的方式构造，但是也可以与图1B相同的方式构造。

在图9中存在多个电并联的开关元件41。替代地或附加地，存在多个共同形成电容器本体3的单个电容器33。这些单个电容器33也电并联。

通过多次存在的开关元件41和/或单个电容器33，减小了相应电引线中的电流强度。由此可以进一步减小电感，特别是在并非通过直接的平面连接D实现的电连接处的电感。

在图10中示出电容器本体3的示例。电容器本体3基于硅。电容器本体3的厚度T例如为大约0.25mm。长度L以及宽度W特别是在0.4mm至0.8mm的范围内。在电容器本体3的两个主侧上存在电接触面31a，31b。在下侧上，电接触面31b可以完全在电容器本体3上延伸。在上侧上，接触面31a具有比电容器本体3本身小的横向尺寸a，b。在这种情况下，接触面31a可以位于电容器本体3的上侧的中央。接触面31a的长度和宽度a，b例如分别比电容器主体3的所属长度L和宽度W小至少50或100和/或小至多200或100。

与图10中的图示不同，接触面31b还可以在下侧上被配置为与如在图10中所示的接触面31a相同，从而于是下侧仅部分被接触面31b覆盖。此外可能的是，两个接触面31a，31b可以完全覆盖电容器本体3的所属主侧。

电容器本体3例如是IPDiA公司的硅芯片电容器，特别是出自WTSC系列。电容器本体3的电容例如在几10nF的范围内。

图11示出了半导体辐射源的变型10。在此情况下，半导体芯片2、电容器本体3以及操控单元3并排地位于载体5上。因此，在前述组件之间不存在平面的直接电连接。由此，电引线的电感增加。

与例如图2和图11的部件相比，利用图2中解释的配置可以实现更低的总电感。随之而来的可以实现更大的最大光功率、时域中更短的脉冲宽度以及更快的脉冲上升时间，以及总体上更高的效率。

例如，在图2和图11中，半导体芯片2的电感分别是100pH或更小。同样，开关元件41、特别是场效应晶体管的电感例如分别为至多100pH或约100pH。通过接合线6得到大约0.25nH的电感。对于图11的变型10来说，通过电容器本体3得到在200pH至700pH范围内的电感，并且对于超出载体5的电引线得到大约0.2nH或更大的电感。

相反，在如结合图2所示的构型的情况下，可以实现电容器本体3的电感约为50pH，并且经由载体5的引线的电感为小于0.1nH。

因此，图11的变型10具有大约1.2nH的总电感，而在根据特别是图2的半导体辐射源1的情况下可以获得仅大约0.5nH的总电感。通过本文描述的半导体辐射源，可以显著减小电感。

除非另有说明，否则附图中所示的组件优选地分别以所说明的顺序彼此直接跟随。在附图中不接触的层彼此间隔开。只要绘制的线彼此平行，对应的面也将彼此平行对齐。同样地，除非另有说明，否则附图中所绘制的组件彼此的相对厚度比、纵横比和位置被正确地再现。

本文描述的发明不限于基于实施例的描述。而是，本发明包括任何新颖的特征以及特征的任何组合，特别是包含权利要求中的特征的任何组合，即使该特征或该组合本身没有在权利要求或示例性实施例中明确地加以说明。

本专利申请要求德国专利申请10 2017 108 050.3的优先权，其公开内容通过引用合并于此。

附图标记列表

1 半导体辐射源

2 半导体芯片

21 发射器单元

22 脊形波导

3 电容器本体

31 电容器本体的电接触面

33 单个电容器

4 操控单元

41 开关元件

5 载体

55 平面线路

6 接合线

10 变型

D 直接、平面的电连接导线

GND 地接触部/接地

S 信号导线

V 电源电压

a，b，L，T，W 电容器本体的尺寸。

Claims (15)

1.一种半导体辐射源（1），具有：

至少一个用于产生辐射的半导体芯片（2），

操控单元（4），具有用于脉冲式运行所述半导体芯片（2）的一个或多个开关元件（41），和

至少一个电容器主体（3），

其中，

所述半导体芯片（2）和所述电容器本体（3）彼此堆叠地布置，

所述半导体芯片（2）平面地直接与所述电容器本体（3）电连接，

所述操控单元（4）电连接到所述半导体芯片（2）的与所述电容器主体（3）相对的一侧，并且

所述操控单元（4）、所述电容器本体（3）和所述半导体芯片（2）彼此堆叠地布置，使得所述电容器本体（3）位于所述操控单元（4）和所述半导体本体（2）之间。

2.根据权利要求1或权利要求15 所述的半导体辐射源（1），

其中，所述半导体芯片（2）是半导体激光器芯片，

其中，所述电容器本体（3）具有比所述半导体芯片（2）大的底面，并且所述半导体芯片（2）与所述电容器本体（3）之间的电接触面是所述底面的至少50％。

3.根据前述权利要求之一或根据权利要求15 所述的半导体辐射源（1），

其中，所述半导体芯片（2）和所述电容器本体（3）具有沿每个方向相同的横向尺寸，带有至多10％的公差，其中，所述半导体芯片（2）与所述电容器主体（3）之间的电接触面是所述半导体芯片（2）的基面的至少80％。

4.根据前述权利要求之一或根据权利要求15所述的半导体辐射源（1），

其中，所述半导体芯片（2）和所述电容器本体（3）彼此焊接在一起，

其中，所述半导体芯片（2）的主发射方向平行于所述半导体芯片（2）的基面和/或平行于所述电容器本体（3）的底面地定向。

5.根据权利要求15所述的半导体辐射源（1），还包括操控单元（4），所述操控单元具有用于脉冲式运行所述半导体芯片（2）的一个或多个开关元件（41），

其中，所述操控单元（4）电连接到所述半导体芯片（2）的与所述电容器本体（3）相对的一侧。

6.根据前述权利要求之一所述的半导体辐射源（1），

其中，所述操控单元（4）和所述电容器本体（3）并排布置在共同的载体（5）上。

7.根据权利要求5 所述的半导体辐射源（1），

其中，所述操控单元（4）、所述电容器本体（3）和所述半导体芯片（2）彼此堆叠地布置。

8.根据前述权利要求之一所述的半导体辐射源（1），

其中，所述操控单元（4）、所述电容器主体（3）和所述半导体芯片（2）彼此堆叠地布置，使得所述半导体芯片（2）位于所述操控单元（4）与所述电容器本体（3）之间，

其中，所述半导体芯片（2）既与所述操控单元（4）又与所述电容器本体（3）平面地直接电连接。

9.根据前述权利要求之一或根据权利要求15所述的半导体辐射源（1），

其中，所述半导体芯片（2）是脊形波导激光器，

其中，所述半导体芯片（2）的脊形波导（22）位于所述半导体芯片（2）的背离所述电容器本体（3）的一侧上。

10.根据前述权利要求之一或根据权利要求15所述的半导体辐射源（1），

其中，所述电容器本体（3）被单片地构造为芯片并且基于硅构造。

11.根据权利要求1至9之一或根据权利要求15所述的半导体辐射源（1），

其中，所述电容器本体（3）由多个电并联的单个电容器（33）组成。

12.根据前述权利要求之一或根据权利要求15所述的半导体辐射源（1），

其中，所述半导体芯片（2）与所述电容器本体（3）之间的直接的平面电连接导线（D）具有至多50pH的电感。

13.根据前述权利要求之一或根据权利要求15所述的半导体辐射源（1），

其中，所述电容器本体（3）具有至少20nF的电容，

其中，所述半导体辐射源（1）是可表面安装的，以及

其中，所述电容器本体（3）与所述半导体芯片（2）一起的总厚度为至少0.1mm和至多0.5mm。

14.根据前述权利要求之一或根据权利要求15 所述的半导体辐射源（1），包括多个半导体芯片（2），当在平面图中观察时所述多个半导体芯片在阵列中以二维方式规则地布置，

其中，所述半导体芯片（2）共同布置在唯一的电容器主体（3）上，或所述半导体芯片（2）安装在多个电容器本体（3）上。

15.一种半导体辐射源（1），具有：

至少一个用于产生辐射的半导体芯片（2），和

至少一个电容器本体（3），

其中，

所述半导体芯片（2）和所述电容器本体（3）彼此堆叠地布置，并且

所述半导体芯片（2）与所述电容器本体（3）平面地直接电连接。