CN110504942A - 一种体声波滤波器及电子设备 - Google Patents
一种体声波滤波器及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110504942A CN110504942A CN201910734983.4A CN201910734983A CN110504942A CN 110504942 A CN110504942 A CN 110504942A CN 201910734983 A CN201910734983 A CN 201910734983A CN 110504942 A CN110504942 A CN 110504942A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- protective cap
- support plate
- chip body
- sealing ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 128
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02047—Treatment of substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02125—Means for compensation or elimination of undesirable effects of parasitic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/205—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having multiple resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种改善近阻带抑制的体声波滤波器及电子设备，将密封圈通过焊球连接到载板的参考地平面，从而消除各谐振器之间以及各谐振器与密封圈之间的耦合，进而改善近阻带抑制。该体声波滤波器，包括：芯片主体、保护帽及载板；所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的两侧分别连接有金属柱，两个金属柱的底端分别与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层与一金属条相连，所述金属条通过金属球与载板相连。
Description
技术领域
本发明涉及体声波滤波器技术领域，特别地涉及一种改善近阻带抑制的体声波滤波器及电子设备。
背景技术
随着射频信号处理芯片发展的日益高速化、小型化、集成化，芯片中的电学抑制度和隔离度问题越发凸显，成为影响芯片电学性能的重要因素。
为了使器件更加小型化，各谐振器间间隔进一步减小；谐振器外围由金属密封圈保护，以防气体、液体等污染芯片，各谐振器与密封圈间的间隔同样进一步减小；间距减小导致各谐振器通过密封圈互相耦合产生寄生电容，从而使得带外抑制有不同程度的恶化，串联谐振器之间、并联谐振器之间以及串联谐振器和并联谐振器之间都产生数值较小的寄生电容，这些寄生电容导致滤波器的近阻带抑制有不同程度的恶化。而对于多工器来说，隔离度也会有不同程度的恶化。
传统的改善芯片抑制度和隔离度的方法主要是通过拉开容易产生干扰的谐振器或者谐振器与金属密封环之间的空间距离。但随着芯片尺寸的日益减小，这个技术方案的局限性越发凸显。受限于空间限制，射频滤波器芯片制造领域亟需一种新的能够在不增加空间距离的前提下，提升芯片抑制度和隔离度的技术方案。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种改善近阻带抑制的体声波滤波器及电子设备，将密封圈通过焊球连接到载板的参考地平面，从而消除各谐振器之间以及各谐振器与密封圈之间的耦合，进而改善近阻带抑制。
本发明一方面提供的一种体声波滤波器的技术方案是：
一种体声波滤波器，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的相平行两侧分别连接有金属柱，两个金属柱的底端分别与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层与一金属条相连，所述金属条通过金属球与载板相连。
本发明另一方面提供的一种体声波滤波器的技术方案是：
一种体声波滤波器，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的两侧分别连接有金属柱，两个金属柱的底端与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层分别与相应的金属条相连，两个金属条分别通过金属球与载板相连。
本发明另一方面提供的一种体声波滤波器的技术方案是：
一种体声波滤波器，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的一侧连接有金属柱，所述金属柱的底端与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层与一金属条相连，所述金属条分别通过金属球与载板相连。
本发明另一方面提供的一种体声波滤波器的技术方案是：
一种体声波滤波器，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的两侧分别连接有金属柱，两个金属柱的底端与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层与一金属条相连，所述金属条通过金属球与载板相连；所述两个金属柱的底端还分别与相应的谐振器相连。
本发明另一方面提供的一种电子设备的技术方案是：
一种电子设备，包括如上所述的体声波滤波器。
通过上述技术方案，本发明的有益效果为：
(1)本发明通过将密封圈连接至载板的地平面，从而抵消寄生电容，提高体声波滤波器带外抑制；
(2)本发明在密封圈相对两侧分别设置金属柱，两金属柱贯穿至保护帽的表层，通过保护帽的表层与金属条相连，再由金属球连接至多层载板的地平面，整个路径等效为一个并联接地电感，串联寄生电容和并联接地电感形成谐振电路，通过调整并联电感大小，在带外抑制处产生谐振，从而抵消寄生电容产生的不利影响；
(3)本发明在密封圈相对两侧分别设置金属柱，两金属柱贯穿至保护帽的表层，再各自由金属焊球连接至多层载板的地平面，整个路径等效为一个并联接地电感，串联寄生电容和并联接地电感形成谐振电路，通过调整并联电感大小，在带外抑制处产生谐振，从而抵消寄生电容产生的不利影响；
(4)本发明在密封圈单侧设置金属柱，金属柱贯穿至保护帽的表层，再由金属焊球连接至多层载板的地平面，整个路径等效为一个并联接地电感，串联寄生电容和并联接地电感形成谐振电路，通过调整并联电感大小，在带外抑制处产生谐振，从而抵消寄生电容产生的不利影响；
(5)本实施例在密封圈相对两侧设置的金属柱不仅与密封圈相连，还与某并联谐振器相连，两金属柱连通至保护帽的顶层，两个金属柱在保护帽的顶层通过金属条相连，再由金属焊球连接至多层载板的地平面，整个回路等效为并联接地电感，串联寄生电容和并联接地电感形成谐振电路，通过调整并联电感大小，在带外抑制处产生谐振，从而抵消寄生电容产生的不利影响。
附图说明
附图用于更好地理解本发明，不构成对本发明的不当限定。其中：
图1是现有的体声波滤波器结构示意图；
图2是现有的体声波滤波器等效电路图；
图3是实施例一体声波滤波器的结构示意图；
图4是实施例一体声波滤波器的结构侧视图；
图5是实施例一体声波滤波器的等效电路图；
图6是实施例二体声波滤波器的结构示意图；
图7是实施例三体声波滤波器的结构示意图；
图8是实施例四体声波滤波器的结构示意图；
图9是现在结构与实施例一体声波滤波器结构的电性能曲线图。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示，为了使器件更加小型化，各谐振器间间隔进一步减小；谐振器外围由金属密封圈保护，以防气体、液体等污染芯片，各谐振器与密封圈间的间隔同样进一步减小；正由于间距减小导致各谐振器通过密封圈互相耦合产生寄生电容，从而使得带外抑制有不同程度的恶化，等效电路如图2所示，串联谐振器之间、并联谐振器之间以及串联谐振器和并联谐振器之间都存在数值较小的寄生电容，正由于这些寄生电容导致滤波器的近阻带抑制有不同程度的恶化。而对于多工器来说，隔离度也会有不同程度的恶化。
实施例一
本实施例提供一种改善近阻带抑制的体声波滤波器，将密封圈通过金属球连接到载板的参考地平面，从而消除各谐振器之间以及各谐振器与密封圈之间的耦合，进而改善近阻带抑制。
请参阅附图3，所述体声波滤波器包括：
芯片主体1；
多个谐振器2，依次排布在芯片主体1表层上，谐振器2的外围由密封圈3环绕；
保护帽4，设置在芯片主体1上，密封圈3的两侧分别通过第一金属柱7和第二金属柱9连通至保护帽4表层，第一金属柱7和第二金属柱9之间通过一金属条8相连；
载板5，通过多个金属焊球6与金属条8连接。
在本实施例中，所述保护帽4与密封圈3相连共同保护内部谐振器2。
在本实施例中，所述载板5由多层金属与介质交叉堆叠而成。
本实施例提出的体声波滤波器，密封圈3两侧通过第一金属柱7和第二金属柱9连通至保护帽4表层，再由同一金属条8相连，该金属条8通过金属球6连接至载板5地平面，密封圈3、第一金属柱7、金属条8、金属球6再到载板地平面或密封圈3、第二金属柱9、金属条8、金属球6再到载板地平面的整个路径相当于一个并联电感，串联寄生电容与并联电感形成谐振电路，请参阅附图5，通过调整并联电感大小，使得谐振电路在近阻带抑制处形成谐振来抑制寄生电容，从而提升滤波器近阻带的抑制度。
正常倒装的体声滤波器如图4所示，芯片主体1和保护帽4倒装通过多个金属球6连接至多层载板5，载板5底部分布引脚，以便与其它器件相连。
在本实施例中，所述金属条8的作用是将保护帽一分为二，将输入信号和输出信号隔开，一定程度上改善带外抑制或隔离度。
在本实施例中，所述芯片主体1、保护帽4和载板5外围填充塑封胶，使得滤波器结构更加稳定。
在本实施例中，所述芯片主体1为硅衬底，各谐振器2按照如图2所示的原理图依次排布在硅衬底表层，谐振器2外围由密封圈3环绕。各谐振器2通过密封圈3互相耦合产生寄生电容，导致芯片的带外抑制或隔离度恶化。
如图3所示，密封圈3相对两侧分别设置有第一金属柱7和第二金属柱9，第一金属柱7和第二金属柱9贯穿至保护帽4的表层，贯穿保护帽4的表层与金属条8相连，金属条8通过金属球6连接至多层载板5的地平面，整个路径等效为一个并联接地电感，串联寄生电容和并联接地电感形成谐振电路，如图5中方框所示，通过调整并联电感大小，在带外抑制处产生谐振，从而抵消寄生电容产生的不利影响。如图9所示，虚线是对比结构图1的电性能曲线，实线是图3所示的的电性能曲线，近阻带抑制有5dB的提升。
实施例二
本实施例提供一种体声波滤波器，请参阅附图6，所述体声波滤波器包括芯片主体1、保护帽4及载板5。
芯片主体1设置在硅衬底上；芯片主体1上依次排布有多个谐振器2，所述多个谐振器2的外围由密封圈3环绕，密封圈3的两侧通过第一金属柱7和第二金属柱9连通至保护帽4表层，第一金属柱7和第二金属柱9分别连接有金属条8，两个金属条8分别通过金属球连接至载板地平面。
在本实施例中，通过保护帽4与密封圈3相连共同保护内部谐振器2。
本实施例提出的体声波滤波器，密封圈3两侧通过第一金属柱7和第二金属柱9连通至保护帽4表层，再各自通过金属球6连接至载板5地平面；整个路径相当于一个并联电感，串联寄生电容与并联电感形成谐振电路，通过调整并联电感大小，使得谐振电路在近阻带抑制处形成谐振来抑制寄生电容，从而提升滤波器近阻带的抑制度。
实施例三
本实施例提供一种体声波滤波器，请参阅附图7，所述体声波滤波器包括芯片主体1、保护帽4及载板5。
芯片主体1设置在硅衬底上；芯片主体1上依次排布有多个谐振器2，所述多个谐振器2的外围由密封圈3环绕，密封圈3的一侧通过第一金属柱7连通至保护帽4表层，第一金属柱7连接有一金属条8，金属条8通过金属球6连接至载板5地平面。
在本实施例中，通过保护帽4与密封圈3相连共同保护内部谐振器2。
本实施例提出的体声波滤波器，密封圈3某一侧通过第一金属柱7连通至保护帽4表层，再通过金属球6连接至载板5地平面；整个路径相当于一个并联电感，串联寄生电容与并联电感形成谐振电路，通过调整并联电感大小，使得谐振电路在近阻带抑制处形成谐振来抑制寄生电容，从而提升滤波器近阻带的抑制度。
实施例四
本实施例提供一种体声波滤波器，请参阅附图8，所述体声波滤波器包括：芯片主体1、保护帽4和载板5。
所述芯片主体1的表层依次排布有多个谐振器2，所述多个谐振器2的外围由密封圈3环绕；保护帽4，设置在芯片主体1上，密封圈3的两侧分别通过第一金属柱7和第二金属柱9连通至保护帽4顶层，第一金属柱7和第二金属柱9之间通过一金属条8相连；金属条8通过多个金属焊球6与金属条8连接；所述第一金属柱7和第二金属柱9还分别与相应的并联谐振器相连。
在本实施例中，所述保护帽4与密封圈3相连共同保护内部谐振器2。
在本实施例中，所述载板5由多层金属与介质交叉堆叠而成。
本实施例提出的体声波滤波器中，第一金属柱7和第二金属柱9不仅与密封圈3相连，还与某并联谐振器2相连，两金属柱连通至保护帽4的表层，两个金属柱在保护帽4的表层通过金属条8相连，再由金属球6连接至多层载板5的地平面，整个回路等效为并联接地电感，串联寄生电容和并联接地电感形成谐振电路，通过调整并联电感大小，在带外抑制处产生谐振，从而抵消寄生电容产生的不利影响。
实施例五
本实施例提供一种电子设备，包括实施例一、实施例二或实施例三中任一实施例所述的体声波滤波器。
在本实施例中，所述电子设备为双工器或者多工器。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的相平行两侧分别连接有金属柱，两个金属柱的底端分别与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层与一金属条相连，所述金属条通过金属球与载板相连。
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述芯片主体为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述金属球的数量为一个或两个。
4.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述载板由多层金属与介质交叉堆叠而成。
5.根据权利要求4所述的体声波滤波器，其特征在于，所述载板的底部分布有引脚。
6.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的两侧分别连接有金属柱，两个金属柱的底端与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层分别与相应的金属条相连，两个金属条分别通过金属球与载板相连。
7.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的一侧连接有金属柱，所述金属柱的底端与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层与一金属条相连，所述金属条分别通过金属球与载板相连。
8.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：芯片主体、保护帽及载板；
所述芯片主体的表层上依次排布有多个谐振器，所述多个谐振器的外围绕设有密封圈；所述保护帽设置在芯片主体上，密封圈的两侧分别连接有金属柱，两个金属柱的底端与密封圈相连，顶端贯穿保护帽表层与一金属条相连，所述金属条通过金属球与载板相连；所述两个金属柱的底端还分别与相应的并联谐振器相连。
9.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至8中任一项所述的体声波滤波器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910734983.4A CN110504942B (zh) | 2019-08-09 | 2019-08-09 | 一种体声波滤波器及电子设备 |
| PCT/CN2020/107339 WO2021027671A1 (zh) | 2019-08-09 | 2020-08-06 | 一种体声波滤波器及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910734983.4A CN110504942B (zh) | 2019-08-09 | 2019-08-09 | 一种体声波滤波器及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110504942A true CN110504942A (zh) | 2019-11-26 |
| CN110504942B CN110504942B (zh) | 2023-12-15 |
Family
ID=68586377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910734983.4A Active CN110504942B (zh) | 2019-08-09 | 2019-08-09 | 一种体声波滤波器及电子设备 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110504942B (zh) |
| WO (1) | WO2021027671A1 (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111342814A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-06-26 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 一种体声波滤波器和多工器以及电子设备 |
| CN111606301A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-09-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 器件结构及封装方法、滤波器、电子设备 |
| WO2021027671A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 天津大学 | 一种体声波滤波器及电子设备 |
| CN113411069A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-17 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种体声波滤波器装置及提升带外抑制的方法 |
| CN113507275A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-15 | 绍兴汉天下微电子有限公司 | 一种体声波滤波器、版图布局方法以及通信器件 |
| CN115021711A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-09-06 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种半导体器件、通信设备及其制造方法 |
| WO2023087606A1 (zh) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | 安徽安努奇科技有限公司 | 一种滤波器电路及电子设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040104790A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-06-03 | Tokihiro Nishihara | Filter device |
| US20120182087A1 (en) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single-chip duplexer with isolation shield between transmit and receive filters |
| CN103138709A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-06-05 | 天津大学 | 射频滤波器和射频多工器 |
| JP2014082609A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス及びその設計方法 |
| CN103943930A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-07-23 | 苏州博海创业微系统有限公司 | 一种ltcc多路平衡功分器 |
| CN109831174A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-05-31 | 天津大学 | 一种双工器 |
| CN109861665A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-06-07 | 天津大学 | 一种压电声波滤波器 |
| WO2019132926A1 (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | Intel Corporation | A front end system having an acoustic wave resonator (awr) on an interposer substrate |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19932649A1 (de) * | 1999-07-13 | 2001-02-08 | Epcos Ag | SAW-Filter des Reaktanzfiltertyps mit verbesserter Sperrbereichsunterdrückung und Verfahren zur Optimierung der Sperrbereichsunterdrückung |
| JP3743341B2 (ja) * | 2001-10-17 | 2006-02-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP3963862B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2007-08-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波フィルタ及びそれを有する分波器 |
| CN110504942B (zh) * | 2019-08-09 | 2023-12-15 | 天津大学 | 一种体声波滤波器及电子设备 |
-
2019
- 2019-08-09 CN CN201910734983.4A patent/CN110504942B/zh active Active
-
2020
- 2020-08-06 WO PCT/CN2020/107339 patent/WO2021027671A1/zh active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040104790A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-06-03 | Tokihiro Nishihara | Filter device |
| US20120182087A1 (en) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single-chip duplexer with isolation shield between transmit and receive filters |
| JP2014082609A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス及びその設計方法 |
| CN103138709A (zh) * | 2013-01-17 | 2013-06-05 | 天津大学 | 射频滤波器和射频多工器 |
| CN103943930A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-07-23 | 苏州博海创业微系统有限公司 | 一种ltcc多路平衡功分器 |
| WO2019132926A1 (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | Intel Corporation | A front end system having an acoustic wave resonator (awr) on an interposer substrate |
| CN109831174A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-05-31 | 天津大学 | 一种双工器 |
| CN109861665A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-06-07 | 天津大学 | 一种压电声波滤波器 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021027671A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 天津大学 | 一种体声波滤波器及电子设备 |
| CN111342814A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-06-26 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 一种体声波滤波器和多工器以及电子设备 |
| CN111606301A (zh) * | 2020-04-22 | 2020-09-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 器件结构及封装方法、滤波器、电子设备 |
| CN113411069A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-17 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种体声波滤波器装置及提升带外抑制的方法 |
| CN113507275A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-15 | 绍兴汉天下微电子有限公司 | 一种体声波滤波器、版图布局方法以及通信器件 |
| WO2023087606A1 (zh) * | 2021-11-17 | 2023-05-25 | 安徽安努奇科技有限公司 | 一种滤波器电路及电子设备 |
| CN115021711A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-09-06 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种半导体器件、通信设备及其制造方法 |
| CN115021711B (zh) * | 2022-07-20 | 2022-11-18 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种半导体器件、通信设备及其制造方法 |
| WO2024016606A1 (zh) * | 2022-07-20 | 2024-01-25 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种半导体器件、通信设备及其制造方法 |
| EP4325722A3 (en) * | 2022-07-20 | 2024-04-03 | Suzhou HunterSun Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device, communication apparatus, and producing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021027671A1 (zh) | 2021-02-18 |
| CN110504942B (zh) | 2023-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110504942A (zh) | 一种体声波滤波器及电子设备 | |
| US7982557B2 (en) | Layered low-pass filter capable of producing a plurality of attenuation poles | |
| WO2021027673A1 (zh) | 一种体声波滤波器的封装结构及该滤波器的制造方法 | |
| US8742871B2 (en) | Devices and bandpass filters therein having at least three transmission zeroes | |
| CN111342814B (zh) | 一种体声波滤波器和多工器以及电子设备 | |
| US9614494B2 (en) | Reactance filter comprising acoustic waves resonators | |
| US11916528B2 (en) | Band pass filter | |
| CN105453430B (zh) | 高频模块 | |
| CN103956985A (zh) | 一种具有多层结构的带通滤波器 | |
| US7501915B2 (en) | High frequency module | |
| CN104393853A (zh) | 一种新型谐振结构的多层带通滤波器 | |
| CN111464148B (zh) | 滤波器元件和多工器以及通信设备 | |
| EP4325722A2 (en) | Semiconductor device, communication apparatus, and producing method thereof | |
| CN111342789B (zh) | 带耦合电感的滤波器单元、滤波器及电子设备 | |
| CN103208669B (zh) | 一种压电声波双工器系统 | |
| US10886884B2 (en) | Inductively coupled filter and wireless fidelity WiFi module | |
| WO2022143982A1 (zh) | 多工器和改善多工器隔离度的方法以及通信设备 | |
| US9692388B2 (en) | High frequency module comprising a band-pass LC filter and a piezoelectric resonator | |
| CN204013427U (zh) | 电子元器件 | |
| CN106159386A (zh) | 一种新型耦合lc滤波移相器 | |
| US20230170868A1 (en) | Transformer balun for high rejection unbalanced lattice filters | |
| WO2022193380A1 (zh) | 陷波滤波器与多频陷波滤波器 | |
| TWM531695U (zh) | 具有寬頻抑制能力之低通濾波器 | |
| CN105206901A (zh) | 一种vhf波段微型双工器 | |
| US11063575B2 (en) | Band reject filters |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20231215 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |