CN110502151B - 触控面板、触控显示装置及触控面板的制备方法 - Google Patents

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CN110502151B CN201910795493.5A CN201910795493A CN110502151B CN 110502151 B CN110502151 B CN 110502151B CN 201910795493 A CN201910795493 A CN 201910795493A CN 110502151 B CN110502151 B CN 110502151B
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    • G06F2203/04103Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Abstract

本文提供了一种触控面板、触控显示装置及触控面板的制备方法。触控面板包括:触控区和位于触控区一侧的边框区,边框区设置有控制电路,触控区包括:规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线;其中,连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与控制电路的第一引线位于两列电极之间;所有第二引线位于触控区两侧靠近边缘的两列电极之间。本申请通过将第一引线和第二引线设置在触控区,可以减少边框宽度甚至消除边框,进而利于边框变窄或全面屏化。

Description

触控面板、触控显示装置及触控面板的制备方法
技术领域
本文涉及触控技术领域,尤指一种触控面板、触控显示装置以及触控面板的制备方法。
背景技术
随着便携式电子显示设备的发展,触控技术提供了一种新的人机互动界面,其在使用上更直接、更人性化。将触控技术与平面显示技术整合在一起,形成触控显示装置,可以使得平面显示装置具有触控功能。
目前,现有触控面板包括触控区和位于触控区外围的边框区,边框区用于设置触控引线,触控区内的触控电极通过边框区内的触控引线分别连接至控制电路。为了确保设置足够数目的触控引线,目前的边框较宽。然而,人们追求窄边框甚至全面屏化的显示屏幕,要求的屏占比越来越高。因此,如何减少边框宽度甚至消除边框,利于显示屏幕边框变窄或全面屏化,是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请提供了一种触控面板、触控显示装置以及触控面板的制备方法,以克服现有结构边框较宽的缺陷。
本申请实施例提供一种触控面板,包括:触控区和位于所述触控区一侧的边框区,所述边框区设置有控制电路,所述触控区包括:规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线;其中,连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与所述控制电路的第一引线位于两列电极之间;所有第二引线位于触控区两侧靠近边缘的两列电极之间。
本申请实施例还提供一种触控显示装置,包括上述的触控面板。
本申请实施例还提供一种触控面板的制备方法,包括:在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线;其中,连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与所述控制电路的第一引线位于两列电极之间;所有第二引线位于触控区两侧靠近边缘的两列电极之间;所述控制电路位于所述触控区一侧的边框区内。
本申请实施例提供一种触控面板、触控显示装置及触控面板的制备方法,通过将连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与控制电路的第一引线部署在触控区内的两列电极之间,以及将所有第二引线分别部署在触控区内两侧靠近边缘的两列电极之间,可以避免在触控区的外围区域设置引线,从而减少边框宽度甚至消除边框,进而利于显示屏幕边框变窄或全面屏化。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本申请内容。
图1为相关技术中一种触控面板的俯视示意图;
图2为本申请第一实施例提供的触控面板的俯视示意图;
图3为本申请第一实施例形成第一桥接线图案后的局部俯视示意图;
图4为图3中A-A向的剖面图;
图5为本申请第一实施例形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线图案后的局部俯视示意图;
图6为图5中A-A向的剖面图;
图7为本申请第二实施例形成桥接层图案的局部俯视示意图;
图8为图7中A-A向的剖面图;
图9为本申请第二实施例形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线图案后的局部俯视示意图;
图10为图9中A-A向的剖面图;
图11为本申请第三实施例提供的触控面板的俯视示意图;
图12为本申请第三实施例形成第二桥接线图案后的局部俯视示意图;
图13为图12中A-A向的剖面图;
图14为本申请第四实施例形成第一电极、第二电极、第一引线和第二引线图案后的局部俯视示意图;
图15为图14中A-A向的剖面图。
附图标记说明:
20-基底; 21-第一桥接线; 22-第一绝缘层;
13,23-第一电极; 14,24-第二电极; 15,25-第一引线;
16,26-第二引线; 27-第二绝缘层; 28-第二桥接线;
230,240-菱形导电图案; 231,241-连接线; 19,29-控制电路;
30-第三桥接线; AA-虚线框。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例,但是该描述是示例性的,而不是限制性的,并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是,在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合,并在具体实施方式中进行了讨论,但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外,任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用,或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合,以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合,以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此,应当理解,在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此,除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外,实施例不受其它限制。此外,可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
图1为相关技术中一种触控面板的俯视示意图。如图1所示,该触控面板包括:触控区(由虚线框AA框出的区域)和位于触控区外围的边框区;其中,触控区包括多个第一电极13和多个第二电极14,每一列第一电极中两端的第一电极13通过设置在边框区内的第一引线15连接至控制电路19,每一行第二电极中两端的第二电极14通过设置在边框区内的第二引线16连接至控制电路19。其中,同层设置的相邻的第一电极13和第二电极14之间相互绝缘,每一列相邻的两个第一电极13之间可以通过同层设置的连接线实现连接,每一行相邻的两个第二电极14之间可以通过异层设置的桥接线实现连接;或者,每一行相邻的两个第二电极14之间可以通过同层设置的连接线实现连接,每一列相邻的两个第一电极13之间可以通过异层设置的桥接线实现连接。
在图1所示的触控面板中,触控区内的触控电极(第一电极13和第二电极14)连接控制电路19的触控引线(包括第一引线15和第二引线16)都部署在边框区内,导致触控区上侧、左侧和右侧的边框区的宽度较宽,因而不利于实现窄边框或无边框效果。
为了解决现有技术中边框较宽的缺陷,以实现窄边框或无边框效果,本申请实施例提供一种触控面板。本申请实施例提供的触控面板,包括:触控区和位于触控区一侧的边框区,边框区设置有控制电路,触控区包括:规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线;其中,连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与控制电路的第一引线位于两列电极之间,所有第二引线位于触控区两侧靠近边缘的两列电极之间。
在本申请实施例中,通过改变连接远离控制电路一侧的第一电极和控制电路的第一引线的设置位置,以及连接第二电极和控制电路的第二引线的设置位置,将原本位于边框区的外围引线移动至触控区,从而避免连接远离控制电路一侧的第一电极和控制电路的第一引线以及连接第二电极和控制电路的第二引线占用边框区,支持实现窄边框或无边框设计。
需要说明的是,本申请仅针对覆盖表面式(on-cell)触控面板进行改进,其他类型的触控面板的触控电极的布线方式不同,故在此不做描述。
下面通过具体实施例详细说明本申请实施例的技术方案。
第一实施例
图2为本申请第一实施例提供的触控面板的俯视示意图。如图2所示,本实施例提供的触控面板包括:触控区(由虚线框AA框出的区域)和位于触控区一侧的边框区,边框区内设置有控制电路29。本实施例中,控制电路29位于触控区的下方。然而,本申请对此并不限定。在其他实现方式中,控制电路29可以位于触控区的上方。
需要说明的是,图2中仅绘示五列第一电极和五行第二电极进行说明。然而,本申请对于第一电极的列数和第二电极的行数并不限定。
如图2所示,触控区包括:规则排布的多个第一电极23和多个第二电极24,以及用于将每一列第一电极23与控制电路29连接的第一引线25和用于将每一行第二电极24与控制电路29连接的第二引线26。在本实施例中,多个第一电极23和第二电极24分别包括菱形导电图案,然而,本申请对此并不限定。在其他实现方式中,第一电极和第二电极可以分别包括三角形或者条形或其他形状的导电图案。
在本实施例中,连接每一列第一电极中远离控制电路29一侧的第一电极23与控制电路29的第一引线25位于该第一电极23所在的一列电极与其相邻的一列电极(比如,该列电极左侧相邻的一列电极或右侧相邻的一列电极)之间。如图2所示,从左向右数起的第一列第一电极中远离控制电路29一端的第一电极23连接控制电路29的第一引线25沿该列第一电极与其右侧相邻的一列第二电极之间的缝隙向下延伸,在第二列和第三列第一电极中,连接远离控制电路29一端的第一电极23和控制电路29的第一引线25分别沿所连接的第一电极23所在的列与其右侧相邻的一列电极之间的缝隙向下延伸;在第四列和第五列第一电极中,连接远离控制电路29一端的第一电极23与控制电路29的第一引线25分别沿所连接的第一电极23所在的列与其左侧相邻的一列第二电极之间的缝隙向下延伸。然而,本申请对此并不限定。
在本实施例中,连接每一行第二电极左侧边缘的第二电极24与控制电路29的第二引线26均位于触控区边缘的两列电极之间。如图2所示,从上向下数起的第一行至第五行第二电极中,左侧边缘的第二电极24与控制电路29连接的第二引线26可以归属于一组,分别沿着左侧边缘的第一列(一列第二电极)和第二列电极(一列第一电极)之间的缝隙向下延伸,右侧边缘的第二电极24与控制电路29连接的第二引线26可以归属于另一组,分别沿着右侧边缘的第一列(一列第二电极)和第二列电极(一列第一电极)之间的缝隙向下延伸。
本实施例中,相较于像素阵列的数量,触控电极的数量相对较少,两列触控电极之间的间隔相对较大,因此,可以将第一引线、第二引线部署在两列触控电极之间。
下面通过本实施例触控面板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理,是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺,涂覆可采用已知的涂覆工艺,刻蚀可采用已知的方法,在此不做具体的限定。在本实施例的描述中,需要理解的是,“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺,则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺,则在构图工艺前称为“薄膜”,构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
需要说明的是,图3至图6仅示意出了触控面板的部分区域进行说明。
(1)在基底上形成第一桥接线图案。形成第一桥接线图案包括:在基底20上沉积第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,在基底20上形成第一桥接线21图案,如图3和图4所示,图4为图3中A-A向的剖面图。其中,第一金属薄膜可以采用金属材料,如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等,或上述金属的合金材料,如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等,可以是多层金属,如Mo/Cu/Mo等,也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构,如ITO/Ag/ITO等。
(2)形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线图案。形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线图案包括:在形成有第一桥接线21图案的基底20上,沉积第一绝缘薄膜,通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图,形成覆盖第一桥接线21图案的第一绝缘层22图案,其中,第一绝缘层22上开设有多个过孔,分别暴露出每个第一桥接线21的两端;在形成前述图案的基底20上,沉积第二金属薄膜,通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图,形成覆盖前述结构的第一电极23、第二电极24、第一引线25以及第二引线26图案,如图5和图6所示,图6为图5中A-A向的剖面图。
其中,第一电极23可以包括菱形导电图案230和串接菱形导电图案的连接线231,任一列中相邻的菱形导电图案230之间可以通过连接线231连接。任一行中相邻的两个第二电极24通过第一绝缘层22的过孔连接同一个第一桥接线21。
其中,第一引线25位于所连接的第一电极23所在的一列电极与其相邻的一列电极之间的缝隙中。第二引线26位于触控区边缘处的一列电极和其相邻的一列电极之间的缝隙中。由于第一引线25和第二引线26均沿着两列电极的缝隙向下延伸,因此,第一引线25和第二引线26与每列第一电极23不存在直接接触。由于每一列相邻的两个第二电极24之间通过异层设置的第一桥接线21连接,因此,沿着两列电极的缝隙向下延伸的第一引线25和第二引线26与每行第二电极24也不存在直接接触。
其中,第一绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等,也可以采用高介电常数High k材料,如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等,可以是单层、多层或复合层。第二金属薄膜可以采用金属材料,如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等,或上述金属的合金材料,如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等,可以是多层金属,如Mo/Cu/Mo等,也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构,如ITO/Ag/ITO等。
需要说明的是,在制备过程的其他实施示例中,可以先在基底形成第一电极、第二电极、第一引线、第二引线图案,再形成第一绝缘层,并在第一绝缘层上形成第一桥接线图案。然而,本申请对此并不限定。
通过本实施例触控面板的结构及其制备过程可以看出,本实施例的技术思路是将边框区的引线移动至触控区内,以减少边框宽度,支持实现窄边框或全面屏化。
进一步地,本实施例制备触控面板没有增加新的工艺以及引入新的材料,不需要改变现有工艺流程,不需改变现有工艺设备,工艺兼容性好,工艺可实现性高,实用性强,具有良好的应用前景。
第二实施例
本实施例是前述第一实施例的一种扩展,本实施例的触控面板的主体结构与前述第一实施例基本相同,所不同的是:每一列中相邻的两个第一电极23之间通过第一桥接线连接;在第二引线26与任一行第二电极24的交叉位置,第二引线26通过第二桥接线绕过该行第二电极;在第一引线25与任一行第二电极24的交叉位置,第一引线25通过第三桥接线绕过该行第二电极。
本实施例触控面板的制备过程与前述第一实施例的制备过程所不同的是:在步骤(1),在基底20上形成桥接层,桥接层包括相互隔离的第一桥接线21、第二桥接线28以及第三桥接线30图案。形成第一桥接线21、第二桥接线28以及第三桥接线30图案包括:在基底20上沉积第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,在基底20上形成第一桥接线21、第二桥接线28以及第三桥接线30图案,如图7和图8所示,图8为图7中A-A向的剖面图。其中,第一金属薄膜可以采用金属材料,如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等,或上述金属的合金材料,如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等,可以是多层金属,如Mo/Cu/Mo等,也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构,如ITO/Ag/ITO等。
(2)形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线图案。形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线图案包括:在形成有第一桥接线21、第二桥接线28、第三桥接线30图案的基底20上,沉积第一绝缘薄膜,通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图,形成覆盖前述图案的第一绝缘层22图案,其中,第一绝缘层22上开设有多个过孔,分别暴露出每个第一桥接线21的两端、每个第二桥接线28的两端、以及每个第三桥接线30的两端;在形成前述图案的基底20上,沉积第二金属薄膜,通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图,形成覆盖前述结构的第一电极23、第二电极24、第一引线25以及第二引线26图案,如图9和图10所示,图10为图9中A-A向的剖面图。
其中,第二电极24可以包括菱形导电图案240和串接菱形导电图案的连接线241,任一行中相邻的菱形导电图案240之间可以通过连接线241连接。任一列中相邻的两个第一电极33通过第一绝缘层22的过孔连接同一个第一桥接线21。
其中,第一引线25位于所连接的第一电极23所在的一列电极与其相邻的一列电极之间的缝隙中。第二引线26位于触控区边缘处的一列电极和其相邻的一列电极之间的缝隙中。由于第一引线25和第二引线26均沿着两列电极的缝隙向下延伸,因此,第一引线25和第二引线26与每列第一电极23不存在直接接触,第一引线25和第二引线26需要跨过每一行第二电极24向下延伸。在本示例中,第一引线25通过连接第三桥接线30绕过每一行第二电极24,第二引线26通过连接第二桥接线28绕过每一行第二电极24。
其中,第一绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等,也可以采用高介电常数High k材料,如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等,可以是单层、多层或复合层。第二金属薄膜可以采用金属材料,如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等,或上述金属的合金材料,如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等,可以是多层金属,如Mo/Cu/Mo等,也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构,如ITO/Ag/ITO等。
本实施例同样实现了前述第一实施例的技术效果,可以减少边框宽度,支持实现窄边框或全面屏化。
需要说明的是,在其他实施示例中,可以先在基底形成第一电极、第二电极、第一引线、第二引线图案,再形成第一绝缘层,并在第一绝缘层上形成桥接层。然而,本申请对此并不限定。
第三实施例
图11为本申请第三实施例提供的触控面板的俯视示意图。本实施例是前述第一实施例的一种扩展,本实施例的触控面板的主体结构与前述第一实施例基本上相同,所不同的是:连接每一行第二电极左侧边缘的第二电极24与控制电路29的第二引线26分别位于左侧边缘的第一列和第二列电极之间以及左侧边缘的第二列和第三列电极之间;连接每一行第二电极右侧边缘的第二电极24与控制电路29的第二引线26分别位于右侧边缘的第一列和第二列电极之间以及右侧边缘的第二列和第三列电极之间。
如图11所示,从上向下数起的第一行至第二行第二电极中,左侧边缘的第二电极24与控制电路29之间连接的第二引线26位于左侧边缘的第二列和第三列电极之间,第三行至第五行第二电极中,左侧边缘的第二电极24与控制电路29之间连接的第二引线26位于左侧边缘的第一列和第二列电极之间。从上向下数起的第一行至第二行第二电极中,右侧边缘的第二电极24与控制电路29之间连接的第二引线26位于右侧边缘的第二列和第三列电极之间(即从左侧数起的最后第三列和最后第二列电极之间),第三行至第五行第二电极中,右侧边缘的第二电极24与控制电路29之间连接的第二引线26位于右侧边缘的第一列和第二列电极之间(即从左侧数起的最后一列和最后第二列电极之间)。
本实施例触控面板的制备过程与前述第一实施例的制备过程所不同的是:在步骤(2)之后,还包括:
(3)形成第二桥接线图案。形成第二桥接线图案包括:在形成有前述图案的基底20上,沉积第二绝缘薄膜,通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图,形成覆盖第一电极23、第二电极24、第一引线25以及第二引线26图案的第二绝缘层27图案,其中,第二绝缘层27上开设有多个过孔,分别暴露出跨过一列第一电极的第二引线26的两端;在形成前述图案的基底20上,沉积第三金属薄膜,通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图,形成覆盖前述结构的第二桥接线28图案,如图12和图13所示,图13为图12中A-A向的剖面图。
其中,由于部分行的第二引线26沿着左侧第二和第三列或者右侧第二和第三列电极之间的缝隙向下延伸,因此,这些第二引线26会与一列相邻的第一电极存在交叉位置,为了避免短路,在交叉位置进行第二引线的跳线设计,通过设置在电极和引线层之上的第二桥接线28进行连接,以绕过该列第一电极。
其中,第二绝缘薄膜可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON等,也可以采用高介电常数High k材料,如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等,可以是单层、多层或复合层。第三金属薄膜可以采用金属材料,如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等,或上述金属的合金材料,如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等,可以是多层金属,如Mo/Cu/Mo等,也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构,如ITO/Ag/ITO等。
本实施例同样实现了前述第一实施例的技术效果,可以减少边框宽度,支持实现窄边框或全面屏化。
第四实施例
本实施例是前述第三实施例的一种扩展,本实施例的触控面板的主体结构与前述第三实施例基本相同,所不同的是:第二桥接线28位于第一电极23和第二电极24的下方。
本实施例触控面板的制备过程与前述第三实施例的制备过程所不同的是:在基底上形成第一桥接线21图案之后,形成第二桥接线28图案,然后,形成第一电极23、第二电极24、第一引线25以及第二引线26图案。如图14和图15所示,图15为图14中A-A向的剖面图。在基底20上沉积第一金属薄膜,通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图,在基底20上形成第一桥接线21图案;其中,第一金属薄膜可以采用金属材料,如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等,或上述金属的合金材料,如铝铌合金AlNd、钼铌合金MoNb等,可以是多层金属,如Mo/Cu/Mo等,也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构,如ITO/Ag/ITO等。然后,在形成有第一桥接线21图案的基底20上,沉积第一绝缘薄膜,通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图,形成覆盖第一桥接线21图案的第一绝缘层22图案,其中,第一绝缘层22上开设有多个过孔,分别暴露出每个第一桥接线21的两端;在形成前述图案的基底20上,沉积第二金属薄膜,通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图,形成第二桥接线28图案。在第二桥接线28图案上沉积第二绝缘薄膜,通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图,形成覆盖第二桥接线28图案的第二绝缘层27图案,其中,第二绝缘层27上开设有多个过孔,分别暴露出每个第一桥接线21的两端以及每个第二桥接线28的两端。在形成前述图案的基底20上,沉积第三金属薄膜,通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图,形成第一电极23、第二电极24、第一引线25以及第二引线26图案。
其中,由于部分行的第二引线26沿着左侧第二和第三列或者右侧第二和第三列电极之间的缝隙向下延伸,因此,这些第二引线26会与一列相邻的第一电极存在交叉位置,为了避免短路,在交叉位置进行第二引线的跳线设计,通过设置在电极和引线层下面的第二桥接线28进行连接,以绕过该列第一电极。
其中,关于第二金属薄膜、第二绝缘薄膜、第三金属薄膜的材料可以参照上述前述实施例的描述,故于此不再赘述。
同样地,在其他制备实现方式中,可以先在基底上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线图案,然后再依次形成第二桥接线图案和第一桥接线图案。
第五实施例
基于前述实施例的技术构思,本申请实施例还提供了一种触控面板的制备方法,以制备出前述实施例的触控面板。
本申请实施例触控面板的制备方法包括:在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线;其中,连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与所述控制电路的第一引线位于两列电极之间;所有第二引线位于两列电极之间;所述控制电路位于所述触控区一侧的边框区内。
在一示例中,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,可以包括:在基底上形成第一桥接线;形成覆盖第一桥接线的第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线;其中,每一行中相邻的两个第二电极通过所述第一绝缘层的过孔连接同一个第一桥接线。
在一示例中,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,可以包括:在基底上形成第一桥接线;形成覆盖第一桥接线的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线;形成覆盖所述第一电极、所述第二电极、所述第一引线以及所述第二引线的第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成第二桥接线;其中,每一行中相邻的两个第二电极通过所述第一绝缘层的过孔连接同一个第一桥接线,在所述第二引线与任一列第一电极的交叉位置,所述第二引线通过所述第二绝缘层的过孔连接所述第二桥接线,以绕过该列第一电极。
在一示例中,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,可以包括:在基底上形成第一桥接线;形成覆盖所述第一桥接线的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成第二桥接线;形成覆盖所述第二桥接线的第二绝缘层;在所述第一绝缘层和第二绝缘层上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线;其中,每一行中相邻的两个第二电极通过所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔连接同一个第一桥接线;在所述第二引线与任一列第一电极的交叉位置,所述第二引线通过所述第二绝缘层的过孔连接所述第二桥接线,以绕过该列第一电极。
在一示例中,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,可以包括:在基底上形成桥接层,所述桥接层包括相互隔离的第一桥接线、第二桥接线及第三桥接线;形成覆盖所述桥接层的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线;其中,每一列中相邻的两个第一电极通过所述第一绝缘层的过孔连接同一个第一桥接线;在所述第一引线与任一行第二电极的交叉位置,所述第一引线通过所述第一绝缘层的过孔连接所述第三桥接线,以绕过该行第二电极;在所述第二引线与任一行第二电极的交叉位置,所述第二引线通过所述第一绝缘层的过孔连接所述第二桥接线,以绕过该行第二电极。
需要说明的是,在其他实现方式中,可以在基底先形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线的图案,然后,再形成第一桥接线图案,或者,形成第一桥接线和第二桥接线图案,或者,形成第一桥接线、第二桥接线以及第三桥接线图案。
有关触控面板的制备过程,已在之前的实施例中详细说明,这里不再赘述。
第六实施例
本申请实施例还提供一种触控显示装置,包括前述的触控面板。触控显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示和触控功能的产品或部件。
在本申请中的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“一侧”、“另一侧”、“一端”、“另一端”、“边”、“相对”、“四角”、“周边”、““口”字结构”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请实施例的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“直接连接”、“间接连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
虽然本申请所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式,并非用以限定本申请。任何本申请所属领域内的技术人员,在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本申请的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (12)

1.一种触控面板,其特征在于,包括:触控区和位于所述触控区一侧的边框区,所述边框区设置有控制电路,所述触控区包括:规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线;
其中,连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与所述控制电路的第一引线位于两列电极之间;所有第二引线位于所述触控区两侧靠近边缘的两列电极之间。
2.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所有第二引线分成两组,一组第二引线位于第一列电极和第二列电极之间,另一组第二引线位于第n-1列电极和第n列电极之间,其中,n为电极总列数,且n为正整数。
3.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与所述控制电路的第一引线,位于所连接的第一电极所在的一列电极与该列电极相邻的一列电极之间。
4.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述第一电极、所述第二电极、所述第一引线和所述第二引线位于同一层;其中,每一行中相邻的两个第二电极之间通过第一桥接线连接。
5.根据权利要求4所述的触控面板,其特征在于,在所述第二引线与任一列第一电极的交叉位置,所述第二引线通过第二桥接线绕过该列第一电极。
6.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述第一电极、所述第二电极、所述第一引线和所述第二引线位于同一层;其中,每一列中相邻的两个第一电极之间通过第一桥接线连接;在所述第二引线与任一行第二电极的交叉位置,所述第二引线通过第二桥接线绕过该行第二电极;在所述第一引线与任一行第二电极的交叉位置,所述第一引线通过第三桥接线绕过该行第二电极。
7.一种触控显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一项所述的触控面板。
8.一种触控面板的制备方法,其特征在于,包括:
在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线;其中,连接每一列第一电极中远离控制电路一侧的第一电极与所述控制电路的第一引线位于两列电极之间;所有第二引线位于所述触控区两侧靠近边缘的两列电极之间;所述控制电路位于所述触控区一侧的边框区内。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,包括:
在基底上形成第一桥接线;
形成覆盖所述第一桥接线的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线;其中,每一行中相邻的两个第二电极通过所述第一绝缘层的过孔连接同一个第一桥接线。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,还包括:
形成覆盖所述第一电极、所述第二电极、所述第一引线以及所述第二引线的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成第二桥接线;其中,在所述第二引线与任一列第一电极的交叉位置,所述第二引线通过所述第二绝缘层的过孔连接所述第二桥接线,以绕过该列第一电极。
11.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,包括:
在基底上形成第一桥接线;
形成覆盖所述第一桥接线的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第二桥接线;
形成覆盖所述第二桥接线的第二绝缘层;
在所述第一绝缘层和第二绝缘层上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线;其中,每一行中相邻的两个第二电极通过所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔连接同一个第一桥接线;在所述第二引线与任一列第一电极的交叉位置,所述第二引线通过所述第二绝缘层的过孔连接所述第二桥接线,以绕过该列第一电极。
12.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在触控区形成规则排布的多个第一电极和多个第二电极,以及用于将每一列第一电极与控制电路连接的第一引线和用于将每一行第二电极与控制电路连接的第二引线,包括:
在基底上形成桥接层,所述桥接层包括相互隔离的第一桥接线、第二桥接线及第三桥接线;
形成覆盖所述桥接层的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第一电极、第二电极、第一引线以及第二引线;其中,每一列中相邻的两个第一电极通过所述第一绝缘层的过孔连接同一个第一桥接线;在所述第一引线与任一行第二电极的交叉位置,所述第一引线通过所述第一绝缘层的过孔连接所述第三桥接线,以绕过该行第二电极;在所述第二引线与任一行第二电极的交叉位置,所述第二引线通过所述第一绝缘层的过孔连接所述第二桥接线,以绕过该行第二电极。
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