CN110502148A - 一种触摸屏制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触摸屏制备方法,包括溴化银凹印制板,曝光显影,丝印导电图案,组合,绑定,贴合等步骤,本发明通过将纳米级溴化银浆料凹印导电膜膜材后制备溴化银膜材,再利用溴化银曝光分解为银单质和溴单质的作用,将溴化银膜材转化为由单质银网格线组成的透明导电膜材,相对于纳米银膜材和ITO膜材,显著降低触摸屏方阻,相较3D打印打印铜线,则可显著降低导电线的宽度,降低大尺寸触摸屏制作时导电线过粗对视觉效果产生的影响,并可降低大尺寸触摸屏生产的成本。
Description
技术领域
本发明涉及触控技术领域,特别涉及一种触摸屏制备方法。
背景技术
目前,在触控领域,其中重要的一种触摸屏结构就是“盖板+膜结构”,特别是在大尺寸(43寸以上),而在曲面屏上更是只有这种结构;目前所用的膜材有:ITO、纳米银、金属网格铜和3D打印铜线。简单说一下目前以上几种膜材情况:
ITO膜材,方阻基本做到80Ω以上,适合用于小于20寸的触摸屏;
纳米银膜材,用的是纳米级的银丝,涂布成网状的形式;方阻最低只可做到30Ω,用于目前大尺寸产品,但成本相对于3D打印铜线偏高。
3D打印铜线,利用3D打印的技术,根据触摸所需打印出所需的铜线,拥有成本低,方阻低的优势,但目前可以做到最细的铜线约8μm以上,常规是12μm;这么粗的铜线是人肉眼容易看到(人眼可辨识的宽度约6μm左右),从而影响整机外观效果。
金属网格铜,用的是铜模,经过曝光、显影工艺形成纳米级网状铜丝;然后再根据触摸所需蚀刻成对应的触摸通道,拥有同纳米银一样的外观看不见金属线、方阻低的优势;但金属网格铜成本比纳米银更加高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题:利用溴化银的技术,做到比纳米银膜材更低的成本和方阻,同时又不会出现3D打印铜线那样的影响外观效果的问题,在不影响使用者外观效果,实现降低成品,提高触摸功能体验效果。
为解决上述技术问题,本发明提供以下的技术方案:
一种触摸屏制备方法,具体步骤如下:
(1)避光条件下,将溴化银浆料以凹版转印制成2~5μm线宽的溴化银膜材,膜材上的溴化银线条分布为网状的形式,网格的密度根据方阻以及透光效果所需调整;
(2)把溴化银膜材经过曝光,然后再经过水洗显影,把多余的溴去掉,剩下所需要的银网格线,形成一张由单质银网格线组成的透明导电膜材;
(3)利用干法或者湿法的蚀刻工艺蚀刻线路和边缘银浆走线,通道里为网格状的银线把整个通道连通形成完整的通道,最后形成触摸所需的触摸图案即得触摸功能片;
(4)触摸功能片通过边缘银浆引线接到IC处理器进行组合和绑定,涂刷光学胶后与盖板玻璃粘结贴合即得触摸屏。
优选地,所述干法的蚀刻方式为光斑直径0.035mm的激光镭射蚀刻,所述湿法蚀刻方式为一次黄光工艺。
优选地,所述溴化银浆料由透明光学胶和溴化银组成,溴化银浓度为20~50wt%。
优选地,所述曝光强度为1000~10000Lx,曝光时间30~60s。
优选地,所述网格的密度与方阻和透光效果均成反比。
一种触摸屏,由上述一种触摸屏制备方法制备获得。
本发明获得的有益效果:
本发明通过将纳米级溴化银浆料凹印导电膜膜材后制备溴化银膜材,在利用溴化银曝光分解为银单质和溴单质的作用,将溴化银膜材转化为由单质银网格线组成的透明导电膜材,相对于纳米银膜材和ITO膜材,显著降低触摸屏方阻,相较3D打印打印铜线,则可显著降低导电线的宽度,降低大尺寸触摸屏制作时导电线过粗对视觉效果产生的影响,并可降低大尺寸触摸屏生产的成本。
附图说明
图1溴化银凹印网格示意图。
图2湿法蚀刻感应图案及边缘银浆后的触摸功能片示意图。
具体实施方式
下面通过对实施例的描述,对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明,以帮助本领域的技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
实施例1:按如下方法制备60英寸触摸屏:
一、原料的预制
溴化银浆料的制备:避光环境下,将溴化银固体研磨成粉,粉末平均粒径300nm,按溴化银浓度为20wt%将溴化银粉末加入韩国元化学OCR光学透明胶中,充分搅拌后避光保存备用。
二、触摸屏的制备:
(1)避光条件下,将溴化银浆料以凹版转印制成2μm线宽的溴化银膜材,膜材上的溴化银线条分布为网状的形式,网格的密度与方阻和透光效果均成反比,本实施例中网格密度为200目,方阻为1.89Ω/sq,透光率92%。
(2)把溴化银膜材经过曝光,曝光强度为1000Lx,曝光时间30s,然后再经过纯水水洗显影,把多余的溴去掉,剩下所需要的银网格线,形成一张由单质银网格线组成的透明导电膜材,如图1所示;
(3)利用湿法蚀刻方式蚀刻银浆线路和边缘银浆走线,湿法蚀刻方式为一次黄光工艺,湿法蚀刻后的图案见图2;湿法蚀刻采用SEMITOOL半导体湿法蚀刻机进行黄光曝光,酸液蚀刻操作,蚀刻酸液的配制比例如下:
HCl(30-35%):H2O(纯水)=20:35(体积比)
HCl(30-35%):H2O(纯水)=20:29(质量比)质量比浓度约为16.4%,摩尔浓度约为4.71mol/L,
配制方法:取浓HCl慢慢加入纯水中边搅拌边加入)。配好后酸碱滴定测定蚀刻酸液的浓度,在上述浓度范围内方可使用。
补充液量的计算:
补加量为(使用查考配加药量计算):VNaOH为蚀刻后槽液消耗标准氢氧化钠的体积(ml)。
(4)通道里为网格状的银线把整个通道连通形成完整的通道,最后形成触摸所需的触摸图案即得触摸功能片;
(5)触摸功能片通过边缘银浆引线接到IC处理器进行组合和绑定,涂刷OCR光学透明胶后与盖板玻璃粘结贴合即得触摸屏。
实施例2:按如下步骤制备45英寸触摸屏:
一、原料的预制
溴化银浆料的制备:避光环境下,将溴化银固体研磨成粉,粉末平均粒径500nm,按溴化银浓度为50wt%将溴化银粉末加入韩国元化学OCR光学透明胶中,充分搅拌后避光保存备用。
二、触摸屏的制备:
(1)避光条件下,将溴化银浆料以凹版转印制成5μm线宽的溴化银膜材,膜材上的溴化银线条分布为网状的形式,网格的密度与方阻和透光效果均成反比,本实施例中网格密度为400目,方阻为0.68Ω/sq,透光率82%。
(2)把溴化银膜材经过曝光,曝光强度为10000Lx,曝光时间30~60s,然后再经过纯水水洗显影,把多余的溴去掉,剩下所需要的银网格线,形成一张由单质银网格线组成的透明导电膜材;
(3)干法蚀刻的蚀刻线路图见图,采用LF-PE-SOP033A0盛雄激光雕刻机进行多根平行激光走线的方式蚀刻,加工参数为:速度:2200mm/s功率:50%频率:250-300KHz,光斑直径0.035mm,蚀刻银浆线路和边缘银浆走线,通道里为网格状的银线把整个通道连通形成完整的通道,最后形成触摸所需的触摸图案即得触摸功能片;
(4)触摸功能片通过边缘银浆引线接到IC处理器进行组合和绑定,涂刷OCR光学透明胶后与盖板玻璃粘结贴合即得触摸屏。
实施例3:按如下步骤制备75英寸触摸屏:
一、原料的预制
溴化银浆料的制备:避光环境下,将溴化银固体研磨成粉,粉末平均粒径400nm,按溴化银浓度为35wt%将溴化银粉末加入韩国元化学OCR光学透明胶中,充分搅拌后避光保存备用。
二、触摸屏的制备:
(1)避光条件下,将溴化银浆料以凹版转印制成3.5μm线宽的溴化银膜材,膜材上的溴化银线条分布为网状的形式,网格的密度与方阻和透光效果均成反比,本实施例中网格密度为300目,方阻为0.91Ω/sq,透光率87%。
(2)把溴化银膜材经过曝光,曝光强度为5500Lx,曝光时间45s,然后再经过纯水水洗显影,把多余的溴去掉,剩下所需要的银网格线,形成一张由单质银网格线组成的透明导电膜材;
(3)利用干法的蚀刻方式为光斑直径0.035mm的激光镭射蚀刻,方法同实施例2,蚀刻银浆线路和边缘银浆走线,通道里为网格状的银线把整个通道连通形成完整的通道,最后形成触摸所需的触摸图案即得触摸功能片;
(4)触摸功能片通过边缘银浆引线接到IC处理器进行组合和绑定,涂刷OCR光学透明胶后与盖板玻璃粘结贴合即得触摸屏。
对比例1:其余均与实施例1相同,不同之处在于采用纳米银导电膜材直接进行蚀刻操作以制备触摸屏。
对比例2:其余均与实施例2相同,不同之处在于采用ITO导电膜材直接进行蚀刻操作以制备触摸屏。
对比例3:其余均与实施例3相同,不同之处在于在基材上采用3D打印铜线制备导电膜材,再将导电膜材直接进行蚀刻操作以制备触摸屏。铜线宽度11μm
将实施例1~3及对比例1~3中制备的触摸屏进行性能对比结果如下:
表1不同方法制备的触摸屏的方阻及视觉效果
表1结果中,实施例1与对比例1对比,实施例2与对比例2对比后可见,在制备大尺寸触摸屏时,较传统的纳米银膜材和ITO膜材,溴化银凹印制备的网格状导电膜材可显著降低触摸屏方阻,实施例3和对比例3对比后可见在制备大尺寸触摸屏时,虽然溴化银凹印制备的网格状导电膜材与3D打印铜线导电膜材的方阻均较小,但此时,铜线的宽度明显大于本发明的导电线宽,且导电铜线的宽度已经明显影响了触摸屏的可视效果,而本发明的线宽低于肉眼可以分辨的大小,因此,没有这一缺陷。
综上所述,本发明通过将纳米级溴化银浆料凹印导电膜膜材后制备溴化银膜材,在利用溴化银曝光分解为银单质和溴单质的作用,将溴化银膜材转化为由单质银网格线组成的透明导电膜材,相对于纳米银膜材和ITO膜材,显著降低触摸屏方阻,相较3D打印打印铜线,则可显著降低导电线的宽度,降低大尺寸触摸屏制作时导电线过粗对视觉效果产生的影响,并可降低大尺寸触摸屏生产的成本。
以上实施例仅为说明本发明的技术思想,不能以此限定本发明的保护范围,凡是按照本发明提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本发明保护范围之内;本发明未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
Claims (6)
1.一种触摸屏制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)避光条件下,将溴化银浆料以凹版转印制成2~5μm线宽的溴化银膜材,膜材上的溴化银线条分布为网状的形式,网格的密度根据方阻以及透光效果所需调整;
(2)把溴化银膜材经过曝光,然后再经过水洗显影,把多余的溴去掉,剩下所需要的银网格线,形成一张由单质银网格线组成的透明导电膜材;
(3)利用干法或者湿法的蚀刻工艺蚀刻线路和边缘银浆走线,通道里为网格状的银线把整个通道连通形成完整的通道,最后形成触摸所需的触摸图案即得触摸功能片;
(4)触摸功能片通过边缘银浆引线接到IC处理器进行组合和绑定,涂刷光学胶后与盖板玻璃粘结贴合即得触摸屏。
2.根据权利要求1中所述的一种触摸屏制备方法,其特征在于:所述干法的蚀刻方式为光斑直径0.035mm的激光镭射蚀刻,所述湿法蚀刻方式为一次黄光工艺。
3.根据权利要求1中所述的一种触摸屏制备方法,其特征在于:所述溴化银浆料由透明光学胶和溴化银组成,溴化银浓度为20~50wt%。
4.根据权利要求3中所述的一种触摸屏制备方法,其特征在于:所述曝光强度为1000~10000Lx,曝光时间30~60s。
5.根据权利要求1中所述的一种触摸屏制备方法,其特征在于:所述网格的密度与方阻和透光效果均成反比。
6.一种触摸屏,其特征在于,由权利要求1~5中任一项所述一种触摸屏制备方法制备获得。
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