CN110483033A - 一种低密度ito靶材的制备方法 - Google Patents

一种低密度ito靶材的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110483033A
CN110483033A CN201910773128.4A CN201910773128A CN110483033A CN 110483033 A CN110483033 A CN 110483033A CN 201910773128 A CN201910773128 A CN 201910773128A CN 110483033 A CN110483033 A CN 110483033A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ito
target
density
low
indium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910773128.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110483033B (zh
Inventor
叶俊峰
文宏福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Oulai Sputtering Target Co Ltd
SHAOGUAN OULAI HI-TECH MATERIAL Co Ltd
Original Assignee
Dongguan Oulai Sputtering Target Co Ltd
SHAOGUAN OULAI HI-TECH MATERIAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Oulai Sputtering Target Co Ltd, SHAOGUAN OULAI HI-TECH MATERIAL Co Ltd filed Critical Dongguan Oulai Sputtering Target Co Ltd
Priority to CN201910773128.4A priority Critical patent/CN110483033B/zh
Publication of CN110483033A publication Critical patent/CN110483033A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110483033B publication Critical patent/CN110483033B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62204—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products using waste materials or refuse
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明涉及一种低密度ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。相对于现有技术，本发明的低密度ITO靶材通过添加氢氧化铟浆料改变ITO废靶中的铟、锡配比，利用了氢氧化铟浆料的类似胶体的性质，其能够充分与原ITO粉末混合，并充当粘接剂的角色，氢氧化铟脱水形成氧化铟的过程中不会使坯体收缩，保证成型后坯体的体积密度的稳定，克服了使用氧化铟作为改变配比的添加剂时引成型起坯体收缩的技术缺陷。

Description

一种低密度ITO靶材的制备方法
技术领域
本发明涉及ITO靶材的生产领域，特别是涉及一种低密度ITO靶材的制备方法。
背景技术
铟锡氧化物(indium tin oxide)简称ITO，成品为ITO陶瓷靶材，ITO靶材主要的化学成分是In2O3-SnO2。ITO靶材是一种重要的光电功能材料，也是生产电子溅射ITO透明导电膜玻璃，是当今知识经济时代信息产业极为重要的电子陶瓷产品。目前，工业上生产ITO薄膜主要是用ITO靶材磁控溅射镀膜的方法，但是ITO靶材溅射镀膜的利用率仅为30％，剩余的未利用的部分成为废靶，另外，在靶材生产过程中也会产生边角料、切屑等废品。因此，废靶的回收利用是ITO产业中的非常重要的环节。
现有技术中，废靶的回收利用主要是通过回收ITO废靶，再利用其制备新的且符合需求的ITO靶材。目前，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的常见比例有90:10、95:5和93:7等，不同配比的ITO靶材适用于不同的ITO产品。在ITO产业链中，利用回收的ITO废靶制备具有新配比ITO靶材是常见的一种生产方法，通常是将ITO废靶预处理后，通过添加氧化铟(In2O3)和氧化锡(SnO2)粉末，改变废靶中铟、锡含量的配比，最终获得满足配比需要的新ITO靶材。但是，在新ITO靶材制备的过程中，为了改变配比而加入的添加剂如氧化铟等与预处理后的废靶难以混合均匀，需要额外添加有机粘结剂辅助混合后的坯体成型，并且在后续的烧结过程中，由于有机粘结剂的存在，坯体剧烈收缩，从而导致靶材密度增加，是制备ITO靶材，尤其是制备低密度ITO靶材时需要克服的技术难点。
发明内容
基于此，本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种低密度ITO靶材的制备方法，其利用高密度废靶来制备低密度ITO靶材，大大优化了生产工艺，在获得致密度稳定且高品质的低密度ITO靶材的同时大幅降低了生产成本。
本发明是基于以下发明构思实现的：一种低密度ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：
S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；
S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；
S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。
相对于现有技术，本发明的低密度ITO靶材通过添加氢氧化铟浆料改变ITO废靶中的铟、锡配比，利用了氢氧化铟浆料的类似胶体的性质，其能够充分与原ITO粉末混合，并充当粘接剂的角色，氢氧化铟脱水形成氧化铟的过程中不会使坯体收缩，保证成型后坯体的体积密度的稳定，克服了使用氧化铟作为改变配比的添加剂时引成型起坯体收缩的技术缺陷。
进一步地，步骤S1中，所述预处理的步骤包括：
(1)将所述ITO废靶在4-8mol/L的盐酸中浸泡2-4h，再用纯净水洗涤至电导率低于50μS/cm；
(2)将步骤(1)获得的ITO废靶进行烘干、破碎、煅烧获得粒度为200-300目的ITO废靶粉末。通过对ITO废靶进行酸浸的预处理，能够除去ITO废靶表面的结瘤、背铟及污染物，并且，酸的浓度要适中(4-8mol/L)，酸浓度过低时，杂质的清除效果不加；酸浓度过高时，尤其是盐酸浓度过高时，会有大量HCL气体逸出，导致车间设备腐蚀或空气污染。
进一步地，所述ITO废靶中氧化铟与氧化锡的比例为93:7，所述低密度ITO靶材中氧化铟与氧化锡的比例为95:5。本发明利用氢氧化铟作为改变铟锡配比的添加剂，其在500℃左右会水解成氧化铟，从而获得具有新配比的ITO靶材，并且，氢氧化铟脱水过程中会产生大量的空隙，能够建立一个多孔、且蓬松的低密度体系，因此，氢氧化铟非常适用于制备低密度靶材，有利于提高低密度靶材的品质。
进一步地，步骤(2)中，所述煅烧的条件为：在空气气氛下，煅烧温度为600-1300℃。
进一步地，步骤S2中，所述氢氧化铟浆料的制备方法为：将精铟溶解在酸溶液中，再加入碱性物质获得氢氧化铟沉淀，将所述氢氧化铟沉淀洗涤、烘干后获得固含量为30％-50％的所述氢氧化铟浆料。
进一步地，所述酸溶液为盐酸、硝酸和硫酸中的一种或任意几种的结合；所述碱性物质为氨水、氢氧化钠、碳酸钠、尿素中的一种或任意几种的结合。
进一步地，步骤S3中，烧结的条件为：将所述坯体放入真空气氛烧结炉中，在温度为700-1500℃之间进行烧结。
进一步地，所述低密度靶材的致密度为58％-62％。本发明制备的95：5低密度ITO靶材，其致密度为58-62％，能够广泛应用于电子束蒸镀制造ITO导电薄膜。
进一步地，所述ITO废靶为高密度磁控溅射的ITO边角料或残靶。
具体实施方式
申请人在研究ITO废靶的回收利用方法中发现，通过添加氧化铟改变ITO废靶中的铟、锡含量配比会产生一定的技术缺陷，尤其是利用ITO废靶制备低密度ITO靶材时会产生如下技术缺陷：由于氧化铟与预处理后的ITO废靶粉末难以混合均匀，需要额外添加有机粘结剂辅助混合后的坯体成型，并且在后续的烧结过程中，由于有机粘结剂的存在，坯体剧烈收缩，从而导致靶材密度增加，这与制备低密度ITO靶材形成冲突。
因此，申请人特别选用了氢氧化铟浆料作为改变原ITO废靶中铟锡配比的添加剂，从而获得本发明的低密度ITO靶材，氢氧化铟浆料的作用原理及作用效果如下：1、氢氧化铟浆料在500℃左右水解为氧化铟，其改变铟锡配比的原理与直接添加氧化铟效果相同；2、由于氢氧化铟浆料中含水，表现出类似胶体的粘结效果，能够在与ITO废靶粉末混合的过程中充当粘结剂的作用，而不需要额外添加有机粘结剂(有机粘结剂在坯体烧结的过程中会剧烈收缩，导致坯体密度增加)；而氢氧化铟在脱水的过程中不会使坯体收缩，保证了成型体体积的稳定性，有利于形成低密度的ITO靶材。3、氢氧化铟脱水过程中会产生大量的空隙，能够建立一个多孔、且蓬松的低密度体系，因此，氢氧化铟非常适用于制备低密度靶材，有利于提高低密度靶材的品质。
因此，本发明提供了一种低密度ITO靶材的制备方法。以下通过实施例进一步详细说明。
实施例
本发明提供了一种低密度ITO靶材的制备方法，其通过在氧化铟与氧化锡的比例为93:7的ITO废靶中添加氢氧化铟浆料，改变ITO废靶中的铟锡配比，最终获得氧化铟与氧化锡的比例为95:5的低密度ITO靶材，具体地，包括以下步骤：
S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末：
所述ITO废靶为高密度磁控溅射ITO边角料或残靶，其氧化铟与氧化锡的比例为93:7；所述ITO废靶的预处理方法包括以下步骤：
(1)将所述ITO废靶在4-8mol/L的盐酸中浸泡2-4h，再用纯净水(≥18MΩ/cm)洗涤至电导率低于50μS/cm；
(2)将步骤(1)获得的ITO废靶控水、烘干；采用专用鄂破机和对辊机进行一次破碎，其中其鄂板和对辊为刚玉或氧化锆材料；再利用球磨机进行二次破碎，其中球磨机采用锆球或碳化物材质的磨介，并且在空气气氛中以600-1300℃中煅烧，最终获得200-300目的ITO废靶粉末，作为更优选的粒度为250-300目。
S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比需要，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末：
所述氢氧化铟浆料的制备方法为：将精铟(31.4g)溶解在盐酸、硝酸或硫酸中，再加入氨水、氢氧化钠、碳酸钠或尿素等碱性物质获得氢氧化铟沉淀，将所述氢氧化铟沉淀洗涤至溶液导电率≤50μS/cm，烘干后获得固含量为30％-50％的所述氢氧化铟浆料。
将制备得到的所述氢氧化铟浆料与100gITO废靶粉末在棒销式混合机中进行混合，并烘干至含水率5％，总重量为152.5g，获得本实施例的ITO粉末，其中氧化铟与氧化锡的比例为95:5。
S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材：
称取上述ITO粉末28.5g，压制成型为直径20.1mm，厚度20.1mm的坯体，需要说明的是，ITO粉末称取的重量、压制的直径、厚度可以根据实际的产品需要进行选择。
将所述坯体放入真空气氛烧结炉中，在700-1500℃中进行烧结，最终获得本发明的低密度ITO靶材，其直径20.05mm，厚度20.06mm，重量27.1g，致密度为60％。
相对于现有技术，本发明的低密度ITO靶材通过添加氢氧化铟浆料改变ITO废靶中的铟、锡配比，利用了氢氧化铟浆料的类似胶体的性质，其能够充分与原ITO粉末混合，并充当粘接剂的角色，氢氧化铟脱水形成氧化铟的过程中不会使坯体收缩，保证成型后坯体的体积密度的稳定，克服了使用氧化铟作为改变配比的添加剂时引成型起坯体收缩的技术缺陷。另外，本发明制备的95:5的低密度靶材的致密度为58-62％，能够广泛应用于电子束蒸镀制造ITO导电薄膜。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；
S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；
S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。
2.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述预处理的步骤包括：
(1)将所述ITO废靶在4-8mol/L的盐酸中浸泡2-4h，再用纯净水洗涤至电导率低于50μS/cm；
(2)将步骤(1)获得的ITO废靶进行烘干、破碎、煅烧获得粒度为200-300目的ITO废靶粉末。
3.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述ITO废靶中氧化铟与氧化锡的比例为93:7，所述低密度ITO靶材中氧化铟与氧化锡的比例为95:5。
4.根据权利要求2所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述煅烧的条件为：在空气气氛下，煅烧温度为600-1300℃。
5.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述氢氧化铟浆料的制备方法为：将精铟溶解在酸溶液中，再加入碱性物质获得氢氧化铟沉淀，将所述氢氧化铟沉淀洗涤、烘干后获得固含量为30％-50％的所述氢氧化铟浆料。
6.根据权利要求5所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述酸溶液为盐酸、硝酸和硫酸中的一种或任意几种的结合；所述碱性物质为氨水、氢氧化钠、碳酸钠、尿素中的一种或任意几种的结合。
7.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：步骤S3中，烧结的条件为：将所述坯体放入真空气氛烧结炉中，在温度为700-1500℃之间进行烧结。
8.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述低密度靶材的致密度为58％-62％。
9.根据权利要求1所述的一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：所述ITO废靶为高密度磁控溅射的ITO边角料或残靶。
CN201910773128.4A 2019-08-21 2019-08-21 一种低密度ito靶材的制备方法 Active CN110483033B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910773128.4A CN110483033B (zh) 2019-08-21 2019-08-21 一种低密度ito靶材的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910773128.4A CN110483033B (zh) 2019-08-21 2019-08-21 一种低密度ito靶材的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110483033A true CN110483033A (zh) 2019-11-22
CN110483033B CN110483033B (zh) 2022-02-08

Family

ID=68551621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910773128.4A Active CN110483033B (zh) 2019-08-21 2019-08-21 一种低密度ito靶材的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110483033B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111647857A (zh) * 2020-05-27 2020-09-11 先导薄膜材料（广东）有限公司 碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法
CN112079627A (zh) * 2020-09-16 2020-12-15 韶关市欧莱高新材料有限公司 一种由ito废靶直接粉碎制粉并生产ito靶材的制备方法
CN112591785A (zh) * 2021-02-01 2021-04-02 广西晶联光电材料有限责任公司 一种利用ito废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102731068A (zh) * 2012-07-04 2012-10-17 韶关西格玛技术有限公司 一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法
CN102826856A (zh) * 2012-08-21 2012-12-19 苏州晶纯新材料有限公司 一种高纯低密度ito靶材及其制备方法
CN105294073A (zh) * 2015-11-10 2016-02-03 广西晶联光电材料有限责任公司 一种烧结ito低密度圆柱颗粒的制备方法
CN107129277A (zh) * 2017-04-07 2017-09-05 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法
CN109956746A (zh) * 2017-12-25 2019-07-02 株洲冶炼集团股份有限公司 一种回收再利用ito废靶的工艺方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102731068A (zh) * 2012-07-04 2012-10-17 韶关西格玛技术有限公司 一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法
CN102826856A (zh) * 2012-08-21 2012-12-19 苏州晶纯新材料有限公司 一种高纯低密度ito靶材及其制备方法
CN105294073A (zh) * 2015-11-10 2016-02-03 广西晶联光电材料有限责任公司 一种烧结ito低密度圆柱颗粒的制备方法
CN107129277A (zh) * 2017-04-07 2017-09-05 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种ito废靶回收粉末制备ito靶材的方法
CN109956746A (zh) * 2017-12-25 2019-07-02 株洲冶炼集团股份有限公司 一种回收再利用ito废靶的工艺方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111647857A (zh) * 2020-05-27 2020-09-11 先导薄膜材料（广东）有限公司 碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法
CN112079627A (zh) * 2020-09-16 2020-12-15 韶关市欧莱高新材料有限公司 一种由ito废靶直接粉碎制粉并生产ito靶材的制备方法
CN112591785A (zh) * 2021-02-01 2021-04-02 广西晶联光电材料有限责任公司 一种利用ito废料制备氧化铟粉和氧化铟锡粉的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110483033B (zh) 2022-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110483033A (zh) 一种低密度ito靶材的制备方法
CN101475200B (zh) 近球形硫酸法硫酸钡的制备方法及在铜箔基板中的应用
CN101591023A (zh) 一种利用高铝粉煤灰制备硅酸钙微粉的方法
WO2022252931A1 (zh) 一种抗菌和防静电的实验室陶瓷台面板及其制备方法
CN103274711B (zh) 一种高强低导镁铝尖晶石砖
CN111393172B (zh) 一种基于硅酸盐体系的无机坯体增强剂
CN109111760A (zh) 一种黑色氧化铝陶瓷用色剂及其制备方法和应用
CN103420680A (zh) 一种陶瓷坯体增强剂及应用
CN103319143B (zh) 一种钾长石尾矿免烧砖及其制备方法
CN112830698A (zh) 利用锂辉石浮选尾矿酸热激发制备免烧地聚物材料的方法
CN103664207A (zh) 一种氧化铝基镁铝尖晶石的湿法烧结生产方法
CN101633581A (zh) 一种微波辐射快速制备地质聚合物材料的方法
CN102674819A (zh) 一种高韧性氧化铝陶瓷及其制备方法与应用
CN101786868B (zh) 一种免烧耐酸陶瓷的制备方法
CN103848624A (zh) 一种锆刚玉陶瓷坩埚的制备方法
CN106673681A (zh) 一种利用回收粘土砖生产的高强度粘土质耐火砖
CN104276576A (zh) 一种微波加热煅烧高白度粉末材料的装置
CN101672080B (zh) 一种高石粉掺量烧结砖制备方法
CN107971039B (zh) 由有机铝废弃物制备氧化铝载体或复合氧化物载体的方法
CN104528745A (zh) 采用粉煤灰制备合成硅灰石的方法
CN108373334A (zh) 基于废瓷回收利用的3d打印浆料及其专用粘结剂的制备方法
CN101353264B (zh) 一种改进陶瓷金属化层显微结构的方法
CN110255939B (zh) 一种泡沫陶瓷轻集料及其制备方法
CN113620287A (zh) 一种以木质素为碳的前躯体采用“内浸-外包”技术的氮掺杂电容炭及其制备方法
CN107686361A (zh) 一种镁橄榄石轻质耐火材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 512000 factory building C, No. 5 Chuangye Road, Wujiang District, Shaoguan City, Guangdong Province

Applicant after: Guangdong Oulai high tech materials Co.,Ltd.

Applicant after: Dongguan Oulai sputtering target Co., Ltd

Address before: 512000 Yangshan Area, Muxi Industrial Park, Wujiang District, Shaoguan City, Guangdong Province

Applicant before: SHAOGUAN OULAI HI-TECH MATERIAL Co.,Ltd.

Applicant before: Dongguan Oulai sputtering target Co., Ltd

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant