CN110473881A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基底，所述基底包括主显示区域和相对于第一轴线弯曲并且从所述主显示区域延伸的边缘显示区域；布线，所述布线包括在与所述第一轴线交叉的方向上布置在所述边缘显示区域中的多个子布线；绝缘层，所述绝缘层包括多个接触孔并且覆盖所述多个子布线；以及连接布线，所述连接布线设置在所述绝缘层上并且通过所述多个接触孔连接所述多个子布线。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年5月9日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0053207号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的一个或多个实施例涉及显示装置，并且更具体地涉及具有弯曲的显示区域的立体显示装置。
背景技术
可通过弯曲显示区域的至少一部分提供立体显示装置。根据位于立体显示装置的显示区域中的布线的类型，当布线相对于弯曲轴线弯曲时，可增加施加到布线的弯曲应力的偏差。在使显示区域弯曲的过程期间，所增加的弯曲应力的偏差可导致对布线的损坏。
发明内容
本公开的一个或多个实施例包括立体显示装置，所述立体显示装置无论弯曲轴线和所述布线的类型如何均可减小施加到布线的应力的偏差并且可具有改善的可靠性。将在以下描述中对附加方面进行部分地阐述，并且所述附加方面将从描述中部分地显现出来，或者可通过对提供的实施例的实践而习得所述附加方面。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：基底，所述基底包括主显示区域和相对于第一轴线弯曲并且从所述主显示区域延伸的边缘显示区域；布线，所述布线包括在与所述第一轴线交叉的方向上布置在所述边缘显示区域中的多个子布线；绝缘层，所述绝缘层包括多个接触孔并且覆盖所述多个子布线；以及连接布线，所述连接布线设置在所述绝缘层上并且通过所述多个接触孔连接所述多个子布线。
所述连接布线的弹性模量可小于所述多个子布线的弹性模量。
所述显示装置还可包括：多个显示元件，所述多个显示元件位于所述边缘显示区域中；扫描线，所述扫描线电连接到所述多个显示元件；以及数据线，所述数据线电连接到所述多个显示元件，其中，所述布线是所述扫描线和所述数据线中的一个。
所述显示装置还可包括位于所述边缘显示区域中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层和栅电极，其中，所述多个子布线和所述栅电极包括相同的材料。
所述显示装置还可包括：驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管位于所述边缘显示区域中；和存储电容器，所述存储电容器包括下部存储电容器板和上部存储电容器板，其中，所述驱动薄膜晶体管和所述存储电容器彼此重叠。
所述多个子布线和所述上部存储电容器板可包括相同的材料。
所述显示装置还可包括设置在所述基底和所述绝缘层之间的至少一个无机绝缘层，其中，所述至少一个无机绝缘层包括与所述多个子布线中的相邻子布线之间的区域对应的谷。
所述绝缘层可填充所述谷并且所述绝缘层可包括有机绝缘材料。
所述绝缘层可包括无机绝缘层，所述无机绝缘层包括与所述谷对应的开口。
所述显示装置还可包括填充所述谷和所述开口的有机绝缘层。
所述显示装置还可包括连接到所述边缘显示区域并且位于与所述主显示区域不同的平面上的侧面显示区域。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：基底，所述基底包括主显示区域、位于所述主显示区域的第一侧上的第一边缘显示区域以及位于所述主显示区域的第二侧上的第二边缘显示区域，其中，所述第一边缘显示区域和所述第二边缘显示区域分别相对于第一轴线和第二轴线弯曲；多个显示元件，所述多个显示元件位于所述主显示区域、所述第一边缘显示区域以及所述第二边缘显示区域中；布线，所述布线电连接到所述多个显示元件，所述布线包括多个子布线，所述多个子布线位于所述第一边缘显示区域中并且沿着与所述第一轴线交叉的交叉方向彼此间隔开；绝缘层，所述绝缘层设置在所述多个子布线上并且具有多个接触孔；以及多个连接布线，所述多个连接布线设置在所述绝缘层上并且通过所述多个接触孔连接所述多个子布线。
所述多个连接布线可位于所述第一边缘显示区域中并且沿着所述交叉方向彼此间隔开。
所述多个连接布线可在所述交叉方向上穿越所述第一边缘显示区域。
所述多个连接布线的弹性模量可小于所述多个子布线的弹性模量。
所述多个连接布线可包括铝。
所述显示装置还可包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于所述第一边缘显示区域中的半导体层和栅电极，其中，所述多个子布线和所述栅电极包括相同的材料。
所述显示装置还可包括电连接到所述薄膜晶体管的数据线，其中，所述多个连接布线插设在所述栅电极和所述数据线之间。
所述显示装置还可包括从所述第一边缘显示区域延伸并且位于与所述主显示区域垂直的平面上的侧面显示区域。
所述显示装置还可包括覆盖所述主显示区域、所述第一边缘显示区域以及所述第二边缘显示区域的封装构件。
附图说明
从以下结合附图对实施例的描述中，这些方面和/或其它方面将变得明显且更易于理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是图1的显示装置的透视图；
图3是根据实施例的显示装置的像素的等效电路图；
图4是根据实施例的显示装置的透视图；
图5A是沿着图4的线V-V'截取的剖视图；
图5B是示出对图5A的修改的视图；
图6是根据另一实施例的显示装置的透视图；
图7A是沿着图6的线VII-VII'截取的剖视图；
图7B是示出对图7A的修改的视图；
图8是根据另一实施例的显示装置的像素的等效电路图；
图9是示出根据实施例的显示装置的像素的平面图；
图10是示出根据实施例的显示装置的第一边缘显示区域的一部分的平面图；
图11A是沿着图10的线XIa-XIa'截取的剖视图；
图11B是沿着图10的线XIb-XIb'截取的剖视图；
图12A和图12B是示出根据另一实施例的第一边缘显示区域的一部分的剖视图；
图13A和图13B是示出根据另一实施例的第一边缘显示区域的一部分的剖视图；以及
图14A和图14B是示出根据另一实施例的第一边缘显示区域的一部分的剖视图。
具体实施方式
本公开包括各种实施例和修改，并且将在图中示出本公开的实施例并且将在文中详细描述本公开的实施例。将参照其中示出实施例的附图更充分地描述本公开的优点和特征以及实现所述优点和特征的方法。然而，本公开可以以很多不同的方式来实施，并且不应当被解释为限于文中阐述的实施例。
现在将详细参考实施例，在附图中示出了所述实施例的示例。在图中，由相同的附图标记指示相同的元件，并且可省略所述相同的元件的重复说明。
将理解的是，尽管文中可以使用术语“第一”和“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
如文中所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述”也意图包括复数形式。
还将理解的是，文中使用的术语“包括”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征或组件。
将理解的是，当将层、区域或元件描述为“形成在”另一层、另一区域或另一元件“上”时，所述层、区域或元件可直接或间接形成在另一层、另一区域或另一元件上。即，例如，在所述层、区域或元件和所述另一层、另一区域或另一元件之间可以存在一个或多个中间层、中间区域或中间元件。
在附图中，为了便于解释，可以放大地示出元件的尺寸和厚度。换言之，由于为便于解释而任意地示出图中的元件的尺寸和厚度，因此，下面的实施例可不受此限制。
当可以不同地实施某一实施例时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解的是，当将层、区域或元件描述为“连接到”另一层、另一区域或另一元件时，所述层、区域或元件可直接连接到所述另一层、另一区域或另一元件，或者可存在一个或多个中间层、中间区域或中间元件。例如，将理解的是，当将层、区域或元件描述为“电连接到”另一层、另一区域或另一元件时，所述层、区域或元件可直接电连接到所述另一层、另一区域或另一元件，或者可存在一个或多个中间层、中间区域或中间元件。
如文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项的任何组合和全部组合。当诸如“至少一个”的表述位于一系列元件之后时，所述表述可修饰整个系列的元件而可不修饰所述系列中的单独元件。
图1是根据实施例的显示装置10的平面图。图2是图1的显示装置10的透视图。
显示装置10包括其中设置有多个像素P的显示区域DA和设置在显示区域DA的周边处的外围区域PA。用于将电信号或功率信号施加到像素P的驱动器可位于作为非显示区域的外围区域PA中。外围区域PA可包括一个或多个焊盘，电子元件或印刷电路板可电连接到所述一个或多个焊盘。
图1可代表在制造工艺期间的显示装置10的基底。例如，基底可具有显示区域DA和外围区域PA。在显示装置10或包括显示装置10的电子设备中，可将显示区域DA和基底的一部分弯曲。例如，图1的显示区域DA可相对于多个轴线弯曲。图2示出显示区域DA相对于四个轴线弯曲。
参照图2，显示区域DA可包括：主显示区域DA1；第一边缘显示区域DA2和第二边缘显示区域DA3，所述第一边缘显示区域DA2和第二边缘显示区域DA3从主显示区域DA1弯曲；以及第一侧面显示区域DA4和第二侧面显示区域DA5，所述第一侧面显示区域DA4和第二侧面显示区域DA5分别从第一边缘显示区域DA2和第二边缘显示区域DA3延伸并且位于与主显示区域DA1不同的平面(例如，垂直于主显示区域DA1的平面)上。
第一边缘显示区域DA2可相对于在第一方向(例如，方向Dr1)上延伸的第一轴线BAX1弯曲，并且第二边缘显示区域DA3可相对于在第二方向(例如，方向Dr2)上延伸并与第一方向交叉的第二轴线BAX2弯曲。第一边缘显示区域DA2可沿着第一轴线BAX1向外弯曲以具有第一曲率半径R1，并且第二边缘显示区域DA3可沿着第二轴线BAX2向外弯曲以具有第二曲率半径R2。第一曲率半径R1和第二曲率半径R2可彼此相同或彼此不同。
在图1和图2中所示的实施例中，主显示区域DA1具有矩形形状，第一轴线BAX1是长轴线，并且第二轴线BAX2是短轴线。然而，应理解的是，本公开不限于此。在另一实施例中，第一轴线BAX1可以是短轴线，并且第二轴线BAX2可以是长轴线。在另一实施例中，主显示区域DA1可具有多边形形状，诸如，三角形形状、五角形形状以及六角形形状。
图3是根据实施例的显示装置10的像素的等效电路图。
位于显示装置10的显示区域DA中的每个像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件。在图3中，将有机发光二极管(OLED)示出为显示元件的示例。
像素电路PC可包括第一薄膜晶体管(TFT)T1、第二TFT T2以及存储电容器Cst。
第二TFT T2是连接到扫描线SL和数据线DL的开关TFT，并且基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一TFT T1。存储电容器Cst连接到第二TFT T2和驱动电压线PL，并且存储与在从第二TFT T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一TFT T1是连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动TFT。第一TFT T1可基于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过OLED的驱动电流。OLED可基于驱动电流发射具有预定亮度的光。虽然在图3中所示的实施例中，像素电路PC包括两个TFT T1、T2和一个存储电容器Cst，但是本公开不限于此。TFT的数量和存储电容器的数量可根据像素电路PC的设计而被各种改变。
图4是根据实施例的显示装置10的透视图。
参照图4，位于显示装置10的显示区域DA中的多个像素P电连接到穿越显示区域DA的布线。图4示出一个像素P电连接到第一布线11和第二布线12。第一布线11可以是参照图3描述的数据线DL或者驱动电压线PL，并且第二布线12可以是参照图3描述的扫描线SL。
在显示区域DA中，第一布线11和第二布线12分别在例如第一方向(例如，方向Dr1)和第二方向(例如，方向Dr2)的不同方向上延伸。第一布线11和第二布线12可位于不同的层上，并且至少一个绝缘层在所述不同的层之间，并且第一布线11和第二布线12可包括不同的金属材料。在实施例中，第一布线11可包括具有比第二布线12的韧性高的韧性的金属。包括具有高韧性的金属(例如，铝(Al))的第一布线11可一体形成以穿过主显示区域DA1、第二边缘显示区域DA3以及第二侧面显示区域DA5。相比之下，当显示区域DA相对于第一轴线BAX1弯曲时，包括具有相对低的韧性的金属(例如，钼(Mo))的第二布线12可被应力损坏，并且当显示区域DA弯曲时，在沿着第一轴线BAX1减小曲率半径R1方面可存在限制。
然而，根据实施例，第二布线12的与主显示区域DA1和第一侧面显示区域DA4对应的部分可连续地延伸以穿越主显示区域DA1和第一侧面显示区域DA4，然而第二布线12的与第一边缘显示区域DA2对应的部分可不连续地延伸。下文中，第二布线12的在第一边缘显示区域DA2中沿着第二方向彼此分离的部分被称作子布线12A。包括在第一边缘显示区域DA2中彼此分离的子布线12A的第二布线12可防止当第二布线12在第一边缘显示区域DA2中连续地延伸时可出现的问题，例如，由于弯曲应力导致的对第二布线12的损坏，因此，可减小第一边缘显示区域DA2的曲率半径R1。在第一边缘显示区域DA2中彼此分离的子布线12A由将在下面进一步详细讨论的多个连接布线14连接。
图5A是沿着图4的线V-V'截取的剖视图。图5B是示出对图5A的修改的视图。
参照图5A，第一绝缘层21位于基底100上，并且包括子布线12A的第二布线12位于第一绝缘层21上。第二布线12在与第一轴线BAX1交叉的方向上延伸，所述第一轴线BAX1是第一边缘显示区域DA2的弯曲轴线。基底100可包括各种柔性或可弯曲材料中的任何一种。例如，基底100可包括聚合物树脂，所述聚合物树脂诸如是聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。
第二布线12在主显示区域DA1中连续地延伸，并且子布线12A在第一边缘显示区域DA2中彼此分离。子布线12A可由第二绝缘层22覆盖。相邻的子布线12A通过位于第二绝缘层22上的连接布线14彼此连接。连接布线14可通过形成在第二绝缘层22中的接触孔接触相邻的子布线12A。第一绝缘层21可包括氧化硅或氮化硅。第二绝缘层22可包括诸如氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅的无机绝缘材料，或者可包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
由于通过连接布线14连接分离的子布线12A，因此在其中第二布线12延伸的方向Dr2上布置的像素P的OLED可接收相同的信号，例如，相同的扫描信号。OLED可位于覆盖连接布线14的第四绝缘层24上，并且可由封装构件30覆盖。图5A示出第三绝缘层23在第二绝缘层22和第四绝缘层24之间。在另一实施例中，可省略第三绝缘层23。
连接布线14可包括具有比第二布线12的弹性模量小的弹性模量的金属。在此情况下，连接布线14可比第二布线12软。作为非限制性示例，第二布线12包括钼(Mo)，并且连接布线14包括铝(Al)。
在图5A中，虽然连接布线14在第一边缘显示区域DA2中在与第一轴线BAX1交叉的方向上彼此分离，但是本公开不限于此。
如图5B中所示，连接布线14'可位于第一边缘显示区域DA2中，并且可在与第一轴线BAX1交叉的方向上连续地延伸。连续的连接布线14'可通过形成在第二绝缘层22中的多个接触孔同时连接多个子布线12A。
在图4至图5B中，虽然第二布线12包括在第一边缘显示区域DA2中彼此分离的子布线12A，但是本公开不限于此。
图6是根据另一实施例的显示装置10的透视图。图7A是沿着图6线VII-VII'截取的剖视图。图7B是示出对图7A的修改的视图。
参照图6和图7A，第一绝缘层21位于基底100上，并且第二绝缘层22位于第一绝缘层21上。第一布线11位于第二绝缘层22上。第二布线12可包括具有比第一布线11的韧性高的韧性的金属。第一布线11可在与作为第二边缘显示区域DA3的弯曲轴线的第二轴线BAX2交叉的方向上延伸，并且第一布线11的与第二边缘显示区域DA3对应的部分可不连续地延伸。
例如，第一布线11的与主显示区域DA1和第二侧面显示区域DA5对应的部分可连续地延伸以穿越主显示区域DA1和第二侧面显示区域DA5，然而第一布线11的与第二边缘显示区域DA3对应的部分可不连续地延伸。下文中，第一布线11的在第二边缘显示区域DA3中彼此分离的部分被称作子布线11A。第一布线11的子布线11A在第二边缘显示区域DA3中彼此分离以减小应力。子布线11A可由第三绝缘层23覆盖。子布线11A由位于第三绝缘层23上的连接布线15连接。连接布线15可通过形成在第三绝缘层23中的多个接触孔接触子布线11A。第三绝缘层23可包括诸如氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅的无机绝缘材料，或者可包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
如图7A中所示，连接布线15可在第二边缘显示区域DA3中在与第二轴线BAX2交叉的方向上彼此分离以连接相邻的子布线11A。可替代地，如图7B中所示，连接布线15'可在第二边缘显示区域DA3中在与第二轴线BAX2交叉的方向上连续地延伸以同时连接子布线11A。连接布线15和15'中的每个可包括具有比子布线11A的弹性模量小的弹性模量的金属。
第一布线11可以是参照图3描述的数据线。例如包括氧化硅或氮化硅的第一绝缘层21和第二绝缘层22可位于子布线11A和基底100之间。连接到第一布线11的像素的OLED可接收相同的信号，例如，相同的数据信号。OLED可位于覆盖连接布线15或15'的第四绝缘层24(例如，有机绝缘层)上，并且可由封装构件30覆盖。
图8是根据另一实施例的显示装置10的像素的等效电路图。
参照图8，像素电路PC可包括第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4、第五TFT T5、第六TFT T6以及第七TFT T7。
信号线包括用于传输扫描信号Sn的扫描线SL、用于将先前扫描信号Sn-1传输到第四TFT T4和第七TFT T7的先前扫描线SL-1、用于将控制信号En传输到第五TFT T5和第六TFT T6的发射控制线EL以及用于传输数据信号Dm的数据线DL。数据线DL与扫描线SL交叉。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到第一TFT T1，并且初始化电压线VL传输用于初始化第一TFT T1和OLED的像素电极的初始化电压Vint。下面将进一步详细地讨论像素电路PC的工作。
第一TFT T1是驱动TFT，并且第一TFT T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，第一TFT T1的驱动源电极S1经由第五TFT T5连接到驱动电压线PL，并且第一TFT T1的驱动漏电极D1经由第六TFT T6电连接到OLED的像素电极。第一TFTT1根据第二TFT T2的开关操作在驱动源电极S1上接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供应到OLED。
第二TFT T2是开关TFT，并且第二TFT T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL，第二TFT T2的开关源电极S2连接到数据线DL，并且第二TFT T2的开关漏电极D2连接到第一TFTT1的驱动源电极S1并且经由第五TFT T5连接到驱动电压线PL。第二TFT T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到第一TFTT1的驱动源电极S1的开关操作。
第三TFT T3是补偿TFT，并且第三TFT T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，第三TFT T3的补偿源电极S3连接到第一TFT T1的驱动漏电极D1并且经由第六TFT T6连接到OLED的像素电极，并且第三TFT T3的补偿漏电极D3同时连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第四TFT T4的第一初始化漏电极D4以及第一TFT T1的驱动栅电极G1。第三TFT T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且通过将第一TFT T1的驱动栅电极G1电连接到第一TFT T1的驱动漏电极D1而二极管方式连接第一TFT T1。
第四TFT T4是第一初始化TFT，并且第四TFT T4的第一初始化栅电极G4连接到先前扫描线SL-1，第四TFT T4的第一初始化源电极S4连接到第七TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第四TFT T4的第一初始化漏电极D4同时连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第三TFT T3的补偿漏电极D3以及第一TFT T1的驱动栅电极G1。第四TFT T4根据通过先前扫描线SL-1接收的先前扫描信号Sn-1而导通，并且通过将初始化电压Vint传输到第一TFT T1的驱动栅电极G1执行初始化第一TFT T1的驱动栅电极G1的电压的初始化操作。
第五TFT T5是操作控制TFT，并且第五TFT T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，第五TFT T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，并且第五TFT T5的操作控制漏电极D5连接到第一TFT T1的驱动源电极S1和第二TFT T2的开关漏电极D2。
第六TFT T6是发射控制TFT，并且第六TFT T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，第六TFT T6的发射控制源电极S6连接到第一TFT T1的驱动漏电极D1和第三TFT T3的补偿源电极S3，并且第六TFT T6的发射控制漏电极D6电连接到第七TFT T7的第二初始化源电极S7和OLED的像素电极。
第五TFT T5和第六TFT T6根据通过发射控制线EL接收的控制信号En同时导通，并且通过允许驱动电流IOLED流过OLED将驱动电压ELVDD施加到OLED的像素电极以导通OLED。
第七TFT T7是第二初始化TFT，并且第七TFT T7的第二初始化栅电极G7连接到先前扫描线SL-1，第七TFT T7的第二初始化源电极S7连接到第六TFT T6的发射控制漏电极D6和OLED的像素电极，并且第七TFT T7的第二初始化漏电极D7连接到第四TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第七TFT T7根据通过先前扫描线SL-1接收的先前扫描信号Sn-1而导通并且初始化OLED的像素电极。
图9是示出根据实施例的显示装置10的像素的平面图。图9的像素P包括参照图8描述的像素电路PC。
参照图9，第一TFT T1至第七TFT T7可沿着半导体层形成，并且半导体层可弯曲成各种形状中的任何一种。
半导体层可包括可彼此连接的第一TFT T1的驱动半导体层130a、第二TFT T2的开关半导体层130b、第三TFT T3的补偿半导体层130c、第四TFT T4的第一初始化半导体层130d、第五TFT T5的操作控制半导体层130e、第六TFT T6的发射控制半导体层130f以及第七TFT T7的第二初始化半导体层130g。半导体层可包括多晶硅。可替代地，半导体层可包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或者有机半导体材料。半导体层可包括沟道区和位于沟道区的两侧的源区和漏区。沟道区是其中扫描线SL、先前扫描线SL-1、发射控制线EL或者驱动栅电极125a(即，图8的驱动栅电极G1)与半导体层重叠的区域。源区和漏区可以是这样的区域，所述区域可通过将扫描线SL、先前扫描线SL-1、发射控制线EL以及驱动栅电极125a用作自对准掩模来掺杂杂质并且可对应于源电极和漏电极。
第一TFT T1包括驱动半导体层130a和驱动栅电极125a。驱动半导体层130a包括可掺杂有杂质的驱动源区176a和驱动漏区177a以及位于驱动源区176a和驱动漏区177a之间的驱动沟道区。驱动沟道区可对应于驱动半导体层130a的与驱动栅电极125a重叠的一部分。如图9中所示，驱动沟道区可具有弯曲的形状。
存储电容器Cst可与第一TFT T1重叠。存储电容器Cst包括彼此重叠的下部存储电容器板(即，图8的第一存储电容器板Cst1)和上部存储电容器板127(例如，图8的第二存储电容器板Cst2)。例如，下部存储电容器板可以是第一TFT T1的驱动栅电极125a。下文中，为了方便起见，还可将下部存储电容器板标记为表示第一TFT T1的驱动栅电极125a的125a。当将存储电容器Cst和第一TFT T1被设计为彼此重叠并且减小像素尺寸以实现高分辨率和高质量图像时，可充分地确保形成下部存储电容器板125a和上部存储电容器板127的面积。上部存储电容器板127可通过接触孔168电连接到驱动电压线PL。
第二TFT T2包括开关半导体层130b和开关栅电极125b(即，图8的开关栅电极G2)。开关半导体层130b包括可掺杂有杂质的开关源区176b和开关漏区177b以及位于开关源区176b和开关漏区177b之间的开关沟道区。开关沟道区可对应于开关半导体层130b的与开关栅电极125b重叠的一部分，并且开关栅电极125b可对应于扫描线SL的一部分。开关源区176b可通过接触孔164电连接到数据线DL，并且开关漏区177b可连接到第一TFT T1和第五TFT T5。
第三TFT T3包括补偿半导体层130c和补偿栅电极125c1和125c2(即，图8的补偿栅电极G3)。补偿半导体层130c包括可掺杂有杂质的补偿源区176c和补偿漏区177c以及位于补偿源区176c和补偿漏区177c之间的补偿沟道区。补偿沟道区可对应于补偿半导体层130c的与补偿栅电极125c1和125c2重叠的一部分，并且补偿栅电极125c1和125c2可对应于扫描线SL的一部分。
第三TFT T3的补偿漏区177c和第四TFT T4的第一初始化漏区177d可通过节点连接线174连接到存储电容器Cst。节点连接线174的一端可通过接触孔166连接到补偿漏区177c和第一初始化漏区177d，并且节点连接线174的另一端可通过接触孔167连接到下部存储电容器板125a。在此情况下，与接触孔167对应的存储开口127H可形成在存储电容器Cst的上部存储电容器板127中。
第四TFT T4包括第一初始化半导体层130d和第一初始化栅电极125d1和125d2(即，图8的第一初始化栅电极G4)。第一初始化半导体层130d包括可掺杂有杂质的第一初始化源区176d和第一初始化漏区177d以及位于第一初始化源区176d和第一初始化漏区177d之间的第一初始化沟道区。第一初始化沟道区可对应于第一初始化半导体层130d的与第一初始化栅电极125d1和125d2重叠的一部分，并且第一初始化栅电极125d1和125d2可对应于先前扫描线SL-1的一部分。第一初始化源区176d通过初始化连接线173连接到初始化电压线VL。初始化连接线173的一端可通过接触孔161连接到初始化电压线VL，并且初始化连接线173的另一端可通过接触孔162连接到第一初始化源区176d。
第五TFT T5包括操作控制半导体层130e和操作控制栅电极125e(即，图8的操作控制栅电极G5)。操作控制半导体层130e包括可掺杂有杂质的操作控制源区176e和操作控制漏区177e以及位于操作控制源区176e和操作控制漏区177e之间的操作控制沟道区。操作控制沟道区可对应于操作控制半导体层130e的与操作控制栅电极125e重叠的一部分，并且操作控制栅电极125e可对应于发射控制线EL的一部分。操作控制源区176e可通过接触孔165电连接到驱动电压线PL。
第六TFT T6包括发射控制半导体层130f和发射控制栅电极125f(即，图8的发射控制栅电极G6)。发射控制半导体层130f包括可掺杂有杂质的发射控制源区176f和发射控制漏区177f以及位于发射控制源区176f和发射控制漏区177f之间的发射控制沟道区。发射控制沟道区可对应于发射控制半导体层130f的与发射控制栅电极125f重叠的一部分，并且发射控制栅电极125f可对应于发射控制线EL的一部分。发射控制漏区177f可通过接触孔163连接到导电层175。导电层175可通过接触孔183电连接到OLED的像素电极。
第七TFT T7包括第二初始化半导体层130g和第二初始化栅电极125g(即，图8的第二初始化栅电极G7)。第二初始化半导体层130g包括可掺杂有杂质的第二初始化源区176g和第二初始化漏区177g以及位于第二初始化源区176g和第二初始化漏区177g之间的第二初始化沟道区。第二初始化沟道区可对应于第二初始化半导体层130g的与第二初始化栅电极125g重叠的一部分，并且第二初始化栅电极125g可对应于先前扫描线SL-1的一部分。
第七TFT T7的第二初始化源区176g可连接到第六TFT T6的发射控制漏区177f和OLED的像素电极，并且第二初始化漏区177g可连接到第四TFT T4的第一初始化源区176d和初始化电压线VL。第七TFT T7可根据通过先前扫描线SL-1接收的先前扫描信号Sn-1而导通以初始化OLED的像素电极。
参照图9，数据线DL和驱动电压线PL在第一方向(例如，方向Dr1)上延伸，并且扫描线SL、先前扫描线SL-1、发射控制线EL以及初始化电压线VL在第二方向(例如，方向Dr2)上延伸。在实施例中，在第一方向上延伸的数据线DL和驱动电压线PL可包括第一金属(例如，铝)。在第二方向上延伸的扫描线SL、先前扫描线SL-1、发射控制线EL以及初始化电压线VL可包括第二金属(例如，钼)。第一金属可以是柔性金属，并且第二金属可比第一金属更易受应力损坏。
在第二方向上延伸的扫描线SL、先前扫描线SL-1、发射控制线EL以及初始化电压线VL如参照图4所述地在主显示区域DA1和第一侧面显示区域DA4中连续地延伸。相比之下，一个像素的扫描线SL和相邻像素的扫描线SL可在第一边缘显示区域DA2中彼此分离，并且可通过多个连接布线中的一个连接布线来连接。同样地，一个像素的先前扫描线SL-1、发射控制线EL以及初始化电压线VL和相邻像素的先前扫描线SL-1、发射控制线EL以及初始化电压线VL可分别彼此分离，并且可分别通过多个连接布线中的一个连接布线来连接。
图10是示出根据实施例的显示装置10的第一边缘显示区域DA2的一部分的平面图。图11A是沿着图10的线XIa-XIa'截取的剖视图。图11B是沿着图10的线XIb-XIb'截取的剖视图。虽然图11A和图11B是相对于参照图2所述的第一轴线BAX1弯曲的第一边缘显示区域DA2的剖视图，但是为方便起见，图11A和图11B示出了弯曲第一边缘显示区域DA2之前的状态。
参照图10，第一边缘显示区域DA2相对于在第一方向上的第一轴线BAX1弯曲，并且彼此相邻的第一像素P1和第二像素P2位于第一边缘显示区域DA2中。邻近的第一像素P1和第二像素P2中的每个包括像素电路(例如，图8的像素电路PC)和显示元件。第一像素P1和第二像素P2中的每个的像素电路可包括TFT(例如，T1至T7)、存储电容器(例如，Cst)以及如图3和图10中所述的布线。邻近的第一像素P1和第二像素P2分别包括第一扫描线SLa和第二扫描线SLb、第一先前扫描线SL-1a和第二先前扫描线SL-1b、第一发射控制线ELa和第二发射控制线ELb以及第一初始化电压线VLa和第二初始化电压线VLb，并且所述第一像素P1和第二像素P2的布线彼此分离。
第一像素P1的第一扫描线SLa和第二像素P2的第二扫描线SLb彼此分离并且通过第一连接布线141来连接。
参照图11A，彼此分离的第一扫描线SLa和第二扫描线SLb可位于基底100上。在基底100与第一扫描线SLa和第二扫描线SLb之间可设有缓冲层101和栅极绝缘层103。缓冲层101和栅极绝缘层103中的每个可包括诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘层。
第一扫描线SLa和第二扫描线SLb可由一个或多个绝缘层覆盖，例如可由第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107覆盖。位于第二层间绝缘层107上的第一连接布线141经由穿过第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107形成的第一接触孔CNT1连接第一扫描线SLa和第二扫描线SLb。
第一连接布线141可包括具有比第一扫描线SLa和第二扫描线SLb的弹性模量小的弹性模量的金属，例如，铝。第一连接布线141可用作桥接布线。此外，由于第一连接布线141位于第一扫描线SLa和第二扫描线SLb上(上方)，因此第一连接布线141可防止或最小化外部冲击传输到第一扫描线SLa和第二扫描线SLb。
第一连接布线141可由第三层间绝缘层109覆盖。数据线DL和驱动电压线PL位于第三层间绝缘层109上。数据线DL和驱动电压线PL可由平坦化绝缘层111覆盖，所述平坦化绝缘层111可由有机绝缘材料形成。第一层间绝缘层105可以是诸如氧化硅和氮化硅的无机绝缘层。第二层间绝缘层107和第三层间绝缘层109可以是无机绝缘层或者包括聚酰亚胺的有机绝缘层。
由于第一像素P1的第一扫描线SLa和第二像素P2的第二扫描线SLb通过第一连接布线141彼此电连接，因此可将相同的扫描信号施加到第一扫描线SLa和第二扫描线SLb。
第一像素P1和第二像素P2中的每个包括OLED，所述OLED包括像素电极210、包括发射层的中间层220以及对电极230。像素电极210的边缘可由像素限定层113覆盖，并且像素电极210的中央区域可通过像素限定层113的开口暴露。中间层220可通过开口与像素电极210重叠并接触像素电极210。可通过设置在OLED上的封装构件30保护OLED免受外部影响。在图11A和图11B中，封装构件30包括第一无机封装层310、有机封装层320以及第二无机封装层330。
参照图10，类似于第一扫描线SLa和第二扫描线SLb，第一先前扫描线SL-1a和第二先前扫描线SL-1b可由穿过第二接触孔CNT2的第二连接布线142连接，并且第一发射控制线ELa和第二发射控制线ELb可由穿过第三接触孔CNT3的第三连接布线143连接。第一先前扫描线SL-1a和第二先前扫描线SL-1b以及第一发射控制线ELa和第二发射控制线ELb可包括与第一扫描线SLa和第二扫描线SLb的材料相同的材料。第一先前扫描线SL-1a和第二先前扫描线SL-1b以及第一发射控制线ELa和第二发射控制线ELb可与第一扫描线SLa和第二扫描线SLb位于相同的层上。第二连接布线142和第三连接布线143可包括与第一连接布线141的材料相同的材料。第二连接布线142和第三连接布线143可与第一连接布线141位于相同的层(例如，图11A的第二层间绝缘层107)上。
参照图10和图11B，第一TFT T1和存储电容器Cst可彼此重叠。第一像素P1的存储电容器Cst包括下部存储电容器板125和第一上部存储电容器板127a，并且第二像素P2的存储电容器Cst包括下部存储电容器板125和第二上部存储电容器板127b。
第一像素P1的第一上部存储电容器板127a和第二像素P2的第二上部存储电容器板127b可彼此分离，并且可通过第四连接布线144连接。第四连接布线144可包括具有比第一上部存储电容器板127a和第二上部存储电容器板127b的弹性模量小的弹性模量的金属。
第一上部存储电容器板127a和第二上部存储电容器板127b位于第一层间绝缘层105上并且由第二层间绝缘层107覆盖。第四连接布线144可位于第二层间绝缘层107上并且可经由穿过第二层间绝缘层107形成的第四接触孔CNT4连接到第一上部存储电容器板127a和第二上部存储电容器板127b。
类似于第一上部存储电容器板127a和第二上部存储电容器板127b，第一初始化电压线VLa和第二初始化电压线VLb可通过第五接触孔CNT5连接到第五连接布线145。第一初始化电压线VLa和第二初始化电压线VLb可包括与第一上部存储电容器板127a和第二上部存储电容器板127b的材料相同的材料。第一初始化电压线VLa和第二初始化电压线VLb可与第一上部存储电容器板127a和第二上部存储电容器板127b位于相同的层(例如，第一层间绝缘层105)上。
图12A和图12B是示出根据另一实施例的第一边缘显示区域DA2的一部分的剖视图。
参照图12A和图12B，第一连接布线141和第四连接布线144可在第二方向上连续地延伸以穿越第一边缘显示区域DA2。虽然未示出，但是第二连接布线142、第三连接布线143和/或第五连接布线145可以以与第一连接布线141和第四连接布线144类似的方式在第一边缘显示区域DA2中在第二方向上连续地延伸。
在一个实施例中，连续地延伸的第一连接布线141可用作辅助布线。例如，当包括位于第一边缘显示区域DA2中以彼此分离的第一扫描线SLa和第二扫描线SLb的扫描线中的任何一个扫描线被损坏时，可将扫描信号通过第一连接布线141传输到位于第一边缘显示区域DA2中的扫描线。同样地，第二连接布线142至第五连接布线145中的每个可用作辅助布线。
图13A和图13B是示出根据另一实施例的第一边缘显示区域DA2的一部分的剖视图。
参照图13A和图13B，包括作为无机绝缘层的缓冲层101、栅极绝缘层103以及第一层间绝缘层105的堆叠结构可具有谷(valley)VA。谷VA是通过去除无机绝缘层的一部分形成的开口或凹槽。
谷VA可填充有第二层间绝缘层107。第二层间绝缘层107可以是有机绝缘层。由于有机绝缘层可比无机绝缘层更好地吸收外部冲击，因此可降低将外部冲击传输到无机绝缘层或相邻的布线的可能性。第二层间绝缘层107可填充谷VA并且可完全覆盖第一边缘显示区域DA2。
谷VA可位于例如如图13A中所示的第一扫描线SLa和第二扫描线SLb的相邻的布线之间，或者可位于如图13B中所示的第一上部存储电容器板127a和第二上部存储电容器板127b之间。同样地，谷VA可位于第一先前扫描线SL-1a和第二先前扫描线SL-1b之间、第一发射控制线ELa和第二发射控制线ELb之间以及第一初始化电压线VLa和第二初始化电压线VLb之间。
图14A和图14B是示出根据另一实施例的第一边缘显示区域DA2的一部分的剖视图。
参照图14A和图14B，第二层间绝缘层107可以是无机绝缘层。第二层间绝缘层107可具有与谷VA对应的开口。谷VA和开口可填充有有机绝缘层108。有机绝缘层108可局部地形成在与部分地覆盖第一边缘显示区域DA2的谷VA和开口对应的部分上。第一连接布线141和第四连接布线144可位于第二层间绝缘层107和有机绝缘层108上。
如图13A至图14B中所示，虽然第一连接布线141至第五连接布线145在与第一边缘显示区域DA2的弯曲轴线交叉的方向(例如，方向Dr2)上彼此分离，但是本公开不限于此。如参照图12A和图12B所描述的，第一连接布线141至第五连接布线145中的每个可在与第一边缘显示区域DA2的弯曲轴线交叉的方向上连续地形成。
根据本公开的一个或多个实施例的显示装置可减小施加到穿越相对于第一轴线弯曲的边缘显示区域的布线的应力的量，并且可减小边缘显示区域的曲率半径。此外，显示装置可根据在相对于多个轴线弯曲的显示区域中的位置使施加到布线的应力的偏差最小化，从而提供具有各种形状中的任何一种的立体显示装置。然而，应理解的是，本公开的范围不被效果所限制。
虽然已经参照本公开的实施例具体示出和描述了本公开，但将理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以在实施例中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，所述基底包括主显示区域和相对于第一轴线弯曲并且从所述主显示区域延伸的边缘显示区域；
布线，所述布线包括在与所述第一轴线交叉的方向上布置在所述边缘显示区域中的多个子布线；
绝缘层，所述绝缘层包括多个接触孔并且覆盖所述多个子布线；以及
连接布线，所述连接布线设置在所述绝缘层上并且通过所述多个接触孔连接所述多个子布线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接布线的弹性模量小于所述多个子布线的弹性模量。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
多个显示元件，所述多个显示元件位于所述边缘显示区域中；
扫描线，所述扫描线电连接到所述多个显示元件；以及
数据线，所述数据线电连接到所述多个显示元件，
其中，所述布线是所述扫描线和所述数据线中的一个。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括位于所述边缘显示区域中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层和栅电极，
其中，所述多个子布线和所述栅电极包括相同的材料。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管位于所述边缘显示区域中；和
存储电容器，所述存储电容器包括下部存储电容器板和上部存储电容器板，
其中，所述驱动薄膜晶体管和所述存储电容器彼此重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个子布线和所述上部存储电容器板包括相同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括设置在所述基底和所述绝缘层之间的至少一个无机绝缘层，
其中，所述至少一个无机绝缘层包括与所述多个子布线中的相邻子布线之间的区域对应的谷。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述绝缘层填充所述谷，并且所述绝缘层包括有机绝缘材料。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括无机绝缘层，所述无机绝缘层包括与所述谷对应的开口。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括填充所述谷和所述开口的有机绝缘层。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括连接到所述边缘显示区域并且位于与所述主显示区域不同的平面上的侧面显示区域。
12.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，所述基底包括主显示区域、位于所述主显示区域的第一侧上的第一边缘显示区域以及位于所述主显示区域的第二侧上的第二边缘显示区域，其中，所述第一边缘显示区域和所述第二边缘显示区域分别相对于第一轴线和第二轴线弯曲；
多个显示元件，所述多个显示元件位于所述主显示区域、所述第一边缘显示区域以及所述第二边缘显示区域中；
布线，所述布线电连接到所述多个显示元件，所述布线包括多个子布线，所述多个子布线位于所述第一边缘显示区域中并且沿着与所述第一轴线交叉的交叉方向彼此间隔开；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述多个子布线上并且具有多个接触孔；以及
多个连接布线，所述多个连接布线设置在所述绝缘层上并且通过所述多个接触孔连接所述多个子布线。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个连接布线位于所述第一边缘显示区域中并且沿着所述交叉方向彼此间隔开。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个连接布线在所述交叉方向上穿越所述第一边缘显示区域。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个连接布线的弹性模量小于所述多个子布线的弹性模量。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个连接布线包括铝。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于所述第一边缘显示区域中的半导体层和栅电极，
其中，所述多个子布线和所述栅电极包括相同的材料。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括电连接到所述薄膜晶体管的数据线，
其中，所述多个连接布线插设在所述栅电极和所述数据线之间。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括从所述第一边缘显示区域延伸并且位于与所述主显示区域垂直的平面上的侧面显示区域。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括覆盖所述主显示区域、所述第一边缘显示区域以及所述第二边缘显示区域的封装构件。
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