CN110473497A - 像素电路及其驱动方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种像素电路及其驱动方法、显示面板。该像素电路包括：发光元件、数据写入电路、发光驱动电路和电压放大电路；所述数据写入电路电连接到第一节点，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入所述第一节点；所述电压放大电路的两端分别电连接到所述第一节点和第二节点，且被配置为基于所述数据信号得到放大电压信号，并将所述放大电压信号写入所述第二节点；所述发光驱动电路电连接到所述第二节点，且被配置为在所述放大电压信号的控制下驱动所述发光元件发光。

Description

像素电路及其驱动方法、显示面板
技术领域
本公开的实施例涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板。
背景技术
目前，由于有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示面板具有可弯曲、对比度高、功耗低等特点，OLED显示面板具有广阔的发展前景。OLED显示面板可以被广泛应用在手机、电脑、全彩电视、数码摄像机、个人数字助理等电子产品上。
硅基OLED显示面板以单晶硅芯片作为基底，像素矩阵及其驱动电路直接集成在单晶硅芯片上。相对于传统的OLED显示面板，硅基OLED显示面板具有寿命长、体积小、分辨率高等优点，可以适用于虚拟现实(VR)、增强现实(AR)等显示应用。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种像素电路，包括：发光元件、数据写入电路、发光驱动电路和电压放大电路；所述数据写入电路电连接到第一节点，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入所述第一节点；所述电压放大电路的两端分别电连接到所述第一节点和第二节点，且被配置为基于所述数据信号得到放大电压信号，并将所述放大电压信号写入所述第二节点；所述发光驱动电路电连接到所述第二节点，且被配置为在所述放大电压信号的控制下驱动所述发光元件发光。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述电压放大电路包括场效应晶体管放大子电路和双极型晶体管放大子电路至少之一。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述双极型晶体管放大子电路包括第一晶体管、双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容，所述第一晶体管的第一极与第一电源端电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第一电容的第一端电连接；所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述双极型晶体管的控制极电连接；所述第二电阻的第一端与第二电源端电连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端电连接；所述第三电阻的第二端与所述双极型晶体管的第一极电连接；所述双极型晶体管的第二极与第三电源端电连接；所述第一电容的第二端与第四电源端电连接。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述双极型晶体管的控制极为基极，所述双极型晶体管的第一极为集电极，所述双极型晶体管的第二极为发射极。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述电压放大电路包括第一级放大电路，所述第一级放大电路包括所述双极型晶体管放大子电路，所述第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述第一级放大电路的第三电阻的第一端电连接到所述第二节点。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述电压放大电路包括级联的第一级放大电路和第二级放大电路，所述第一级放大电路和所述第二级放大电路均包括所述双极型晶体管放大子电路，所述第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到所述第一节点；所述第一级放大电路的第三电阻的第一端与所述第二级放大电路的第一晶体管的控制极电连接；所述第二级放大电路的第三电阻的第一端电连接到所述第二节点。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述电压放大电路包括级联的多级放大电路，每级放大电路包括所述双极型晶体管放大子电路，除第一级放大电路和最后一级放大电路之外，本级放大电路的第一晶体管的控制极与上一级放大电路的第三电阻的第一端电连接；所述本级放大电路的第三电阻的第一端与下一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接；所述第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述最后一级放大电路的第三电阻的第一端电连接到所述第二节点。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述场效应晶体管放大子电路包括第二晶体管和第四电阻，所述第二晶体管的第一极与第一电源端电连接，所述第二晶体管的第二极电连接到所述第四电阻的第一端；所述第四电阻的第二端与第三电源端电连接。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述电压放大电路包括第一级放大电路，所述第一级放大电路包括所述场效应晶体管放大子电路，所述第一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述第一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到所述第二节点。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述电压放大电路包括级联的第一级放大电路和第二级放大电路，所述第一级放大电路和所述第二级放大电路均包括所述场效应晶体管放大子电路，所述第一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接到所述第一节点；所述第一级放大电路的第二晶体管的第二极与所述第二级放大电路的第二晶体管的控制极电连接；所述第二级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到所述第二节点。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述电压放大电路包括级联的多个放大电路，每级放大电路包括所述场效应晶体管放大子电路，除第一级放大电路和最后一级放大电路之外，本级放大电路的第二晶体管的控制极与上一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接；所述本级放大电路的第二晶体管的第二极与下一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接；所述第一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述最后一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到所述第二节点。
例如，本公开一实施例提供的像素电路还包括存储电路，所述存储电路被配置为存储所述放大电压信号，所述存储电路包括第二电容，所述发光驱动电路包括发光驱动晶体管，所述数据写入电路包括数据写入晶体管，所述发光驱动晶体管的第一极与第一驱动电源端电连接，所述发光驱动晶体管的第二极与所述发光元件电连接，所述发光驱动晶体管的控制极电连接至所述第二节点；所述数据写入晶体管的第一极与数据线电连接，以接收所述数据信号，所述数据写入晶体管的第二极电连接到所述第一节点，所述数据写入晶体管的控制极与扫描信号线电连接，以接收所述扫描信号；所述第二电容的第一端电连接到所述第二节点，所述第二电容的第二端接地或与所述第一驱动电源端电连接。
例如，本公开一实施例提供的像素电路还包括发光控制电路，所述发光控制电路被配置为在发光控制信号的控制下控制所述发光驱动电路驱动所述发光元件发光，且所述发光控制电路包括发光控制晶体管，所述发光控制晶体管的控制极被配置为接收所述发光控制信号，所述发光控制晶体管的第一极与所述发光驱动电路电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述发光元件电连接。
例如，在本公开一实施例提供的像素电路中，所述发光元件、所述数据写入电路、所述发光驱动电路和所述电压放大电路形成在硅衬底上。
本公开至少一实施例还提供一种应用于根据上述任一项所述的像素电路的驱动方法，包括：在数据写入阶段，将所述数据信号写入所述电压放大电路，基于所述数据信号，通过所述电压放大电路得到所述放大电压信号，将所述放大电压信号写入所述发光驱动电路；在发光阶段，基于所述放大电压信号，通过所述发光驱动电路驱动所述发光元件发光。
例如，在本公开一实施例提供的驱动方法中，所述电压放大电路包括双极型晶体管放大子电路，所述双极型晶体管放大子电路包括第一晶体管和双极型晶体管，基于所述数据信号，通过所述电压放大电路得到所述放大电压信号，包括：向所述第一晶体管的控制极写入所述数据信号，并控制所述第一晶体管处于饱和状态，以得到饱和电流；控制所述双极型晶体管处于放大状态，并通过所述双极型晶体管放大所述饱和电流，以得到放大电流；基于所述放大电流得到所述放大电压信号。
例如，在本公开一实施例提供的驱动方法中，所述电压放大电路包括场效应晶体管放大子电路，所述场效应晶体管放大子电路包括第二晶体管和第四电阻，基于所述数据信号，通过所述电压放大电路得到所述放大电压信号，包括：向所述第二晶体管的控制极写入所述数据信号，并控制所述第二晶体管处于饱和状态，以得到饱和电流；基于所述饱和电流和所述第四电阻得到所述放大电压信号。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括根据上述任一项所述的像素电路。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种有机发光二极管显示面板的像素电路的结构示意图；
图2为本公开一实施例提供的一种像素电路的示意性框图；
图3A为本公开一实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图3B为本公开一实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；
图3C为本公开一实施例提供的再一种像素电路的结构示意图；
图4A为本公开另一实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图4B为本公开另一实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；
图4C为本公开一实施例提供的再一种像素电路的结构示意图；
图5为本公开又一实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
图6为本公开一实施例提供的一种像素电路的驱动方法的示意性流程图；
图7为图3A所示的像素电路的驱动方法的示例性时序图；
图8为图4A所示的像素电路的驱动方法的示例性时序图；
图9为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意性框图；
图10为本公开一实施例提供的一种显示设备的示意性框图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
图1为一种有机发光二极管显示面板的像素电路的结构示意图。如图1所示，该像素电路包括开关晶体管M1、驱动晶体管M2和电容C。当栅线60向开关晶体管M1的栅极输入开启电压信号(例如，高电压信号)时，开关晶体管M1开启，数据线61上的数据电压经由开关晶体管M1被写入电容C的一端。在数据电压的控制下，驱动晶体管M2开启，第一电源端V1、驱动晶体管M2、有机发光二极管OLED和第二电源端V2构成电流路径。此时，驱动晶体管M2处于饱和状态，驱动晶体管M2输出的饱和电流可以驱动有机发光二极管OLED发出对应强度的光。根据驱动晶体管M2的饱和电流公式，驱动晶体管M2的饱和电流Ioled可以表示为：
Ioled＝1/2K(Vdata-Vth)2，
其中，Vdata为数据电压，Vth为驱动晶体管M2的阈值电压，K为与驱动晶体管M2有关的常数。在该像素电路中，有机发光二极管OLED的发光亮度由数据电压决定，如果数据电压Vdata的幅值较小，则有机发光二极管OLED难于实现较高的发光亮度，相应的显示面板的显示效果以及应用范围都可能受到不利影响。
本公开的实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，该像素电路能够增大发光驱动电路的控制端的电压，从而增大驱动发光元件发光的驱动电流，提高显示面板的亮度。
例如，在本公开中，第一晶体管、第二晶体管、数据写入晶体管、驱动晶体管、发光控制晶体管和发光驱动晶体管等可以为场效应晶体管。按照场效应晶体管的特性，场效应晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本公开的实施例以场效应晶体管为N型晶体管(例如，N型MOS晶体管(NMOS))为例详细阐述了本公开的技术方案，然而本公开的实施例的场效应晶体管不限于N型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用P型晶体管(例如，P型MOS晶体管(PMOS))实现本公开的实施例中的一个或多个场效应晶体管的功能。
需要说明的是，本公开的实施例中采用的场效应晶体管可以为薄膜晶体管等场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。场效应晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分场效应晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本公开的实施例中全部或部分场效应晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。
下面结合附图对本公开的几个实施例进行详细说明，但是本公开并不限于这些具体的实施例。
图2为本公开一实施例提供的一种像素电路的示意性框图，图3A为本公开一实施例提供的一种像素电路的结构示意图。
例如，如图2和图3A所示，本公开实施例提供的像素电路100包括：发光元件EL、数据写入电路11、发光驱动电路12和电压放大电路13。数据写入电路11电连接到第一节点N1，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入第一节点N1；电压放大电路13的两端分别电连接到第一节点N1和第二节点N2，且被配置为基于数据信号得到放大电压信号，并将放大电压信号写入第二节点N2；发光驱动电路12的控制端电连接到第二节点N2，且被配置为在第二节点N2处的放大电压信号的控制下驱动发光元件EL发光。例如，发光驱动电路12的控制端电连接到第二节点N2，从而电压放大电路13可以将放大电压信号写入发光驱动电路12的控制端。
例如，如图3A所示，电压放大电路13的两端分别为第一端a1和第二端a2，电压放大电路13的第一端a1与第一节点N1电连接，电压放大电路13的第二端a2与第二节点N2电连接。
例如，在发光阶段，发光驱动电路12产生的驱动电流与发光驱动电路12的控制端的电压的模值成正相关，由于放大电压信号的模值大于数据信号的模值，也就是说，电压放大电路13可以提高发光驱动电路12的控制端的电压，从而该像素电路可以增大驱动发光元件EL发光的驱动电流，提高显示面板的亮度。
需要说明的是，在本公开中，信号的“模值”表示信号的绝对值。
例如，该像素电路100可应用于显示面板等。发光元件EL、数据写入电路11、发光驱动电路12和电压放大电路13可以形成在硅衬底上，从而像素电路100可应用于硅基OLED显示面板。该硅衬底可以为各种类型的硅衬底，例如单晶硅、SOI衬底等。
例如，在不同的示例中，电压放大电路13可以包括场效应晶体管放大子电路和双极型晶体管放大子电路至少之一。
例如，如图3A所示的示例中，双极型晶体管放大子电路可以包括第一晶体管T1、双极型晶体管TA、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第一电容C1。第一晶体管T1的第一极与第一电源端Vd1电连接，第一晶体管T1的第二极与第一电容C1的第一端电连接；第一电阻R1的第一端与第一电容C1的第一端电连接，第一电阻R1的第二端与双极型晶体管TA的控制极电连接；第二电阻R2的第一端与第二电源端Vd2电连接，第二电阻R2的第二端与第三电阻R3的第一端电连接；第三电阻R3的第二端与双极型晶体管TA的第一极电连接；双极型晶体管TA的第二极与第三电源端Vd3电连接；第一电容C1的第二端与第四电源端Vd4电连接。
例如，第三电源端Vd3和第四电源端Vd4均可以接地。
例如，双极型晶体管TA的第二极也可以通过一个电流源接地，即双极型晶体管TA的第二极电连接电流源的第一端，电流源的第二端接地。电流源可以提供稳定电流，以保证流经第二电阻R2、第三电阻R3和双极型晶体管TA的电流的稳定性和响应速度。
例如，第一电容C1被配置为维持第一电阻R1的第一端处的电压，例如第一电容C1被配置为在第一晶体管T1关闭时维持第一电阻R1的第一端处的电压，从而保证第一电阻R1的第一端处的电压的稳定性。
例如，第一电源端Vd1和第二电源端Vd2可以为电压源以输出恒定的正电压。第一电源端Vd1输出的第一电源信号小于第二电源端Vd2输出的第二电源信号。第二电源信号用于保证双极型晶体管TA处于放大状态。
例如，第一电源端Vd1输出的第一电源信号可以根据实际情况设置，只要保证在数据写入阶段，第一晶体管T1能够处于饱和状态即可，本公开对此不作限制。
例如，双极型晶体管TA的控制极为基极，双极型晶体管TA的第一极为集电极，双极型晶体管TA的第二极为发射极，也就是说，双极型晶体管放大子电路可以为共发射极放大电路，该共发射极放大电路能够放大微小电流信号，且匹配半导体硅基集成工艺的要求。
例如，双极型晶体管TA可以通过半导体集成工艺制备在硅衬底上，双极型晶体管TA可以为NPN型硅管或PNP型硅管。
例如，第一电阻R1的阻值小于第二电阻R2的阻值。第二电阻R2的阻值小于第三电阻R3的阻值，第二电阻R2的阻值例如可以为第三电阻R3的阻值的一半。例如，在一些示例中，第一电阻R1的阻值可以为0.1欧姆，第二电阻R2的阻值可以为5欧姆，第三电阻R3的阻值可以为10欧姆。因共射放大电路放大倍数较大，其输入阻抗较输出阻抗小，即第一电阻R1的阻值可以较小，就能有效地放大微小的电流信号，即对微小的电流信号有很好的放大效果。由于第一电阻R1的阻值较小，第一电阻R1可以集成在硅衬底上，第二电阻R2可以外置，即第二电阻R2可以不设置在硅衬底上，从而双极型晶体管放大子电路的信号走线可以更细，节省硅片的体积，提高硅基OLED整体集成化。
例如，如图3A所示，电压放大电路13包括第一级放大电路131，为单级放大方式。第一级放大电路131包括双极型晶体管放大子电路。电压放大电路13的第一端a1为第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极，电压放大电路13的第二端a2为第一级放大电路的第三电阻R3的第一端，即第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极电连接到第一节点N1，第一级放大电路的第三电阻R3的第一端电连接到第二节点N2。如图3A所示，第二电阻R2的第二端也电连接到第二节点N2。
例如，在图3A所示的示例中，放大电压信号(即第二节点N2处的电压信号)可以表示为：
VN2＝β×(1/2KT1(Vdata-VthT1)2)×r3
其中，VN2为放大电压信号，r3为第三电阻R3的阻值，β为双极型晶体管TA的放大倍数，例如β可以为100或200等,KT1为第一晶体管T1的工艺常数，VthT1为第一晶体管T1的阈值电压，Vdata为数据信号。
例如，在一个示例中，第一晶体管T1的工艺常数KT1可以为8×10-4，双极型晶体管TA的放大倍数β可以为100，第三电阻R3的阻值r3可以为10欧姆，第一晶体管T1的阈值电压VthT1可以为0.5V，数据信号Vdata可以为4V，从而可以计算出放大电压信号VN2为:
VN2＝β×(1/2KT1(Vdata-VthT1)2)×r3
＝100×(1/2×8×10-4×(4-0.5)2)×10
＝4.9V
由上述可知，放大电压信号VN2约为原始数据信号Vdata的1.225倍。放大电压信号VN2的模值大于原始数据信号Vdata的模值，也就是说，提高了第二节点N2处的电压(即发光驱动电路12的控制端的电压)的模值。
图3B为本公开一实施例提供的另一种像素电路的结构示意图。例如，如图3B所示，电压放大电路13包括级联的第一级放大电路131和第二级放大电路131'，为多级放大方式，例如电压放大电路13的每一级为相同类型，具有基本相同的构造，或者至少两级包括不同类型的放大电路等。
例如，在图3B所示的示例中，第一级放大电路131和第二级放大电路131'均包括双极型晶体管放大子电路。第一级放大电路131可以接收数据信号，并基于数据信号得到第一放大电压信号；第二级放大电路131'可以接收第一放大电压信号，并基于第一放大电压信号得到第二放大电压信号，其中，第一放大电压信号的模值大于数据信号的模值，第二放大电压信号的模值大于第一放大电压信号的模值，从而相较于图3A所示的电压放大电路13，图3B所示的电压放大电路13可以进一步增大写入发光驱动电路12的控制端的电压。
例如，如图3B所示，电压放大电路13的第一端a1为第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极，电压放大电路13的第二端a2为第二级放大电路131'的第三电阻R3'的第一端，即第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极电连接到第一节点N1，第二级放大电路131'的第三电阻R3'的第一端电连接到第二节点N2。第一级放大电路131的第三电阻R3的第一端与第二级放大电路131'的第一晶体管T1'的控制极电连接。
例如，第一级放大电路131中的第一晶体管T1、双极型晶体管TA、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第一电容C1分别与第二级放大电路131'中的第一晶体管T1'、双极型晶体管TA'、第一电阻R1'、第二电阻R2'、第三电阻R3'和第一电容C1'具有相同的参数。但不限于此，第一级放大电路131中的各元件也可以至少部分与第二级放大电路131'中的对应元件不相同。
例如，第一级放大电路131的第一晶体管T1的第一极与第一电源端Vd1电连接，第一级放大电路131的第二电阻R2的第一端与第二电源端Vd2电连接，第二级放大电路131'的第一晶体管T1'的第一极与第一电源端Vd1'电连接，第二级放大电路131'的第二电阻R2'的第一端与第二电源端Vd2'电连接。第一电源端Vd1输出的第一电源信号和第一电源端Vd1'输出的第一电源信号可以相同或不相同，第二电源端Vd2输出的第二电源信号和第二电源端Vd2'输出的第二电源信号可以相同或不相同，只要第一电源端Vd1输出的第一电源信号小于第二电源端Vd2输出的第二电源信号，第一电源端Vd1'输出的第一电源信号小于第二电源端Vd2'输出的第二电源信号，第一电源端Vd1输出的第一电源信号能够使第一晶体管T1在数据写入阶段处于饱和状态，而第一电源端Vd1'输出的第一电源信号能够使第一晶体管T1'在数据写入阶段处于饱和状态，第二电源端Vd2输出的第二电源信号能够使双极型晶体管TA处于放大状态，第二电源端Vd2'输出的第二电源信号能够使双极型晶体管TA'处于放大状态即可。
图3C为本公开一实施例提供的再一种像素电路的结构示意图。电压放大电路13可以包括级联的多级放大电路，每级放大电路包括双极型晶体管放大子电路。除第一级放大电路和最后一级放大电路之外，本级放大电路的第一晶体管的控制极与上一级放大电路的第三电阻的第一端电连接；本级放大电路的第三电阻的第一端与下一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接；电压放大电路13的第一端a1为第一级放大电路的第一晶体管的控制极，电压放大电路13的第二端a2为最后一级放大电路的第三电阻的第一端，即第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到第一节点N1，最后一级放大电路的第三电阻的第一端电连接到第二节点N2。
例如，如图3C所示，电压放大电路13包括级联的第一级放大电路131、第二级放大电路131'和第三级放大电路131”。例如，第一级放大电路131可以接收数据信号，并基于数据信号得到第一放大电压信号；第二级放大电路131'可以接收第一放大电压信号，并基于第一放大电压信号得到第二放大电压信号；第三级放大电路131”可以接收第二放大电压信号，并基于第二放大电压信号得到第三放大电压信号，其中，第一放大电压信号的模值大于数据信号的模值，第二放大电压信号的模值大于第一放大电压信号的模值，第三放大电压信号的模值大于第二放大电压信号的模值，从而相较于图3A和图3B所示的电压放大电路13，图3C所示的电压放大电路13可以再进一步增大写入发光驱动电路12的控制端的电压。
例如，如图3C所示，第三级放大电路131”为最后一级放大电路。第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极电连接到第一节点N1，第三级放大电路131”的第三电阻R3”的第一端电连接到第二节点N2。第一级放大电路131的第三电阻R3的第一端与第二级放大电路131'的第一晶体管T1'的控制极电连接；第二级放大电路131'的第三电阻R3'的第一端与第三级放大电路131”的第一晶体管T1”的控制极电连接。
例如，第一晶体管T1、第一晶体管T1'和第一晶体管T1”可以具有相同的参数，双极型晶体管TA、双极型晶体管TA'和双极型晶体管TA”可以具有相同的参数，第一电阻R1、第一电阻R1'和第一电阻R1”可以相同，第二电阻R2、第二电阻R2'和第二电阻R2”可以具有相同的参数，第三电阻R3、第三电阻R3'和第三电阻R3”可以具有相同的参数，第一电容C1、第一电容C1'和第一电容C1”可以具有相同的参数。也就是说，各级放大电路中的对应元件均相同，从而简化制备工艺。但不限于此，各级放大电路中的对应元件也可以至少部分不相同。
例如，第三级放大电路131”的第一晶体管T1”的第一极与第一电源端Vd1”电连接，第三级放大电路131”的第二电阻R2”的第一端与第二电源端Vd2”电连接。本公开对第一电源端Vd1”输出的第一电源信号和第二电源端Vd2”输出的第二电源信号不作具体限制，只要第一电源端Vd1”输出的第一电源信号小于第二电源端Vd2”输出的第二电源信号，第一电源端Vd1”输出的第一电源信号能够使第一晶体管T1”在数据写入阶段处于饱和状态，第二电源端Vd2”输出的第二电源信号能够使双极型晶体管TA”处于放大状态即可。
图4A为本公开另一实施例提供的一种像素电路的结构示意图。例如，如图4A所示，在该实施例中，场效应晶体管放大子电路可以包括第二晶体管T2和第四电阻R4。第二晶体管T2的第一极与第一电源端Vd1电连接，第二晶体管T2的第二极电连接到第四电阻R4的第一端；第四电阻R4的第二端与第三电源端Vd3电连接。
例如，在图4A所示的示例中，第一电源端Vd1输出的第一电源信号可以根据实际情况设置，只要保证在数据写入阶段，第二晶体管T2能够处于饱和状态即可，本公开对此不作限制。
例如，第四电阻R4的阻值可以根据实际情况进行设置，只要保证写入第二节点N2的电压的模值大于写入到第一节点N1的数据信号的模值。如图4A所示，第三电源端Vd3接地，放大电压信号(即写入第二节点N2的电压信号)即为第四电阻R4的压降。例如，第四电阻R4的阻值可以较大，根据欧姆定律，较小的电流流过第四电阻R4时，在第二节点N2处即可以具有较大的放大电压信号。
例如，如图4A所示，电压放大电路13包括第一级放大电路132，为单级放大方式。第一级放大电路132包括场效应晶体管放大子电路。电压放大电路13的第一端a1为第一级放大电路132的第二晶体管T2的控制极，电压放大电路13的第二端a2为第一级放大电路132的第二晶体管T2的第二极，即第一级放大电路132的第二晶体管T2的控制极电连接到第一节点N1，第一级放大电路132的第二晶体管T2的第二极电连接到第二节点N2。
例如，在图4A所示的示例中，放大电压信号可以表示为：
V'N2＝(1/2KT2(Vdata-VthT2)2)×r4
其中，V'N2为放大电压信号，KT2为第二晶体管T2的工艺常数，VthT2为第二晶体管T2的阈值电压，r4为第四电阻R4的阻值，Vdata为数据信号。
例如，在一个示例中，第二晶体管T2的工艺常数KT2可以为8×10-4，第四电阻R4的电阻值r4可以为1000欧姆，第二晶体管T2的阈值电压VthT2可以为0.5V，数据信号Vdata可以为4V，从而可以计算出放大电压信号V'N2为:
V'N2＝(1/2KT2(Vdata-VthT2)2)×r4
＝(1/2×8×10-4×(4-0.5)2)×1000
＝4.9V
由上述可知，放大电压信号V'N2约为原始数据信号Vdata的1.225倍。放大电压信号VN2的模值大于原始数据信号Vdata的模值，也就是说，提高了第二节点N2处的电压(即发光驱动电路12的控制端的电压)的模值。
图4B为本公开另一实施例提供的另一种像素电路的结构示意图。例如，如图4B所示，电压放大电路13包括级联的第一级放大电路132和第二级放大电路132'，为多级放大方式。第一级放大电路132和第二级放大电路132'均包括场效应晶体管放大子电路。例如，第一级放大电路132可以接收数据信号，并基于数据信号得到第一放大电压信号；第二级放大电路132'可以接收第一放大电压信号，并基于第一放大电压信号得到第二放大电压信号，其中，第一放大电压信号的模值大于数据信号的模值，第二放大电压信号的模值大于第一放大电压信号的模值，从而相较于图4A所示的电压放大电路13，图4B所示的电压放大电路13可以进一步增大写入发光驱动电路12的控制端的电压。
例如，如图4B所示，电压放大电路13的第一端a1为第一级放大电路132的第二晶体管T2的控制极，电压放大电路13的第二端a2为第二级放大电路132'的第二晶体管T2'的第二极，即第一级放大电路132的第二晶体管T2的控制极电连接到第一节点N1，第二级放大电路132'的第二晶体管T2'的第二极电连接到第二节点。第一级放大电路132的第二晶体管T2的第二极与第二级放大电路132'的第二晶体管T2'的控制极电连接。
例如，第一级放大电路132中的第二晶体管T2和第四电阻R4分别与第二级放大电路132'中的第二晶体管T2'和第四电阻R4'相同。但不限于此，第二晶体管T2和第二晶体管T2'也可以不相同，第四电阻R4和第四电阻R4'也可以不相同。
例如，第一级放大电路132中的第二晶体管T2的第一极与第一电源端Vd1电连接，第二级放大电路132'中的第二晶体管T2'的第一极与第一电源端Vd1'电连接。本公开对第一电源端Vd1输出的第一电源信号和第一电源端Vd1'输出的第一电源信号不作具体限制，只要第一电源端Vd1输出的第一电源信号能够保证第二晶体管T2在数据写入阶段处于饱和状态，第一电源端Vd1'输出的第一电源信号能够保证第二晶体管T2'在数据写入阶段处于饱和状态即可。
图4C为本公开一实施例提供的再一种像素电路的结构示意图。电压放大电路13包括级联的多个放大电路，每级放大电路包括场效应晶体管放大子电路。除第一级放大电路和最后一级放大电路之外，本级放大电路的第二晶体管的控制极与上一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接；本级放大电路的第二晶体管的第二极与下一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接；电压放大电路13的第一端a1为第一级放大电路的第二晶体管的控制极，电压放大电路13的第二端a2为最后一级放大电路的第二晶体管的第二极，即第一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接到第一节点N1，最后一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到第二节点N2。
例如，如图4C所示，电压放大电路13包括级联的第一级放大电路132、第二级放大电路132'和第三级放大电路132”。例如，第一级放大电路132可以接收数据信号，并基于数据信号得到第一放大电压信号；第二级放大电路132'可以接收第一放大电压信号，并基于第一放大电压信号得到第二放大电压信号；第三级放大电路132”可以接收第二放大电压信号，并基于第二放大电压信号得到第三放大电压信号，其中，第一放大电压信号的模值大于数据信号的模值，第二放大电压信号的模值大于第一放大电压信号的模值，第三放大电压信号的模值大于第二放大电压信号的模值，从而相较于图4A和图4B所示的电压放大电路13，图4C所示的电压放大电路13可以再进一步增大写入发光驱动电路12的控制端的电压。
例如，如图4C所示，第三级放大电路132”为最后一级放大电路。第一级放大电路132的第二晶体管T2的控制极电连接到第一节点N1，第三级放大电路132”的第二晶体管T2”的第二极电连接到第二节点N2。第一级放大电路132的第二晶体管T2的第二极与第二级放大电路132'的第二晶体管T2'的控制极电连接；第二级放大电路132'的第二晶体管T2'的第二极与第三级放大电路132”的第二晶体管T2”的控制极电连接。
例如，第三级放大电路132”中的第二晶体管T2”的第一极与第一电源端Vd1”电连接。本公开对第一电源端Vd1”输出的第一电源信号不作具体限制，只要第一电源端Vd1”输出的第一电源信号能够保证第二晶体管T2”在数据写入阶段处于饱和状态即可。
例如，在电压放大电路13中，各级放大电路中的对应元件均相同，从而简化制备工艺。但不限于此，各级放大电路中的对应元件也可以至少部分不相同。
需要说明的是，在本公开上述实施例中，电压放大电路13中的多级放大电路的数量和类型等可以根据实际情况设置，本公开对此不作限制。
例如，如图4A–图4C所示，该像素电路100中的所有晶体管可以均为N型晶体管(例如，NMOS)，也可以均为P型晶体管(例如，PMOS)，从而可以统一采用NMOS制程或PMOS制程制备该像素电路中的晶体管，容易实现半导体制程掺杂工艺。
例如，在一些实施例中，电压放大电路13可以同时包括场效应晶体管放大子电路和双极型晶体管放大子电路。例如，电压放大电路13可以包括级联的第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路包括双极型晶体管放大子电路，第二级放大电路包括场效应晶体管放大子电路。第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到第一节点N1，第一级放大电路的第三电阻的第一端电连接到第二级放大电路的第二晶体管的控制极，第二级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到第二节点N2。
例如，如图3A-图3C以及图4A-图4C所示，发光驱动电路12包括发光驱动晶体管TD。发光驱动晶体管TD的第一极与第一驱动电源端VDD电连接，发光驱动晶体管TD的第二极与发光元件EL的第一端(该实施例中为发光元件EL的正极端)电连接，发光驱动晶体管TD的控制极电连接至第二节点N2。发光元件EL的第二端(该实施例中为发光元件EL的负极端)与第二驱动电源端VSS电连接。
例如，发光元件EL可以为发光二极管等。发光二极管可以为有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)等。发光元件EL被配置为在工作时接收发光信号(例如，可以为驱动电流)，并发出与该发光信号相对应强度的光。
例如，第一驱动电源端VDD为电压源以输出恒定的正电压；第二驱动电源端VSS被配置为可以向发光元件EL的第二端施加可变电压，例如交流脉冲信号。例如，在数据写入阶段，第二驱动电源端VSS被配置为向发光元件EL的第二端施加高电平信号，如此可以避免在发光元件EL在该阶段发光而导致显示面板的对比度降低；在发光阶段，第二驱动电源端VSS被配置为向发光元件EL的第二端施加低电平信号。
例如，如图3A-图3C以及图4A-图4C所示，数据写入电路11包括数据写入晶体管T3。数据写入晶体管T3的第一极与数据线D电连接，以接收数据信号，数据写入晶体管T3的第二极电连接到第一节点N1，数据写入晶体管T3的控制极与扫描信号线G电连接，以接收扫描信号。例如，在图3A所示的示例中，数据写入晶体管T3可以将数据信号写入第一节点N1，由于第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极电连接到第一节点N1，从而数据信号可以被写入第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极。
例如，如图3A-图3C以及图4A-图4C所示，像素电路100还包括存储电路14。存储电路14被配置为存储放大电压信号。存储电路14包括第二电容C2。第二电容C2的第一端电连接到第二节点N2，第二电容C2的第二端接地或与第一驱动电源端VDD电连接。
图5为本公开又一实施例提供的一种像素电路的结构示意图。例如，像素电路100还包括发光控制电路15。如图5所示，发光控制电路15被配置为在发光控制信号的控制下控制发光驱动电路12的驱动电流，从而例如避免在数据写入阶段时发光元件EL被驱动发光。
例如，如图5所示，发光控制电路15可以包括发光控制晶体管T4，发光控制晶体管T4的控制极与发光控制线EM电连接，以接收发光控制信号，发光控制晶体管T4的第一极与发光驱动电路12(例如，发光驱动晶体管TD的第二极)电连接，发光控制晶体管T4的第二极与发光元件EL的第一端电连接。
值得注意的是，数据写入电路11、发光驱动电路12、存储电路14和发光控制电路15不限于上述实施例中描述的结构，其具体结构可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不作具体限定。根据需要，本公开的其他实施例中，像素电路100还可以包括传输晶体管、补偿晶体管、检测晶体管或复位晶体管等。又例如，根据实际应用需求，在本公开的其他实施例中，像素电路100还可以具备电学补偿功能，以补偿发光驱动晶体管的阈值电压漂移，提升显示面板的显示均匀度。例如，补偿功能可以通过电压补偿、电流补偿或混合补偿来实现，可以为内部补偿方式或外部补偿方式。
本公开一实施例还提供一种像素电路的驱动方法，该驱动方法可以应用于上述任一项所述的像素电路。
图6为本公开一实施例提供的一种像素电路的驱动方法的示意性流程图。如图6所示，像素电路的驱动方法可以包括以下步骤：
步骤S101：在数据写入阶段，将数据信号写入电压放大电路，基于数据信号，通过电压放大电路得到放大电压信号，将放大电压信号写入发光驱动电路；
步骤S102：在发光阶段，基于放大电压信号，通过发光驱动电路驱动发光元件发光。
例如，在图3A所示的实施例中，电压放大电路13包括第一级放大电路131，第一级放大电路131包括双极型晶体管放大子电路。双极型晶体管放大子电路包括第一晶体管T1和双极型晶体管TA。因此，在步骤S101中，基于数据信号，通过电压放大电路得到放大电压信号，包括：向第一晶体管的控制极写入数据信号，并控制第一晶体管处于饱和状态，以得到饱和电流；控制双极型晶体管处于放大状态，并通过双极型晶体管放大饱和电流，以得到放大电流；基于放大电流得到放大电压信号。
例如，在一个示例中，图7是图3A所示的像素电路的驱动方法的示例性时序图。下面结合图3A和图7详细说明本公开实施例提供的一种像素电路的驱动方法的操作流程。
例如，如图3A和图7所示，在数据写入阶段t1，扫描信号线G提供的扫描信号Vg为高电平信号，扫描信号Vg可以被传输至数据写入晶体管T3的控制极，从而数据写入晶体管T3导通。同时，数据线D可以向数据写入晶体管T3的第一极提供数据信号Vdata，数据信号Vdata可以根据实际情况设置，例如，数据信号Vdata可以为高电平信号。数据信号Vdata经由数据写入晶体管T3传输至第一级放大电路131的第一晶体管T1的控制极。同时，第一电源端Vd1提供的第一电源信号V1为高电平信号，第一电源信号V1被传输至向第一级放大电路131的第一晶体管T1的第一极。第一电源信号V1和数据信号Vdata可以控制第一级放大电路131的第一晶体管T1处于饱和状态，即处于导通状态。根据第一晶体管T1的饱和电流公式，第一晶体管T1的饱和电流IT1可以表示为：
IT1＝1/2KT1(Vdata-VthT1)2，
其中，KT1为第一晶体管T1的工艺常数，VthT1为第一晶体管T1的阈值电压。饱和电流IT1即为流过第一电阻R1的电流。
例如，KT1可以表示为：
KT1＝0.5μnT1×CoxT1×(WT1/LT1)，
其中，μnT1为第一晶体管T1的电子迁移率，CoxT1为第一晶体管T1的栅极单位电容量，WT1为第一晶体管T1的沟道宽，LT1为第一晶体管T1的沟道长。
例如，在数据写入阶段t1，饱和电流IT1可以依次通过第一晶体管T1、第一电阻R1和双极型晶体管TA，最终流向第四电源端Vd4。当第一电容C1充电完成时，第一电阻R1的第一端上的电压信号U1可以表示为：
U1＝IT1×r1+Ube，
其中，r1为第一电阻R1的电阻值，Ube为与双极型晶体管TA有关的常量。
例如，在数据写入阶段t1，在第一电容C1充电过程中，第二电源端Vd2可以提供第二电源信号V2，且第二电源信号V2为高电平信号，从而使双极型晶体管TA处于放大状态，双极型晶体管TA可以放大流经第一电阻R1的电流(即饱和电流IT1)，以得到放大电流。放大电流即为流经第三电阻R3的电流，放大电流可以表示为：
IN2＝β×IT1，
其中，IN2为放大电流，β为双极型晶体管TA的放大倍数，例如β可以为100或200等。也就是说，双极型晶体管TA可以将流经第一电阻R1的电流放大β倍。此时，第二节点N2上的电压信号(即放大电压信号)为：
VN2＝β×IT1×r3，
其中，VN2为放大电压信号，r2为第二电阻R2的电阻值。放大电压信号即为第三电阻R3的压降。
例如，如图7所示，第一电源信号V1小于第二电源信号V2。第二电源信号V2可以根据实际情况设置。第二电源信号V2可以较大，以保证双极型晶体管TA处于放大状态。
例如，在数据写入阶段t1，第一驱动电源端VDD提供的第一驱动电源信号VE1为低电平信号，第二驱动电源端VSS提供的第二驱动电源信号VE2，为高电平信号，从而保证在数据写入阶段t1，发光元件EL不发光。
例如，如图3A和图7所示，在发光阶段t2，放大电压信号VN2可以控制发光驱动晶体管TD开启。第一驱动电源端VDD提供第一驱动电源信号VE1，第一驱动电源信号VE1为高电平信号，第二驱动电源端VSS提供第二驱动电源信号VE2，第二驱动电源信号VE2为低电平信号。第一驱动电源信号VE1被传输至发光驱动晶体管TD的第一极，第二驱动电源信号VE2被传输至发光元件EL的第二端。发光驱动晶体管TD处于饱和状态，从而基于发光驱动晶体管TD的饱和电流公式，可以得到流经发光驱动晶体管TD的驱动电流Ioled可以表示为：
Ioled＝1/2KTD×(VN2-VthTD)2
＝1/2KTD×(β×(1/2KT1(Vdata-VthT1)2)×r3-VthTD)2
其中，KTD为发光驱动晶体管TD的工艺常数，VthTD为发光驱动晶体管TD的阈值电压。例如，KTD可以表示为：
KTD＝0.5μnTD×CoxTD×(WTD/LTD)
其中，μnTD为发光驱动晶体管TD的电子迁移率，CoxTD为发光驱动晶体管TD的栅极单位电容量，WTD为发光驱动晶体管TD的沟道宽，LTD为发光驱动晶体管TD的沟道长。
根据上述驱动电流Ioled的公式可知，驱动电流Ioled与发光驱动晶体管TD的控制极的电压(即放大电压信号VN2)成正比，而放大电压信号VN2的模值大于数据信号Vdata的模值，由此，该像素电路可以增大驱动发光元件发光的驱动电流，提高发光元件的发光亮度，提升显示效果。
例如，在图4A所示的实施例中，电压放大电路13包括第一级放大电路132，第一级放大电路132包括场效应晶体管放大子电路。场效应晶体管放大子电路包括第二晶体管T2和第四电阻R4。因此，在步骤S101中，基于数据信号，通过电压放大电路得到放大电压信号，包括：向第二晶体管的控制极写入数据信号，并控制第二晶体管处于饱和状态，以得到饱和电流；基于饱和电流和第四电阻得到放大电压信号。
例如，在另一个示例中，图8是图4A所示的像素电路的驱动方法的示例性时序图。下面结合图4A和图8详细说明本公开实施例提供的另一种像素电路的驱动方法的操作流程。
例如，如图4A和图8所示，在数据写入阶段t1'，扫描信号线G提供的扫描信号V'g为高电平信号，扫描信号V'g可以被传输至数据写入晶体管T3的控制极，从而数据写入晶体管T3导通。同时，数据线D可以向数据写入晶体管T3的第一极提供数据信号V'data，数据信号V'data可以根据实际情况设置，例如，数据信号V'data可以为高电平信号。数据写入晶体管T3可以将数据信号V'data传输至第一级放大电路132的第二晶体管T2的控制极。同时，第一电源端Vd1提供的第一电源信号V'1为高电平信号，第一电源信号V'1被传输至第一级放大电路132的第二晶体管T2的第一极。第一电源信号V'1和数据信号V'data可以控制第一级放大电路132的第二晶体管T2处于饱和状态，即处于导通状态。根据第二晶体管T2的饱和电流公式，第二晶体管T2的饱和电流IT2可以表示为：
IT2＝1/2KT2(Vdata-VthT2)2，
其中，KT2为第二晶体管T2的工艺常数，VthT2为第二晶体管T2的阈值电压。例如，KT2可以表示为：
KT2＝0.5μnT2×CoxT2×(WT2/LT2)
其中，μnT2为第二晶体管T2的电子迁移率，CoxT2为第二晶体管T2的栅极单位电容量，WT2为第二晶体管T2的沟道宽，LT2为第二晶体管T2的沟道长。
例如，在数据写入阶段t1'，饱和电流IT2可以依次通过第二晶体管T2和第四电阻R4，最终流向第三电源端Vd3。此时，在第二节点N2上的电压信号(即放大电压信号)为：
V'N2＝IT2×r4，
其中，V'N2为放大电压信号，r4为第四电阻R4的电阻值。第四电阻R4的电阻值r4可以根据实际情况设置，从而保证放大电压信号V'N2的模值大于数据信号V'data的模值。
例如，在数据写入阶段t1'，第一驱动电源端VDD提供的第一驱动电源信号V'E1为低电平信号，第二驱动电源端VSS提供的第二驱动电源信号V'E2，为高电平信号，从而保证在数据写入阶段t1'，发光元件EL不发光。
例如，如图4A和图8所示，在发光阶段t2'，放大电压信号V'N2可以控制发光驱动晶体管TD开启。第一驱动电源端VDD为发光驱动晶体管TD的第一极提供第一驱动电源信号V'E1，第一驱动电源信号V'E1为高电平信号，第二驱动电源端VSS为发光元件的第二端提供第二驱动电源信号V'E2，第二驱动电源信号V'E2为低电平信号。发光驱动晶体管TD可以处于饱和状态，基于发光驱动晶体管TD的饱和电流公式，可以得到流经发光驱动晶体管TD的驱动电流I'oled可以表示为：
I'oled＝1/2KTD×(V'N2-VthTD)2
＝1/2KTD×(1/2KT2(Vdata-VthT2)2×r4-VthTD)2
其中，KTD为发光驱动晶体管TD的工艺常数，VthTD为发光驱动晶体管TD的阈值电压。
例如，KTD可以表示为：KTD＝0.5μnTD×CoxTD×(WTD/LTD)，其中，μnTD为发光驱动晶体管TD的电子迁移率，CoxTD为发光驱动晶体管TD的栅极单位电容量，WTD为发光驱动晶体管TD的沟道宽，LTD为发光驱动晶体管TD的沟道长。
例如，由于第二电容C2的存储功能，在一帧时间内，放大电压信号V'N2的模值均大于数据信号Vdata的模值，从而实现增大发光驱动晶体管的控制极的电压，增大驱动发光元件发光的驱动电流，提高发光元件的发光亮度，提升显示效果。
需要说明的是，像素电路的时序图可以根据实际需求进行设定，本公开的实施例对此不作具体限定。
本公开一实施例还提供一种显示面板。图9为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意性框图。如图9所示，显示面板70包括多个像素单元110，多个像素单元110可以阵列排布。每个像素单元110可以包括上述任一实施例所述的像素电路100。该像素电路能够增大发光驱动电路的控制端的电压，从而增大驱动发光元件发光的驱动电流，提高显示面板的亮度。
例如，显示面板70可以为矩形面板、圆形面板、椭圆形面板或多边形面板等。另外，显示面板70不仅可以为平面面板，也可以为曲面面板，甚至球面面板。
例如，显示面板70还可以包括触控传感器(例如外置式或内置式)，从而具备触控功能，即显示面板70可以为触控显示面板。
本公开实施例还提供一种显示设备。图10为本公开一实施例提供的一种显示设备的示意性框图。如图10所示，显示设备80可以包括上述任一所述的显示面板70，显示面板70用于显示图像。
例如，显示设备80还可以包括栅极驱动器82。栅极驱动器320被配置为通过扫描信号线与子像素中的像素电路的数据写入电路电连接，以用于为数据写入电路提供扫描信号。
例如，显示设备80还可以包括数据驱动器84。数据驱动器84被配置为通过数据线与子像素中的像素电路的数据写入电路电连接，以用于向数据写入电路提供数据信号。
例如，显示设备80可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要说明的是，对于显示设备80的其它组成部分(例如控制装置、图像数据编码/解码装置、时钟电路等)均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
对于本公开，还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种像素电路，包括：发光元件、数据写入电路、发光驱动电路和电压放大电路；
其中，所述数据写入电路电连接到第一节点，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入所述第一节点；
所述电压放大电路的两端分别电连接到所述第一节点和第二节点，且被配置为基于所述数据信号得到放大电压信号，并将所述放大电压信号写入所述第二节点；
所述发光驱动电路电连接到所述第二节点，且被配置为在所述放大电压信号的控制下驱动所述发光元件发光。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述电压放大电路包括场效应晶体管放大子电路和双极型晶体管放大子电路至少之一。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其中，所述双极型晶体管放大子电路包括第一晶体管、双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容，
所述第一晶体管的第一极与第一电源端电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第一电容的第一端电连接；
所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述双极型晶体管的控制极电连接；
所述第二电阻的第一端与第二电源端电连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端电连接；
所述第三电阻的第二端与所述双极型晶体管的第一极电连接；
所述双极型晶体管的第二极与第三电源端电连接；
所述第一电容的第二端与第四电源端电连接。
4.根据权利要求3所述的像素电路，其中，所述双极型晶体管的控制极为基极，所述双极型晶体管的第一极为集电极，所述双极型晶体管的第二极为发射极。
5.根据权利要求3所述的像素电路，其中，所述电压放大电路包括第一级放大电路，所述第一级放大电路包括所述双极型晶体管放大子电路，
所述第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述第一级放大电路的第三电阻的第一端电连接到所述第二节点。
6.根据权利要求3所述的像素电路，其中，所述电压放大电路包括级联的第一级放大电路和第二级放大电路，所述第一级放大电路和所述第二级放大电路均包括所述双极型晶体管放大子电路，
所述第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到所述第一节点；
所述第一级放大电路的第三电阻的第一端与所述第二级放大电路的第一晶体管的控制极电连接；
所述第二级放大电路的第三电阻的第一端电连接到所述第二节点。
7.根据权利要求3所述的像素电路，其中，所述电压放大电路包括级联的多级放大电路，每级放大电路包括所述双极型晶体管放大子电路，
除第一级放大电路和最后一级放大电路之外，本级放大电路的第一晶体管的控制极与上一级放大电路的第三电阻的第一端电连接；所述本级放大电路的第三电阻的第一端与下一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接；
所述第一级放大电路的第一晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述最后一级放大电路的第三电阻的第一端电连接到所述第二节点。
8.根据权利要求2所述的像素电路，其中，所述场效应晶体管放大子电路包括第二晶体管和第四电阻，
所述第二晶体管的第一极与第一电源端电连接，所述第二晶体管的第二极电连接到所述第四电阻的第一端；
所述第四电阻的第二端与第三电源端电连接。
9.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述电压放大电路包括第一级放大电路，所述第一级放大电路包括所述场效应晶体管放大子电路，
所述第一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述第一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到所述第二节点。
10.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述电压放大电路包括级联的第一级放大电路和第二级放大电路，所述第一级放大电路和所述第二级放大电路均包括所述场效应晶体管放大子电路，
所述第一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接到所述第一节点；
所述第一级放大电路的第二晶体管的第二极与所述第二级放大电路的第二晶体管的控制极电连接；
所述第二级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到所述第二节点。
11.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述电压放大电路包括级联的多个放大电路，每级放大电路包括所述场效应晶体管放大子电路，
除第一级放大电路和最后一级放大电路之外，本级放大电路的第二晶体管的控制极与上一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接；所述本级放大电路的第二晶体管的第二极与下一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接；
所述第一级放大电路的第二晶体管的控制极电连接到所述第一节点，所述最后一级放大电路的第二晶体管的第二极电连接到所述第二节点。
12.根据权利要求1所述的像素电路，还包括：存储电路，
其中，所述存储电路被配置为存储所述放大电压信号，所述存储电路包括第二电容，所述发光驱动电路包括发光驱动晶体管，所述数据写入电路包括数据写入晶体管，
所述发光驱动晶体管的第一极与第一驱动电源端电连接，所述发光驱动晶体管的第二极与所述发光元件电连接，所述发光驱动晶体管的控制极电连接至所述第二节点；
所述数据写入晶体管的第一极与数据线电连接，以接收所述数据信号，所述数据写入晶体管的第二极电连接到所述第一节点，所述数据写入晶体管的控制极与扫描信号线电连接，以接收所述扫描信号；
所述第二电容的第一端电连接到所述第二节点，所述第二电容的第二端接地或与所述第一驱动电源端电连接。
13.根据权利要求1所述的像素电路，还包括：发光控制电路，
其中，所述发光控制电路被配置为在发光控制信号的控制下控制所述发光驱动电路驱动所述发光元件发光，且所述发光控制电路包括发光控制晶体管，
所述发光控制晶体管的控制极被配置为接收所述发光控制信号，所述发光控制晶体管的第一极与所述发光驱动电路电连接，所述发光控制晶体管的第二极与所述发光元件电连接。
14.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述发光元件、所述数据写入电路、所述发光驱动电路和所述电压放大电路形成在硅衬底上。
15.一种应用于根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法，包括：
在数据写入阶段，将所述数据信号写入所述电压放大电路，基于所述数据信号，通过所述电压放大电路得到所述放大电压信号，将所述放大电压信号写入所述发光驱动电路；
在发光阶段，基于所述放大电压信号，通过所述发光驱动电路驱动所述发光元件发光。
16.根据权利要求15所述的驱动方法，其中，所述电压放大电路包括双极型晶体管放大子电路，所述双极型晶体管放大子电路包括第一晶体管和双极型晶体管，
基于所述数据信号，通过所述电压放大电路得到所述放大电压信号，包括：
向所述第一晶体管的控制极写入所述数据信号，并控制所述第一晶体管处于饱和状态，以得到饱和电流；
控制所述双极型晶体管处于放大状态，并通过所述双极型晶体管放大所述饱和电流，以得到放大电流；
基于所述放大电流得到所述放大电压信号。
17.根据权利要求15所述的驱动方法，其中，所述电压放大电路包括场效应晶体管放大子电路，所述场效应晶体管放大子电路包括第二晶体管和第四电阻，
基于所述数据信号，通过所述电压放大电路得到所述放大电压信号，包括：
向所述第二晶体管的控制极写入所述数据信号，并控制所述第二晶体管处于饱和状态，以得到饱和电流；
基于所述饱和电流和所述第四电阻得到所述放大电压信号。
18.一种显示面板，包括权利要求1-14任一项所述的像素电路。
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