CN110426914B - 一种亚分辨率辅助图形的修正方法及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种亚分辨率辅助图形的修正方法及电子设备。所述方法包括步骤：提供包括主图形和亚分辨率辅助图形的掩模版图；在主图形的周围形成一评价点放置区域并在评价点放置区域中按预设规则放置多个评价点；将亚分辨率辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点；通过计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正，能很好的提高修正的准确性，不需要通过反演光刻技术等较复杂的手段判定是否需要修正，能很好的减少运算量以及提高修正速度，使得对亚分辨率辅助图形的修正更简单快速。
Description
【技术领域】
本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种亚分辨率辅助图形的修正方法及电子设备。
【背景技术】
光刻是集成电路制作的核心步骤，它的目的是将掩模上的图形通过光学成像系统转移到涂覆在硅基衬底的光刻胶并进一步转移到硅片上。转移到光刻胶上的图形被称作空间图像，即AI(Aerial Image)；转移到硅片上的图形被称作抗蚀剂图像，即RI(ResistImage)。为使后文描述方便，现将这两种图像统一称作曝光图形。由于光学成像系统衍射效应的存在，高阶衍射光无法通过光刻投影物镜参与成像，因而曝光图形将产生变形，特别是当掩模版图特征尺寸很小的时候，曝光图形将无法分辨。这一现象被称为光学临近效应(Optical Proximity Effect)。
为提高成像分辨率和成像质量，可以通过对掩模版图进行优化实现对上述光学临近效应的校正，即OPC(Optical Proximity Correction)。OPC一般分为两步：第一步是将掩模版图的所有边打断成一系列小线段，第二步对打断的线段进行偏移修正。主流的偏移的方法有两种：第一种方法是将打断的小线段按长度，方向，与邻近小线段的相对位置，相对方向等特征进行分类，建立偏移规则表，每类线段按此表定义的偏移规则进行偏移，这被称作基于规则的光学邻近效应修正(RB-Optical Proximity Correction)；第二种方法是采用光刻成像模型计算出预测曝光图形，根据预测曝光图形与理想曝光图形的差别反演计算得到各个小线段的偏移值；反演过程迭代进行，直至预测曝光图形与理想曝光图形的差异足够小，这被称作基于模型的光学邻近效应修正(MB-Optical Proximity Correction)。
OPC提高了曝光图形分辨率，为进一步增大工艺窗口，还需要与亚分辨率辅助图形，即SRAF(Sub-Resolution Asist Feature)一起使用。SRAF是在原始设计的掩模版图(也称作主图形)周围加入的一些细小长条，这些长条位于主图形附近，但不会被印刷出来。加入这些长条后，会使原始掩模版图边界的曝光强度变化率增大，进而使曝光系统对焦距和曝光剂量有更大的容忍度，亦即增大了工艺窗口。SRAF的建立可以基于规则实现，也可以基于光刻成像模型反演实现。基于规则的SRAF(RB-SRAF)可以充分考虑到掩模的制造需求，但数据安全性低，可能会造成部分非印刷区域印刷在曝光图形里；基于模型的SRAF(MB-SRAF)提升了数据安全性，但图形错综复杂，计算难度及成本也会增加。为此，需要对SRAF进行进一步修正使之既能保证数据安全性，又能平衡制造难度和成本。
【发明内容】
为克服目前对亚分辨率辅助图形优化的过程中存在的技术问题。
本发明为了解决上述技术问题，提供一技术方案：一种亚分辨率辅助图形的修正方法，包括如下步骤：S1、提供包括主图形和亚分辨率辅助图形的掩模版图；S2、在所述主图形的周围形成一评价点放置区域并在所述评价点放置区域中按预设规则放置多个评价点，在所述主图形的周围形成一评价点放置区域包括如下步骤：S21、设定一评价点放置区域形成的最小变量x1，以及一评价点放置区域形成的最大变量x2；S22、将所述主图形扩大x1获得图形A,将所述主图形扩大x2获得图形B；及S23、对所述图形A和所述图形B进行异或运算以获得所述评价点放置区域；在所述评价点放置区域中放置多个评价点时的预设规则为：任意相邻的两个评价点的放置间距为10-40nm；；S3、将所述亚分辨率辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点；及S4、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正，当关联评价点的强度超过设定的阈值时，与所述关联评价点对应的亚分辨率辅助图形的边需要修正，直至所述亚分辨率辅助图形达到最小制作宽度或者所有关联评价点的强度均小于设定的阈值。
优选地，在上述步骤S4之后，当所述亚分辨率辅助图形达到最小制作宽度时，仍存在关联评价点超过设定的阈值时，所述亚分辨率辅助图形的修正方法进一步包括步骤：S5、将所述亚分辨率辅助图形打断成多个尺寸较小的亚分辨率辅助图形块；S6、将所述每个亚分辨率辅助图形块与其最邻近的评价点关联起来形成关联评价点；及S7、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形块进行修正。
优选地，在上述步骤S7中，当关联评价点的强度大于设定的阈值时，则将与该关联评价点对应的亚分辨率辅助图形块去除。
优选地，在上述步骤S4中，当所述关联评价点的强度超过设定的阈值时，计算与该关联评价点对应的修正值，基于修正值对亚分辨率辅助图形的边做收缩移动。
优选地，当多个评价点关联亚分辨辅助图形的同一条边时，每个关联评价点对应一个修正值，选取数值最大的修正值对所对应的亚分辨率辅助图形的边进行收缩移动。
优选地，所述修正值通过如下式子计算获得：
其中，SRAFk为第k次迭代得到的其中一条亚分辨率辅助图形的边的位置，Intensity(SRAFk)为关联该亚分辨率辅助图形的边的评价点高于阈值部分的强度值，Intensity_slopek为关联评价点强度随该亚分辨率辅助图形的边移动的变化率，其计算公式如下：
最后得到的结果ΔSRAFk+1即为该亚分辨率辅助图形的边的修正值，其中第k+1次迭代该亚分辨率辅助图形的边的位置为
SRAFk+1＝SRAFk+ΔSRAFk+1。
为了解决上述技术问题，本发明还提供一种电子设备，其包括一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如上述所述的方法。
相对于现有技术，在评价点放置区域中按照预设的规则放置多个评价点，并且将辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点，通过计算关联评价点的强度，并根据关联评价点的强度判定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正，能很好的提高修正的准确性，同时不需要通过反演光刻技术等较复杂的手段判定是否需要修正，能很好的减少运算量以及提交修正速度，使得对亚分辨率辅助图形的修正更简单快速，减少资金成本。
当所述亚分辨率辅助图形达到最小制作宽度时，仍存在关联评价点超过设定的阈值时，进一步通过如下步骤对亚分辨率辅助图形进行修正，S5、将所述亚分辨率辅助图形打断成多个尺寸较小的亚分辨率辅助图形块；S6、将所述每个亚分辨率辅助图形块与其距离较近的评价点关联起来形成关联评价点；S7、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形块进行修正，能进一步提高对亚分辨辅助图形的修正效果，使得最终制作出来的掩模版图获得更准确的成像效果。
当多个评价点关联亚分辨辅助图形的同一条边时，每个关联评价点对应一个修正值，选取数值最大的修正值对所对应的亚分辨率辅助图形的边进行收缩移动，能很好的提高修正的速率。
本发明提供的电子设备具有和所提供的亚分辨率辅助图形的修正方法同样的有益效果。
【附图说明】
图1是本发明中第一实施例中亚分辨辅助图形的修正方法的流程示意图；
图2是本发明中提供的掩模版图的结构示意图；
图3是本发明第一实施例提供的亚分辨辅助图形的修正方法中步骤S2的细节流程图；
图4是本发明第一实施例提供的亚分辨辅助图形的修正方法中形成的评价点放置区域的示意图；
图5是本发明第一实施例提供的亚分辨辅助图形的修正方法中评价点放置在掩模版图上之后的示意图；
图6是本发明第一实施例提供的亚分辨辅助图形的修正方法中评价点与亚分辨辅助图形的边进行关联之后的示意图；
图7是本发明第一实施例提供的亚分辨辅助图形的修正方法中步骤S4的细节流程图；
图8是本发明第一实施例提供的亚分辨辅助图形的修正方法修正之后的亚分辨率辅助图形的示意图；
图9是本发明第一实施例提供的亚分辨辅助图形的修正方法中步骤S4中计算评价点强度值的流程示意图；
图10是本发明中第二实施例中亚分辨辅助图形的修正方法的流程示意图；
图11是本发明中第二实施例中亚分辨辅助图形的修正方法中步骤S7的细节流程图；
图12是本发明中第二实施例中亚分辨辅助图形的修正方法修正之后的掩模版图示意图；
图13是本发明中第三实施例中提供的电子设备的模块示意图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明第一实施例提供一种亚分辨率辅助图形的修正方法，包括如下步骤：
S1、提供包括主图形和亚分辨率辅助图形的掩模版图；
如图2中所示，区域M为主图形，环绕主图形设置的多个细长条图形N为亚分辨辅助图形。通常主图形也称为曝光图形，曝光后其会转移到半导体器件上，而亚分辨辅助图形在曝光后不会转移到半导体器件上。主图形是基于模型的光学临近效应修正(MB-OPC)获得。亚分辨率辅助图形是基于模型的SRAF(MB-SRAF)或者基于规则的SRAF(RB-SRAF)方式在所述主图形周围生成。在本实施例中，是基于模型的SRAF(MB-SRAF)的方式获得的。
本实施例中主图形为矩形，在其他实施方式中，主图形可以为其它形状，主要取决于初始掩模的具体形状而定，如梯形、不规则多边形、规则多边形等其他图形都可以。可选地，输入的主图形以GDS格式存在。GDS是集成电路版图设计中最常用的图形数据描述语言文件格式。
请再次参阅图1，本发明提供的一种亚分辨率辅助图形的修正方法进一步包括如下步骤：
步骤S2、在所述主图形的周围形成一评价点放置区域并在所述评价点放置区域中按预设规则放置多个评价点。
请结合图3和图4，在所述主图形的周围形成一评价点放置区域包括如下步骤：
S21、设定一评价点放置区域形成的最小变量x1，以及一评价点放置区域形成的最大变量x2；
在本步骤中，其中，最小变量x1和最大变量x2分别是主图形的扩大系数，也即将主图形扩大到原来的x倍时的系数。比如，最小变量x1为2时，即将主图像扩大到原来的2倍。其中最小变量x1小于或者等于最大变量x2，最小变量x1大于或者等于1，最大变量x2大于1。
S22、将所述主图形扩大x1获得图形A,将所述主图形扩大x2获得图形B；
将所述主图形扩大x1获得图形A,将所述主图形扩大x2获得图形B；最小变量x1和最大变量x2的设定可以按照如下方式进行：生成的图形A的边和主图形的边两者的最近距离为d1，生成的图形B的边和主图形的边的最近距离为d2，具体地，d1的数值范围为40nm-60nm，d2的数值范围为200nm-600nm。
S23、对所述图形A和所述图形B进行异或运算以获得所述评价点放置区域。
在本步骤中，评价点放置区域即图形A和图形B的边缘围合形成的区域C，也即对应图4中的填充区域，可见，评价点放置区域的轮廓和主图形的轮廓相一致。
请再次参阅图3，在所述主图形的周围形成一评价点放置区域具体包括如下内容：
请参阅图5，在步骤S2中，在所述评价点放置区域中放置多个评价点时的预设规则为：任意相邻的两个评价点的放置间距为10-40nm。如图5中所示，评价点标号为P。可选地，评价点之间可以呈多排多列规则设置，或者不规则设置亦可。
需要说明的是，评价点的设置是为了监测基于当前的掩模版图进行光学成像时，评价点是否会形成在半导体器件上，从而判定是否需要对亚分辨率辅助图形进行优化。可以理解的是，当掩模版图优化之前或者优化不完全时，评价点往往会在半导体器件上成像，而当掩模版图优化好之后，评价点不会在半导体器件上成像。因此，本发明中设置一系列的评价点，基于评价点是否会在半导体器件上成像判定与其对应的亚分辨率辅助图形是否需要修正。
请再次参阅图1，本发明提供的一种亚分辨率辅助图形的修正方法进一步包括：
步骤S3，将所述亚分辨率辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点。
请参阅图6，在本步骤中，将每个亚分辨率辅助图形的每一条边与其最近邻的评价点关联。在此，与每条边最近邻的定义是：每个评价点与其相近的边的垂直距离较短的则认为是距离这个边距离相近的评价点。基于设置的评价点的数量的区别，与每条边相关联的评价点的数量可能为一个或者多个。可选地，在本实施例中每条边关联多个评价点，通过评判多个评价点是否会印刷在半导体器件上能更全面的评价掩模版图的优化情况。因此，只有当与其相关联的所有的评价点都不会形成在半导体器件上时，才认为亚分辨率辅助图形达到最终的优化。
请再次参阅图1，本发明提供的一种亚分辨率辅助图形的修正方法进一步包括：
S4、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正。
请参阅图7，步骤S4具体包括如下步骤：
步骤S41、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度；
步骤S42、判断当前关联评价点的强度是否超过设定的阈值；
若是，则进一步执行步骤S43，
步骤S43、判断所述亚分辨率辅助图像是否收缩至最小制作宽度；
若否，则执行步骤S44、亚分辨率辅助图形修正结束。
需要说明的是，在步骤S42中，是判定当前循环中所有的关联评价点中是否存在超过设定的阈值的关联评价点，只有当全部的关联评价点的强度都小于预定的阈值时，才对应执行步骤S44，否则对应执行步骤S43以及后续相关的步骤。
请再次参阅图7，当执行完步骤S43之后，若所述亚分辨率辅助图像收缩至最小制作宽度时，对应执行步骤S44，
步骤S44、亚分辨辅助图形修正结束；
否则执行步骤S45,
步骤S45、对所述亚分辨率辅助图形进行修正。
在上述步骤S43中，亚分辨率辅助图像的最小制作宽度是光刻成像模型中的光学系统能分辨的亚分辨率辅助图形的最小尺寸。
需要说明的是，当执行完步骤S45之后，需要重新返回步骤S41，直至所有的关联评价点的强度小于设定的阈值为止。特别地，当在亚分辨率辅助图形已经收缩到最小制作宽度时，仍然存在有关联评价点的强度大于设定的阈值，也对应执行步骤S44。
请参阅图8，为对所述压分辨率辅助图形进行修正之后的示意图。如图8中所示，亚分辨率辅助图形N1和N2的边做了对应的移动处理，即做了收缩处理。边N11和边N21分别向亚分辨辅助图形的中心移动。
在本步骤中，通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度。光刻成像模型为现有的通用类模型。其主要包括如下步骤：
请参阅图9，所述关联评价点强度的计算主要包括如下步骤：
S46、将掩模版图格点化以获得格点化的掩模图像MI，
定义MI可通过如下表达式表达：
MI＝MI(r)
式中，r为每个主图形的位置坐标，具体地，可以用主图形的顶角上的坐标值表示。
其具体包括如下步骤：
S461、通过卷积运算获得低通滤波器矩阵(卷积核)；
S462、对所述掩模图像MI中的每个像素点进行计算，计算每个像素点的邻域像素和所述低通滤波器矩阵对应元素的乘积，并将对应元素的值进行相加，获得代表该像素位置的特征值，从而形成关于所述掩模图像MI的特征图。可见，所述特征图上的特征值即对应为MI(r)。
请再次参阅图8，所述关联评价点强度计算还包括如下步骤：
S47、将所述格点化的掩模图像MI转化为曝光剂量分布图AI；
在本步骤中，主要根据光学成像的TCC理论计算获得AI，具体的，AI可以用如下表达式表示：
式中，λl为第l项本征系数，hl为第l项传输矩阵系数。
具体地，AI的计算主要包括如下步骤：
S471、计算交叉传递系数矩阵；
S472、计算部分相干核函数；
S473、基于部分相干核函数计算获得所述曝光剂量分布图AI。
在步骤S471中，可以通过现有的解析法、积分法以及傅里叶变换的方法计算得出所述交叉传递系数矩阵。其中傅里叶变换的方法能适应不同类型的光源，并且具有较快的计算速率，在本发明中，选用傅里叶变换的方法计算。
在步骤S472中，首先需要将四维的交叉传递系数矩阵表示成二维矩阵，然后对其做特征值分解以得到其本征系数与特征向量。其中，计算得到的特征向量即对应为部分相干核函数。在本步骤中，主要是基于光学成像模型Hopkins(霍普金斯统计量)将交叉传递系数矩阵进行特征值分解，保留前l项，每一项由本征系数和特征向量(传输矩阵系数)表示。因此获得第l项本征系数λl和第l项传输矩阵系数hl。
其中保留的前l项是对结果有较大影响的值，而后l项基本接近零，因此可以将其忽略。
在步骤S473中，主要是将步骤S472中得到的各个核函数使用相干成像模型计算得到的空间像对本征系数做加权和从而得到曝光剂量分布图AI。
请再次参阅图9，所述关联评价点强度计算还包括如下步骤：
S48、通过所述曝光剂量分布图AI计算获得关联评价点强度。
在本步骤中，关联评价点强度的获得可从曝光剂量分布图AI出发并考虑抗蚀剂的一些化学效应得到。
在一些具体的实施方式中，关联评价点强度RI可以通过例如如下函数获得：
式中，θ为一个表示扩散效应的长度尺度的常数，主要由抗蚀剂的化学性质决定，可通过测试获得。threshold为一个截断常数，即为设定的阈值。
请再次参阅图6，当多个评价点关联亚分辨辅助图形的同一条边时，由于每一个关联评价点相对其同一条边时，由于每个关联评价点相对于该条边具有不同的距离，因此，不同关联评价点会具有不同的关联评价点强度，每个超过设定的关联评价点强度的阈值的关联评价点对应一个修正值，选取数值最大的修正值对所对应的亚分辨率辅助图形进行收缩移动以完成对所述亚分辨率辅助图形的修正，这样能提高修正的效率以及减小运算量。修正值即为计算获得的亚分辨率辅助图形的边需要收缩的尺寸大小。
在一些具体的实施方式中，所述修正值通过如下式子计算获得：
其中，SRAFk为第k次迭代得到的其中一条亚分辨辅助图形(SRAF)的边的位置，Intensity(SRAFk)为关联该亚分辨辅助图形(SRAF)边的评价点强度RI高于阈值部分的数值，Intensity_slopek为关联评价点强度RI随该SRAF边移动的变化率，其计算公式如下：
最后得到的结果ΔSRAFk+1即为该SRAF边的修正值。第k+1次迭代该SRAF边的位置为：
SRAFk+1＝SRAFk+ΔSRAFk+1
请参阅图10，本发明的第二实施例中，当所述亚分辨率辅助图形达到最小制作宽度时，仍有关联评价点强度超过设定的阈值时，所述亚分辨率辅助图形的修正方法进一步包括以下步骤：
S5、将所述每个亚分辨率辅助图形打断成多个尺寸较小的亚分辨率辅助图形块。
在该步骤中，主要是沿着亚分辨率辅助图形的长边方向均匀打断成多个亚分辨率辅助图形块。可选地，打断成每个亚分辨率辅助图形块的长度为10-20nm，打断方式为：由亚分辨率辅助图形的长边方向的两端向中间进行，以保证亚分辨率辅助图形的对称性。
S6、将所述每个亚分辨率辅助图形块与其距离较近的评价点关联起来形成关联评价点。
在本步骤中，主要是将亚分辨率辅助图形块的每条边与其最邻近的评价点关联，具体的关联方式和第一实施例相同，在此不再赘述。
S7、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形块进行修正。
请参阅图11，上述步骤S7具体包括如下步骤：
步骤S71、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度；
步骤S72、判断当前关联评价点的强度是否超过设定的阈值；
若是，则进一步执行步骤S73，
步骤S73、丢弃与该超过设定阈值的评价点关联的亚分辨率辅助图形块；
若否，执行步骤S74、亚分辨率辅助图形修正结束。
请参阅图12，为在本实施例中丢弃了其中的一些亚分辨率辅助图形块之后的优化后的掩模版图。在图8中亚分辨率辅助图形N1和N2的边做了对应的移动处理，即做了收缩处理。边N11和边N21分别向亚分辨辅助图形的中心移动。在图12中，在亚分辨率辅助图形N1和N2的边N11和边N21做了收缩处理之后，由于其已经达到了最小制作宽度，但是仍然存在大于设定阈值的关联评价点，因此需要其进行进一步的优化处理，图12即为进一步优化之后的示意图。
请参阅图13，本发明的第三实施例提供一种电子设备300，其包括一个或多个处理器301；
存储装置302，用于存储一个或多个程序，
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器301执行，使得所述一个或多个处理器301实现如第一实施例或者第二实施例提供的亚分辨率辅助图形的修正方法。
相对于现有技术，本发明所提供的亚分辨辅助图形的修正方法在评价点放置区域中按照预设的规则放置多个评价点，并且将辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点，通过计算关联评价点的强度，并根据关联评价点的强度判定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正，能很好的提高修成的准确性，同时不需要通过反演光刻技术等较复杂的手段判定是否需要修正，能很好的减少运算量以及提高修正速度，使得对亚分辨率辅助图形的修正更简单快速，减少资金成本。
当所述亚分辨率辅助图形达到最小制作宽度时，仍存在关联评价点超过设定的阈值时，进一步通过如下步骤对亚分辨率辅助图形进行修正，S5、将所述亚分辨率辅助图形打断成多个尺寸较小的亚分辨率辅助图形块；S6、将所述每个亚分辨率辅助图形块与其距离较近的评价点关联起来形成关联评价点；S7、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形块进行修正，能进一步提高对亚分辨辅助图形的修正效果，使得最终制作出来的掩模版图获得更准确的成像效果。
当多个评价点关联亚分辨辅助图形的同一条边时，每个关联评价点对应一个修正值，选取数值最大的修正值对所对应的亚分辨率辅助图形的边进行收缩移动，能很好的提高修正的速率。
本发明提供的电子设备具有和所提供的亚分辨率辅助图形的修正方法同样的有益效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种亚分辨率辅助图形的修正方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、提供包括主图形和亚分辨率辅助图形的掩模版图；
S2、在所述主图形的周围形成一评价点放置区域并在所述评价点放置区域中按预设规则放置多个评价点，在所述主图形的周围形成一评价点放置区域包括如下步骤：
S21、设定一评价点放置区域形成的最小变量x1，以及一评价点放置区域形成的最大变量x2；
S22、将所述主图形扩大x1获得图形A,将所述主图形扩大x2获得图形B；及
S23、对所述图形A和所述图形B进行异或运算以获得所述评价点放置区域；
在所述评价点放置区域中放置多个评价点时的预设规则为：任意相邻的两个评价点的放置间距为10-40nm；
S3、将所述亚分辨率辅助图形的每条边与其最近邻的评价点关联形成与每条边对应的至少一个关联评价点；及
S4、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形进行修正，当关联评价点的强度超过设定的阈值时，与所述关联评价点对应的亚分辨率辅助图形的边需要修正，直至所述亚分辨率辅助图形达到最小制作宽度或者所有关联评价点的强度均小于设定的阈值。
2.如权利要求1所述的亚分辨率辅助图形的修正方法，其特征在于：在上述步骤S4之后，当所述亚分辨率辅助图形达到最小制作宽度时，仍存在关联评价点超过设定的阈值时，所述亚分辨率辅助图形的修正方法进一步包括步骤：
S5、将所述亚分辨率辅助图形打断成多个尺寸较小的亚分辨率辅助图形块；
S6、将所述每个亚分辨率辅助图形块与其最邻近的评价点关联起来形成关联评价点；及
S7、通过光刻成像模型逐一计算每个关联评价点的强度，并判断每个关联评价点的强度是否超过设定的阈值，基于判定结果决定是否需要对亚分辨率辅助图形块进行修正。
3.如权利要求2所述的亚分辨率辅助图形的修正方法，其特征在于：在上述步骤S7中，当关联评价点的强度大于设定的阈值时，则将与该关联评价点对应的亚分辨率辅助图形块去除。
4.如权利要求1所述的亚分辨率辅助图形的修正方法，其特征在于：在上述步骤S4中，当所述关联评价点的强度超过设定的阈值时，计算与该关联评价点对应的修正值，基于修正值对亚分辨率辅助图形的边做收缩移动。
5.如权利要求4所述的亚分辨率辅助图形的修正方法，其特征在于：当多个评价点关联亚分辨辅助图形的同一条边时，每个关联评价点对应一个修正值，选取数值最大的修正值对所对应的亚分辨率辅助图形的边进行收缩移动。
6.如权利要求5所述的亚分辨率辅助图形的修正方法，其特征在于：所述修正值通过如下式子计算获得：
其中，SRAFk为第k次迭代得到的其中一条亚分辨率辅助图形的边的位置，Intensity(SRAFk)为关联该亚分辨率辅助图形的边的评价点高于阈值部分的强度值，Intensity_slopek为关联评价点强度随该亚分辨率辅助图形的边移动的变化率，其计算公式如下：
最后得到的结果ΔSRAFk+1即为该亚分辨率辅助图形的边的修正值，其中第k+1次迭代该亚分辨率辅助图形的边的位置为
SRAFk+1＝SRAFk+ΔSRAFk+1。
7.一种电子设备，其特征在于：其包括一个或多个处理器；
存储装置，用于存储一个或多个程序，
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-6中任一项所述的亚分辨率辅助图形的修正方法。
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