TWI828572B - 光罩結構的設計方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 5
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
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Abstract
一種光罩結構的設計方法，包括以下步驟。提供第一布局圖案。在第一布局圖案旁加入輔助圖案。進行光學鄰近修正，而將第一布局圖案轉變成第二布局圖案，其中輔助圖案具有鄰近於第二布局圖案的相鄰部，相鄰部與第二布局圖案之間的第一距離小於安全距離，且安全距離為在微影製程中防止輔助圖案被轉印至光阻層的距離。在進行光學鄰近修正之後，將相鄰部進行偏移，而將第一距離加大至第二距離，其中第二距離大於或等於安全距離。
Description
本發明是有關於一種光罩結構的設計方法，且特別是有關於一種具有輔助圖案(assist pattern)的光罩結構的設計方法。
在目前光罩結構的設計方法中，會加入輔助圖案來提升解析度。然而，在對布局圖案進行光學鄰近修正(optical proximity correction，OPC)之後，若輔助圖案與布局圖案之間的距離太近，在微影製程中會導致輔助圖案被轉印至光阻層，而產生非預期的圖案。
本發明提供一種光罩結構的設計方法，其可在微影製程中防止輔助圖案被轉印至光阻層。
本發明提出一種光罩結構的設計方法，包括以下步驟。提供第一布局圖案。在第一布局圖案旁加入輔助圖案。進行光學鄰近修正，而將第一布局圖案轉變成第二布局圖案，其中輔助圖案具有鄰近於第二布局圖案的相鄰部，相鄰部與第二布局圖案之間的第一距離小於安全距離，且安全距離為在微影製程中防止輔助圖案被轉印至光阻層的距離。在進行光學鄰近修正之後，將相鄰部進行偏移，而將第一距離加大至第二距離，其中第二距離大於或等於安全距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，輔助圖案例如是次解析度輔助特徵(sub-resolution assist feature，SRAF)。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，安全距離可大於或等於光罩規則檢查(mask rule check，MRC)所規定的最小距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，輔助圖案與第一布局圖案之間的初始距離(initial distance)可小於光罩規則檢查所規定的最小距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，輔助圖案與第一布局圖案之間的初始距離可等於光罩規則檢查所規定的最小距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，輔助圖案與第一布局圖案之間的初始距離可大於光罩規則檢查所規定的最小距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，更可包括以下步驟。提供第三布局圖案。輔助圖案可位在第一布局圖案與第三布局圖案之間。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，光學鄰近修正可將第三布局圖案轉變成第四布局圖案。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，輔助圖案與第四布局圖案之間的第三距離可大於或等於安全距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，在將相鄰部進行偏移之後，相鄰部與第四布局圖案之間的第四距離可大於或等於安全距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，安全距離可大於或等於光罩規則檢查所規定的最小距離。
依照本發明的一實施例所述，在上述光罩結構的設計方法中，光罩結構可為二元光罩(binary mask)或相移光罩(phase shift mask，PSM)。
基於上述，在本發明所提出的光罩結構的設計方法中，在第一布局圖案旁加入輔助圖案。進行光學鄰近修正，而將第一布局圖案轉變成第二布局圖案。輔助圖案具有鄰近於第二布局圖案的相鄰部。相鄰部與第二布局圖案之間的第一距離小於安全距離。安全距離為在微影製程中防止輔助圖案被轉印至光阻層的距離。在進行光學鄰近修正之後，將相鄰部進行偏移，而將第一距離加大至第二距離。第二距離大於或等於安全距離。如此一來，在利用本發明所提出的光罩結構的設計方法所設計的光罩結構進行微影製程時，可在防止輔助圖案被轉印至光阻層，進而防止產生非預期的圖案。此外，本發明所提出的光罩結構的設計方法可具有較大的製程裕度且可提升製程解析度(process resolution)。另外，在利用本發明所提出的光罩結構的設計方法所設計的光罩結構進行微影製程之後，所獲得的光阻圖案的關鍵尺寸可達到目標。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
下文列舉實施例並配合附圖來進行詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。為了方便理解，在下述說明中相同的構件將以相同的符號標示來說明。此外，附圖僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1為根據本發明的一些實施例的光罩結構的設計流程圖。圖2A至圖2D為根據本發明的一些實施例的光罩結構的設計流程上視圖。
請參照圖1與圖2A，在步驟S100中，提供布局圖案100。在一些實施例中，在步驟S100中，更可提供布局圖案102。在一些實施例中，布局圖案100與布局圖案102可彼此分離。
請參照圖1與圖2B，在步驟S102中，在布局圖案100旁加入輔助圖案104。在一些實施例中，輔助圖案104與布局圖案100之間的初始距離ID1可小於、等於或大於光罩規則檢查所規定的最小距離。在一些實施例中，輔助圖案104可位在布局圖案100與布局圖案102之間。在一些實施例中，輔助圖案104與布局圖案102之間的初始距離ID2可大於輔助圖案104與布局圖案100之間的初始距離ID1。在一些實施例中，輔助圖案104例如是次解析度輔助特徵(SRAF)。
請參照圖1與圖2C，在步驟S104中，進行光學鄰近修正，而將布局圖案100轉變成布局圖案100A，其中輔助圖案104具有鄰近於布局圖案100A的相鄰部P1，相鄰部P1與布局圖案100A之間的距離D1小於安全距離，且安全距離為在微影製程中防止輔助圖案104被轉印至光阻層的距離。在本實施例中，安全距離可大於或等於光罩規則檢查所規定的最小距離。此外，在步驟S104中，光學鄰近修正可將布局圖案102轉變成布局圖案102A。在一些實施例中，輔助圖案104與布局圖案102A之間的距離D2可大於或等於安全距離。
請參照圖1與圖2D，在步驟S106中，在進行光學鄰近修正之後，將相鄰部P1進行偏移，而將距離D1加大至距離D11，其中距離D11大於或等於安全距離。如此一來，在利用上述光罩結構的設計方法所設計的光罩結構10進行微影製程時，可在防止輔助圖案104被轉印至光阻層，進而防止產生非預期的圖案。在一些實施例中，在將相鄰部P1進行偏移之後，相鄰部P1與布局圖案102A之間的距離D21可大於或等於安全距離。
在一些實施例中，布局圖案100A與布局圖案102A可為光罩結構10上的主圖案(main pattern)。在一些實施例中，光罩結構10可為二元光罩或相移光罩。在一些實施例中，光罩結構10可為二元光罩，且布局圖案100A、布局圖案102A與輔助圖案104可為二元光罩上的不透光圖案(如，不透光區)，但本發明並不以此為限。在一些實施例中，光罩結構10可為二元光罩，且布局圖案100A、布局圖案102A與輔助圖案104可為二元光罩上的透光圖案(如，透光區)。在一些實施例中，光罩結構10可為相移光罩，且布局圖案100A、布局圖案102A與輔助圖案104可為相移光罩上的相移圖案，但本發明並不以此為限。在一些實施例中，光罩結構10可為相移光罩，且布局圖案100A、布局圖案102A與輔助圖案104可為相移光罩上的透光圖案(如，透光區)。
基於上述實施例可知，在光罩結構的設計方法中，在布局圖案100旁加入輔助圖案104。進行光學鄰近修正，而將布局圖案100轉變成布局圖案100A。輔助圖案104具有鄰近於布局圖案100A的相鄰部P1。相鄰部P1與布局圖案100A之間的距離D1小於安全距離。安全距離為在微影製程中防止輔助圖案104被轉印至光阻層的距離。在進行光學鄰近修正之後，將相鄰部P1進行偏移，而將距離D1加大至距離D11。距離D11大於或等於安全距離。如此一來，在利用上述光罩結構的設計方法所設計的光罩結構10進行微影製程時，可在防止輔助圖案104被轉印至光阻層，進而防止產生非預期的圖案。此外，上述光罩結構的設計方法可具有較大的製程裕度且可提升製程解析度。另外，在利用上述光罩結構的設計方法所設計的光罩結構10進行微影製程之後，所獲得的光阻圖案的關鍵尺寸可達到目標。
綜上所述，在上述實施例的光罩結構的設計方法中，在第一布局圖案旁加入輔助圖案。進行光學鄰近修正，而將第一布局圖案轉變成第二布局圖案。輔助圖案具有鄰近於第二布局圖案的相鄰部。相鄰部與第二布局圖案之間的第一距離小於安全距離。安全距離為在微影製程中防止輔助圖案被轉印至光阻層的距離。在進行光學鄰近修正之後，將相鄰部進行偏移，而將第一距離加大至第二距離。第二距離大於或等於安全距離。如此一來，在利用本發明所提出的光罩結構的設計方法所設計的光罩結構進行微影製程時，可在防止輔助圖案被轉印至光阻層，進而防止產生非預期的圖案。此外，上述實施例的光罩結構的設計方法可具有較大的製程裕度且可提升製程解析度。另外，在利用上述實施例的光罩結構的設計方法所設計的光罩結構進行微影製程之後，所獲得的光阻圖案的關鍵尺寸可達到目標。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:光罩結構
100,100A,102,102A:布局圖案
104:輔助圖案
D1,D2,D11,D21:距離
ID1,ID2:初始距離
P1:相鄰部
S100,S102,S104,S106:步驟
圖1為根據本發明的一些實施例的光罩結構的設計流程圖。
圖2A至圖2D為根據本發明的一些實施例的光罩結構的設計流程上視圖。
S100,S102,S104,S106:步驟
Claims (12)
- 一種光罩結構的設計方法，包括： 提供第一布局圖案； 在所述第一布局圖案旁加入輔助圖案； 進行光學鄰近修正，而將所述第一布局圖案轉變成第二布局圖案，其中所述輔助圖案具有鄰近於所述第二布局圖案的相鄰部，所述相鄰部與所述第二布局圖案之間的第一距離小於安全距離，且所述安全距離為在微影製程中防止所述輔助圖案被轉印至光阻層的距離；以及 在進行所述光學鄰近修正之後，將所述相鄰部進行偏移，而將所述第一距離加大至第二距離，其中所述第二距離大於或等於所述安全距離。
- 如請求項1所述的光罩結構的設計方法，其中所述輔助圖案包括次解析度輔助特徵。
- 如請求項1所述的光罩結構的設計方法，其中所述安全距離大於或等於光罩規則檢查所規定的最小距離。
- 如請求項1所述的光罩結構的設計方法，其中所述輔助圖案與所述第一布局圖案之間的初始距離小於光罩規則檢查所規定的最小距離。
- 如請求項1所述的光罩結構的設計方法，其中所述輔助圖案與所述第一布局圖案之間的初始距離等於光罩規則檢查所規定的最小距離。
- 如請求項1所述的光罩結構的設計方法，其中所述輔助圖案與所述第一布局圖案之間的初始距離大於光罩規則檢查所規定的最小距離。
- 如請求項1所述的光罩結構的設計方法，更包括： 提供第三布局圖案，其中所述輔助圖案位在所述第一布局圖案與所述第三布局圖案之間。
- 如請求項7所述的光罩結構的設計方法，其中所述光學鄰近修正將所述第三布局圖案轉變成第四布局圖案。
- 如請求項8所述的光罩結構的設計方法，其中所述輔助圖案與所述第四布局圖案之間的第三距離大於或等於所述安全距離。
- 如請求項9所述的光罩結構的設計方法，其中在將所述相鄰部進行偏移之後，所述相鄰部與所述第四布局圖案之間的第四距離大於或等於所述安全距離。
- 如請求項10所述的光罩結構的設計方法，其中所述安全距離大於或等於光罩規則檢查所規定的最小距離。
- 如請求項1所述的光罩結構的設計方法，其中所述光罩結構包括二元光罩或相移光罩。
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