KR20040105214A - 다마신 공정의 완전 위상 시프팅 마스크 - Google Patents

다마신 공정의 완전 위상 시프팅 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR20040105214A
KR20040105214A KR10-2004-7014145A KR20047014145A KR20040105214A KR 20040105214 A KR20040105214 A KR 20040105214A KR 20047014145 A KR20047014145 A KR 20047014145A KR 20040105214 A KR20040105214 A KR 20040105214A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shifters
phase shifting
mask
shifting mask
cut
Prior art date
Application number
KR10-2004-7014145A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100739923B1 (ko
Inventor
피에라크리스토프
Original Assignee
뉴메리컬 테크날러지즈 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 뉴메리컬 테크날러지즈 인코퍼레이티드 filed Critical 뉴메리컬 테크날러지즈 인코퍼레이티드
Publication of KR20040105214A publication Critical patent/KR20040105214A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100739923B1 publication Critical patent/KR100739923B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

완전 위상 시프팅 마스크(FPSM)은 다마신 공정에서 에칭하기 어려운 금속층에 대해 유리하게 사용될 수 있다. FPSM이 양 포토레지스트와 함께 사용되기 때문에, 본래의 레이아웃 상의 피처는 FPSM 레이아웃 상의 시프터로 대체될 수 있다. 인접 시프터는 반대 위상, 예컨데 0 및 180 도 이어야 한다. 일 실시예에서, 다크 필드 트림 마스크는 FPSM과 함께 사용될 수 있다. 트림 마스크는 FPSM 상의 커트에 상응하는 커트를 포함할 수 있다. FPSM 상의 커트는 근접 시프터 사이의 위상 충돌을 해결하기 위해 만들어질 수 있다. 일 경우에서, FPSM 상의 두개의 근접 시프터 및 트림 마스크 상의 상응하는 커트를 노광하는 것은 금속층 내에 피처를 형성할 수 있다. FPSM 및/또는 트림 마스크는 인쇄 해상도를 추가로 개선하기 위해 근접 보정을 포함할 수 있다.

Description

다마신 공정의 완전 위상 시프팅 마스크{FULL PHASE SHIFTING MASK IN DAMASCENE PROCESS}
관련 출원
본 발명은 2002년 11월 14일 출원된 발명의 명칭 "다마신 공정의 완전 위상 시프팅 마스크"이고, 발명자는 크리스토프 피에라이며, 본 발명의 양수인에게 양도된 정규 특허 출원 제10/295,575호에 관한 것이고, 우선권의 이익을 청구한다.
이 출원은 2002년 3월 11일 출원된 발명의 명칭 "다마신 공정의 완전 위상 마스크"이고, 발명자는 크리스토프 피에라이며, 본 발명의 양수인에게 양도된 가특허 출원 제60/363,674호에 관한 것이고, 우선권의 이익을 청구한다.
이 출원은 2000년 9월 26일 출원된 발명의 명칭 "교차 라인용 완전 위상 마스크"이고, 발명자는 크리스토프 피에라이며, 본 발명의 양수인에게 양도된 정규 특허 출원 제09/669,368호에 관한 것이고, 우선권의 이익을 청구한다.
이 출원은 2001년 10월 17일 출원된 발명의 명칭 "포토리쏘그래픽 마스크용 위상 충돌 해법"이고, 발명자는 크리스토프 피에라 등이며, 본 발명의 양수인에게 양도된 정규 특허 출원 제09/932,239호에 관한 것이고, 우선권의 이익을 청구한다.
표준 바이너리 마스크는 투명(예컨데, 석영) 기판 상에 형성된 패터닝된 불투명(예컨데, 크롬)층을 포함한다. 패턴은 광 리소그래피를 사용하여 웨이퍼 상으로 전사된다. 특히, 회로 설계의 각 층에 대해, 방사(예컨데, 빛)원은 그 층에 상응하는 마스크(용어 마스크는 여기에서 또한 레티클로서 참조될 수 있다) 상에 조사된다. 이러한 방사는 마스크의 투명한 영역을 통과하고 마스크의 불투명한 영역에 의해 차단됨으로써, 웨이퍼 상의 포토레지스트층을 선택적으로 노광시킨다.
상기 방사에 노광된 포토레지스트층의 영역은 즉 조사된 영역으로 현상액으로 불리우는 특정 솔벤트에서 용해가능하거나 또는 용해 불가능하다. 조사된 영역이 용해가능한 경우, 포토레지스트는 양 포토레지스트라 불리운다. 반대로, 조사된 영역이 용해 불가능한 경우, 포토레지스트는 음 포토레지스트라 불리운다. 포토레지시트층의 현상 이후에, 포토레지스트에 의해 더이상 커버되지 않는 아래의 반도체층은 이방성 에칭에 의해 제거될 수 있으며, 이에 의해 원하는 패턴을 웨이퍼 상으로 전사한다. 이러한 공정은 웨이퍼 상의 집적회로의 각 층에 대해 반복될 수 있다.
금속층을 패터닝하는 일반적인 공정은 웨이퍼 상의 그 금속층을 피착하는 단계와, 그다음 금속층 상에 양 포토레지스트층을 피착하는 단계를 포함한다. 그다음 양 포토레지스트는 클리어 필드 바이너리 마스크(여기서 마스크 상의 불투명 패턴은 레이아웃에서 피처를 나타낸다)를 사용하여 노광될 수 있다. 이 시점에서,에칭 단계는 금속층의 원하는 패턴을 생성하기 위해 실행될 수 있다.
이러한 공정은 0.13 마이크론 보다 더 큰 크리티컬(critical) 치수를 갖는 금속 패턴에 대해 잘 진행된다. 그러나, 더 작은 크리티컬 치수에서의 장치의 성능을 강화시키기 위해, 반도체 회사는 알루미늄에서 구리로 이동하고 있다. 불행하게도, 구리는 에칭하기가 매우 어렵다. 그러므로, 상기한 것과 같은 일반적인 금속 공정은 구리층에 대해 사용될 수 없다.
그러나, 다마신 공정은 구리 패턴을 형성하는데 사용될 수 있다. 다마신 공정은 웨이퍼 상에 산화층을 형성하는 단계와, 그다음 산화층 상에 음 포토레지스트층을 피착하는 단계를 포함할 수 있다. 음 포토레지스트는 클리어 필드 바이너리 마스크를 사용하여 노광될 수 있다. 노광 이후에, 산화층의 노광 부분은 원하는 패턴을 형성하도록 쉽게 패터닝될 수 있다. 이 시점에서, 구리는 피착 및 평탄화(예컨데, CMP 공정을 사용하여)될 수 있고, 이에 의해 구리에서 원하는 패턴이 형성된다.
그러나, 양 포토레지스트는 음 포토레지스트 보다 더 좋은 해상도를 제공하기 때문에 현재 많은 적용에 대해 주된 레지스트이다. 그러므로, 양 포토레지스트를 사용하여 금속층, 특히 에칭하기 어려운 금속을 패터닝하는 기술에 대한 필요가 일고 있다.
집적회로에서 금속층을 패터닝하는 완전 위상 시프팅 마스크가 설명된다. 특히, 완전 위상 시프팅 마스크는 다마신 공정에서 사용될 수 있고, 이에 의해 구리와 같은 에칭하기 어려운 재료가 금속층에 사용될 수 있도록 한다.
특허 또는 출원 파일은 적어도 하나의 컬러로 실행된 도면을 포함한다. 컬러 도면을 갖는 이 특허 또는 출원 공보의 카피는 요청 및 필요한 요금을 지불함으로써 미국 특허청(the Patent and Trademark Office)에 의해 제공될 수 있다.
도 1A는 금속층에서 세가지 라인을 형성하기 위한 완전 위상 시프팅 마스크(FPSM) 레이아웃을 도시한다.
도 1B는 도 1A의 FPSM 레이아웃에 상응하는 트림 레이아웃을 도시한다. 특히, 트림 레이아웃은 FPSM 레이아웃에 의해 생성된 외부의 피처를 제거할 수 있다.
도 1C는 도 1A의 FPSM 레이아웃 및 도 1B의 트림 레이아웃을 실행하는 두개의 마스크를 노광한 이후의 공간 영상(aerial image)을 도시한다.
도 2A는 근접 보정을 포함하는 FPSM을 도시하고, 변환된 FPSM 레이아웃은 금속층에 세개의 라인을 형성할 수 있다.
도 2B는 도 2A의 FPSM 레이아웃에 상응하는 트림 레이아웃을 도시한다.
도 2C는 도 2A의 FPSM 레이아웃 및 도 2B의 트림 레이아웃을 실행하는 마스크를 노광한 이후에 인쇄된 영상을 도시한다.
도 3A는 고립된 시프터와 상기 고립된 시프터의 어느 한쪽 측면 상에 배치된 두개의 보조 시프터를 포함하는 FPSM 레이아웃을 도시한다.
도 3B는 그 주변에 보조 시프터가 배치되고 조밀하게 공간이격된 다수의 시프터를 포함한다.
도 3C는 산재된 보조 시프터와 중간 공간이격된(즉, 고립된 것과 조밀하게 공간이격된 것 사이의) 시프터를 포함하는 FPSM 레이아웃을 도시한다.
도 3D는 일예의 구성에서의 시프터 및 보조 시프터를 포함하는 FPSM 레이아웃을 도시한다.
도 3E는 공통 영역의 다중 시프터가 위상 충돌을 해결하기 위해 절단될 수 있는 FPSM 레이아웃을 도시한다.
도 4는 FPSM을 만드는 일예의 기술을 도시한다.
도 5는 FPSM을 갖는 금속층을 패터닝하는 일예의 기술을 도시한다.
본 발명의 일 측면에 따라서, 위상 시프팅 마스크(PSM)는 다마신 공정에서 유리하게 사용될 수 있다. 다마신 공정은 양 포토레지스트의 현상을 포함할 수 있고, 이에 의해 금속 패턴의 최적의 해상도를 확실히 한다. 중요하게도, 위상 시프팅 마스크 및 양 포토레지스트의 고유의 품질은 본래의 레이아웃을 위상 시프팅 마스크 레이아웃으로 컨버팅하는 것을 돕는다.
일 실시예에서, 집적회로 내의 금속층을 패터닝하는 마스크 세트가 제공된다. 상기 마스크 세트는 완전 위상 시프팅 마스크(FPSM)와 다크 필드 트림 마스크를 포함할 수 있다. 상기 완전 위상 시프팅 마스크는 복수의 시프터를 포함하고, 상기 시프터는 상기 금속층 내의 모든 피처를 한정한다. 상기 다크 필드 트림 마스크는 적어도 제 1 커트를 포함할 수 있다. 이 제 1 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 제 2 커트에 상응하고, 상기 제 2 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 위상 충돌을 해결한다. 일 경우에서, 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 두개의 근접 시프터와 상기 트림 마스크 상의 제 1 커트를 노광하는 것은 상기 금속층 내에 피처를 형성할 수 있다.
상기 완전 위상 시프팅 마스크는 하나 이상의 보조 시프터를 포함하고, 종종 보조 바 또는 스캐터링(scattering) 바로 또한 불리운다. 매우 작고 그러므로 인쇄하지 않는 보조 시프터는 그럼에도 불구하고 인쇄 해상도에 도움을 준다. 보조 시프터는 고립된 시프터의 어느 하나의 측면 상에 배치될 수 있고, 조밀하게 채워진 시프터의 하나 이상의 세트의 고립된 에지와 나란하게 배치될 수 있거나, 및/또는 복수의 공간이격된 중간 시프터가 산재될 수 있다. 일 실시예에서, 완전 위상 시프팅 마스크 및/또는 트림 마스크는 다른 근접 보정을 포함할 수 있다. 이러한 근접 보정은 룰-베이스(rule-based) 광 근접 보정(OPC) 또는 모델-베이스(model-based) OPC 중의 어느 하나에 의해 제공될 수 있다. 비록 광 근접 보정이라는 용어가 여기에서 사용되었지만, 이는 예컨데 레지스트, 에칭, 마이크로-로딩 등과 같은 임의의 형태의 근접 보정을 지칭하기 위해 일반적으로 사용된다.
위상 시프팅 마스크를 제조하는 예시적인 기술이 또한 제공된다. 이 기술에서, 금속층 내에 복수의 피처를 한정하는 레이아웃이 수용될 수 있다. 필요하다면, 상기 레이아웃 내의 대부분의 피처가 상기 위상 시프팅 마스크(여기서 완전 위상 시프팅 마스크로 불리운다) 내의 시프터에 의해 표시되도록 상기 레이아웃은 컨버팅될 수 있다. 일 실시예에서, 크리티컬 및 논-크리티컬 피처 양자는 일대일 대응관계로 시프터에 의해 표시될 수 있다. 위상 충돌(phase conflict)이 상기 컨버팅된 레이아웃 내에서 발생한다면, 상기 위상 충돌과 연결된 피처는 커트될 수 있고, 이에 의해 두개의 시프터를 생성한다. 이 시점에서, 상기 두개의 시프터 중 하나는 다른 위상으로 변경될 수 있다. 그다음 상기 변경된 레이아웃은 알려진 마스크 라이팅 공정을 사용하여 상기 완전 위상 시프팅 마스크로 전사될 수 있다. 상기 완전 위상 시프팅 마스크는 다마신 공정에서 구리와 같은 금속층을 패터닝하기 위해 사용될 수 있다.
상기 금속층을 패터닝하는 예시적인 기술이 또한 제공된다. 이 기술에서, 산화층이 웨이퍼 상에 피착될 수 있다. 그다음, 양 포토레지스트층이 상기 산화층 상에 피착될 수 있다. 이 시점에서, 상기 양 포토레지스트층은 완전 위상 시프팅 마스크 및 트림 마스크로 노광될 수 있다. 상기 완전 위상 시프팅 마스크는 복수의 시프터를 포함하고, 상기 시프터는 상기 금속층 내의 대부분의 피처를 나타낸다. 일 실시예에서, 상기 트림 마스크는 적어도 하나의 커트를 갖는 다크 필드 트림 마스크이다. 이 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 커트에 상응하고, 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 위상 충돌을 해결했다. 이 시점에서, 양 포토레지스트층은 현상될 수 있고 상기 산화층의 노광된 부분은 에칭될 수 있고, 이에 의해 원하는 패턴이 상기 산화층으로 전사된다. 그다음, 상기 금속층은 상기 웨이퍼 상에 피착될 수 있고 실질적으로 상기 에칭된 산화층의 최상위 표면까지 평탄화된다. 이러한 방식으로, 원하는 패턴은 상기 금속층을 에칭함이 없이 상기 금속층으로 전사되었다. 이 다마신 공정은 구리와 같은 에칭하기 어려운 금속에 대해 특히 유용하다.
다마신이 아닌 층을 위한 위상 시프팅의 개관
본 발명의 일측면에 따르면, 위상 시프팅 마스크(PSM)의 형태는 양 포토레지스트를 갖는 다마신 공정에서 유리하게 사용될 수 있다. PSM에서, 보충적인 위상시프터(또한 시프터로 불리움)는 하나의 시프터에 의해 방출된 노광 방사가 다른 시프터에 의해 방출된 노광 방사와 대략 180 도의 위상차가 있게끔 구성된다. 그러므로, 투영된 영상은 그들의 에지(edge)가 오버랩되는 장소에서 건설적으로 간섭하고 단일 영상으로 합쳐지기보단 오히려 파괴적으로 간섭함으로써, 한쌍의 시프터 사이의 깨끗하고 매우 소규모의 낮은 강도 영상을 생성한다. 이러한 낮은 강도 영상은 일반적으로 레이아웃 상에 피처를 나타낸다.
예컨데, 일 실시예에서, 시프터는 레이아웃의 크리티컬 피처를 인쇄하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 정밀한 피처는 사용자에 의해 한정될 수 있고 트렌지스터의 게이트를 포함할 수도 있다. 표준 공정에서, 이러한 PSM은 레이아웃의 다른 피처를 한정하는 클리어 필드 트림 마스크와 함께 사용될 수 있다.
다마신층을 위한 위상 시프팅의 개관
본 발명의 하나의 피처에 따라서, 시프터 사이의 낮은 강도 영역에 의해 피처를 한정하는 것 대신에, 시프터에 의해 생성된 높은 강도 영역은 피처를 한정할 수 있다. 따라서, PSM 및 양 포토레지스트 고유의 품질은 본래의 레이아웃을 다마신 공정에서 사용될 수 있는 PSM 레이아웃으로 변환하는 것을 촉진할 수 있다. 특히, 본래의 레이아웃은 시프터로 피처를 대체함으로써 PSM 레이아웃으로 쉽게 변환될 수 있다.
일 실시예에서, 위상 시프터는 금속층을 위한 레이아웃의 원하는 모든 피처를 실질적으로 한정할 수 있는 완전 위상 시프팅 마스크(FPSM) 상에 형성될 수 있다. 이러한 FPSM은 FPSM에 의해 노광되지 않은 상태로 있는 피처의 영역을 추가로 한정하는 다크 필드 트림 마스크와 함께 사용될 수 있다(이하에서 설명됨). 예컨데, 도 1A는 금속층에서 피처를 형성하기 위한 다마신 공정에서 사용될 수 있는 FPSM 레이아웃(100)을 도시한다. FPSM 레이아웃(100)는 시프터(101, 102, 103, 및 104)를 포함하고, 시프터(101 및 103)는 0도 위상을 제공할 수 있고, 반면에 시프터(102 및 104)는 180도 위상을 제공할 수 있다. 원하는 세개의 라인 패턴은 점선에 의해 도 1B에 최상으로 도시된다.
여기서 논의된 위상 할당은 단지 예시적인 것임을 유의해야 한다. 따라서, 시프터(101 및 103)는 180도의 시프터가 될 수 있고, 반면에 시프터(102 및 104)는 0도의 시프터가 될 수 있다. 더욱이, 시프터(102 및 104)는 185도의 시프터일 수 있고, 시프터(102 및 104)는 5도의 시프터일 수 있다. 중요한 측면은 인접하는 시프터가 대략 180 도의 위상차를 갖는다는 것이다.
이러한 필요에 따르기 위해, 커트(105)가 제공될 수 있고, 이에 의해 위상이 FPSM 레이아웃(100)의 시프터로 할당되는 경우의 잠재적인 위상 충돌을 해결한다. 커트(105)는 위상 시프터(102)와 위상 시프터(103) 사이의 노광되지 않은 영역으로 귀착될 수 있음을 유의해야 한다. 그러나, 도 1B에 도시된 것과 같은 트림 레이아웃(110)은 피처의 이러한 잔여부분을 노광시킬 수 있다. 즉 그 영역 내의 포토레지스트를 노광시킴으로써 노광시킬 수 있다. 특히, 트림 레이아웃(110)은 시프터(103 및 104)의 인접지 뿐만 아니라 시프터(101 및 102)의 인접지를 담당하기 위해 커트(111)(실질적으로 커트(105)의 크기인)를 포함할 수 있다. 문맥을 위해 타깃레이아웃(점선으로 도시됨)을 포함하는 트림 레이아웃(110)은 실제로 커트(111)(흰색으로 도시됨) 만을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 시프트의 너비와 인쇄된 라인의 너비 사이의 관계는 1 - 1 일 수 있다. 바꾸어 말하면, 100 nm 너비의 시프터는 100 nm 너비의 금속 라인을 대략 한정할 수 있다. 근접 효과는 이러한 너비에 영향을 끼침을 유의해야 한다. 그러므로, 시프터에 대한 적합한 보정은 원하는 라인 너비와 더욱 가까이 근접하기 위해 사용될 수 있다.
도 1C는 마스크 실행 트림 레이아웃(110) 뿐만아니라 마스크 실행 FPSM 레이아웃(100)을 노광함으로써 형성될 수 있는 공간 영상(120)을 도시한다. 이 경우에, 트림 마스크는 FPSM의 두배의 에너지에 노광될 수 있다(1 : 2의 노광 비율로서 참조됨). 바꾸어 말하면, FPSM이 N mJ/cm2에 노광된다면, 트림 마스크는 2N mJ/cm2에 노광된다. 공간 영상(120)의 노광 조건은 193 nm의 파장(λ), 0.4의 부분 간섭성(σ), 및 0.85의 개구수(NA)이다.
공간 영상(120)의 청색 부분은 낮은 강도를 표시하고, 적색 부분은 높은 강도를 표시하고, 황색 부분은 중간 강도 등을 표시한다. 높은 강도는 높은 노광과 관련되고, 반면에 낮은 강도는 낮은 노광과 관련된다. 공간 영상(120) 내의 황색 및 적색 띠에 의해 증명되는 바와 같이, 높은 강도에서 낮은 강도로의 전이는 급전하고, 이에 의해 잘-한정된 피처로 귀착된다. 특히, 공간 영상(120)은 세개의 라인(121, 122, 및 123)(도 1B에서 점선으로 도시된 타깃 레이아웃에 상응하는)의 형성을 도시한다. 예정된 인쇄 에지는 공간 영상 내에서 흑색 라인으로 도시된다.
본 발명의 일 측면에 따라서, 라인(121, 122, 및 123)은 양 포토레지스트층의 현상을 따르는 산화층의 노광된 영역을 표시할 수 있다. 이러한 노광된 영역을 에칭한 이후에, 구리층은 상기한 다마신 공정을 사용하여 피착 및 평탄화될 수 있고, 이에 의해 웨이퍼 상에 세개의 구리 라인을 형성한다. 유리하게도, 다마신 공정은 양 포토레지스트 현상을 포함할 수 있기 때문에, 금속 패턴의 인쇄 해상도는 최적화될 수 있다.
도 1A를 참조하여 설명된 커트 및 위상 할당은 벤드를 포함하고 크게 인쇄되는 경향을 갖는 임의의 영역 상에서 사용될 수 있다. 바꾸어 말하면, 커트 및 위상 할당은 FPSM 레이아웃의 많은 코너에서 사용될 수 있다.
리소그래픽 작업을 추가로 개선시키기 위해, 다양한 변환이 다양한 근접 효과를 보상하기 위해 레이아웃에 이루어질 수 있다. 이러한 변환은 근접 보정으로 불리운다. 광 근접 보정(OPC)으로 불리우는 근접 보정 중의 하나의 형태는 다양한 근접 효과, 예컨데 에칭, 레지스트, 마이크로-로딩, 다른 근접 효과, 및/또는 근접 효과의 조합에 대해 응답하여 웨이퍼 패턴의 인쇄능력을 개선시키기 위해 시스템 변경을 레이아웃의 기하학적인 구조에 적용시킨다.
룰-베이스(rule-based) OPC는 레이아웃에 대한 임의의 변경을 실행하기 위한 룰을 포함할 수 있고, 이에 의해 웨이퍼 상으로 피처를 인쇄하는 경우에 발생하는 약간의 리소그래픽 왜곡을 보상한다. 예컨데, 라인-엔드 쇼트닝(shortening)을 보상하기 위해, 룰-베이스 OPC는 해머해드(hammerhead)를 라인 엔드에 부가할 수 있다. 더욱이, 코너 라운딩을 보상하기 위해, 룰-베이스 OPC는 외부(또는 내부) 코너로부터 세리프 모양을 부가(또는 감산)할 수 있다. 이러한 변경은 본래의 의도된 레이아웃과 근접한 웨이퍼상에 피처를 형성할 수 있다.
모델-베이스(model-based) OPC에서, 실제 패턴 전사는 일 세트의 수학 공식으로 시뮬레이트(즉, 예측)될 수 있다. 모델-베이스 OPC에서, 레이아웃 내의 피처의 에지는 복수의 세그먼트로 절개될 수 있고, 이에 의해 이러한 세그먼트가 근접 효과를 보정하기 위해 개별적으로 이동되게 한다. 절개점의 배치는 피처 모양, 크기, 및/또는 다른 피처와 관련된 위치에 의해 결정된다.
도 2A는 FPSM 레이아웃(100)과 유사하나, 다마신 공정에서 사용될 수 있는 약간의 근접 보정을 포함하는 FPSM 레이아웃(200)을 도시한다. FPSM 레이아웃(100)은 시프터(201, 202, 203, 및 204)를 포함하고, 시프터(201 및 203)는 0도 위상을 제공할 수 있고, 반면에 시프터(202 및 204)는 180도 위상을 제공할 수 있다. 또한, 시프터(201-204)는 다크 필드 마스크에서 형성된다.
인접하는 시프터가 대략 180도의 위상차를 갖는 구성을 따르기 위해, 커트(205)가 제공될 수 있고, 이에 의해 위상이 FPSM 레이아웃(200)의 시프터로 할당되는 경우 잠재적인 위상 충돌을 해결한다. 커트(205)에 의해 생성된 외부 피처를 노광시키기 위해, 트림 레이아웃(210)이 도 2B에 도시된 것과 같이 제공될 수 있다. 트림 레이아웃(210)은 시프터(203 및 204) 뿐만 아니라 시프터(201 및 202), 시프터(201 및 204)의 인접지를 담당하기 위해 실질적으로 커트(205)의 크기인 커트(211)을 포함한다. 커트(211)는 그 안의 하나 이상의 커트 뿐만 아니라 에지 변환을 포함하는 근접 보정을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 트림 마스크(210) 상의 부가적인 커트는 크리티컬 치수(CD) 제어를 제공하기 위해 사용될 수 있다. 여기에서 참조문헌으로 첨부되며, Numerical Technoledges, Inc. 에 의해 2002년 2월 26일 출원된 발명의 명칭 "완전 위상 마스크를 위한 비 크리티컬-차단", 미국 가출원 번호 제60/359,909호는 이러한 커트를 설명한다.
도 2C는 마스크 실행 트림 레이아웃(210) 뿐만 아니라 마스크 실행 FPSM 레이아웃(200)을 노광함으로써 형성될 수 있는 공간 영상(220)을 도시한다. 또한, 트림 마스크는 FPSM의 두배의 에너지에 노광된다(1 : 2의 노광 비율로서 참조됨). 비교를 허용하기 위해, 공간 영상(220)의 노광 조건은, 예컨데 193 nm의 파장(λ), 0.4의 부분 간섭성(σ), 및 0.85의 개구수(NA)인 공간 영상(120)을 위해 사용되는 조건과 일치한다. 절개 이후에 세그먼트 길이로서 참조되는 표준 OPC 매개변수는 공간 영상(220)을 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에서, OPC 매개변수는 FPSM 마스크에 대해서는 20nm이고 트림 마스크에 대해서는 40nm를 포함할 수 있다.
공간 영상(220)에서 실질적으로 황색 띠에 의해 증명된 것과 같이, 중간에서 낮은 강도로의 전이는 공간 영상(120) 내에서 보다 훨씬 더 급전하고, 이에 의해 세개의 최대로 잘 한정된 피처(221, 222, 및 223)으로 귀착된다. 따라서, 비 OPC 결과(즉, 공간 영상(120))와 비교하면, 귀착되는 OPC 영상(즉, 공간 영상(220))은 강도 뿐만 아니라 세개의 라인의 에지의 직선성을 개선시킨다. 일 실시예에서, 두개의 공간 영상(120 및 220)은 100nm 피처를 도시한다. 예정된 인쇄 에지는 공간 영상 내의 흑색 라인으로서 도시된다. 도 1C 및 2C는 OPC에 의한 개선을 도시하기위해 동일한 페이지 상에서 도시된다.
본 발명의 일 실시예에 따라서, 보조 시프터(그들의 작은 크기 때문에 인쇄되지 않고, 그럼에도 불구하고 인쇄 해상도에 도움을 주는)는 고립된, 및 절반이-고립된 금속 라인을 한정하기 위해 사용될 수 있다. 조밀하게 채워진 금속 라인의 경우에, 각 금속 라인의 위상은 더 좋은 피처 한정을 제공하기 위해 번갈아 나타날 수 있고, 엔드 상의 절반이-고립된 금속 라인은 또한 보조 시프터를 수용할 수 있다. 특히, 보조 시프터는 고립된 금속 라인의 인쇄를 개선하기 위해 사용될 수 있다. 예컨데, 도 3A는 위상 시프터(301)를 사용하여 한정될 고립된 금속 라인을 포함하는 FPSM 레이아웃(300)을 도시한다. 시프터(301)의 측면 중의 어느 한 측면에 배치되고 시프터(301)와 위상을 달리하는 보조 시프터(302 및 303)를 부가함으로써, 고립된 금속 라인은 더욱 쉽게 한정될 수 있다.
도 3B는 시프터(312-316)(인접 시프터는 반대 위상을 갖는)를 사용하여 한정될 다중으로 조밀하게 채워진 금속 라인을 포함하는 FPSM 레이아웃(310)을 도시한다. 줄의 엔드 상의 절반이-고립된 피처, 예컨데 인쇄가능한, 근접 피처를 갖지 않는 시프터(312 및 316)의 경우는, 보조 시프터가 사용될 수 있다. 그러므로, 이러한 예에서, 시프터(312 및 316)는 그들의 인쇄를 개선시키기 위해 그들의 고립된 에지와 나란히 배치된 보조 시프터(311 및 317)을 각각 갖는다. 보조 시프터는 피처 그 자신의 위상과 다른 위상을 갖는다.
도 3C는 산재된 보조 시프터(321, 323, 325, 327, 및 329)를 갖는 시프터(322, 324, 326, 및 328)에 의해 한정될 중간 공간이격된 또는 절반이-고립된(즉,고립된 것과 조밀하게 채워진 것 사이의) 금속 라인을 포함하는 FPSM 레이아웃(320)을 도시한다. 또한, 인접 시프터/보조 시프터의 위상은 반대 위상을 갖는다. 보조 시프터(예컨데, 도 3A-3C)를 포함하는 시프터의 구성 및 이러한 시프터의 위상 할당의 판정은 노광 세팅 뿐만 아니라 레이아웃 내의 피치의 기능일 수 있음을 유의해야 한다.
도 3D는 U 모양의 구성에서 금속 라인을 인쇄하기 위한 시프터(331 및 334)을 포함하는 FPSM 레이아웃(330)을 도시한다. 도시된 것과 같이, U의 하나의 코너(커트(338))을 제외한 모두는 위상 시프팅층(트림 아웃(도시 안됨) 상에 개구 또는 커트에 의해 한정된 그러한 코너를 갖는) 상에 한정될 것이다. 이러한 시프터에 상응하는 피처의 인쇄를 개선하기 위해, 보조 시프터(335, 336, 및 337)가 FPSM 레이아웃(330)에 부가될 수 있다. 일 실시예에서, 시프터(331 및 334)는 실제로 동일한 피처를 한정하지만, 커트(338)는 U-모양의 금속 라인 및 다른 특징(도시 안됨) 사이의 잠재적인 위상 충돌을 해결하기 위해 배치된다. 이 경우에, 연결된 다크 필드 트림 마스크(도시 안됨)는 커트(338)에 상응하는 영역을 노광하기 위해 적절한 커트를 포함할 수 있다. 도 1B를 참조하라.
도 3E는 시프터(351, 352, 353, 및 354)를 포함하는 FPSM 레이아웃(350)을 도시하고, 모든 시프터는 개별 피처, 예컨데 측면의 두개의 짧은 금속 라인을 따라 두개의 금속에 상응한다. 레이아웃의 다른 부분(도시 안됨) 내에서 이루어진 위상 할당 때문에, 위상 충돌은 시프터(353 및 354) 사이 뿐만 아니라 시프터(351 및 352) 사이에서 생성된다. 일 실시예에서, 이러한 시프터는 커트-라인(355 및 356)에 의해 지정된 영역 내에서 커트될 수 있다. 그 경우에, 시프터(351)의 윗 부분은 아래 부분에 반대되는 위상으로 스위칭될 수 있다. 유사한 방식으로, 시프터(354)의 아래 부분은 윗 부분에 반대되는 위상으로 스위칭될 수 있다. 이 경우에, 연결된 다크 필드 트림 마스크는 커트가 시프트(351 및 354) 내에서 이루어지는 영역에 노광될 수 있다.
도 4는 FPSM 및 트림 마스크를 만드는 예시적인 기술(400)을 도시한다. 단계(401)에서, 금속층 내의 복수의 피처를 한정하는 레이아웃이 수용될 수 있다(예컨데, 타깃 또는 원하는 레이아웃). 이러한 레이아웃은 GDS II 파일 또는 다른 적절한 포맷에 포함될 수 있다. 단계(402)에서, 레이아웃은 필요하다면 컨버팅되어, 실질적으로 레이아웃 내의 모든 피처는 FPSM 레이아웃 내의 시프터에 의해 한정된다. 일 실시예에서, 정밀한 및 비정밀한 피처 양자는 일대일 대응으로 시프터에 의해 표시될 수 있다. 이러한 컨버팅은 위상 충돌 탐색, 이러한 위상 충돌을 해결하기에 적절한 시프터 커팅, 인쇄 해상도를 개선하기 위해 필요한 보조 피처 배열, 및 FPSM 레이아웃에 기초한 트림 마스크 레이아웃 생성을 추가로 포함할 수 있다. 그다음 단계(403)에서, 컨버팅된 레이아웃(FPSM 및 트림 레이아웃 양자를 포함하는)은 알려진 마스크 라이팅 공정을 사용하여 물리적인 마스크(또는 레티클)로 전사될 수 있다. 마스크 세트는 다마신 공정에서 구리와 같은 금속층을 패터닝하기 위해 사용될 수 있다.
도 5는 그러한 금속층을 패터닝하기 위한 예시적인 기술(500)을 도시한다. 단계(501)에서, 산화층은 웨이퍼 상에 피착될 수 있다. 단계(502)에서, 양 포토레지스트층은 산화층 상에 피착될 수 있다. 이 시점에서, 양 포토레지스트층은 FPSM 및 트림 마스크와 함께 단계(503)에서 노광될 수 있다. FPSM은 복수의 시프터를 포함하고, 시프터는 금속층 내의 대부분의 피처를 나타낸다. 일 실시예에서, 트림 마스크는 적어도 하나의 커트를 갖는 다크 필드 트림 마스크이다. 이 커트는 FPSM 상의 커트에 상응하고, FPSM 상의 커트는 FPSM 상의 위상 충돌을 해결했다. 단계(504)에서, 양 포토레지스트층은 현상될 수 있다. 이 시점에서, 산화층은 단계(505)에서 에칭될 수 있고, 이에 의해 원하는 패턴을 산화층으로 전사한다. 단계(506)에서, 금속층은 웨이퍼 상에 피착될 수 있다. 단계(507)에서, 금속층은 실질적으로 에칭된 산화층의 최상위 표면까지 평탄화된다. 이러한 방식으로, 원하는 패턴은 금속의 에칭 없이 금속층으로 전사된다. 이러한 다마신 공정은 구리와 같은 에칭하기 어려운 금속에 대해 특히 유용하다.
비록 본 발명의 예시적인 실시예들은 첨부된 도면을 참조하여 여기에서 상세히 설명되었지만, 본 발명은 그러한 엄밀한 실시예들에 한정되지 않는 것으로 해석되어야 한다. 실시예들은 소모적인 것이 되고자 하는 것도 아니고 또한 개시된 엄밀한 형태로 본 발명을 한정하고자 하는 것도 아니다. 이로써, 많은 변경 및 변환은 명백할 것이다.
예컨데, 코너에서 피처를 커팅(예컨데, 도 1A, 2A, 3D, 및 3E)하는 것 대신에, 커팅은 라인에서 이루어질 수 있다. 따라서, 도 1A를 참조하면, 커트(105) 대신에, 커트는 위치(106)의 시프터(104) 내에서 이루어질 수 있다. 여기서 설명한 기술은 자외선, 극자외선(DUV : deep ultraviolet), 초자외선(EUV : extremeultraviolet), 엑스 레이 등을 포함하는 다양한 리소그래픽 공정 기술을 위한 마스크 레이아웃에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 이하의 청구의 범위 및 그들의 균등물에 의해 한정되고자 한다.

Claims (13)

  1. 집적 회로 내의 금속층을 패터닝하는 마스크 세트에 있어서,
    복수의 시프터를 포함하는 완전 위상 시프팅 마스크(FPSM)와,
    적어도 제 1 커트를 포함하는 다크 필드 트림 마스크를
    포함하고,
    상기 마스크 세트는 다마신 공정에서 사용되고,
    상기 시프터는 상기 금속층 내의 실질적으로 모든 피처를 나타내며,
    상기 제 1 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 제 2 커트에 상응하고, 상기 제 2 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 위상 충돌을 해결하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 두개의 근접한 시프터와 연결되고, 상기 두개의 근접한 시프터 및 제 1 커트는 상기 금속층 내부에 피처를 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 완전 위상 시프팅 마스크는 고립된 시프터와 연결된 보조 시프터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 완전 위상 시프팅 마스크는 조밀하게 공간이격된 시프터 세트의 고립된 에지와 연결된 보조 시프트를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 완전 위상 시프팅 마스크는 복수의 중간 공간이격된 시프터가 산재된 복수의 보조 시프터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 완전 위상 시프팅 마스크는 부분-고립된(semi-isolated) 시프터와 연결된 보조 시프터을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 완전 위상 시프팅 마스크 및 상기 트림 마스크의 적어도 하나는 근접 보정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 세트.
  8. 웨이퍼 상의 금속층을 패터닝하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 상에 산화층을 피착하는 단계와,
    상기 산화층 상에 양 포토레지스트층을 피착하는 단계와,
    상기 양 포토레지스트층을 완전 위상 시프팅 마스크로 노광시키는 단계와,
    상기 양 포토레지스트층을 적어도 제 1 커트를 포함하는 다크 필드 트림 마스크로 노광시키는 단계와,
    상기 두번의 노광 이후에 상기 양 포토레지스트층을 현상시키는 단계와,
    상기 현상 단계에 기초하여 상기 산화층을 에칭하는 단계와,
    상기 웨이퍼 상에 상기 금속층을 피착시키는 단계와,
    상기 금속층을 실질적으로 상기 에칭된 산화층의 최상위 표면까지 평탄화시키는 단계를
    포함하고,
    상기 시프터는 상기 금속층 내의 대부분의 피처를 표시하고,
    상기 제 1 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 제 2 커트에 상응하며, 상기 제 2 커트는 상기 완전 위상 시프팅 마스크 상의 위상 충돌을 해결하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 금속층 패터닝 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 금속은 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 금속층 패터닝 방법.
  10. 금속층 상에 복수의 피처를 형성하기 위해 사용되는 위상 시프팅 마스크(PSM)를 위한 레이아웃에 있어서,
    상기 복수의 피처의 대부분을 나타내는 복수의 시프터를 포함하고,
    상기 금속층은 집적회로의 한층을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 마스크를 위한 레이아웃.
  11. 제 10 항에 있어서,
    공통 영역에 있는 적어도 두개의 시프터는 하나의 피처를 표시하는 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 마스크를 위한 레이아웃.
  12. 위상 시프팅 마스크의 제조 방법에 있어서,
    다마신 공정을 사용하여 집적 회로 상의 금속층 내에 복수의 피처를 한정하는 레이아웃을 수용하는 단계와,
    필요하다면, 상기 레이아웃 내의 대부분의 피처가 상기 위상 시프팅 마스크 내의 시프터에 의해 표시되도록 상기 레이아웃을 컨버팅하는 단계와,
    상기 컨버팅된 레이아웃을 상기 위상 시프팅 마스크로 전사하는 단계를
    포함하는 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 마스크의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 컨버팅된 레이아웃에서 위상 충돌이 발생한다면, 상기 위상 충돌과 연결된 피처를 절단함으로써, 두개의 시프터를 생성하고, 상기 두개의 시프터 중 하나를 다른 위상으로 변경하는 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 마스크의 제조 방법.
KR1020047014145A 2002-03-11 2003-02-27 다마신 공정의 완전 위상 시프팅 마스크 KR100739923B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US36367402P 2002-03-11 2002-03-11
US60/363,674 2002-03-11
US10/295,575 US6866971B2 (en) 2000-09-26 2002-11-14 Full phase shifting mask in damascene process
US10/295,575 2002-11-14
PCT/US2003/006041 WO2003079117A1 (en) 2002-03-11 2003-02-27 Full phase shifting mask in damascene process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040105214A true KR20040105214A (ko) 2004-12-14
KR100739923B1 KR100739923B1 (ko) 2007-07-16

Family

ID=28044730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047014145A KR100739923B1 (ko) 2002-03-11 2003-02-27 다마신 공정의 완전 위상 시프팅 마스크

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6866971B2 (ko)
EP (1) EP1483628B1 (ko)
JP (1) JP4486364B2 (ko)
KR (1) KR100739923B1 (ko)
CN (1) CN100595681C (ko)
AU (1) AU2003217789A1 (ko)
WO (1) WO2003079117A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180021909A (ko) * 2007-01-18 2018-03-05 가부시키가이샤 니콘 스캐너 기반의 광 근접 보정 시스템 및 이용 방법

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6866971B2 (en) * 2000-09-26 2005-03-15 Synopsys, Inc. Full phase shifting mask in damascene process
US6887633B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-03 Chih-Hsien Nail Tang Resolution enhancing technology using phase assignment bridges
TWI237746B (en) * 2003-07-23 2005-08-11 Nanya Technology Corp Optical proximity correction method
US20050112474A1 (en) * 2003-11-20 2005-05-26 Micronic Laser Systems Ab Method involving a mask or a reticle
US7448012B1 (en) 2004-04-21 2008-11-04 Qi-De Qian Methods and system for improving integrated circuit layout
US7811720B2 (en) * 2004-05-10 2010-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Utilizing compensation features in photolithography for semiconductor device fabrication
US20070269749A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Richard Elliot Schenker Methods to reduce the minimum pitch in a pattern
US20090125871A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-14 Aton Thomas J System and method for making photomasks
JP6211270B2 (ja) * 2009-06-19 2017-10-11 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法
US8399157B2 (en) * 2010-12-23 2013-03-19 Intel Corporation Lithography mask having sub-resolution phased assist features
US9046761B2 (en) 2010-12-23 2015-06-02 Intel Corporation Lithography mask having sub-resolution phased assist features
US9099533B2 (en) * 2013-07-02 2015-08-04 International Business Machines Corporation Semiconductor device with distinct multiple-patterned conductive tracks on a same level
CN104917950B (zh) * 2014-03-10 2018-10-12 联想(北京)有限公司 一种信息处理方法及电子设备
US9257277B2 (en) 2014-04-15 2016-02-09 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Methods for extreme ultraviolet mask defect mitigation by multi-patterning
US9898572B2 (en) * 2016-02-17 2018-02-20 Globalfoundries Inc. Metal line layout based on line shifting
CN110824847B (zh) * 2018-08-08 2023-07-04 长鑫存储技术有限公司 提高套刻精度的刻蚀方法
KR20220143382A (ko) 2021-04-16 2022-10-25 삼성전자주식회사 비스듬한 절단면을 갖는 게이트 전극을 포함하는 집적회로 칩 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0690505B2 (ja) 1985-09-20 1994-11-14 株式会社日立製作所 ホトマスク
JP2650962B2 (ja) 1988-05-11 1997-09-10 株式会社日立製作所 露光方法及び素子の形成方法並びに半導体素子の製造方法
JP2710967B2 (ja) 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法
DE69033996T2 (de) 1989-04-28 2002-12-05 Fujitsu Ltd Maske, Verfahren zur Herstellung der Maske und Verfahren zur Musterherstellung mit einer Maske
US5298365A (en) * 1990-03-20 1994-03-29 Hitachi, Ltd. Process for fabricating semiconductor integrated circuit device, and exposing system and mask inspecting method to be used in the process
TW198129B (ko) * 1990-06-21 1993-01-11 Matsushita Electron Co Ltd
US5324600A (en) 1991-07-12 1994-06-28 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method of forming resist pattern and photomask therefor
US5364716A (en) 1991-09-27 1994-11-15 Fujitsu Limited Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor
JP3148770B2 (ja) 1992-03-27 2001-03-26 日本電信電話株式会社 ホトマスク及びマスクパタンデータ処理方法
US5472514A (en) * 1992-04-08 1995-12-05 Goodway Technologies Corporation Duct cleaning method
US5308741A (en) 1992-07-31 1994-05-03 Motorola, Inc. Lithographic method using double exposure techniques, mask position shifting and light phase shifting
US5302477A (en) 1992-08-21 1994-04-12 Intel Corporation Inverted phase-shifted reticle
US5538815A (en) 1992-09-14 1996-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for designing phase-shifting masks with automatization capability
US5527645A (en) 1993-04-21 1996-06-18 Pati; Yagyensh C. Systematic method for production of phase-shifting photolithographic masks
JP3393926B2 (ja) 1993-12-28 2003-04-07 株式会社東芝 フォトマスク設計方法及びその装置
GB2291219B (en) * 1994-07-05 1998-07-01 Nec Corp Photo-mask fabrication and use
US5573890A (en) 1994-07-18 1996-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method of optical lithography using phase shift masking
US5537648A (en) 1994-08-15 1996-07-16 International Business Machines Corporation Geometric autogeneration of "hard" phase-shift designs for VLSI
US5472814A (en) 1994-11-17 1995-12-05 International Business Machines Corporation Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement
US5565286A (en) 1994-11-17 1996-10-15 International Business Machines Corporation Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
KR0158904B1 (ko) 1994-12-02 1999-02-01 김주용 콘택마스크
US5523186A (en) 1994-12-16 1996-06-04 International Business Machines Corporation Split and cover technique for phase shifting photolithography
JP3273456B2 (ja) 1995-02-24 2002-04-08 アルプス電気株式会社 モータ駆動スライド型可変抵抗器
US5595843A (en) 1995-03-30 1997-01-21 Intel Corporation Layout methodology, mask set, and patterning method for phase-shifting lithography
JP2638561B2 (ja) 1995-05-10 1997-08-06 株式会社日立製作所 マスク形成方法
US6185727B1 (en) 1995-12-12 2001-02-06 International Business Machines Corporation Design verification for asymmetric phase shift mask layouts
US5994002A (en) 1996-09-06 1999-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photo mask and pattern forming method
JP3518275B2 (ja) 1996-09-06 2004-04-12 松下電器産業株式会社 フォトマスクおよびパターン形成方法
PT927381E (pt) 1996-09-18 2004-10-29 Numerical Tech Inc Metodo e dispositivo de producao de circuitos de mudanca de fase
US6228539B1 (en) 1996-09-18 2001-05-08 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5858580A (en) 1997-09-17 1999-01-12 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5923562A (en) 1996-10-18 1999-07-13 International Business Machines Corporation Method for automatically eliminating three way intersection design conflicts in phase edge, phase shift designs
US5807649A (en) 1996-10-31 1998-09-15 International Business Machines Corporation Lithographic patterning method and mask set therefor with light field trim mask
JPH10207038A (ja) 1997-01-28 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd レチクル及びパターン形成方法
US5883813A (en) 1997-03-04 1999-03-16 International Business Machines Corporation Automatic generation of phase shift masks using net coloring
US5923566A (en) 1997-03-25 1999-07-13 International Business Machines Corporation Phase shifted design verification routine
US6057063A (en) 1997-04-14 2000-05-02 International Business Machines Corporation Phase shifted mask design system, phase shifted mask and VLSI circuit devices manufactured therewith
JP3101594B2 (ja) 1997-11-06 2000-10-23 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
US6083275A (en) 1998-01-09 2000-07-04 International Business Machines Corporation Optimized phase shift design migration
JP3307313B2 (ja) 1998-01-23 2002-07-24 ソニー株式会社 パターン生成方法及びその装置
JP2000112114A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Hitachi Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR100699941B1 (ko) * 1998-10-23 2007-03-26 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체장치의 제조방법과 그에 적합한 마스크의 작성방법
US6013397A (en) * 1998-11-04 2000-01-11 United Microelectronics Corp. Method for automatically forming a phase shifting mask
US6130012A (en) 1999-01-13 2000-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Ion beam milling to generate custom reticles
US6139994A (en) 1999-06-25 2000-10-31 Broeke; Doug Van Den Use of intersecting subresolution features for microlithography
US6251549B1 (en) 1999-07-19 2001-06-26 Marc David Levenson Generic phase shift mask
US6335128B1 (en) 1999-09-28 2002-01-01 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for determining phase shifts and trim masks for an integrated circuit
US20020024139A1 (en) * 2000-02-04 2002-02-28 Chan Simon S. Combined capping layer and ARC for CU interconnects
US6338922B1 (en) 2000-05-08 2002-01-15 International Business Machines Corporation Optimized alternating phase shifted mask design
US6787271B2 (en) 2000-07-05 2004-09-07 Numerical Technologies, Inc. Design and layout of phase shifting photolithographic masks
US6733929B2 (en) 2000-07-05 2004-05-11 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for complex patterns with proximity adjustments
US7028285B2 (en) 2000-07-05 2006-04-11 Synopsys, Inc. Standard cell design incorporating phase information
US6978436B2 (en) 2000-07-05 2005-12-20 Synopsys, Inc. Design data format and hierarchy management for phase processing
US6681379B2 (en) 2000-07-05 2004-01-20 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting design and layout for static random access memory
US6503666B1 (en) 2000-07-05 2003-01-07 Numerical Technologies, Inc. Phase shift masking for complex patterns
US6866971B2 (en) * 2000-09-26 2005-03-15 Synopsys, Inc. Full phase shifting mask in damascene process
US6901575B2 (en) 2000-10-25 2005-05-31 Numerical Technologies, Inc. Resolving phase-shift conflicts in layouts using weighted links between phase shifters
WO2002073312A1 (en) 2001-03-08 2002-09-19 Numerical Technologies, Inc. Alternating phase shift masking for multiple levels of masking resolution
US6635393B2 (en) 2001-03-23 2003-10-21 Numerical Technologies, Inc. Blank for alternating PSM photomask with charge dissipation layer
US6553560B2 (en) 2001-04-03 2003-04-22 Numerical Technologies, Inc. Alleviating line end shortening in transistor endcaps by extending phase shifters
US6573010B2 (en) 2001-04-03 2003-06-03 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for reducing incidental exposure by using a phase shifter with a variable regulator
US6566019B2 (en) 2001-04-03 2003-05-20 Numerical Technologies, Inc. Using double exposure effects during phase shifting to control line end shortening

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180021909A (ko) * 2007-01-18 2018-03-05 가부시키가이샤 니콘 스캐너 기반의 광 근접 보정 시스템 및 이용 방법
US10234756B2 (en) 2007-01-18 2019-03-19 Nikon Corporation Scanner based optical proximity correction system and method of use

Also Published As

Publication number Publication date
EP1483628A4 (en) 2006-09-13
US7659042B2 (en) 2010-02-09
AU2003217789A1 (en) 2003-09-29
JP4486364B2 (ja) 2010-06-23
US7534531B2 (en) 2009-05-19
US20050123841A1 (en) 2005-06-09
WO2003079117A1 (en) 2003-09-25
EP1483628A1 (en) 2004-12-08
CN1639645A (zh) 2005-07-13
US20030068566A1 (en) 2003-04-10
US20080286664A1 (en) 2008-11-20
CN100595681C (zh) 2010-03-24
KR100739923B1 (ko) 2007-07-16
JP2005521084A (ja) 2005-07-14
US6866971B2 (en) 2005-03-15
EP1483628B1 (en) 2012-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7659042B2 (en) Full phase shifting mask in damascene process
US7122281B2 (en) Critical dimension control using full phase and trim masks
US6653026B2 (en) Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US7493587B2 (en) Chromeless phase shifting mask for integrated circuits using interior region
US6934007B2 (en) Method for photolithography using multiple illuminations and a single fine feature mask
US6821689B2 (en) Using second exposure to assist a PSM exposure in printing a tight space adjacent to large feature
US20050147927A1 (en) Patterning semiconductor layers using phase shifting and assist features
US5789117A (en) Transfer method for non-critical photoresist patterns
US20020132174A1 (en) Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks
US7160651B2 (en) Manufacturable chromeless alternating phase shift mask structure with phase grating
JPH03141354A (ja) 露光マスク及び露光方法
US6660653B1 (en) Dual trench alternating phase shift mask fabrication
US20100092878A1 (en) Phase shift mask with two-phase clear feature
US7033947B2 (en) Dual trench alternating phase shift mask fabrication
US6968528B2 (en) Photo reticles using channel assist features
US6617081B2 (en) Method for improving process window in semi-dense area by using phase shifter
Chen Photomask with interior nonprinting phase-shifting window for printing small post structures
JP2006047452A (ja) 露光用マスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130620

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140701

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150617

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160616

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 13