CN110416251B - 摄像装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

公开了一种摄像装置和电子设备。该摄像装置，包括：第一电极膜、有机光电转换膜、第二电极膜、以及电连接于第二电极膜的金属配线膜，第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上，并且金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。

Description

摄像装置和电子设备

本申请是申请日为2014年06月24日、申请号为201410286186.1、发明名称为“摄像装置和电子设备”的专利申请的分案申请。

技术领域

本技术涉及摄像装置，以及配备有该摄像装置的电子设备。

背景技术

目前，摄像装置，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合装置(CCDs)，被广泛应用于数字照相机、数字摄像机、以及其他类似的设备。此类摄像装置在每个像素中例如包括获取光电转换信号的光电转换膜以及读取光电转换信号并将其输出至外部的信号读取电路。该光电转换膜例如由有机材料构成(例如，参考日本未审查专利申请公开特开2013-55252号)。

发明内容

有机材料倾向于容易被水分或气体恶化。因此，如果光电转换膜由有机材料构成，抑制水分和气体进入该光电转换膜是必要的。在一些相关技术中，光电转化膜被一层保护膜覆盖，该保护膜包含的主要成分例如为氮化硅，从而抑制了水分和气体进入光电转换膜。然而，仅仅用保护膜覆盖光电转换膜仍然难于充分地抑制水分和气体的进入。这是因为保护膜上可能产生针孔或其台阶可能会破裂，并且通过这些气孔或裂缝的水分或气体将导致光电转换膜的恶化。此外，光电转换膜在制造过程中遭受到蚀刻损坏，并因此可能恶化。简而言之，光电转换膜倾向于容易被各种事件恶化。因此，有必要抑制光电转换膜的恶化。

所希望的是提供能够抑制光电转换膜恶化的摄像装置，以及一种配备有该摄像装置的电子设备。

根据本技术的实施例的摄像装置包括：第一电极膜；有机光电转换膜；第二电极膜；以及电连接到第二电极膜的金属配线膜。第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上。金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。

根据本技术的实施例的电子设备包括：摄像装置；以及信号处理电路，该信号处理电路对从摄像装置输出的像素信号进行预定的处理，该摄像装置包括第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜，第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上。该摄像装置还包括电连接于第二电极膜的金属配线膜，金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。

根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，电连接于第二电极膜的金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。由此，用于驱动摄像装置的金属配线膜抑制了水分和气体通过有机光电转换膜的端部进入有机光电转换膜的内部。因此，根据本技术的实施例，金属配线膜不仅用于第二电极膜施加电压路径，而且用于保护有机光电转换膜。

根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，用于驱动摄像装置的金属配线膜抑制了水分和气体通过有机光电转换膜的端部进入有机光电转换膜的内部。因此可以抑制光电转换膜的恶化。

此外，根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，如果保护膜被设置在有机光电转换膜和金属配线膜之间使得其同时覆盖于有机光电转换膜和第二电极膜上，可以利用该保护膜减轻在摄像装置的制造过程中对有机光电转换膜的蚀刻损坏。因此可以抑制光电转换膜的恶化。

应理解，前面的总体描述以及后面的详细描述二者都是示范性的，并且旨在对所要求保护的技术提供进一步的说明。

附图说明

附图包括提供本公开的进一步理解，并且结合在该说明书中且构成其一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。

图1是示出根据本技术的第一实施例的摄像装置的上表面构造示例的示意图。

图2是示出从图1中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。

图3是示出根据第一变型例的摄像装置的上表面构造示例的示意图

图4是示出从图3中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。

图5是示出根据第二变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图6是示出根据第三变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图7是示出根据第三变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图8是示出根据第三变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图9A是示出图6中的摄像装置的制作步骤示例的示意图。

图9B是示出接续图9A的制作步骤示例的示意图。

图10A是示出接续图9B的制作步骤示例的示意图。

图10B是示出接续图10A的制作步骤示例的示意图。

图11是示出接续图10A的另一制作步骤示例的示意图。

图12是示出根据第三实施例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图13是示出根据第四变型例的摄像装置的上表面构造示例的示意图。

图14是示出从图13中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。

图15是示出根据第四变型例的摄像装置的上表面构造示例的示意图。

图16是示出从图15中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。

图17是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图18是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图19是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图20是示出根据第四变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图21是示出根据第五变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图22是示出根据第五变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图23是示出根据第五变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图24是示出根据第六变型例的摄像装置的截面构造示例的示意图。

图25是示出根据本技术的第二个实施例的摄像模块的示意性构造示例的示意图。

图26是示出根据本技术的第三个实施例的电子设备的示意性构造示例的示意图。

具体实施方式

下面，将参考附图详细描述本公开的某些实施例和修改。应注意，描述将按下面的顺序给出。

1.第一实施例(摄像装置)

金属配线膜设置有单一开口的示例

2.变型例(摄像装置)

第一变型例：各个像素中金属配线层设置有开口的示例

第二变型例：像素中有机光电转换膜彼此分隔的示例

第三实施例：保护膜设置于透明电极上的示例

第四变型例：设置了光学黑色区域的示例

第五变型例：设置了防闪光膜的示例

第六变型例：设置了钝化膜的示例

3.第二实施例(摄像模块)

4.第三实施例(电子设备)

[1.第一实施例]

(构造)

图1示出了根据本技术的第一实施例的摄像装置上表面的构造示例；图2示出了从图1中A-A箭头方向看的截面构造示例。摄像装置1例如包括像素区域11，多个像素12以矩阵方式排列在像素区域11中。此外，摄像装置1包括例如驱动像素12的驱动电路，以及转移由驱动电路所驱动的像素12中产生的电荷的转移电路。此外，摄像装置还包括例如读取电路，该读取电路暂时累积由转移电路转移的电荷并且输出具有相应于电荷累积程度的电平的像素信号。

摄像装置1包括，例如，基板21上的绝缘膜22、下电极膜23、有机光电转换膜24、上电极膜25以及金属配线膜26。下电极膜23、有机光电转换膜24以及上电极膜25设置在像素区域11内并且按此顺序堆叠于基板21上。每一个下电极膜23和有机光电转换膜24的各自部分以及面向每一个下电极膜23的上电极25组成像素12。每个像素12中，有机光电转换膜24夹在下电极膜23和上电极25之间。

基板21例如可以是半导体基板或者绝缘基板。半导体基板的例子可以包括硅基板以及绝缘体上硅(SOI)基板。硅基板或SOI基板可以设置有光电二极管区域。绝缘膜22使得下电极膜23相互电隔离。绝缘膜22由不易传输水分和气体的绝缘材料制成。绝缘膜22的例子可以包括氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜以及包含这些膜中的两种或更多种的堆叠层。

下电极膜23设置在基板21上，绝缘膜22位于下电极膜23之间。另外，下电极膜23设置为彼此分开，并且通过绝缘膜22相互电隔离。每一个下电极膜23在相应的像素12中都是岛状膜，并且起像素电极的作用。下电极膜23设置在有机光电转换膜24之下，而不设置在面向有机光电转换膜24的区域之外。有机光电转换膜24将预设波长范围内的光转换为电，并且包含有机材料。有机光电转换膜24是片状膜以被所有像素12共用，并且形成于整个像素区域11中。

上电极膜25至少设置在有机光电转换膜24正上方的区域。上电极膜25是片状膜以被所有像素12共用，并且形成于整个像素区域11中。如果上电极膜25仅形成在有机光电转换膜24正上方的所述区域，则上电极膜25的端部位于有机光电转换膜24上。如果上电极膜25形成为覆盖有机光电转换膜24，则上电极膜25的端部位于绝缘膜22上。上电极膜25通过绝缘膜22与下电极膜23空间隔离。

上电极膜25由导电且透光的材料制成。该导电且透光的材料可以是，例如包含Mg、Ag、Al、Cu和Au之一的金属或者包含其中两种或更多种的合金。另外，Ca和Li中的一个或两者可以被添加至用作导电且透光的材料的上述金属或合金中。或者，该导电且透光的材料可以是例如ITO或IZO。上述导电且透光的材料可以是任何使得有机光电转换膜24能够将波长范围内的光转换为电的材料。

金属配线膜26与上电极膜25接触，并且电连接于上电极膜25。另外，金属配线膜26覆盖有机光电转换膜24和上电极膜25两者的整个端部。这里，词语“覆盖有机光电转换膜24和上电极膜25两者的整个端部”是指从基板21的法线方向观察，无缝地覆盖于有机光电转换膜24和上电极膜25两者的外缘。在第一实施例中，金属配线膜26定位为与有机光电转换膜24和上电极膜25二者的端部相对，以及与上电极膜25上表面的外周相对。金属配线膜26的外周形成于绝缘膜22上。金属配线膜26通过绝缘膜22与下电极膜23空间隔离。

金属配线膜26形成为避开像素区域11中与用于接受光线的像素12相对的区域。金属配线膜26可以是，在与所有用于接受光线的像素12相对的区域中具有单个开口26A的环形膜，如图1和图2所示。所有用于接受光线的像素12可以，例如，通过开口26A相应地暴露。金属配线膜26可以由不易透过水分和气体的金属材料制成。金属配线膜26可以由例如W、Al、Ti、Mo、Ta或Cu，或者包含一种上述金属的合金，或者包含一种上述金属和硅的材料制成。

如果需要，可以在包括上电极膜25的上表面在内的摄像装置1的整个上表面上设置钝化膜。该钝化膜保护像素12，并且可以由例如氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜，或者包含其中两种或更多种的叠层膜构成。摄像装置1可以设置彩色滤光片替代钝化膜或同时具有钝化膜。该彩色滤光片定位为与像素12相对，并且选择性地透过部分位于期望波长范围中的外部入射光。如果摄像装置1在上电极膜25的上表面上设置保护膜，例如钝化膜或者彩色滤光片，该保护膜可以具有例如使得金属配线膜26部分暴露的开口。

(操作)

接下来，将描述摄像装置1的操作示例。在摄像装置1中，例如通过金属配线膜26将预定电压电平施加于每个像素12上。当外部光通过诸如透镜的光学部件进入像素区域11时，部分入射光通过有机光电转换膜24被转换为电，并且相应于入射光强度的数量的电荷在每个像素12中累积。每个下电极膜23利用施加于每个像素12的电压所产生的电场收集这些累积的电荷。然后，与每个下电极膜23中累积电荷程度相应的电压在预定时间被读取，并且输出为像素信号。接着，该像素信号由外部信号处理电路或其他处理器处理，从而产生图像数据。

(效果)

接下来，将描述摄像装置1的效果。在摄像装置1中，电连接于上电极膜25的金属配线膜26覆盖有机光电转换膜24的整个端部。金属配线膜26用于驱动摄像装置1，从而抑制水分和气体通过有机光电转换膜24的端部进入有机光电转换膜24的内部。该有机光电转换膜24容易被歪曲，特别是其端部附近。因此，如果将钝化膜设置在包括上电极膜25上表面在内的整个上表面上，该钝化膜在有机光电转换膜24端部附近的部分可能容易破裂。然而，在第一实施例中，即使当有机光电转换膜24端部附近的部分的钝化膜破裂了，其还是可以防止水分和气体通过裂缝进入。这是因为有机光电转换膜24的整个端部都被金属配线膜26覆盖。因此，可以防止有机光电转换膜24的恶化。

在摄像装置1中，金属配线膜26不仅用作上电极膜25的电压施加路径，而且保护有机光电转换膜24。因此可以不需要增加任何额外处理或元件来保护有机光电转换膜24。

[2.变型例]

接下来，将描述第一实施例中上述摄像装置的变型例。

(第一变型例)

图3示出了根据第一变型例的摄像装置1上表面的构造示例；图4示出了从图3的A-A箭头方向看的截面构造示例。第一实施例中的金属配线膜26是环形的并具有单一开口26A，而第一变型例中的金属配线膜26具有例如在各个像素12中的开口26B，从而替代开口26A，如图3和图4所示。金属配线膜26因此呈现于每对相邻的像素12之间的空隙中。因此，可以为入射光保留窗口，并且减少气体和水分通过有机光电转换膜24的上表面进入到有机光电转换膜24的内部。此外，因为金属配线膜26的遮光作用，还可以减少每对相邻的像素12之间的串扰。

(第二变型例)

图5示出了根据第二变型例的摄像装置1的截面构造示例。更具体的，图5示出了沿图3中线A-A截取的区域的截面构造示例。在上述第一变型例中，有机光电转换膜24和上电极膜25中的每一个设置为片状膜以被所有像素12共用。在第二变型例中，有机光电转换膜24和上电极膜25中的每一个都设置在各个像素12中并且同时被相互分开。具体地，有机光电转换膜24和上电极膜25中的每一个由设置在相应像素12中的多个岛状膜形成。因此，每对相邻的像素12通过金属配线膜26彼此分隔。因此可以减少气体和水分通过有机光电转换膜24的端部进入到有机光电转换膜24的内部。此外，因为金属配线膜26的遮光作用，还可以减少每对相邻的像素12之间的串扰。

(第三变型例)

图6至图8示出了根据第三变型例的摄像装置1的截面构造示例。图6示出了第一实施例中摄像装置1的变型例。图7示出了第一变型例中摄像装置1的变型例。图8示出了第二变型例中摄像装置1的变型例。

第三变型例中的每一个摄像装置1都设置覆盖于有机光电转换膜24和上电极膜25二者的保护膜27。保护膜27形成于有机光电转换膜24和金属配线膜26之间，以及上电极膜25和金属配线膜26之间。每个保护膜27可以，例如，沿着上电极膜25的上表面以及有机光电转换膜24和上电极膜25二者的端部形成，如图6至图8所示。在图6和图7中，每个保护膜27都设是片状膜以被所有像素12共用，并且形成于整个像素区域11中。在图8中，保护膜27用设在各个像素12中的多个岛状膜以及像素区域11外周上的环形膜构造。

保护膜27减少了水分和气体通过有机光电转换膜24的上表面进入到有机光电转换膜24的内部。该保护膜27可以是，例如，氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种膜的叠层膜。

在图6至图8的每个图中，保护膜27具有与电极膜25相对的一个或多个开口27H。每个开口27H作为使上电极膜25与金属配线膜26相接触的通路。每个开口27H中的上电极膜25的一部分被填充，并且金属配线膜26通过一个或多个开口27H与上电极膜25相接触。

(制造方法)

第三变型例中的摄像装置1的每一个可以根据下述方法制造。在下文中，将描述图6中所示的摄像装置1的制造方法；另外图7和图8中所示的摄像装置1也可以通过实质相同的方法被制造。

图9A、9B、10A和10B按工艺顺序示出了图6中所示的摄像装置1的制造方法示例。首先，绝缘膜22、下电极膜23、有机光电转换膜24和上电极膜25形成于基板21上。然后，保护膜27A在预定的位置(图9A)形成于上电极膜25上。保护膜27A在随后的蚀刻步骤中发挥掩模作用。保护膜27A例如可以仅形成在下面步骤中变成像素区域11的区域中。保护膜27A可以是，例如，氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种的膜。然后，有机光电转换膜24和上电极膜25通过利用保护膜27A作为掩模(图9B)被选择性地蚀刻。因此，有机光电转换膜24和上电极膜25两者都只形成在，例如，在下面步骤中将变成像素区域11的区域中。

接下来，保护膜27B形成于包括保护膜27A的整个上表面上，而保护膜27A被留下(图10A)。保护膜27B可以是，例如，氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种膜的叠层膜。由保护膜27A和27B形成的保护膜对应于保护膜27的一个具体例子。更具体地，保护膜27由覆盖于上电极膜25上表面的保护膜27A以及覆盖有机光电转换膜24和保护膜27A二者的保护膜27B构成。

随后，一个或多个开口27H形成在保护膜27中预定的位置，并且之后金属配线膜26形成为嵌入开口27H中并且覆盖有机光电转换膜24和上电极膜25的整个端部(图10B)。之后，钝化膜如需要可以形成在包括上电极膜25上表面的整个上表面上。通过上述步骤，制造了图6所示的摄像装置1。

在图8中所示的摄像装置1的制作过程中，为了形成保护膜27中的一个或多个开口27H，凹槽27G形成于与每对相邻的下电极膜23之间的空隙相对的区域中，从而穿过保护膜27、上电极膜25以及有机光电转换膜24。然后，形成金属配线膜26以嵌入于开口27H和凹槽27G中并且覆盖有机光电转换膜24和上电极膜25二者的整个端部。然后，钝化膜如需要可以形成在包括上电极膜25上表面的整个上表面上。通过上述步骤，制造了图8所示的摄像装置1。

应注意，在图6、图7和图8中所示的摄像装置1的每一种制造方法中，保护膜27B的形成可以跳过。在这种情况下，所获得的摄像装置1中，保护膜27A仅设置于上电极膜25的上表面上，并且有机光电转换膜24和上电极膜25二者的端部都和金属配线膜26接触，如图12所示。

在第三变型例中，保护膜27或27A保护有机光电转换膜24。这可以减少水分和气体通过有机光电转换膜24的上表面进入到有机光电转换膜24的内部。保护膜27A还被用作当有机光电转换膜24和上电极膜25二者被选择性蚀刻时的掩模。换句话说，保护膜27A还起到减轻有机光电转换膜24的蚀刻损坏的作用。因此，利用保护膜27A可以抑制有机光电转换膜24由蚀刻损坏引起的恶化。

在第三个变型例中，保护膜27A被作为蚀刻掩模而有意留下，并且被作为有机光电转换膜24的保护膜而再次利用。这使得其可以为有机光电转换膜24提供保护膜(保护膜27A)，而不再需要增加任何额外处理。

(第四变型例)

图13至图20示出了第四变型例中的摄像装置1的示例。图13和图15示出了第四变型例中摄像装置1上表面的构造示例。图14示出了从图13中A-A箭头方向看的截面构造示例。图16和图17示出了从图15中A-A箭头方向看的截面构造示例。图18示出了从图13中A-A箭头方向看的截面构造示例。图19和图20示出了从图15中A-A箭头方向看的截面构造示例。

在第一实施例和第一、第二以及第三变型例中的金属配线膜26形成为避开像素12，而第四变型例中的每个金属配线膜26覆盖一个或多个像素12。被金属配线膜26覆盖的一个或多个像素12被用来获取黑电平像素信号。每个金属配线膜26在与用于接受光线的多个像素12相对的区域内(图像区域11A)相应地具有单一开口26A或多个开口26B。另外，每个金属配线膜26覆盖与除了用于获取黑电平像素信号的多个像素12之外的所有像素12相对的区域(光学黑色区域11B)。

第四实施例中的每个金属配线膜26被用作上电极膜25的电压施加路径以及有机光电转换膜24的保护膜，还被用作遮光膜用以获取黑电平像素信号。凭此方式，金属配线膜26同时起到三种作用。这能增强每个摄像装置1的性能和功能而不使其内部构造复杂。

(第五变型例)

图21至图23示出了第五变型例中摄像装置1的示例。图21至图23示出了第五变型例中摄像装置1的截面的构造示例。

第五变型例中的摄像装置1被构造为在第一实施例，以及第一、第二、第三和第四变型例中的金属配线膜26的上表面上分别设置防闪光膜28。每个防闪光膜28防止入射光反射到金属配线膜26的上表面上。每个防闪光膜28可以由，例如，彩色滤光片或者采用多重干涉效应的叠层膜构成。在第五变型例中，在金属配线膜26的上表面上设置防闪光膜28可以防止因入射到金属配线膜26上表面的光的反射所引起的闪光的产生。

(第六变型例)

第一实施例以及第一至第五变型例的每一个中的摄像装置1可以在其包括上电极膜25上表面或保护膜27上表面的整个上表面上设置钝化膜。该钝化膜保护像素12，并且可以由，例如氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种膜的叠层膜构成。摄像装置1可以在，例如，其包括上电极膜25上表面和金属配线膜26上表面的整个上表面上设置钝化膜29，如图24所示。钝化膜29的材料可以与上述钝化膜实质相同。

每一个摄像装置1可以设置有彩色滤光片来替代钝化膜或者同时具有钝化膜。该彩色滤光片定位为与像素12相对，并且选择性地透过部分在期望波长范围上的外部入射光。如果摄像装置1在上电极膜25的上表面上或保护膜27的上表面上设置保护膜，例如钝化膜或者彩色滤光片，该保护膜可具有使金属配线膜26部分暴露的开口。该金属配线膜26通过开口暴露的部分被用作焊盘电极，该焊盘电极将金属配线膜26电连接至外部电路。

在第六变型例中，钝化膜设置在包括上电极膜25的上表面在内的整个上表面上。这可以抑制水分和气体通过有机光电转换膜24的上表面进入到有机光电转换膜24的内部。因此，可以抑制有机光电转换膜24的恶化。

[2.第二实施例]

图25示出了根据本技术的第二实施例中摄像模块2的示意性构造示例。摄像模块2的组件可以是第一实施例及其变型例中的摄像装置1，以及使从摄像装置1中输出的像素信号经历预定处理的信号处理电路30。该摄像装置1和信号处理电路30可以安装在，例如，单一配线基板上。信号处理电路30可以包括，例如，数字信号处理器(DSP)。

第二实施例中的摄像模块2配备有第一实施例及其变型例中的一种摄像装置1。因此，提供图像质量随时间恶化程度小的摄像模块2。

[3.第三实施例]

图26示出了根据本技术的第三实施例中电子设备3的示意性构造示例。电子设备3的组件可以是上述第二实施例中的摄像模块2、透镜31、显示单元32以及存储单元33。透镜31使得外部光进入摄像模块2的摄像装置1。显示单元32把摄像模块2的输出显示为图像。存储单元33存储摄像模块2的输出。然而，电子设备3并非一定需要设置存储单元33。在此种情况下，电子设备3可以设置将信息写入到外部存储单元的写入单元。

第三实施例中的电子设备3配备有上述第二实施例中的摄像模块2。由此提供图像质量随时间恶化程度小的电子设备3。

到目前为止，描述了本技术的实施例及其变型例；但是对本技术的实施例及类似技术方案没有限制，并且不同的变型例及其变化都可能。

应注意，本技术的实施例还可包括如下构造。

通过本公开的上述示例性实施例可以至少实现下面的构造。

(1)

一种摄像装置，包括：

第一电极膜；

有机光电转换膜；

第二电极膜；以及

金属配线膜，电连接到该第二电极膜，

该第一电极膜、该有机光电转换膜和该第二电极膜按此顺序全部设置在基板上，并且

该金属配线膜覆盖该有机光电转换膜的整个端部。

(2)

根据(1)的摄像装置，其中

金属配线膜由W、Al、Ti、Mo、Ta或Cu，或者包含其中一种或多种的合金，或者包含其中一种或多种以及Si的材料制造。

(3)

根据(1)或(2)的摄像装置，还包括覆盖该有机光电转换膜和该第二电极膜的保护膜，该保护膜形成在该有机光电转换膜和该金属配线膜之间。

(4)

根据(3)的摄像装置，其中

该保护膜是氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种的叠层膜。

(5)

根据(3)或(4)的摄像装置，其中

该保护膜包括第一保护膜和第二保护膜，该第一保护膜覆盖该第二电极膜的上表面，该第二保护膜覆盖该有机光电转换膜和该第一保护膜。

(6)

根据(3)或(5)任何一项的摄像装置，其中

该保护膜具有一个或多个开口，该一个或多个开口定位为与第二电极膜相对；并且

该金属配线膜通过该一个或多个开口与该第二电极膜接触。

(7)

根据(1)或(6)任何一项的摄像装置，其中

该第一电极膜包括设置在各个像素中的多个像素电极，

该有机光电转换膜为设置用以被所有像素共享的片状膜，并且

该金属配线膜覆盖该片状膜的整个端部。

(8)

根据(1)或(6)任何一项的摄像装置，其中

该第一电极膜包括设置在各个像素中的多个像素电极，

该有机光电转换膜包括设置在各个像素中的多个岛状膜，并且

该金属配线膜覆盖每一个该岛状膜的整个端部。

(9)

一种电子设备，包括：

摄像装置；以及

信号处理电路，该信号处理电路对从该摄像装置1输出的像素信号进行预定的处理，

该摄像装置包括第一电极膜、有机光电转换膜、第二电极膜和电连接到该第二电极膜的金属配线膜，该第一电极膜、该有机光电转换膜以及该第二电极膜按此顺序全部设置在基板上，该金属配线膜覆盖该有机光电转换膜的整个端部。

本领域的技术人员应理解，在所附权利要求或其等同物的范围内，根据设计需要和其它因素，可进行各种修改、组合、部分组合和替换。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年7月1日提交的日本优先专利申请JP2013-138262，的权益，其全部内容通过引用结合于此。

Claims (9)

1.一种摄像装置，包括：

形成在基板上的多个第一电极膜；

有机光电转换膜，布置在所述多个第一电极膜之上；

第二电极膜，布置在所述有机光电转换膜之上；

金属配线膜，电连接到该第二电极膜，并且该金属配线膜覆盖该有机光电转换膜的整个端部，以及

防闪光膜，该防闪光膜直接地布置在所述金属配线膜的上表面上，并且所述防闪光膜不延伸超过所述金属配线膜的上表面。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中

所述金属配线膜由W、Al、Ti、Mo、Ta或Cu，或者包含其中一种或多种的合金，或者包含其中一种或多种以及Si的材料制成。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，还包括覆盖该有机光电转换膜和该第二电极膜的保护膜，该保护膜形成在该有机光电转换膜和该金属配线膜之间。

4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中

该保护膜是氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种的叠层膜。

5.根据权利要求3所述的摄像装置，其中

该保护膜包括第一保护膜和第二保护膜，该第一保护膜覆盖该第二电极膜的上表面，该第二保护膜覆盖该有机光电转换膜和该第一保护膜。

6.根据权利要求3所述的摄像装置，其中

该保护膜具有设置为与该第二电极膜相对的一个或多个开口，并且

该金属配线膜通过该一个或多个开口与该第二电极膜接触。

7.根据权利要求1所述的摄像装置，其中

所述防闪光膜由彩色滤光片构成。

8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中

所述防闪光膜由采用多重干涉效应的叠层膜构成。

9.一种电子设备，包括：

根据权利要求1至8中的任一项所述的摄像装置；以及

信号处理电路，该信号处理电路对从该摄像装置输出的像素信号进行预定的处理。