CN110403570A - 一种基于综合体表多个部位自发荧光的检测和预测脑卒中发病及其预后的应用及其检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种基于综合判断人体体表多个部位自发荧光的检测和预测脑卒中发病及其预后的应用及其检测方法。本方法综合分析和计算所检测的多个部位的自发荧光强度,对脑卒中的是否发生以及脑卒中的严重程度作出判断,也对脑卒中的预后程度做出判断。本方法无创、高效、简单、准确度高且重复性好。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过对体表多个部位自荧光强度的综合分析和计算,作为判断脑卒中发病以及脑卒中预后的方法。具体的是指分析计算人体表面特定一些部位的自发荧光强度,计算自发荧光增强部位的数目,以其作为判断脑卒中发病以及发病程度的依据、以及判断脑卒中预后和预后程度的依据。
背景技术
在我国以及世界各国,脑卒中是造成死亡和终生残疾的最重大疾病之一。缺血性脑卒中是脑卒中中发病率最高的一类疾病。目前诊断的主要手段是通过核磁共振技术,进行影像学分析。这种方法,只能去医院通过核磁共振等方法检测,对于患者很不方便,耗时相对较长而且价格较昂贵。因此,发明一种新型、无创、简便、可以家庭使用的脑卒中检测方法,具有重大的社会经济意义以及临床价值。
与之前利用体表单个位置的自发荧光强度判断脑卒中的方法相比,本方法是通过综合分析和计算体表多处特定部位的自发荧光强度,以自发荧光强度增加的数目作为判断脑卒中以及脑卒中预后的依据的。通过本方法,检测的准确性有显著的上升。
发明内容
本发明人的目的是突破现有技术的难题,提出一种可以用于检测脑卒中并且对人体无损伤的新型检测方法和应用。本发明检测受试者的体表多处特定部位的自发荧光,将其强度与数据库中的健康人群的对应位置的平均自发荧光强度相比较。如果受试者的某个部位的体表自发荧光强度高于健康人群对应位置的平均自发荧光强度时,则认为该受试者该部位的自发荧光强度增加。用这种方法,检测人体体表多处位置,统计自发荧光强度增加的部位个数。其中受试者体表荧光强度高的部位大于等于1个时,则初步认为受试者患有脑卒中或即将患有脑卒中。而受试者体表荧光强度高的部位越多,则认为受试者患有脑卒中的可能性越高、或即将患有脑卒中的可能性越高。
本发明是以人体自发荧光的上升的部位个数,作为诊断脑卒中发生可能性以及程度的方法。
同时,本发明人发现,脑卒中预后人群的体表各处自荧光强度高的部位的数量显著低于脑卒中人群。且数量越低,则脑卒中恢复程度越高。本发明提供了一种诊断脑卒中预后的新型检测方法及其应用。
一方面,本发明公开了一种检测脑卒中的方法,其中,包括以下步骤:
(1)通过400nm至750nm之间的激发光激发患者人体表面;
(2)接收420nm至800nm之间的自发荧光;
(3)分析自发荧光的强度,统计自荧光上升部位的个数。判断脑卒中发生的可能性以及严重程度。
在一个具体实施例中,检测体表部位为脸部皮肤5处、左右手臂背侧腹侧、左右侧手掌掌心以及掌背、左右手手指、左右手指甲。
在一个具体实施例中,检测体表部位为左右手臂背侧腹侧、左右侧手掌掌心以及掌背、左右手手指、左右手指甲。
在一个具体实施例中,当激发光激发受试者体表某部位荧光强度值高于已测定的非脑卒中测试人该部位的平均体表自发荧光1.5倍时,则认为该处体表荧光强度高。
在一个具体实施例中,受试者体表荧光强度高的部位大于等于3处时,则判断受试者具有具有高度发生脑卒中的可能性。
在一个具体实施例中,受试者体表荧光强度高的部位大于等于3处时,则判断受试者患有脑卒中。
在一个具体实施例中,受试者体表荧光强度的部位个数越多,则脑卒中程度越严重。
另一方面,本发明公开了一种检测脑卒中恢复程度的方法,其中,包括以下步骤:
(1)通过400nm至750nm之间的激发光激发患者人体表面;
(2)接收420nm至800nm之间的自发荧光;
(3)分析自发荧光的强度,统计自荧光上升部位的个数。判断脑卒中预后程度。
在一个具体实施例中,检测体表部位为脸部皮肤5处、左右手臂背侧腹侧、左右侧手掌掌心以及掌背、左右手手指、左右手指甲。
在一个具体实施例中,检测体表部位为。左右手臂背侧腹侧、左右侧手掌掌心以及掌背、左右手手指、左右手指甲。
在一个具体实施例中,当激发光激发受试者体表某部位荧光强度值高于已测定的非脑卒中测试人该部位的平均体表自发荧光1.5倍时,则认为该处体表荧光强度高。
在一个具体实施例中,受试者体表荧光强度的部位个数相比于脑卒中患者,显著减少。
在一个具体实施例中,受试者体表荧光强度的部位个数越少,则脑卒中恢复程度越好。
本发明做了大量实验,也根据体表单一部位的自发荧光,预测检测脑卒中发生以及预后程度。发现使用单一部位体表荧光预测检测脑卒中的准确性显著低于本依据于综合计算分析多处体表自发荧光预测检测脑卒中的方法。
附图说明:
图1代表性的健康人群和脑卒中病人手指的绿色自发荧光图。
图2健康人群、急性脑卒中人群绿色自发荧光高的位置大于一个的比例示意表。
具体实施方式
下面将通过具体描述,对本发明作进一步的说明。
除非另有限定,本文中所使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解相同的含义。
如本文所述,术语“自发荧光”、“自发荧光”、“自发性荧光”、“auto-fluorescence”可互换,其是指组织、细胞、生物物质在受到适当波长的激发光照射后,吸收激发光的能量进入激发态,当退出激发态时发射出比激发光波长更长的光的现象,其中自发荧光为比激发光波长更长的光。
如本文所述,术语“激发光”,是指能够激发生物分子发生自发荧光现象的光,其波长应比自发荧光短。
本文所述,体表荧光,是指人体全表面皮肤组织。
实施例1:激发光为蓝光波段,体表14个部位自发荧光强度与脑卒中的关系。
根据本发明,对脑卒中或非脑卒中人群左右手对称位置的手指,使用仪器对皮肤绿色自发荧光进行实时无创成像(图1)。
将采集的荧光强度进行分析,量化。对于单一位置,如果受试者在该位置的自荧光强度高于该位置数据库中健康人群平均值的1.5倍。则认为该位置荧光强度高。发现脑卒中人群的高荧光部位的个数,显著高于健康人群(图2)。
发明人同时也使用体表单个位置的自荧光强度,对脑卒中进行诊断,发现假阳性率和假阴性率均大幅高于联合检测的方法。
实施例2:激发光为蓝光波段,体表14个部位自发荧光强度与脑卒中预后的关系。
根据本发明,对脑卒中或脑卒中预后人群的左右手对称位置的手指,使用仪器对皮肤自发荧光进行实时无创成像。
将采集的荧光强度进行分析,量化。对于单一位置,如果受试者在该位置的自荧光强度高于该位置数据库中健康人群平均值的1.5倍。则认为该位置荧光强度高。用这个方法,对14个位置的荧光强度进行分析。发现脑卒中恢复人群的高荧光部位的个数,显著低于脑卒中人群。
发明人同时也使用体表单个位置的自荧光强度,对脑卒中预后以及预后程度进行诊断,发现假阳性率和假阴性率均大幅高于联合检测的方法。
基于本发明的技术,将应用于(包括但不限于):1.在人群体检中的脑卒中筛查。2.用于家庭防护的脑卒中筛查。3.用于各级医院,包括社区医院和各类其他医院脑卒中的诊断。4.用于门诊对于脑卒中康复程度的诊断。
本领域的技术人员应当明了,尽管为了举例说明的目的,本文描述了本发明的具体实施方式,但可以对其进行各种修改而不偏离本发明的精神和范围。因此,本发明的具体实施方式和实施例不应当视为限制本发明的范围。本发明仅受所附权利要求的限制。本申请中引用的所有文献均完整地并入本文作为参考。
Claims (15)
1.一种基于综合体表多个部位自发荧光的检测和预测脑卒中发病及其预后的应用,是生物标记物在制备用于在检测和预测脑卒中发病的产品中的应用,其特征在于,通过当激发光激发受试者体表某部位荧光强度值高于已测定的健康人该部位的平均体表自发荧光时,则认为该处体表荧光强度高;
其中受试者体表荧光强度高的部位大于等于1个时,则初步认为受试者很可能患有脑卒中或即将患有脑卒中;
其中所述体表部位是指人体全表面。
2.一种检测脑卒中的方法,其中,包括以下步骤:
(1)通过400nm至750nm之间的激发光激发患者人体表面;
(2)接收420nm至800nm之间的自发荧光;
(3)联合分析体表各处自发荧光的强度,统计自荧光上升部位的个数;确定是否是脑卒中。
(4)
3.如权利要求2所述的方法,其中,所述检测体表部位具体指人体全表面,优选脸部指甲、皮肤、手臂、手掌、手指;优选指甲、手臂、手掌、手指。
4.如权利要求2所述的方法,其中,当激发光激发受试者体表某部位荧光强度值高于已测定的健康人该部位的平均体表自发荧光时,则认为该处体表荧光强度高。
5.如权利要求2所述的方法,其中受试者体表荧光强度高的部位大于等于1个时,则初步认为受试者很可能患有脑卒中或即将患有脑卒中。
6.如权利要求5所述的方法,其中受试者体表荧光强度高的部位越多,则受试者脑卒中程度越严重。
7.如权利要求2所述的方法,其中,所述激发光范围优选为460nm-640nm,更优选为460nm-580nm。
8.如权利要求2所述的方法,其中,所述接收光范围优选为480nm-750nm,更优选为500nm-620nm。
9.一种检测脑卒中恢复程度的方法,其中,包括以下步骤:
(1)通过400nm至750nm之间的激发光激发患者人体全表面;
(2)接收420nm至800nm之间的自发荧光;
(3)分析自发荧光的强度,统计自荧光上升部位的个数;确定脑卒中预后程度。
10.如权利要求9所述的方法,其中,检测体表部位具体指人体全表面,优选脸部指甲、皮肤、手臂、手掌、手指;优选指甲、手臂、手掌、手指。
11.如权利要求9所述的方法,其中,当激发光激发受试者体表某部位荧光强度值高于已测定的非脑卒中测试人该部位的平均体表自发荧光时,则认为该处体表荧光强度高。
12.如权利要求9所述的方法,其中受试者体表荧光强度高的部位越少,则受试者脑卒中预后程度越好。
13.如权利要求9所述的方法,其中,所述激发光范围优选为460nm-640nm,更优选为460nm-580nm。
14.如权利要求9所述的方法,其中,所述接收光范围优选为480nm-750nm,更优选为500nm-620nm。
15.一种基于综合体表多个部位自发荧光的检测和预测脑卒中发病及其预后的应用,是在家庭以及各级医院诊断受试者是否患有脑卒中或用于健康筛查。
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