CN110391354A - 一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法、其应用和顶发射蓝光量子点led - Google Patents

一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法、其应用和顶发射蓝光量子点led Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法，包括：氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物置于溶剂中，混合，搅拌，得到混合溶液；将上述混合溶液旋涂在量子点发光层上，退火，得到电子传输层。本发明将乙酰丙酮螯合物作为电子传输层的掺杂材料，并制备电子传输层薄膜。与未经掺杂的器件相比，乙酰丙酮螯合物的掺入显著的降低了电子迁移率。通过对电子传输层的掺杂修饰，使得电子和空穴的传输注入更加平衡，使得亮度和效率有了显著的提升。从制作工艺角度，本发明没有引入额外的电子阻挡层，仅仅通过往电子传输层中掺入乙酰丙酮螯合物，就实现了对电子传输的调整。本发明操作简单，效果显著，可重复性高，适用于大规模商业化生产。

Description

一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法、其 应用和顶发射蓝光量子点LED
技术领域
本发明涉及量子点发光二极管技术领域，尤其是涉及一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法、其应用和顶发射蓝光量子点LED。
背景技术
近年来，胶体量子点因具有色纯度高，发光峰位随量子点尺寸可调，荧光量子产率高，便于大规模加工制备等特性而受到人们的广泛关注。这些特性完美契合了发光器件的要求，因此量子点LED被视为取代有机LED的不二之选。在传统的底发射Led器件中，光在穿过衬底的过程中造成了大量的光损失，而顶发射结构中光不经过衬底，可以直接射出，大大提高了光取出效果。
目前的量子点LED中使用最广泛的空穴和电子传输层分别为有机物和氧化锌类纳米颗粒。有机空穴传输层的空穴迁移率要比氧化锌类纳米颗粒的电子迁移率低2～3个数量级。电子和空穴迁移率的差异导致载流子注入不平衡，造成器件的效率和亮度低下，最终影响量子点发光二极管的长期稳定性。
为了促进载流子注入平衡，提升器件的性能，通常会在设法提高少数载流子(空穴)注入的同时，抑制过剩的载流子(电子)的注入。目前普遍采用的抑制电子注入的策略是在量子点发光层和电子传输层之间插入电子阻挡层。额外的电子阻挡层的引入虽然会提升器件的性能，但是却使制作工艺更加复杂，不利于大规模商业化生产。所以开发一种能够降低电子传输性能的新型电子传输层薄膜就显得尤为重要。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法，本发明提供的电子传输层使得电子和空穴的传输注入更加平衡，提高了器件的亮度和效率。
本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法，包括：
A)氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物置于溶剂中，混合，搅拌，得到混合溶液；
B)将上述混合溶液旋涂在量子点发光层上，退火，得到电子传输层。
优选的，步骤A)所述氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物的质量比为1:5～5:1；所述混合溶液的质量浓度为5～30mg/ml；所述溶剂为无水乙醇。
优选的，所述电子传输层的厚度为10～100nm。
优选的，所述退火的温度为50～200℃，时间为5～30min。
优选的，所述乙酰丙酮螯合物选自乙酰丙酮铝、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铟、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铪中的一种或几种。
本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层，由上述技术方案任一项所述的制备方法制备得到。
本发明提供了上述任一项所述的制备方法制备得到的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层用于制备顶发射蓝光量子点LED中的应用。
本发明提供了一种顶发射蓝光量子点LED，包括：
衬底；
设置于所述衬底上的反射阳极；
设置于所述反射阳极上的空穴注入层；
设置于所述空穴注入层上的空穴传输层；
设置于所述空穴传输层上的量子点发光层；
设置于所述量子点发光层上的权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层；
设置于所述电子传输层上的透明阴极。
优选的，所述乙酰丙酮螯合物选自乙酰丙酮铝、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铟、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铪中的一种或几种。
优选的，所述衬底为硅、玻璃、PET和不锈钢中的一种或几种；所述反射阳极为铝或银；所述空穴注入层为三氧化钼；所述空穴传输层为TFB、TCTA、CBP和poly-TPD中的一种或几种；所述量子点发光层为ZnCdS/ZnS；所述透明阴极为Ag。
优选的，所述反射阳极厚度为50～200nm；所述空穴注入层厚度为5～20nm；所述空穴传输层厚度为10～100nm；所述电子传输层厚度为10～100nm；所述量子点发光层为10～80nm；所述透明阴极为10～30nm。
与现有技术相比，本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法，包括：A)氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物置于溶剂中，混合，搅拌，得到混合溶液；B)将上述混合溶液旋涂在量子点发光层上，退火，得到电子传输层。本发明将乙酰丙酮螯合物作为电子传输层的掺杂材料，并制备电子传输层薄膜。与未经掺杂的器件相比，乙酰丙酮螯合物的掺入显著的降低了电子迁移率。通过对电子传输层的掺杂修饰，使得电子和空穴的传输注入更加平衡，使得亮度和效率有了显著的提升。从制作工艺角度，本发明没有引入额外的电子阻挡层，仅仅通过往电子传输层中掺入乙酰丙酮螯合物，就实现了对电子传输的调整。本发明操作简单，效果显著，可重复性高，适用于大规模商业化生产。
附图说明
图1为实施例1的能级结构示意图；
图2为所用蓝光量子点的吸收和荧光发射光谱；
图3为采用不同乙酰丙酮螯合物掺杂薄膜的单载流子特性曲线；
图4为对比例1、实施例1～5制得器件的电致发光光谱曲线；
图5为对比例1、实施例1～5制得器件的电流密度-电压(J-V)特性曲线；
图6为对比例1、实施例1～5制得器件的亮度-电压(L-V)特性曲线；
图7为对比例1、实施例1～5制得器件的电流效率-电压(CE-V)特性曲线；
图8为对比例1、实施例1～5制得器件的外量子效率-电压(EQE-V)特性曲线；
图9为本发明其中一个优选实施方式所述的顶发射蓝光量子点LED的结构图。
具体实施方式
本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法、其应用和顶发射蓝光量子点LED，本领域技术人员可以借鉴本文内容，适当改进工艺参数实现。特别需要指出的是，所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的，它们都属于本发明保护的范围。本发明的方法及应用已经通过较佳实施例进行了描述，相关人员明显能在不脱离本发明内容、精神和范围内对本文的方法和应用进行改动或适当变更与组合，来实现和应用本发明技术。
本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法，包括：
A)氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物置于溶剂中，混合，搅拌，得到混合溶液；
B)将上述混合溶液旋涂在量子点发光层上，退火，得到电子传输层。
本发明提供的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法首先将氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物置于溶剂中，得到混合溶液。
其中，本发明对于氧化锌纳米颗粒的来源不进行限定，本领域技术人员熟知的市售即可，所述氧化锌纳米颗粒的粒径优选为5—20nm。
按照本发明，所述乙酰丙酮螯合物选自乙酰丙酮铝、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铟、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铪中的一种或几种。本发明对其来源不进行限定，本领域技术人员熟知的市售即可，
其中，所述氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物的质量比优选为1:5～5:1；所述混合溶液的质量浓度优选为5～30mg/ml；更优选为10～25mg/ml。所述混合溶液的溶剂为无水乙醇。本发明对其来源不进行限定，本领域技术人员熟知的市售即可，
本发明对于所述混合的温度不进行限定，25～35℃，室温即可。
混合后还包括在室温下将混合溶液置于磁力搅拌器上搅拌至澄清。本发明对于所述搅拌速度不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。
将上述澄清的混合溶液，旋涂在量子点发光层上，形成电子传输层薄膜。
本发明所述旋涂的参数具体为2000rpm/40s。
将所述电子传输层薄膜退火，得到电子传输层。
按照本发明，所述电子传输层的厚度优选为10～100nm；更优选为50～60nm。
所述退火的温度优选为50～200℃，更优选为60～180℃，所述退火时间优选为5～30min；更优选为8～28min。
本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层，由上述技术方案所述的制备方法制备得到。
本发明提供了上述任一项所述的制备方法制备得到的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层用于制备顶发射蓝光量子点LED中的应用。
本发明提供了一种顶发射蓝光量子点LED，包括：
衬底；
设置于所述衬底上的反射阳极；
设置于所述反射阳极上的空穴注入层；
设置于所述空穴注入层上的空穴传输层；
设置于所述空穴传输层上的量子点发光层；
设置于所述量子点发光层上的权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层；
设置于所述电子传输层上的透明阴极。
本发明提供的顶发射蓝光量子点LED包括衬底，本发明衬底光滑即可，对衬底的厚度不进行限定。
本发明所述衬底优选为硅、玻璃、PET和不锈钢中的一种或几种；更优选为硅衬底。
本发明实施例中对衬底的选择没有明确限制，可以采用硬质的玻璃基板、硅片，或者柔性的PET基板、不锈钢实现柔性器件的制备.
本发明提供的顶发射蓝光量子点LED包括设置于所述衬底上的反射阳极。
本发明所述反射阳极优选为铝或银；更优选为铝；所述反射阳极厚度优选为50～200nm；更优选为100～180nm；最优选为100～150nm。
本发明提供的顶发射蓝光量子点LED包括设置于所述反射阳极上的空穴注入层。
本发明所述空穴注入层优选为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种；更优选为三氧化钼；
所述空穴注入层厚度优选为5～30nm；更优选为5～10nm。
本发明提供的顶发射蓝光量子点LED包括设置于所述空穴注入层上的空穴传输层。
本发明所述空穴传输层优选为TFB、TCTA、CBP和poly-TPD、PVK、NiO、MoO3、NPB、CBP中的一种或几种；更优选为TFB和TCTA的混合。其中，TFB:TCTA优选为1:2～2:1w/w。
本发明所述空穴传输层厚度优选为30～60nm；更优选为40～50nm。
本发明提供的顶发射蓝光量子点LED包括设置于所述空穴传输层上的量子点发光层。
本发明所述量子点材料为蓝光量子点，其发光峰波长范围为400纳米至700纳米，发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米，本发明所用量子点发光材料结构为ZnCdS/ZnS。本发明所述量子点发光层应包括2-20层单原子层，或者所述量子点结构单元包含1-10层的晶胞层，其厚度范围应在10～80nm。
本发明提供的顶发射蓝光量子点LED包括设置于所述量子点发光层上的上述技术方案所述的制备方法制备得到的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层。
本发明对于所述乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层上述已经有了清楚的描述，在此不再赘述。
本发明提供的顶发射蓝光量子点LED包括设置于所述电子传输层上的透明阴极。
本发明所述透明阴极为Ag。所述透明阴极的厚度优选为10～30nm；更优选为20～30nm。
本发明的顶发射蓝光量子点LED由反射阳极，空穴注入层，空穴传输层，量子点发光层，掺杂电子传输层，金属银(透明阴极)构成。本发明通过将乙酰丙酮螯合物作为添加材料，掺入到传统的氧化锌类纳米颗粒溶液中，显著地改善了电子传输层的特性，降低了电子迁移速率，使电子和空穴的传输更加平衡，提升了器件的电流效率和外量子效率。本发明制备电子传输层的方法简单，效果显著，适合大规模商业化生产。
图9为本发明其中一个优选实施方式所述的顶发射蓝光量子点LED的结构图。
本发明还提供了一种顶发射蓝光量子点LED的制备方法，包括：
预处理衬底；
在衬底上蒸镀反射阳极；
在反射阳极上蒸镀空穴注入层；
将空穴传输层材料旋涂在所述空穴注入层上，得到空穴传输层；
将量子点发光材料旋涂在所述空穴传输层上，得到量子点发光层；
将电子传输层材料旋涂在所述量子点发光层上，得到电子传输层；
在电子传输层上蒸镀阴极材料得到透明阴极。
本发明将硅衬底预处理优选具体为：
采用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗1～3次，然后用双氧水和浓硫酸以110℃浸煮一小时，再用去离子水超声洗净，用氮气吹干即可。
本发明所述反射阳极材料铝为采用蒸镀的方式蒸镀至衬底上；本发明对于所述蒸镀的具体参数不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。
本发明所述空穴注入层的制备方法为蒸镀，本发明对于所述蒸镀的具体参数不进行限定，本领域技术人员熟知的即可。
本发明所述空穴传输层的制备方法优选具体为：
将之前所述样品转移到氮气手套箱中进行后续操作。氮气手套箱中水氧含量均小于50ppm。将总浓度为空穴传输层材料(优选为5～15mg/ml的TFB和TCTA混合的氯苯溶液(TFB:TCTA＝1:2～2:1w/w))在3000rpm的转速下直接旋涂在上述空穴注入层上，150℃退火30min，自然冷却后得到空穴传输层。
本发明所述量子点发光层的制备方法优选具体为：
将ZnCdS/ZnS核壳结构量子点正辛烷溶液均匀旋涂在空穴传输层上。量子点溶液的浓度为10～20mg/ml，旋涂转速3000rpm，100℃退火10min。
本发明对于所述电子传输层的制备方法上述已经有了清楚的描述，在此不再赘述。
本发明所述蒸镀阴极材料的方法优选具体为：
在5×10-4Pa的真空度下蒸镀银作为透明阴极。蒸镀速率为0.01nm/s。
本发明将乙酰丙酮螯合物作为电子传输层的掺杂材料，并制备电子传输层薄膜。与未经掺杂的器件相比，乙酰丙酮螯合物的掺入显著的降低了电子迁移率。通过对电子传输层的掺杂修饰，使得电子和空穴的传输注入更加平衡，使得亮度和效率有了显著的提升。从制作工艺角度，本发明没有引入额外的电子阻挡层，仅仅通过往电子传输层中掺入乙酰丙酮螯合物，就实现了对电子传输的调整。本发明操作简单，效果显著，可重复性高，适用于大规模商业化生产。
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法、其应用和顶发射蓝光量子点LED进行详细描述。
对比例1
1)将硅片用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗两次，然后用双氧水和浓硫酸以110℃浸煮一小时，再用去离子水超声洗净，用氮气吹干后蒸镀100nm的铝作为反射阳极。
2)接着蒸镀5nm的三氧化钼作为空穴注入层。
3)将之前所述样品转移到氮气手套箱中进行后续操作。氮气手套箱中水氧含量均小于50ppm。将总浓度为5～15mg/ml的TFB和TCTA混合的氯苯溶液(TFB:TCTA＝1:2～2:1w/w)在3000rpm的转速下直接旋涂在上述空穴注入层上，150℃退火30min，自然冷却后得到厚度为40～50nm的空穴传输层。
4)将ZnCdS/ZnS核壳结构量子点正辛烷溶液均匀旋涂在空穴传输层上。量子点溶液的浓度为10～20mg/ml，旋涂转速3000rpm，100℃退火10min，得到的量子点发光层厚度为15～25nm。
5)将5～30mg/ml的ZnO乙醇溶液，在2000rpm的转速下直接旋涂在量子点发光层上，100℃退火10min，得到厚度为50～60nm的电子传输层。
6)在5×10-4Pa的真空度下蒸镀30nm的银作为透明阴极。蒸镀速率为0.01nm/s。
所得器件的电流密度-电压(J-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)特性曲线、电流效率-电压(CE-V)特性曲线和外量子效率-电压(EQE-V)特性曲线分别对应着图5、图6、图7和图8中的“对比例1”部分。其启亮电压(亮度为1cd/m2时对应的驱动电压)为4.2V。器件最大亮度为8000cd/m2，在驱动电压为15V时得到。器件最大电流效率为0.5cd/A，在电压为12V时得到。器件的电致发光光谱如图4“对比例1”所示，其发光峰位在464nm，与量子点溶液的荧光光谱峰位相比未发生偏移，保留了量子点良好的光学性能。
实施例1
5)将总浓度为10mg/ml的混合溶液(ZnO:ZrAcac＝1:3～3:1w/w)，在2000rpm的转速下直接旋涂在量子点发光层上，100℃退火10min，得到厚度为50～60nm的电子传输层。
其余实施步骤与对比例1相同
所得器件的电流密度-电压(J-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)特性曲线、电流效率-电压(CE-V)特性曲线和外量子效率-电压(EQE-V)特性曲线分别对应着图5、图6、图7和图8中的“实施例1”部分。其启亮电压(亮度为1cd/m2时对应的驱动电压)为4.6V。器件最大亮度为35262cd/m2，在驱动电压为12.3V时得到。器件最大电流效率为2.9cd/A，在电压为9.9V时得到。器件的电致发光光谱如图4“实施例1”所示，其发光峰位在464nm，与量子点溶液的荧光光谱峰位相比未发生偏移，保留了量子点良好的光学性能。
实施例2
5)将总浓度为10mg/ml的混合溶液(ZnO:HfAcac＝1:3～3:1w/w)，在2000rpm的转速下直接旋涂在量子点发光层上，100℃退火10min，得到厚度为50～60nm的电子传输层。
其余实施步骤与对比例1相同
所得器件的电流密度-电压(J-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)特性曲线、电流效率-电压(CE-V)特性曲线和外量子效率-电压(EQE-V)特性曲线分别对应着图5、图6、图7和图8中的“实施例2”部分。其启亮电压(亮度为1cd/m2时对应的驱动电压)为4.4V。器件最大亮度为22653cd/m2，在驱动电压为11.8V时得到。器件最大电流效率为1.8cd/A，在电压为10.7V时得到。器件的电致发光光谱如图4“实施例2”所示，其发光峰位在461nm，与量子点溶液的荧光光谱峰位相比蓝移3nm。
实施例3
5)将总浓度为10mg/ml的混合溶液(ZnO:AlAcac＝1:3～3:1w/w)，在2000rpm的转速下直接旋涂在量子点发光层上，100℃退火10min，得到厚度为50～60nm的电子传输层。
其余实施步骤与对比例1相同
所得器件的电流密度-电压(J-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)特性曲线、电流效率-电压(CE-V)特性曲线和外量子效率-电压(EQE-V)特性曲线分别对应着图5、图6、图7和图8中的“实施例3”部分。其启亮电压(亮度为1cd/m2时对应的驱动电压)为3.6V。器件最大亮度为27235cd/m2，在驱动电压为11.7V时得到。器件最大电流效率为1.6cd/A，在电压为10V时得到。器件的电致发光光谱如图4“实施例3”所示，其发光峰位在461nm，与量子点溶液的荧光光谱峰位相比蓝移了3nm。
实施例4
5)将总浓度为10mg/ml的混合溶液(ZnO:GaAcac＝1:3～3:1w/w)，在2000rpm的转速下直接旋涂在量子点发光层上，100℃退火10min，得到厚度为50～60nm的电子传输层。
其余实施步骤与对比例1相同
所得器件的电流密度-电压(J-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)特性曲线、电流效率-电压(CE-V)特性曲线和外量子效率-电压(EQE-V)特性曲线分别对应着图5、图6、图7和图8中的“实施例4”部分。其启亮电压(亮度为1cd/m2时对应的驱动电压)为3.6V。器件最大亮度为34077cd/m2，在驱动电压为11.8V时得到。器件最大电流效率为2.1cd/A，在电压为10.4V时得到。器件的电致发光光谱如图4“实施例4”所示，其发光峰位在465nm，与量子点溶液的荧光光谱峰位相比红移了1nm。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层的制备方法，其特征在于，包括：
A)氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物置于溶剂中，混合，搅拌，得到混合溶液；
B)将上述混合溶液旋涂在量子点发光层上，退火，得到电子传输层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤A)所述氧化锌纳米颗粒和乙酰丙酮螯合物的质量比为1:5～5:1；所述混合溶液的质量浓度为5～30mg/ml；所述溶剂为无水乙醇。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20～100nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为50～200℃，时间为5～30min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述乙酰丙酮螯合物选自乙酰丙酮铝、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铟、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铪中的一种或几种。
6.本发明提供了一种乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层，其特征在于，由权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到。
7.权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层用于制备顶发射蓝光量子点LED中的应用。
8.一种顶发射蓝光量子点LED，其特征在于，包括：
衬底；
设置于所述衬底上的反射阳极；
设置于所述反射阳极上的空穴注入层；
设置于所述空穴注入层上的空穴传输层；
设置于所述空穴传输层上的量子点发光层；
设置于所述量子点发光层上的权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到的乙酰丙酮螯合物掺杂氧化锌电子传输层；
设置于所述电子传输层上的透明阴极。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述乙酰丙酮螯合物选自乙酰丙酮铝、乙酰丙酮镓、乙酰丙酮铟、乙酰丙酮钛、乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铪中的一种或几种。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅、玻璃、PET和不锈钢中的一种或几种；所述反射阳极为铝或银；所述空穴注入层为三氧化钼；所述空穴传输层为TFB、TCTA、CBP和poly-TPD中的一种或几种；所述量子点发光层为ZnCdS/ZnS；所述透明阴极为Ag；
所述反射阳极厚度为50～200nm；所述空穴注入层厚度为5～30nm；所述空穴传输层厚度为10～100nm；所述电子传输层厚度为10～100nm；所述量子点发光层为10～80nm；所述透明阴极为10～30nm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331784A (zh) * 2019-12-17 2021-02-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 薄膜及其应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103972416A (zh) * 2014-05-15 2014-08-06 华北电力大学 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法
CN104064690A (zh) * 2014-06-27 2014-09-24 北京科技大学 具有双层结构电子传输层的有机发光二极管及其制备方法
CN109148707A (zh) * 2018-08-29 2019-01-04 苏州大学 一种氧化锌基纳米颗粒稳定分散液的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103972416A (zh) * 2014-05-15 2014-08-06 华北电力大学 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法
CN104064690A (zh) * 2014-06-27 2014-09-24 北京科技大学 具有双层结构电子传输层的有机发光二极管及其制备方法
CN109148707A (zh) * 2018-08-29 2019-01-04 苏州大学 一种氧化锌基纳米颗粒稳定分散液的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FUZHI WANG等: "Achieving Balanced Charge Injection of Blue Quantum Dot Light-Emitting Diodes through Transport Layer Doping Strategies", 《J. PHYS. CHEM. LETT.》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331784A (zh) * 2019-12-17 2021-02-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 薄膜及其应用

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