CN114284461A - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括：在底电极的表面由下至上依次制备空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及顶电极，随后进行通电处理，再对电子传输层与顶电极的连接位置进行热处理；电子传输层的制备原料中的电子传输层溶质至少含有ZnO且80wt％的ZnO的粒径为2‑3nm；通电和热处理分别于0.1‑2mA和50‑80℃的条件下进行5‑30min。上述方法可使最终的电子传输层中同时具有小尺寸和大尺寸ZnO纳米颗粒膜，前者具有少空隙、多氧空位，不易淬灭界面激子的优势，后者具有高稳定性和电荷迁移率的优势，从而有利于提高QLED器件的效率和寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点作为荧光材料已有近三十年的研究发展，量子点由无机核壳结构及表面配体组成(如图1和图2所示)，具有优异的光学性能，例如色纯度高、连续可调的发射波长、高的发光效率和量子产率等，内量子效率已经可以达到100％。
现有的QLED制备通常由电极、空穴注入层和空穴传输层、量子点发光层、电子传输层等薄膜结构堆叠而成。QLED在通电后由电极通过电子传输层和空穴传输层向量子点层中注入电子和空穴，使电子和空穴在量子点中复合发光。对于QLED，电子传输层的质量好坏决定了器件的电子注入能力和界面漏电流大小，直接影响器件的效率和亮度，提高电子传输层的性能成为提高QLED性能的关键因素。
但目前常用的ZnO电子传输层容易导致QLED器件的效率底，寿命短。
鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，其可有效提高QLED器件的效率和寿命。
本发明的目的之二在于提供一种由上述制备方法制备而得的量子点发光二极管。
本申请可这样实现：
第一方面，本申请提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：在底电极的表面由下至上依次制备空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及顶电极，得到量子点发光二极管初品，随后对量子点发光二极管初品进行通电处理，再对电子传输层与顶电极的连接位置进行热处理；
其中，电子传输层的制备原料包括电子传输层溶质和电子传输层溶剂，电子传输层溶质中至少含有ZnO且80wt％的ZnO的粒径为2-3nm；通电是于0.1-2mA的条件下进行5-30min；热处理是于50-80℃的条件下进行5-30min。
在可选的实施方式中，通电电流为0.1-1mA，热处理温度为70-80℃。
在可选的实施方式中，通电处理和热处理均在干燥氧气氛围中进行。
在可选的实施方式中，干燥氧气的含水率不超过0.01ppm。
在可选的实施方式中，电子传输层的制备包括：将由电子传输层溶质和电子传输层溶剂混合得到的ZnO溶液以2000-4000r/min的转速旋涂于量子点层的表面。
在可选的实施方式中，ZnO溶液中ZnO的浓度为25-35mg/mL。
在可选的实施方式中，ZnO溶液中的溶剂为低沸点醇，优选为乙醇。
在可选的实施方式中，电子传输层的厚度为20-30nm。
在可选的实施方式中，空穴注入层的制备包括：将空穴注入层的制备原料以溶液形式按4000-6000r/min的转速旋涂于底电极的表面，随后于145-155℃的条件下热处理20-30min。
在可选的实施方式中，空穴注入层包括有机电子注入层、无机电子注入层以及空穴注入层中的至少一种。
在可选的实施方式中，空穴注入层的制备原料包括PEDOT:PPS。
在可选的实施方式中，空穴注入层的厚度为20-30nm。
在可选的实施方式中，底电极的制备原料包括ITO玻璃。
在可选的实施方式中，底电极的厚度为20-30nm。
在可选的实施方式中，空穴传输层的制备包括：将空穴传输层的制备原料以溶液形式按2000-4000r/min的转速旋涂于空穴注入层的表面，随后于135-145℃的条件下热处理20-30min。
在可选的实施方式中，空穴传输层包括有机电子传输层、无机电子传输层以及空穴传输层中的至少一种。
在可选的实施方式中，空穴传输层的制备原料包括TFB。
在可选的实施方式中，空穴传输层的厚度为20-30nm。
在可选的实施方式中，量子点层的制备包括：将量子点层的制备原料以溶液形式按2000-4000r/min的转速旋涂于空穴传输层的表面。
在可选的实施方式中，量子点层中的量子点包括一元量子点、二元量子点、三元量子点、钙钛矿量子点及掺杂量子点中的至少一种。
在可选的实施方式中，一元量子点包括碳量子点和金量子点中的至少一种。
在可选的实施方式中，二元量子点包括II-VI族量子点、IV-VI族量子点和III-V族量子点中的至少一种；优选地，II-VI族量子由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成，IV-VI族量子点由第IV族元素Ge、Sn和Pb中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成，III-V族量子点由第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素和第V族元素N、P、As和Sb中的任意一种元素组成。
在可选的实施方式中，三元量子点包括I-III-VI族量子点和II-III-VI族量子点中的至少一种；优选地，I-III-VI族量子点由第I族元素Cu和Ag中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成，II-III-VI族量子点由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成。
在可选的实施方式中，掺杂量子点为一元量子点、二元量子点、三元量子点或钙钛矿量子点中掺杂有掺杂元素的量子点；优选地，掺杂元素包括Cu和Mn中的至少一种。
在可选的实施方式中，量子点的粒径为2-20nm。
在可选的实施方式中，量子点层的厚度为20-30nm。
在可选的实施方式中，顶电极的制备包括：将顶电极的制备原料蒸镀于电子传输层的表面。
在可选的实施方式中，顶电极的制备原料包括Ag、Au或Al。
在可选的实施方式中，顶电极的厚度为80-120nm。
第二方面，本申请提供一种量子点发光二极管，经前述实施方式任一项的制备方法制备而得。
在可选的实施方式中，在量子点发光二极管中，电子传输层同时含有粒径为2-3nm的ZnO以及粒径为6-8nm的ZnO。
本申请的有益效果包括：
在干燥氧气氛围中，先通电可使得量子点发光二极管初品中电子传输层所含有的小尺寸ZnO在分子内部脱羟基形成致密膜层，保留表面的氧空位来抑制ZnO(与量子点接触面)和量子点界面的机子淬灭，改善成膜性能，降低漏电流的情况。之后单面(与顶电极接触面)加热可使得该面对应的小尺寸的ZnO发生分子间化学反应，脱羟基形成较大尺寸的ZnO(粒径约在6-8nm)，增加电子传输层的稳定性和电导率。
上述处理后，可使得最终获得的量子点发光二极管中的电子传输层一方面具有较高的稳定性和高迁移率，另一方面可有效抑制界面激子淬灭，降低漏电流的几率，进而可改善量子点发光二极管的外量子效率和寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为现有技术中常见的量子点核壳结构图；
图2为现有技术中常见的QLED结构图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本申请提供的量子点发光二极管及其制备方法进行具体说明。
本申请提出一种量子点发光二极管的制备方法，其主要包括以下步骤：在底电极的表面由下至上依次制备空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及顶电极，得到量子点发光二极管初品，随后对量子点发光二极管初品进行通电处理，再对电子传输层与顶电极的连接位置进行热处理。
其中，电子传输层的制备原料包括电子传输层溶质和电子传输层溶剂，电子传输层溶质中至少含有ZnO且80wt％的ZnO的粒径为2-3nm。也即，电子传输层溶质可全部为ZnO，也可由ZnO与其它物质(如ZMO(氧镁锌)或TiO2)混合而成。在可选的实施方式中，电子传输层溶质中的ZnO中粒径为2-3nm的含量可以为80wt％、85wt％、90wt％、95wt％或100wt％，也可以为80-100wt％范围内的任意值。
通电可以于0.1-2mA的条件下进行5-30min。可参考地，电流可以为0.1mA、0.5mA、0.8mA、1mA、1.5mA或2mA等，也可以为0.1-2mA范围内的其它任意值。通电时间可以为5min、10min、15min、20min、25min或30min等，也可以为5-30min范围内的其它任意值。
热处理可以于50-80℃的条件下进行5-30min。可参考地，热处理温度可以为50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃或80℃等，也可以为50-80℃范围内的其它任意值。热处理时间可以为5min、10min、15min、20min、25min或30min等，也可以为5-30min范围内的其它任意值。
在优选的实施方式中，通电电流为0.1-1mA(如0.1mA、0.2mAmA、0.3mA、0.4mA、0.5mA、0.6mA、0.7mA、0.8mA、0.9mA或1mA等)；热处理温度为70-80℃(如70℃、71℃、72℃、73℃、74℃、75℃、76℃、77℃、78℃、79℃或80℃等)。
值得说明的是，通电电流低于0.1mA容易使得生成大颗粒ZnO的速率快于生成致密ZnO膜的速率；通电电流高于2mA或通电时间长于30min容易损坏功能层。热处理温度低于50℃，容易使生成的颗粒粒径达不到预设尺寸；热处理温度高于80℃或热处理时间长于30min，容易破坏膜层。
本申请中，热处理是在电子传输层与顶电极的连接位置，但需要强调的是，此“连接位置”并不仅限于二者的连接面，也可向上扩大至顶电极的所有区域以及向下扩大至电子传输层其它非与量子点直接接触的区域。具体的加热方式是热板处理(也即单侧平板加热)。
上述通电处理和热处理(也可理解为加热处理)均在干燥氧气氛围中进行。可参考地，干燥氧气的含水率不超过0.01ppm。
值得强调的是，发明人经研究发现，尺寸大(6-8nm)的ZnO拥有良好的电导性、稳定性和电子迁移率，但比表面积小，氧空位不足，无法有效抑制ZnO和量子点界面的激子淬灭，使器件的外量子效率EQE降低，且ZnO层的缝隙会使得器件又较大的漏电流，进一步降低了器件的亮度；小尺寸(2-3nm)的ZnO表面氧空位较多，虽然可以效抑制ZnO和量子点界面的激子淬灭，但其稳定性差、电导率低，使器件的热阻效应增加，性能同样下降。
本申请在干燥氧气氛围中，先通电可使得量子点发光二极管初品中电子传输层所含有的小尺寸ZnO在分子内部脱羟基形成致密膜层，保留表面的氧空位来抑制ZnO(与量子点接触面)和量子点界面的机子淬灭，改善成膜性能，降低漏电流的情况。之后单面(与顶电极接触面)加热可使得该面对应的小尺寸的ZnO分子间脱羟基形成较大尺寸的ZnO(粒径约在6-8nm)，增加电子传输层的稳定性和电导率。
也即过程中，低电流对应的脱羟基过程属于分子内化学反应，形成细小致密得ZnO膜；高温对应的脱羟基过程属于分子间化学反应，生成大颗粒ZnO。
上述处理后，可使得最终获得的量子点发光二极管中的电子传输层一方面具有较高的稳定性和高迁移率，另一方面可有效抑制界面激子淬灭，降低漏电流的几率，进而可改善量子点发光二极管的外量子效率和寿命。
还需进一步地强调的是，电子传输层的制备原料需以小尺寸的ZnO为原料，其在本申请提供的通电和加热条件下，可在电子传输层内部保留氧空位并在与顶电极接触的一面生长成大尺寸的ZnO；而如果在制备原料中直接以小尺寸和大尺寸的ZnO配合，其经上述通电和热处理后，几乎全部的小尺寸的ZnO均会形成大尺寸的ZnO，无法保留电子传输层的与量子点接触表面的氧空位，从而无法抑制该界面的机子淬灭。
在可选的实施方式中，电子传输层的制备可包括：将由电子传输层溶质和电子传输层溶剂混合得到的ZnO溶液以2000-4000r/min(如2000r/min、2500r/min、3000r/min、3500r/min或4000r/min等)的转速旋涂于量子点层的表面。
其中，ZnO溶液中ZnO的浓度可以为25-35mg/mL，如25mg/mL、28mg/mL、30mg/mL、32mg/mL或35mg/mL等，也可以为25-35mg/mL范围内的其它任意值。ZnO溶液中的溶剂可以为低沸点醇，例如甲醇或乙醇等，优选为乙醇。
在可选的实施方式中，底电极的制备原料可包括ITO玻璃，也可以包括其它可制备底电极的物质。
在可选的实施方式中，空穴注入层的制备可包括：将空穴注入层的制备原料以溶液形式按4000-6000r/min(如4000r/min、4500r/min、5000r/min、5500r/min或6000r/min等)的转速旋涂于底电极的表面，随后于145-155℃(如145℃、148℃、150℃、152℃或155℃等)的条件下热处理20-30min(如20min、23min、25min、28min或30min等)。
其中，空穴注入层可包括有机电子注入层、无机电子注入层以及空穴注入层中的至少一种。空穴注入层的制备原料可以包括PEDOT:PPS，也可以包括其它可制备空穴注入层的物质。
在可选的实施方式中，空穴传输层的制备可包括：将空穴传输层的制备原料以溶液形式按2000-4000r/min(如2000r/min、2500r/min、3000r/min、3500r/min或4000r/min等)的转速旋涂于空穴注入层的表面，随后于135-145℃(如135℃、138℃、140℃、142℃或145℃等)的条件下热处理20-30min(如20min、23min、25min、28min或30min等)。
其中，空穴传输层可包括有机电子传输层、无机电子传输层以及空穴传输层中的至少一种。空穴传输层的制备原料可以包括TFB，也可以包括其它可制备空穴传输层的物质。
在可选的实施方式中，量子点层的制备可包括：将量子点层的制备原料以溶液形式按2000-4000r/min(如2000r/min、2500r/min、3000r/min、3500r/min或4000r/min等)的转速旋涂于空穴传输层的表面。
其中，量子点层中的量子点可包括一元量子点、二元量子点、三元量子点、钙钛矿量子点及掺杂量子点中的至少一种。
一元量子点可包括碳量子点和金量子点中的至少一种。
二元量子点可包括II-VI族量子点、IV-VI族量子点和III-V族量子点中的至少一种。可参考地，II-VI族量子可以由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成，IV-VI族量子点可以由第IV族元素Ge、Sn和Pb中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成，III-V族量子点可以由第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素和第V族元素N、P、As和Sb中的任意一种元素组成。具体的，二元量子点可以为CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、PbSe、PbS、InP或InAs等。
三元量子点可包括I-III-VI族量子点和II-III-VI族量子点中的至少一种。可参考地，I-III-VI族量子点可由第I族元素Cu和Ag中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成，II-III-VI族量子点可由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成。
掺杂量子点为一元量子点、二元量子点、三元量子点或钙钛矿量子点中掺杂有掺杂元素的量子点。其中，掺杂元素例如可包括Cu和Mn中的至少一种。
本申请中，量子点的粒径可为2-20nm，也不排除其它纳米范围的情况。
在可选的实施方式中，顶电极的制备可包括：将顶电极的制备原料蒸镀于电子传输层的表面。顶电极的制备原料可包括Ag、Au或Al，也可为其它相应的电极材料。
可参考地，上述制备过程中，除顶电极以外的其它薄膜层的厚度均可为20-30nm，如20nm、23nm、25nm、28nm或30nm。顶电极的厚度可以为80-120nm，如80nm、85nm、90nm、95nm、100nm、105nm、110nm、115nm或120nm等。
需要说明的是，本申请量子点发光二极管所涉及的各结构层的原料选择、具体的旋涂参数和厚度等均可根据实际需要进行适当调整。
相应地，本申请还提供了由上述制备方法制备而得的量子点发光二极管。
该量子点发光二极管的电子传输层中同时含有粒径为2-3nm的ZnO以及粒径为6-8nm的ZnO。位于与量子点层接触的区域主要对应小尺寸ZnO膜层(也即该膜层中主要是小尺寸的ZnO)，位于与顶电极接触的区域主要对应大尺寸ZnO膜层(也即该膜层中主要是大尺寸的ZnO)。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，具体如下：
(1)在厚度为30nm的ITO玻璃基板(底电极)上旋涂PEDOT:PSS层，转数为5000r/min，旋涂完成后于150℃热处理25min，制得厚度为30nm的空穴注入层(PEDOT:PSS层)。
(2)于PEDOT:PSS层上旋涂TFB层，转速为3000r/min，旋涂完成后140℃热处理25min，制得厚度为30nm的空穴传输层(TFB层)。
(3)于TFB层上旋涂量子点层，转速为3000r/min，制得厚度为30nm的量子点层，其中，量子点为粒径为2-20nm的CdSe。
(4)于量子点层上旋涂ZnO层，转速为3000r/min，制得厚度为30nm的电子传输层(ZnO层)，其中，ZnO层的制备原料为浓度为30mg/mL的ZnO溶液，该溶液的溶剂为乙醇，溶质为粒径为2-3nm的ZnO颗粒。
(5)于ZnO层的表面蒸镀Al电极，制得厚度为100nm的顶电极。
(6)干燥氧气氛围(含水率不超过0.01ppm)中低电流0.1mA通电20min。
(7)干燥氧气氛围中器件单面(顶电极面)80℃加热20min。
(8)封装，QLED器件制备完成。
实施例2
本实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，具体如下：
(1)在厚度为20nm的ITO玻璃基板(底电极)上旋涂PEDOT:PSS层，转数为4000r/min，旋涂完成后于145℃热处理30min，制得厚度为20nm的空穴注入层(PEDOT:PSS层)。
(2)于PEDOT:PSS层上旋涂TFB层，转速为2000r/min，旋涂完成后135℃热处理30min，制得厚度为20nm的空穴传输层(TFB层)。
(3)于TFB层上旋涂量子点层，转速为2000r/min，制得厚度为20nm的量子点层，其中，量子点为粒径为2-20nm的CdSe。
(4)于量子点层上旋涂ZnO层，转速为2000r/min，制得厚度为20nm的电子传输层(ZnO层)，其中，ZnO层的制备原料为浓度为25mg/mL的ZnO溶液，该溶液的溶剂为乙醇，溶质为粒径为2-3nm的ZnO颗粒。
(5)于ZnO层的表面蒸镀Al电极，制得厚度为80nm的顶电极。
(6)干燥氧气氛围(含水率不超过0.01ppm)中低电流1mA通电30min。
(7)干燥氧气氛围中器件单面(顶电极面)50℃加热30min。
(8)封装，QLED器件制备完成。
实施例3
本实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，具体如下：
(1)在厚度为25nm的ITO玻璃基板(底电极)上旋涂PEDOT:PSS层，转数为6000r/min，旋涂完成后于155℃热处理20min，制得厚度为25nm的空穴注入层(PEDOT:PSS层)。
(2)于PEDOT:PSS层上旋涂TFB层，转速为4000r/min，旋涂完成后145℃热处理20min，制得厚度为25nm的空穴传输层(TFB层)。
(3)于TFB层上旋涂量子点层，转速为4000r/min，制得厚度为25nm的量子点层，其中，量子点为粒径为2-20nm的CdSe。
(4)于量子点层上旋涂ZnO层，转速为4000r/min，制得厚度为25nm的电子传输层(ZnO层)，其中，ZnO层的制备原料为浓度为35mg/mL的ZnO溶液，该溶液的溶剂为乙醇，溶质为粒径为2-3nm的ZnO颗粒。
(5)于ZnO层的表面蒸镀Al电极，制得厚度为120nm的顶电极。
(6)干燥氧气氛围(含水率不超过0.01ppm)中低电流2mA通电5min。
(7)干燥氧气氛围中器件单面(顶电极面)65℃加热15min。
(8)封装，QLED器件制备完成。
对上述实施例1-3所得的产品进行性能测试，其结果如表1所示。
表1性能测试结果
| 效率，％ | 寿命，T95-1knit | 亮度，cd/m<sup>2</sup> | |
| 实施例1 | 9.9 | 1372.95 | 9750 |
| 实施例2 | 10.2 | 1407.38 | 9947 |
| 实施例3 | 14.2 | 2678.70 | 15886 |
由表1可以看，经本申请提供的方法制得的产品具有较高的效率、较长的寿命及较高的亮度，尤其是实施例3对应的效果最佳。
综上所述，对QLED器件后处理使得ZnO电子传输层的膜致密性增加，成膜变好，减少QLED器件的漏电流；同时，后处理后的ZnO纳米颗粒重组装粒径增加，电荷迁移率增加，器件的电荷注入改善。所制备的QLED器件，成膜均匀、启亮电压低，效率高，寿命长，为QLED应用于工业生产提供可能。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在底电极的表面由下至上依次制备空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及顶电极，得到量子点发光二极管初品，随后对所述量子点发光二极管初品进行通电处理，再对所述电子传输层与所述顶电极的连接位置进行热处理；
其中，所述电子传输层的制备原料包括电子传输层溶质和电子传输层溶剂，所述电子传输层溶质中至少含有ZnO且至少80wt％的所述ZnO的粒径为2-3nm；通电是于0.1-2mA的条件下进行5-30min；热处理是于50-80℃的条件下进行5-30min。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通电电流为0.1-1mA，热处理温度为70-80℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通电处理和热处理均在干燥氧气氛围中进行；
优选地，所述干燥氧气的含水率不超过0.01ppm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的制备包括：将由电子传输层溶质和电子传输层溶剂混合得到的ZnO溶液以2000-4000r/min的转速旋涂于量子点层的表面；
优选地，所述ZnO溶液中ZnO的浓度为25-35mg/mL；
优选地，所述ZnO溶液中的溶剂为低沸点醇，更优为乙醇；
优选地，所述电子传输层的厚度为20-30nm。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的制备包括：将空穴注入层的制备原料以溶液形式按4000-6000r/min的转速旋涂于所述底电极的表面，随后于145-155℃的条件下热处理20-30min；
优选地，所述空穴注入层包括有机电子注入层、无机电子注入层以及空穴注入层中的至少一种；
优选地，所述空穴注入层的制备原料包括PEDOT:PPS；
优选地，所述空穴注入层的厚度为20-30nm；
优选地，所述底电极的制备原料包括ITO玻璃；
优选地，所述底电极的厚度为20-30nm。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的制备包括：将空穴传输层的制备原料以溶液形式按2000-4000r/min的转速旋涂于所述空穴注入层的表面，随后于135-145℃的条件下热处理20-30min；
优选地，所述空穴传输层包括有机电子传输层、无机电子传输层以及空穴传输层中的至少一种；
优选地，所述空穴传输层的制备原料包括TFB；
优选地，所述空穴传输层的厚度为20-30nm。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述量子点层的制备包括：将量子点层的制备原料以溶液形式按2000-4000r/min的转速旋涂于所述空穴传输层的表面；
优选地，所述量子点层中的量子点包括一元量子点、二元量子点、三元量子点、钙钛矿量子点及掺杂量子点中的至少一种；
优选地，所述一元量子点包括碳量子点和金量子点中的至少一种；
优选地，所述二元量子点包括II-VI族量子点、IV-VI族量子点和III-V族量子点中的至少一种；更优地，所述II-VI族量子由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成；所述IV-VI族量子点由第IV族元素Ge、Sn和Pb中的任意一种元素和第VI族元素O、S、Se和Te中的任意一种元素组成；所述III-V族量子点由第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素和第V族元素N、P、As和Sb中的任意一种元素组成；
优选地，所述三元量子点包括I-III-VI族量子点和II-III-VI族量子点中的至少一种；更优地，所述I-III-VI族量子点由第I族元素Cu和Ag中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成；所述II-III-VI族量子点由第II族元素Zn、Cd和Hg中的任意一种元素、第III族元素Al、Ga和In中的任意一种元素以及第VI族元素O、S、Se和Sb中的任意一种元素组成；
优选地，所述掺杂量子点为一元量子点、二元量子点、三元量子点或钙钛矿量子点中掺杂有掺杂元素的量子点；更优地，所述掺杂元素包括Cu和Mn中的至少一种；
优选地，量子点的粒径为2-20nm；
优选地，所述量子点层的厚度为20-30nm。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述顶电极的制备包括：将顶电极的制备原料蒸镀于所述电子传输层的表面；
优选地，所述顶电极的制备原料包括Ag、Au或Al；
优选地，所述顶电极的厚度为80-120nm。
9.一种量子点发光二极管，其特征在于，经权利要求1-8任一项所述的制备方法制备而得。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管，其特征在于，在所述量子点发光二极管中，所述电子传输层同时含有粒径为2-3nm的ZnO以及粒径为6-8nm的ZnO。
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
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