CN110372976B - 一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用 - Google Patents

一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用 Download PDF

Info

Publication number
CN110372976B
CN110372976B CN201910812887.7A CN201910812887A CN110372976B CN 110372976 B CN110372976 B CN 110372976B CN 201910812887 A CN201910812887 A CN 201910812887A CN 110372976 B CN110372976 B CN 110372976B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic particles
film
radiation refrigeration
polymer substrate
size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910812887.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110372976A (zh
Inventor
王亚明
陈国梁
裘俊
欧阳家虎
贾德昌
周玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201910812887.7A priority Critical patent/CN110372976B/zh
Publication of CN110372976A publication Critical patent/CN110372976A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110372976B publication Critical patent/CN110372976B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/32—Phosphorus-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/18—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons having four or more carbon atoms
    • C08J2323/20—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons having four or more carbon atoms having four to nine carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2327/18—Homopolymers or copolymers of tetrafluoroethylene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2375/00—Characterised by the use of polyureas or polyurethanes; Derivatives of such polymers
    • C08J2375/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2217—Oxides; Hydroxides of metals of magnesium
    • C08K2003/222—Magnesia, i.e. magnesium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
    • C08K2003/267—Magnesium carbonate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C08K2003/3045—Sulfates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/32—Phosphorus-containing compounds
    • C08K2003/321—Phosphates
    • C08K2003/327—Aluminium phosphate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/014—Additives containing two or more different additives of the same subgroup in C08K

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供了一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用，涉及辐射制冷技术领域，所述反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于所述高分子基材中的陶瓷颗粒，所述陶瓷颗粒包括第一粒径陶瓷颗粒和第二粒径陶瓷颗粒，所述第一粒径陶瓷颗粒、所述第二粒径陶瓷颗粒与所述高分子基材的体积比为(0.05‑0.3)：(0.1‑0.4):1，且所述第一粒径陶瓷颗粒与所述高分子基材的折射率差值大于0.5。与现有技术比较，本发明反射型辐射制冷薄膜具有单层膜结构，结构简单，成本低、稳定性好，在保证阳光高反射利用的同时具有良好的辐射散热制冷效果，且具有超疏水性能，环境适应性强。

Description

一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用
技术领域
本发明涉及辐射制冷技术领域，具体而言，涉及一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用。
背景技术
辐射制冷，即热物体通过红外大气窗口(8-13μm)向外辐射热量到外空的冷阱中来达到散热降温作用。特别地，对于白天的辐射制冷来说，在对外辐射热量的同时，需要其具有太阳光谱的高发射率，以避免和减少太阳光照射导致的温升。目前大部分的白天辐射制冷材料都为多层结构，其至少包括辐射层和金属反射层，其结构复杂，不稳定，易脱落，具有施工难度等，限制了其应用及发展。而除了散热降温外，这些散热结构往往需要保持较好的清洁度和抗腐蚀性，然而定期的维护耗费大量的劳力和财力。
发明内容
本发明解决的问题是现有的辐射制冷材料为多层结构结构复杂且环境适应性较差。
为解决上述问题，本发明提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于所述高分子基材中的陶瓷颗粒，所述陶瓷颗粒包括第一粒径陶瓷颗粒和第二粒径陶瓷颗粒，所述第一粒径陶瓷颗粒、所述第二粒径陶瓷颗粒与所述高分子基材的体积比为(0.05-0.3)：(0.1-0.4):1，且所述第一粒径陶瓷颗粒与所述高分子基材的折射率差值大于0.5。
进一步地，所述高分子基材是PTFE、PEVE、TPX或PU。
进一步地，所述陶瓷颗粒选自氧化物、硅酸盐、碳酸盐、硫酸盐类和磷酸盐中的一种或几种。
进一步地，所述陶瓷颗粒选自元素周期表中的第Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ主族氧化物、稀土硅酸盐、第Ⅱ主族碳酸盐、第Ⅱ主族硫酸盐和第Ⅲ主族磷酸盐中的一种或几种。
进一步地，所述第一粒径陶瓷颗粒的粒径范围为0.5-20μm。
进一步地，所述第二粒径陶瓷颗粒的粒径范围为5-500nm。
本发明所述的反射型辐射制冷材料相对于现有技术的优势在于，通过本发明所述的反射型辐射制冷材料所制备的薄膜具有单层膜结构，结构简单，成本低、稳定性好，其太阳光谱(0.3-2.5μm)反射率R大于90％，热红外波段(2.5-20μm)发射率大于85％，辐射制冷效率达到40-120W/m2，在保证阳光高反射的同时具有良好的辐射散热制冷效果，且具有超疏水性能，环境适应性强，其静态接触角的平均值大于150°，滚动角小于5°。
本发明还提供了一种反射型辐射制冷薄膜，根据上述的反射型辐射制冷材料制备而成。。
进一步地，所述薄膜的厚度范围为10-500μm。
进一步地，所述薄膜为单层膜结构。
本发明所述的反射型辐射制冷薄膜相对于现有技术的优势与所述反射型辐射制冷材料相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
本发明还提供了一种反射型辐射制冷薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：利用表面修饰剂对陶瓷颗粒进行表面修饰；
步骤S2：将表面修饰后的所述陶瓷颗粒与高分子基材混合均匀后，采用浸涂、喷涂或流延的工艺制得所述薄膜。
进一步地，所述表面修饰剂选自氟硅烷、甲基硅烷、十八酸和硅烷偶联剂中的一种或几种。
本发明所述的反射型辐射制冷薄膜的制备方法，可根据实际应用器件的需求选择不同的高分子基材、陶瓷颗粒或成膜工艺，从而使本发明提供的反射型辐射制冷膜具有较强的可设计性，扩大其应用范围，且本发明所述的薄膜的制备方法相对于现有技术的其他优势与所述反射型辐射制冷材料相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
本发明还提供了一种上述反射型辐射制冷薄膜在应用器件上的应用，所述应用器件包括太阳能电池、建筑物玻璃、汽车车窗、大棚薄膜或通讯设备。
本发明所述的反射型辐射制冷薄膜的在应用器件上的应用相对于现有技术的其他优势与所述反射型辐射制冷材料相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
附图说明
图1为本发明实施例1中反射型辐射制冷薄膜的表面微观形貌示意图；
图2为本发明实施例1中反射型辐射制冷薄膜的光谱响应示意图；
图3为本发明实施例1中反射型辐射制冷薄膜的接触角示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“实施例”的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
本发明提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，所述高分子基材和所述陶瓷颗粒的体积比为1-20:1，所述陶瓷颗粒包括第一粒径陶瓷颗粒和第二粒径陶瓷颗粒，且所述第一粒径陶瓷颗粒与且所述高分子基材的折射率差值大于0.5。
可选地，所述高分子基材选自PTFE、PEVE、TPX或PU。原料来源广泛，易实施。
可选地，所述陶瓷颗粒选自元素周期表中的第Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ主族氧化物、稀土硅酸盐、第Ⅱ主族碳酸盐、第Ⅱ主族硫酸盐和第Ⅲ主族磷酸盐中的一种或几种。较优的，所述陶瓷颗粒选自Al2O3、MgO、SiO2、Y2SiO5、CaSO4、MgCO3和Al(PO3)3中的一种或几种，原料来源广泛，成本低。
可选地，所述第一粒径陶瓷颗粒的粒径范围为0.5-20μm。
可选地，所述第二粒径陶瓷颗粒的粒径范围为5-500nm。
本发明中，陶瓷颗粒包括纳米和微米两种不同粒径的复合，纳米级粒子即第一粒径陶瓷颗粒。在下文中，“纳米级粒子”与“第一粒径陶瓷颗粒”可以互换使用。所述第一粒径陶瓷颗粒是经过疏水亲油性改性而获得的，使其在薄膜体系的表面形成微纳米形貌和低表面能的结合，实现疏水自清洁的效果。微米级粒子与高分子基材具有差值较大的折射率，其折射率差值大于0.5，使其在制备的薄膜体系中起到反射太阳光(波长范围0.3-2.5μm)和增强热红外(波长范围2.5-20μm)辐射的作用。
因此，本发明所述的反射型辐射制冷材料相对于现有技术的优势在于，通过本发明所述的反射型辐射制冷材料所制备的薄膜具有单层膜结构，结构简单，成本低、稳定性好，其太阳光谱(0.3-2.5μm)反射率大于90％，热红外波段(2.5-20μm)发射率大于85％，辐射制冷效率达到40-120W/m2，在保证阳光高反射利用的同时具有良好的辐射散热制冷效果，且具有超疏水性能，环境适应性强，其静态接触角的平均值大于150°，滚动角小于5°。
本发明还提供了一种由上述材料制备的反射型辐射制冷薄膜。
可选地，本发明中薄膜的厚度范围为10-500μm。根据米氏散射和蒙特卡洛原理，薄膜过薄易导致辐射制冷效果不佳，太阳光谱反射不充分；薄膜过厚易导致机械性能下降，且薄膜的厚度可根据实际应用需要，选择不同的高分子基材、陶瓷颗粒或成膜工艺进行控制。
本发明所述的反射型辐射制冷薄膜相对于现有技术的优势与所述反射型辐射制冷材料相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种上述反射型辐射制冷薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：利用表面修饰剂对陶瓷颗粒进行表面修饰，包括：
将陶瓷颗粒置于表面修饰剂与乙醇和水的混合溶液中混合均匀，离心、清洗、抽滤、干燥、取出后冷却至室温；
步骤S2：将表面修饰后的所述陶瓷颗粒与高分子基材混合均匀后，采用浸涂、喷涂或流延的工艺制得所述薄膜。
其中步骤S1中的表面修饰实际上是对第一粒径陶瓷颗粒即纳米陶瓷颗粒进行亲油性改性，提高纳米陶瓷颗粒和高分子基材的溶混度，使得纳米陶瓷颗粒更好地在高分子基材中均匀分散，不团聚，有利于形成疏水的微纳米表面形貌，且有利于降低制得薄膜的表面能，使得薄膜的表面能降低到0.15-0.5mJ/m2(未经过表面修饰的陶瓷颗粒制得的薄膜的表面能20-70mJ/m2)，并结合表面的微纳米形貌，合表面的微纳米形貌，形成超疏水自清洁功能；
可选地，所述表面修饰剂选自氟硅烷、甲基硅烷、十八酸和硅烷偶联剂中的一种或几种，表面修饰效果好。
本发明所述的反射型辐射制冷薄膜的制备方法，可根据实际应用器件的需求选择不同的高分子基材、陶瓷颗粒或成膜工艺，从而使本发明提供的太阳光反射型辐射制冷膜具有较强的可设计性，扩大其应用范围，且本发明所述的薄膜的制备方法相对于现有技术的其他优势与所述太阳光反射型自清洁反射型辐射制冷材料相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
本发明还提供了一种上述反射型辐射制冷薄膜在应用器件上的应用，所述应用器件包括太阳能电池、建筑物玻璃、汽车车窗、大棚薄膜或通讯设备，应用广泛。
实施例1
本实施例提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，其中高分子基材选用PEVE，其大气窗口热红外辐射能力强，化学稳定性好，疏水性好，陶瓷颗粒选用氧化物Al2O3，且Al2O3陶瓷颗粒的粒径包括纳米级和微米两种不同粒径，纳米粒粒径的范围为20-200nm，微米级粒径的范围为4-10μm，且PEVE高分子基材和微米级陶瓷颗粒的折射率差值0.6。
本实施例还提供了上述反射型辐射制冷材料制得的薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：利用表面修饰剂对陶瓷颗粒进行表面修饰，实际上是对第一粒径陶瓷颗粒即纳米陶瓷颗粒进行亲油性改性，提高纳米陶瓷颗粒和高分子基材的溶混度，使得纳米陶瓷颗粒更好地在高分子基材中均匀分散，有利于形成疏水的微纳米表面形貌，且有利于降低制得薄膜的表面能，使得薄膜的表面能降低到0.15mJ/m2(未经过表面修饰的陶瓷颗粒制得的薄膜的表面能20mJ/m2)，并结合表面的微纳米形貌，形成超疏水自清洁功能，具体包括：
步骤S11：向100ml水和乙醇的混合溶液中加入5.2gAl2O3粒子，超声2h，得到Al2O3分散液，其中水和乙醇的体积比为2-4:1，本实施例中优选体积比为3:1，使得Al2O3在混合溶液中的分散效果好；
步骤S12：配制pH值为3.5的乙醇和草酸的混合溶液，向其中滴加KH-570硅烷偶联剂，其中，KH-570硅烷偶联剂的用量为Al2O3粒子用量的10重量％(wt％)；
步骤S13：将步骤S11和步骤S12最后制得的两种液体混合，使混合液在75℃恒温磁力水浴锅中搅拌6h；
S14：离心、清洗、抽滤、干燥、取出待用，完成Al2O3陶瓷颗粒的亲油改性。
步骤S2：将表面修饰后的所述陶瓷颗粒与高分子基材混合均匀后，采用浸涂、喷涂或流延的工艺制得所述薄膜。将不同粒度(20-200nm)和(4-10μm)的疏水改性后的Al2O3陶瓷颗粒和PEVE按1:1：1-20均匀分散在适量乙酸丁酯中，并采用流延的方法，制得薄膜。
本实施例采用扫面电子显微镜(SEM)本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行表面形貌分析，其中进行检测时仪器加速电压设置为20kV。测试结果如图1所示，从图中看出，本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜表面具有均匀微纳米结构，有利于疏水性能的提高。
本实施例采用红外角度可变椭圆偏振仪(IR-VASE)和可见光角度可变椭圆偏振仪(V-VASE)，对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行光谱响应特性测试，测量结果表明该薄膜的太阳光谱(波长范围0.3-2.5μm)反射率大于0.90，热红外(波长范围2.5-20μm)发射率0.88，如图2所示，其中1代表高分子基材，2代表纳米级Al2O3陶瓷颗粒，3代表微米级Al2O3陶瓷颗粒。
本实施例采用Theta接触角测试仪对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜的疏水性能进行测试，静态接触角的平均值的平均值为164.3°，如图3所示，滚动角小于3.8°，具有良好的稳定性。
本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行实际应用测试。将其应用于户外LED背板上，对比测试并研究薄膜的辐射降温性能。结果表明该薄膜使LED背板散热装置的温度降低10％，提高了散热效率；同时进行户外暴露实验，将有薄膜的LED背板与无薄膜的LED背板放置于户外环境下，6个月，观察到有薄膜的LED背板表面相比无薄膜的LED背板更为干净，无尘，从而证明本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜具有优异的光控和自清洁性能。
实施例2
本实施例提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，其中高分子基材选用TPX，陶瓷颗粒选用SiO2纳米陶瓷颗粒和CaSO4陶瓷颗粒，其中SiO2陶瓷颗粒的粒径为30-100nm，CaSO4陶瓷颗粒的粒径为1-15μm，且TPX高分子基材和CaSO4陶瓷颗粒的折射率差值0.56。
本实施例还提供了上述反射型辐射制冷材料制得的薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：采用氟硅烷表面修饰剂对陶瓷颗粒进行修饰，本步骤与实施例1中步骤相同，区别之处在于KH-570硅烷偶联剂用氟硅烷替代；
步骤S2：将SiO2陶瓷颗粒和CaSO4陶瓷颗粒均匀分散在环己烷中，然后加入高分子基材TPX，其中50ml环己烷溶解2g高分子基材TPX，并于60℃的温度下加热搅拌直至溶液均匀后，采用喷涂的工艺，制得复合薄膜，最后收卷，其中SiO2陶瓷颗粒、CaSO4陶瓷颗粒和TPX高分子基材的体积比为1:1：10-1。
本实施例采用红外角度可变椭圆偏振仪(IR-VASE)和可见光角度可变椭圆偏振仪(V-VASE)，对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行光谱响应特性测试，测量结果表明该薄膜的太阳光谱(波长范围0.3-2.5μm)反射率为91％，热红外(波长范围2.5-20μm)发射率为0.93。
本实施例采用Theta接触角测试仪对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜的疏水性能进行测试，测试结果为：静态接触角的平均值为164.1°，滚动角为3.0°，具有良好的稳定性。
本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行实际应用测试。将其应用于户外LED背板上，对比测试并研究薄膜的辐射降温性能。结果表明该薄膜使LED背板散热装置的温度降低12％，提高了散热效率；同时进行户外暴露实验，将有薄膜的LED背板与无薄膜的LED背板放置于户外环境下，6个月，观察到有薄膜的LED背板表面相比无薄膜的LED背板更为干净，无尘，从而证明本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜具有优异的光控和自清洁性能。
实施例3
本实施例提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，其中高分子基材选用PTFE，陶瓷颗粒选用Al2O3陶瓷颗粒和Al(PO3)3陶瓷颗粒，其中Al2O3陶瓷颗粒的粒径为30-200nm，Al(PO3)3陶瓷颗粒的粒径为2-20μm，其中Al2O3、Al(PO3)3粒子和PTFE树脂的体积比为1:1：8-2，且PTFE高分子基材和Al(PO3)3陶瓷颗粒的折射率差值0.6。
本实施例还提供了上述反射型辐射制冷材料制得的薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：采用甲基硅烷表面修饰剂对陶瓷颗粒进行修饰，本步骤与实施例1中步骤相同，区别之处在于KH-570硅烷偶联剂用甲基硅烷替代；
步骤S2：将陶瓷粒子均匀分散在适量乙酸丁酯中，然后加入适量PTFE，超声搅拌直至溶液均匀后，采用浸涂的工艺，制得复合薄膜，最后收卷。
本实施例采用红外角度可变椭圆偏振仪(IR-VASE)和可见光角度可变椭圆偏振仪(V-VASE)，对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行光谱响应特性测试，测量结果表明该薄膜的太阳光谱(波长范围0.3-2.5μm)反射率为94％，热红外(波长范围2.5-20μm)发射率为0.94。
本实施例采用Theta接触角测试仪对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜的疏水性能进行测试，测试结果为:静态接触角的平均值为162.2°，滚动角为3.7°，具有良好的稳定性。
本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行实际应用测试。将其应用于户外LED背板上，对比测试并研究薄膜的辐射降温性能。结果表明该薄膜使LED背板散热装置的温度降低15％，提高了散热效率；同时进行户外暴露实验，将有薄膜的LED背板与无薄膜的LED背板放置于户外环境下，6个月，观察到有薄膜的LED背板表面相比无薄膜的LED背板更为干净，无尘，从而证明本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜具有优异的光控和自清洁性能。
实施例4
本实施例提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，其中高分子基材选用PU，陶瓷颗粒选用SiO2陶瓷颗粒和Al(PO3)3陶瓷颗粒，其中SiO2陶瓷颗粒的粒径为10-100nm，Al(PO3)3陶瓷颗粒的粒径为2-20μm，其中SiO2、Al(PO3)3陶瓷颗粒和PU树脂的体积比为2:1：10-1，且PU高分子基材和Al(PO3)3陶瓷颗粒的折射率差值0.55。
本实施例还提供了上述反射型辐射制冷材料制得的薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：采用十八酸表面修饰剂对陶瓷颗粒进行修饰，本步骤与实施例1中步骤相同，区别之处在于KH-570硅烷偶联剂用十八酸替代；；
步骤S2：将陶瓷粒子均匀分散在适量乙酸丁酯中，然后加入适量PU，超声搅拌直至溶液均匀后，采用浸涂的工艺，制得复合薄膜，最后收卷。
本实施例采用红外角度可变椭圆偏振仪(IR-VASE)和可见光角度可变椭圆偏振仪(V-VASE)，对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行光谱响应特性测试，测量结果表明该薄膜的太阳光谱(波长范围0.3-2.5μm)反射率为91％，热红外(波长范围2.5-20μm)发射率为0.95。
本实施例采用Theta接触角测试仪对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜的疏水性能进行测试，测试结果为:静态接触角的平均值为163.5°，滚动角为3.9°，具有良好的稳定性。
本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行实际应用测试。将其应用于户外LED背板上，对比测试并研究薄膜的辐射降温性能。结果表明该薄膜使LED背板散热装置的温度降低10％，提高了散热效率；同时进行户外暴露实验，将有薄膜的LED背板与无薄膜的LED背板放置于户外环境下，6个月，观察到有薄膜的LED背板表面相比无薄膜的LED背板更为干净，无尘，从而证明本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜具有优异的光控和自清洁性能。
实施例5
本实施例提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，其中高分子基材选用PEVE，陶瓷颗粒选用SiO2纳米陶瓷颗粒和MgCO3陶瓷颗粒，其中SiO2陶瓷颗粒的粒径为20-450nm，MgCO3陶瓷颗粒的粒径为1-10μm，SiO2、MgCO3陶瓷颗粒和PEVE树脂的体积比为1:1：10-5，且PEVE高分子基材和MgCO3陶瓷颗粒的折射率差值0.58。
本实施例采用红外角度可变椭圆偏振仪(IR-VASE)和可见光角度可变椭圆偏振仪(V-VASE)，对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行光谱响应特性测试，测量结果表明该薄膜的太阳光谱(波长范围0.3-2.5μm)反射率为92％，热红外(波长范围2.5-20μm)发射率为0.94。
本实施例采用Theta接触角测试仪对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜的疏水性能进行测试，测试结果为:静态接触角的平均值为161.8°，滚动角为3.6°，具有良好的稳定性。
本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行实际应用测试。将其应用于户外LED背板上，对比测试并研究薄膜的辐射降温性能。结果表明该薄膜使LED背板散热装置的温度降低13％，提高了散热效率；同时进行户外暴露实验，将有薄膜的LED背板与无薄膜的LED背板放置于户外环境下，6个月，观察到有薄膜的LED背板表面相比无薄膜的LED背板更为干净，无尘，从而证明本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜具有优异的光控和自清洁性能。
实施例6
本实施例提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，其中高分子基材选用PTFE，陶瓷颗粒选用SiO2纳米陶瓷颗粒和MgO陶瓷颗粒，其中SiO2陶瓷颗粒的粒径为25-500nm，MgO陶瓷颗粒的粒径为0.5-15μm，SiO2、MgO陶瓷颗粒和PTFE树脂的体积比为1:1：6-3，且PTFE高分子基材和MgO陶瓷颗粒的折射率差值0.6。
本实施例采用红外角度可变椭圆偏振仪(IR-VASE)和可见光角度可变椭圆偏振仪(V-VASE)，对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行光谱响应特性测试，测量结果表明该薄膜的太阳光谱(波长范围0.3-2.5μm)反射率为93％，热红外(波长范围2.5-20μm)发射率为0.94。
本实施例采用Theta接触角测试仪对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜的疏水性能进行测试，测试结果为:静态接触角的平均值为166.2°，滚动角为3.5°，具有良好的稳定性。
本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行实际应用测试。将其应用于户外LED背板上，对比测试并研究薄膜的辐射降温性能。结果表明该薄膜使LED背板散热装置的温度降低16％，提高了散热效率；同时进行户外暴露实验，将有薄膜的LED背板与无薄膜的LED背板放置于户外环境下，6个月，观察到有薄膜的LED背板表面相比无薄膜的LED背板更为干净，无尘，从而证明本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜具有优异的光控和自清洁性能。
实施例7
本实施例提供了一种反射型辐射制冷材料，包括高分子基材和分散于高分子基材中的陶瓷颗粒，其中高分子基材选用PEVE，陶瓷颗粒选用SiO2纳米陶瓷颗粒和Y2SiO5陶瓷颗粒，其中SiO2陶瓷颗粒的粒径为3-320nm，Y2SiO5陶瓷颗粒的粒径为2-15μm，SiO2、Y2SiO5陶瓷颗粒和PEVE树脂的体积比为1:1：10-3，且PEVE高分子基材和Y2SiO5陶瓷颗粒的折射率差值0.57。
本实施例采用红外角度可变椭圆偏振仪(IR-VASE)和可见光角度可变椭圆偏振仪(V-VASE)，对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行光谱响应特性测试，测量结果表明该薄膜的太阳光谱(波长范围0.3-2.5μm)反射率为91％，热红外(波长范围2.5-20μm)发射率为0.92。
本实施例采用Theta接触角测试仪对本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜的疏水性能进行测试，测试结果为:静态接触角的平均值为163.9°，滚动角为3.4°，具有良好的稳定性。
本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜进行实际应用测试。将其应用于户外LED背板上，对比测试并研究薄膜的辐射降温性能。结果表明该薄膜使LED背板散热装置的温度降低20％，提高了散热效率；同时进行户外暴露实验，将有薄膜的LED背板与无薄膜的LED背板放置于户外环境下，6个月，观察到有薄膜的LED背板表面相比无薄膜的LED背板更为干净，无尘，从而证明本实施例制备的太阳光反射型辐射制冷薄膜具有优异的光控和自清洁性能。
虽然本发明公开披露如上，但本发明公开的保护范围并非仅限于此。本领域技术人员在不脱离本发明公开的精神和范围的前提下，可进行各种变更与修改，这些变更与修改均将落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种反射型辐射制冷材料，其特征在于，包括高分子基材和分散于所述高分子基材中的陶瓷颗粒，所述陶瓷颗粒包括第一粒径陶瓷颗粒和第二粒径陶瓷颗粒，所述第一粒径陶瓷颗粒的粒径范围为0.5-20 μm，所述第二粒径陶瓷颗粒的粒径范围为5-500 nm，所述第一粒径陶瓷颗粒、所述第二粒径陶瓷颗粒与所述高分子基材的体积比为（0.05-0.3）：（0.1-0.4）:1，且所述第一粒径陶瓷颗粒与所述高分子基材的折射率差值大于0.5。
2.根据权利要求1所述的反射型辐射制冷材料，其特征在于，所述高分子基材是PTFE、PEVE、TPX或PU。
3.根据权利要求1所述的反射型辐射制冷材料，其特征在于，所述陶瓷颗粒选自元素周期表中的第Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ主族氧化物、稀土硅酸盐、第Ⅱ主族碳酸盐、第Ⅱ主族硫酸盐和第Ⅲ主族磷酸盐中的一种或几种。
4.根据权利要求3所述的反射型辐射制冷材料，其特征在于，所述陶瓷颗粒选自Al2O3、MgO、SiO2、Y2SiO5、CaSO4、MgCO3和Al(PO3)3中的一种或几种。
5.一种反射型辐射制冷薄膜，其特征在于，根据权利要求1-4任一项所述的反射型辐射制冷材料制备而成。
6.根据权利要求5所述的反射型辐射制冷薄膜，其特征在于，所述薄膜的厚度范围为10-500 μm。
7.根据权利要求5所述的反射型辐射制冷薄膜，其特征在于，所述薄膜为单层膜结构。
8.一种根据权利要求5-7任一项所述的反射型辐射制冷薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：利用表面修饰剂对陶瓷颗粒进行表面修饰；
步骤S2：将表面修饰后的所述陶瓷颗粒与高分子基材混合均匀后，采用浸涂、喷涂或流延的工艺制得所述薄膜。
9.根据权利要求8所述的反射型辐射制冷薄膜的制备方法，其特征在于，所述表面修饰剂选自氟硅烷、甲基硅烷、十八酸和硅烷偶联剂中的一种或几种。
10.一种根据权利要求5-7任一项所述的反射型辐射制冷薄膜在应用器件上的应用，其特征在于，所述应用器件为太阳能电池、建筑物玻璃、汽车车窗、大棚薄膜或通讯设备。
CN201910812887.7A 2019-08-30 2019-08-30 一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用 Active CN110372976B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910812887.7A CN110372976B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910812887.7A CN110372976B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110372976A CN110372976A (zh) 2019-10-25
CN110372976B true CN110372976B (zh) 2021-06-11

Family

ID=68261362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910812887.7A Active CN110372976B (zh) 2019-08-30 2019-08-30 一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110372976B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110768613A (zh) * 2019-12-27 2020-02-07 宁波瑞凌新能源科技有限公司 光伏系统以及提高光伏系统光电转化效率的方法
CN111114031B (zh) * 2019-12-31 2022-05-03 宁波瑞凌新能源科技有限公司 辐射制冷薄膜、辐射制冷复合膜、辐射制冷制品
CN111394069B (zh) * 2020-03-22 2021-06-08 华南理工大学 一种二氧化硅包覆亚磷酸镁辐射制冷材料及其制备方法
CN111690301B (zh) * 2020-06-01 2022-01-07 华中科技大学 具有梯度结构的辐射制冷涂层及其制备方法与应用
CN111923536B (zh) * 2020-09-18 2020-12-22 宁波瑞凌新能源科技有限公司 辐射制冷膜、制备方法以及制品
CN113930104A (zh) * 2021-10-25 2022-01-14 上海正帆科技股份有限公司 一种辐射制冷复合膜及其制备方法和应用
CN114806514A (zh) * 2022-05-06 2022-07-29 哈尔滨工业大学 采用模板法制备非连续散射强化的孔球复合聚合物基辐射制冷材料的方法
CN114933731A (zh) * 2022-06-02 2022-08-23 哈尔滨工业大学 分级粒径微球与孔复合的聚合物基辐射制冷材料及其制备方法
CN115353779A (zh) * 2022-08-18 2022-11-18 江苏博云塑业股份有限公司 一种辐射制冷涂料、其制备方法及辐射制冷膜
CN117567894B (zh) * 2024-01-11 2024-04-05 中稀易涂科技发展有限公司 一种高发射稀土基辐射制冷涂料

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6086173A (ja) * 1983-10-18 1985-05-15 Kikusui Kagaku Kogyo Kk 放射冷却機能を有する太陽熱反射被覆組成物
US4586350A (en) * 1984-09-14 1986-05-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Selective radiative cooling with MgO and/or LiF layers
CN107936389A (zh) * 2017-11-10 2018-04-20 新奥科技发展有限公司 一种复合膜及其制备方法
CN109161241B (zh) * 2018-08-21 2021-09-03 哈尔滨工业大学（威海） 一种具有自清洁功能的辐射致冷涂层及其制备方法
CN108912572B (zh) * 2018-08-21 2021-03-02 哈尔滨工业大学（威海） 一种具有自清洁功能的辐射致冷膜及其制备方法
CN108891115A (zh) * 2018-08-24 2018-11-27 宁波瑞凌节能环保创新与产业研究院 一种可实现被动式降温的辐射制冷薄膜
CN108995257B (zh) * 2018-08-24 2024-04-09 宁波瑞凌新能源材料研究院有限公司 一种辐射制冷薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110372976A (zh) 2019-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110372976B (zh) 一种反射型辐射制冷材料、薄膜、制备方法及应用
CN113025133B (zh) 一种超疏水日间被动辐射制冷多孔膜及制备方法
Huang et al. Superhydrophilicity of TiO2/SiO2 thin films: synergistic effect of SiO2 and phase-separation-induced porous structure
Tan et al. Facile fabrication of a mechanical, chemical, thermal, and long‐term outdoor durable fluorine‐free superhydrophobic coating
Lu et al. One-step facile route to fabricate functionalized nano-silica and silicone sealant based transparent superhydrophobic coating
Xia et al. Preparation of silica coatings with continuously adjustable refractive indices and wettability properties via sol–gel method
Wang et al. Biomimetic self-slippery and transferable transparent lubricant-infused functional surfaces
CN108610815A (zh) 二氧化硅气凝胶复合隔热涂层及其制备方法
CN108912572B (zh) 一种具有自清洁功能的辐射致冷膜及其制备方法
CN103819704A (zh) 一种疏水自洁透明吸声薄膜及其制备方法
CN111303709A (zh) 辐射制冷涂料及其制备方法和应用
CN111875337A (zh) 一种无机降温涂层及其制备方法
Xing et al. Preparation and atomic oxygen erosion resistance of silica film formed on silicon rubber by sol–gel method
CN114933731A (zh) 分级粒径微球与孔复合的聚合物基辐射制冷材料及其制备方法
WO2016143297A1 (ja) コーティング膜付きガラス板及びその製造方法
CN110386761B (zh) 一种具有高透光率的超疏水减反射涂层的制备方法
Meng et al. Durable and mechanically robust superhydrophobic radiative cooling coating
CN110105871B (zh) 一种以铁铜锰金属盐和纳米二氧化硅为原料的超疏水光热抑冰涂层的制备方法
CN114958040A (zh) 一种抗老化性的高效辐射制冷涂料及其制备方法
CN116120794A (zh) 一种被动辐射冷却复合涂层及制备方法
CN114045705B (zh) 一种无氟超疏水柔性光热薄膜及其制备方法
CN116004114A (zh) 一种光反射保温耐候涂层及其制备方法和应用
Liu et al. Extreme-environment tolerant superhydrophobic montmorillonite/hollow SiO2 composite coating as building radiative cooler for scale energy conservation
Xu et al. Preparation of double-layer two wavelength infrared antireflective coating on CdSe substrate
CN105785488B (zh) 漫反射薄膜及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant