CN110364211B - 一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法、装置及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法、装置及设备，接收擦除指令进行擦除操作；获取一个针对当前擦除操作的参考值，所述参考值为数值；根据参考值将受擦除干扰区域划分为若干个次级待修复区域；选定第一个所述次级待修复区域来完成修复；在执行其他擦除操作的同时，依次选定余下的所述次级待修复区域完成修复。本发明在不增加擦除流程操作的前提下，将受擦除干扰区域划分成多块小区域，并在分别在连续的擦除指令中进行修复，从而缩短了单次修复擦除干扰的时间，提高了擦除效率且保证了非易失性存储器的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体存储器应用技术领域，特别是一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法、装置及设备。
背景技术
目前技术中非易失性存储器擦除时，擦除流程中会对擦除区域存储单元的漏极加正高压，在所在阱区加正高压，因此，与被擦除的存储单元共用相同位线的非擦除的存储单元的漏极也加正高压，且该非擦除的存储单元的浮栅与漏极之间存在压差，导致浮栅中的电子丢失；还有一种情况是，被擦除的存储单元所在的阱区加正高压，且栅极接地，同样使得非擦除的存储单元的浮栅与漏极之间存在压差，导致浮栅中的电子丢失；因此针对上述擦除过程中非擦除的存储单元电子丢失的现象，现有的手段是在擦除后对受干扰的存储区域进行检测及修复，但是往往受干扰的存储区域较大，而修复操作一次对整个存储区域执行，修复需要消耗大量时间，导致包含修复操作在内的整个擦除流程的时间也较长。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法、装置及设备，能缩短了单次修复擦除干扰的时间，提高了擦除效率且保证了非易失性存储器的可靠性。
本发明解决其问题所采用的技术方案是：
一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，包括以下步骤：
接收擦除指令进行擦除操作；
获取一个针对当前擦除操作的参考值，所述参考值为数值；
根据参考值将受擦除干扰区域划分为若干个次级待修复区域；
选定第一个所述次级待修复区域来完成修复；
在执行其他擦除操作的同时，依次选定余下的所述次级待修复区域完成修复。
进一步，所述参考值为在当前擦除操作后，在校验中验证失败的存储单元的数目。
进一步，所述参考值的数值越大，所述次级待修复区域的数量越小，单个所述次级待修复区域所包含的存储单元的数量越多。
进一步，接收到的所述擦除指令前，若不存在与所述擦除指令连续的其他擦除指令，将所述擦除指令标记为第一次擦除并进行计数，计数转换成第一个所述次级待修复区域的地址。
进一步，对划分的若干个次级待修复区域，依次标记上递增数列形式的地址，前一个所述次级待修复区域完成修复后，对自身的地址进行递增，直到最后一个所述次级待修复区域。
一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的装置，包括：
指令接收单元，用于接收擦除指令进行擦除操作；
参考值生成单元，用于获取一个针对当前擦除操作的参考值，所述参考值为数值；
分区单元，用于根据参考值将受擦除干扰区域划分为若干个次级待修复区域；
选定单元，用于选定第一个所述次级待修复区域来完成修复；
修复单元，用于在执行其他擦除操作的同时，依次选定余下的所述次级待修复区域完成修复。
一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的设备，包括至少一个控制处理器和用于与所述至少一个控制处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有可被所述至少一个控制处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个控制处理器执行，以使所述至少一个控制处理器能够执行如上述任一项所述的减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法。
一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如上述任一项所述的减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法。
本发明实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下有益效果：在不增加擦除流程操作的前提下，将受擦除干扰区域划分成多块小区域，并在分别在连续的擦除指令中进行修复，从而缩短了单次修复擦除干扰的时间，提高了擦除效率且保证了非易失性存储器的可靠性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1是本发明实施例的方法流程示意图；
图2是本发明实施例的装置中单元架构示意图；
图3是本发明实施例的设备中的连接示意图；
图4是本发明实施例的运行流程简图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。需要说明的是，如果不冲突，本发明实施例中的各个特征可以相互结合，均在本发明的保护范围之内。
需要说明的是，如果不冲突，本发明实施例中的各个特征可以相互结合，均在本发明的保护范围之内。另外，虽然在装置示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于装置中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。
参照图1和图4，本发明的一个实施例提供了一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，包括：
接收擦除指令进行擦除操作；
获取一个针对当前擦除操作的参考值，所述参考值为数值；
根据参考值将受擦除干扰区域划分为若干个次级待修复区域；
选定第一个所述次级待修复区域来完成修复；
在执行其他擦除操作的同时，依次选定余下的所述次级待修复区域完成修复。
本发明实施例通过对擦除后的存储区域进行错误校验，所有校验失败的存储单元组成一个总的受擦除干扰的区域，基于参考值将受擦除干扰的区域划分成多个小块，即次级待修复区域，这些小块在连续的擦除流程操作中依次修复，从而减小整个擦除流程所花费的时间。
优选地，本发明的实施例中，所述参考值为在当前擦除操作后，在校验中验证失败的存储单元的数目，基于验证失败的存储单元的数目来决定划分次级待修复区域的数目，能够较好的控制修复流程，防止出现余下一小部分受擦除干扰的存储单元无法修复的情况。
基于上述实施例，所述参考值的数值越大，所述次级待修复区域的数量越小，单个所述次级待修复区域所包含的存储单元的数量越多，相当于受擦除干扰越严重，单个次级待修复区域越大，也能够在大面积出现擦除干扰时，减小分区数量。
优选地，本发明的实施例中，接收到的所述擦除指令前，若不存在与所述擦除指令连续的其他擦除指令，将所述擦除指令标记为第一次擦除并进行计数，计数转换成第一个所述次级待修复区域的地址。本实施例设定计数器对划分的次级待修复区域进行计数，并标记地址方便系统对次级待修复区域进行按次序修复。
基于上述实施例，对划分的若干个次级待修复区域，依次标记上递增数列形式的地址，前一个所述次级待修复区域完成修复后，对自身的地址进行递增，直到最后一个所述次级待修复区域。即对第一个次级待修复区域进行地址标记，并且在第一个次级待修复区域完成修复后，系统对当前地址进行递增，使其指向下一个次级待修复区域，继续进行修复。
本发明实施例还提供了一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的装置，在该非易失性存储器擦除干扰的时间的装置1000中，包括但不限于：指令接收单元1100、参考值生成单元1200、分区单元1300、选定单元1400和修复单元1500。
其中，指令接收单元1100，用于接收擦除指令进行擦除操作；
参考值生成单元1200，用于获取一个针对当前擦除操作的参考值，所述参考值为数值；
分区单元1300，用于根据参考值将受擦除干扰区域划分为若干个次级待修复区域；
选定单元1400，用于选定第一个所述次级待修复区域来完成修复；
修复单元1500，用于在执行其他擦除操作的同时，依次选定余下的所述次级待修复区域完成修复。
需要说明的是，由于本实施例中的一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的装置与上述的一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法基于相同的发明构思，因此，方法实施例中的相应内容同样适用于本装置实施例，此处不再详述。
本发明实施例还提供了一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的设备，该减小非易失性存储器擦除干扰时间的设备2000可以是任意类型的智能终端，例如手机、平板电脑、个人计算机等。
具体地，该减小非易失性存储器擦除干扰时间的设备2000包括：一个或多个控制处理器2010和存储器2020，图3中以一个控制处理器2010为例。
控制处理器2010和存储器2020可以通过总线或者其他方式连接，图3中以通过总线连接为例。
存储器2020作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态性计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法对应的程序指令/模块，例如，图2中所示的指令接收单元1100、参考值生成单元1200、分区单元1300、选定单元1400和修复单元1500。控制处理器2010通过运行存储在存储器2020中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行非易失性存储器擦除干扰的时间的装置1000的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例的非易失性存储器擦除干扰的时间的方法。
存储器2020可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据非易失性存储器擦除干扰的时间的装置1000的使用所创建的数据等。此外，存储器2020可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器2020可选包括相对于控制处理器2010远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该减小非易失性存储器擦除干扰时间的设备2000。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
所述一个或者多个模块存储在所述存储器2020中，当被所述一个或者多个控制处理器2010执行时，执行上述方法实施例中的减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，例如，执行以上描述的图1中的方法步骤S1至S5，实现图2中的单元1100-1500的功能。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个或多个控制处理器执行，例如，被图3中的一个控制处理器2010执行，可使得上述一个或多个控制处理器2010执行上述方法实施例中的减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，例如，执行以上描述的图1中的方法步骤S1至S5，实现图2中的单元1100-1500的功能。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
通过以上的实施方式的描述，本领域技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加通用硬件平台的方式来实现。本领域技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(ReadOnly Memory,ROM)或随机存储记忆体(Random Access Memory,RAM)等。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (7)
1.一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，其特征在于：包括以下步骤：
接收擦除指令进行擦除操作；
获取参考值，所述参考值为数值，且所述参考值为在当前擦除操作后，在校验中验证失败的存储单元的数目；
根据参考值将受擦除干扰区域划分为若干个次级待修复区域；
选定第一个所述次级待修复区域来完成修复；
在执行其他擦除操作的同时，依次选定余下的所述次级待修复区域完成修复。
2.根据权利要求1所述的一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，其特征在于：所述参考值的数值越大，所述次级待修复区域的数量越小，单个所述次级待修复区域所包含的存储单元的数量越多。
3.根据权利要求1所述的一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，其特征在于：接收到的所述擦除指令前，若不存在与所述擦除指令连续的其他擦除指令，将所述擦除指令标记为第一次擦除并进行计数，计数转换成第一个所述次级待修复区域的地址。
4.根据权利要求1或3所述的一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法，其特征在于：对划分的若干个次级待修复区域，依次标记上递增数列形式的地址，前一个所述次级待修复区域完成修复后，对自身的地址进行递增，直到最后一个所述次级待修复区域。
5.一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的装置，其特征在于：包括
指令接收单元，用于接收擦除指令进行擦除操作；
参考值生成单元，用于获取参考值，所述参考值为数值，且所述参考值为在当前擦除操作后，在校验中验证失败的存储单元的数目；
分区单元，用于根据参考值将受擦除干扰区域划分为若干个次级待修复区域；
选定单元，用于选定第一个所述次级待修复区域来完成修复；
修复单元，用于在执行其他擦除操作的同时，依次选定余下的所述次级待修复区域完成修复。
6.一种减小非易失性存储器擦除干扰时间的设备，其特征在于：包括至少一个控制处理器和用于与所述至少一个控制处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有可被所述至少一个控制处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个控制处理器执行，以使所述至少一个控制处理器能够执行如权利要求1-4任一项所述的减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法。
7.一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1-4任一项所述的减小非易失性存储器擦除干扰时间的方法。
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