CN110343350B - 一种具有形状记忆功能的pva复合材料制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有形状记忆功能的PVA复合材料制备方法,其制备方法为:将无机晶须/POSS杂化材料引入PVA基体中,经溶液流延法制备PVA复合材料。本发明首先将含有不同活性、不同数量基团修饰的POSS分子引入巯基化无机晶须表面,创建了一类新型的无机晶须/POSS多尺度杂化材料,并将无机晶须/POSS杂化材料引入PVA基体中,极大地降低了晶须的表面能,提高了晶须在聚合物中的分散性以及与PVA的相容性,所得的PVA复合材料的机械性能、耐水性、形状记忆能力等均有很大程度的提高,拓宽了PVA的应用。
Description
技术领域
本发明属于PVA改性领域,具体涉及一种具有形状记忆功能的PVA复合材料制备方法。
背景技术
公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
聚乙烯醇(PVA)分子结构中含有大量的羟基,可形成稳定的分子内和分子间氢键,因此具有成膜性好、生物可相容性等优点,是一种良好的高分子聚合物基质。PVA薄膜由于无毒无味、不吸灰尘、透明度好、力学性能优良等特性,在包装、分离纯化、生物医学领域有着广泛的应用前景。研究报道,PVA亦具有一定的形状记忆能力,有潜力成为新的形状记忆材料,而提高这类材料力学强度和形状记忆能力己成为研究的焦点。
碱式硫酸镁晶须(MHSH)是一种高强度、高弹性模量的单晶纤维材料,具有耐磨、耐热、耐化学腐蚀等优异的性能,是聚合物的理想增强材料。MHSH表面具有大量羟基,易与PVA链段上的羟基作用形成氢键,这种相互作用会影响分子链的伸直取向与结晶,进而影响基体的应力传递效率,最终影响材料的性能。
目前对PVA的改性多采用共聚改性和共混改性的方法。专利[CN 108314804A]制备的PVA/石墨烯复合材料采用了简单的熔融共混,即将石墨烯为改性剂,与淀粉、PVA、塑化剂和助剂进行预增塑处理,然后进行熔融插层塑化挤出,制得石墨烯改性PVA复合材料;专利[CN 109679259A]制备的PVA/改性二氧化钛复合材料同样是将PVA、改性二氧化钛、抗氧剂和润滑剂加入双螺杆挤出机挤出造粒、干燥、注塑成型。但此类改性使用的无机材料与聚合物基体相容性差,且这些填料不能降解,削弱了PVA可生物降解的绿色特性。此外,添加相容剂、润滑剂、抗氧化剂会导致成本偏高。
更重要的是,传统方法制备的改性PVA薄膜在力学性能和形状记忆能力难以满足在微机械系统及医疗器件方面的应用。
发明内容
为了克服上述问题,本发明提供了一种具有形状记忆功能的PVA复合材料制备方法。本发明在PVA中填充一种经简单湿法改性和巯基-烯点击反应后的MHSH/POSS杂化材料,进一步提高无机晶须在PVA基体中的分散性相容性,导致杂化材料和PVA基质之间更强的界面结合,使PVA复合材料相应的力学性能、耐水性及形状记忆能力都有相应程度的提高,拓宽了PVA的应用。
为实现上述技术目的,本发明采用的技术方案如下:
一种具有形状记忆功能的PVA复合材料的制备方法,包括:
将MHSH/POSS杂化材料的分散液与PVA溶液混合均匀,反应一段时间,待反应完全后,制成薄膜,即得。
本发明是将经简单湿法改性和巯基-烯点击反应后的MHSH/POSS杂化材料添加到PVA基体中,采用溶液流延法制备PVA复合材料,其力学性能和形状记忆能力显著提高。
本申请研究发现:溶液流延法制备的PVA复合材料的性能优于用熔融共混挤出法制得的PVA复合材料。因此,在一些实施例中,所述制成薄膜的方法为流延法。
本申请研究发现:将MHSH/POSS杂化材料引入PVA基体中,PVA链段中的羟基与MHSH表面的羟基结合形成氢键,POSS表面的官能团与PVA分子链相互作用,使MHSH/POSS杂化材料在PVA基体中起物理交联的作用,提高了杂化材料与PVA的相容性,使杂化材料与PVA基质之间具有更强的界面结合,PVA复合材料的机械性能、耐水性、形状记忆能力等均有很大程度的提高,实验结果表明:复合材料的拉伸强度、扯断伸长率分别达到97.04MPa、139.63%,较纯PVA分别提高了123.59%、36.20%。因此,在一些实施例中,所述MHSH/POSS杂化材料占PVA的质量的1%~20%,提高了PVA复合材料的机械性能、耐水性、形状记忆能力。
在一些实施例中,所述反应的温度为50~120℃,时间为3~4h,使MHSH/POSS杂化材料在PVA基体能够有效地物理交联,提高了杂化材料与PVA的相容性。
利用超声的机械作用、空化作用、热效应和化学效应,可促进悬浮在流体中的微小颗粒分散。因此,在一些实施例中,所述MHSH/POSS杂化材料的分散液的制备方法为:将MHSH/POSS杂化材料加入水中,超声分散均匀,即得。该方法有效提高了MHSH/POSS杂化材料在水中的分散性。
聚乙烯醇溶于水,但为了完全溶解一般需加热,因此,在一些实施例中,所述PVA溶液的制备方法为:将PVA加入水中,加热至50~120℃,并搅拌反应90~100min。以将PVA完全溶解在水中,同时利于后续MHSH/POSS杂化材料与PVA的物理交联和相容。
本申请对MHSH/POSS杂化材料的类型并不作特殊的限定,基于TEC反应原理制备的无机晶须/POSS多尺度杂化材料皆可。在一些实施例中,所述MHSH/POSS杂化材料的制备方法为:
将无机晶须进行表面巯基化;
将含乙烯基的POSS和表面巯基化的无机晶须在引发剂存在的条件下,在紫外光照下,发生巯基-烯点击反应,制得表面接枝乙烯基POSS的无机晶须。显著提高了改性后的PVA复合材料的形状记忆功能。
本申请对无机晶须的类型并不作特殊的限定,在一些实施例中,所述无机晶须为表面富集羟基的碱式硫酸镁晶须、硫酸钙晶须或钛酸钾晶须,以制备出具有较好分散性的MHSH/POSS杂化材料。
在一些实施例中,所述含乙烯基的POSS为八乙烯基POSS;
在一些实施例中,所述无机晶须进行表面巯基化的具体步骤为:将含巯基的偶联剂在一定比例的醇水溶液中稀释,调节pH值到一定酸性;然后将偶联剂溶液滴加到晶须与水混合液中,于一定温度下反应,抽滤、洗涤、烘干,即得。
本发明还提供了任一上述的方法制备的具有形状记忆功能的PVA复合材料。
本发明还提供了上述的具有形状记忆功能的PVA复合材料在微机械系统、医疗器件、航空航天或柔性电子领域的应用。
本发明的有益效果在于:
(1)本发明在PVA中填充一种经简单湿法改性和巯基-烯点击反应后的MHSH/POSS杂化材料,PVA链段中的羟基与MHSH表面的羟基结合形成氢键,POSS表面的官能团与PVA分子链相互作用,使MHSH/POSS杂化材料在PVA基体中起物理交联的作用,极大的提高了晶须的分散性和与PVA的相容性,PVA复合材料的机械性能、耐水性、形状记忆能力等均有很大程度的提高。
(2)本申请的操作方法简单、成本低、具有普适性,易于规模化生产。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。
图1是本发明纯PVA及PVA复合材料的吸水曲线图。
图2是本发明纯PVA及PVA复合材料在水中的形状记忆图。
具体实施方式
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
正如背景技术所介绍的,针对PVA的改性多采用共聚改性和共混改性的方法,无机材料与聚合物基体相容性差,不能降解,对环境危害大,以及成本偏高的问题。因此,本发明提出一种具有形状记忆功能的PVA复合材料制备方法。
为了制备具有形状记忆功能的复合材料,本发明基于TEC反应的原理,将含有不同活性、不同数量基团修饰的POSS分子引入巯基化的无机晶须表面,将传统微米级无机晶须与纳米级POSS组装在一起,创建一类新型的无机晶须/POSS多尺度杂化材料。相比传统的表面改性方法,通过调节POSS表面的八个有机官能团可更大程度地调控晶须的表面性能,改善晶须的表面极性,解决晶须的团聚和在有机基体中的分散问题。将MHSH/POSS杂化材料引入PVA基体中,PVA链段中的羟基与MHSH表面的羟基结合形成氢键,POSS表面的官能团与PVA分子链相互作用,使MHSH/POSS杂化材料在PVA基体中起物理交联的作用,提高了杂化材料与PVA的相容性,使杂化材料与PVA基质之间具有更强的界面结合,PVA复合材料的机械性能、耐水性、形状记忆能力等均有很大程度的提高,实验结果表明:复合材料的拉伸强度、扯断伸长率分别达到97.04MPa、139.63%,较纯PVA分别提高了123.59%、36.20%。
一种具有形状记忆功能的PVA复合材料,以MHSH/POSS杂化材料、PVA为原料,通过溶液流延法制备出PVA复合材料。
优选的,所述POSS表面由不同活性、不同数量的官能团组成。
优选的,所述MHSH/POSS杂化材料相对于PVA的质量比为:1%~20%。
优选的,所述PVA复合材料的制备温度范围为:50~120℃。
本发明还提供了一种较优的具有形状记忆功能的PVA复合材料的制备方法,具体制备方法如下:
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为50~120℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。分别将一定量改性后的MHSH/POSS杂化材料及未改性MHSH(晶须的添加量相对于PVA的质量比为1%~20%)加入10ml去离子水中超声一段时间至晶须均匀分散。然后将此分散液缓缓倒入已完全溶解的PVA溶液中,继续搅拌反应3h,直至体系中无气泡产生。
最后将PVA/MHSH混合液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,PVA复合材料制备完成。
本发明还提供了任一上述的方法制备的PVA复合材料。
任一上述的PVA复合材料制备的可降解塑料、橡胶或其添加剂皆具有较优的效果,符合相关行业的国际标准。
以下通过具体的实施例对本申请的技术方案进行说明。
在以下实施例中,采用如下测试方法:
拉伸试验按国标GB/T1024.2—2006测试,测试速度50mm/min,室温下进行。
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为50~120℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。分别将一定量改性后的MHSH/POSS杂化材料及未改性MHSH(晶须的添加量相对于PVA的质量比为1%~20%)加入10ml去离子水中超声一段时间至晶须均匀分散。然后将此分散液缓缓倒入已完全溶解的PVA溶液中,继续搅拌反应3h,直至体系中无气泡产生。
最后将PVA/MHSH混合液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,制得PVA复合材料。
以下实施例中,MHSH/POSS杂化材料的制备方法为:
步骤一:无机晶须表面巯基化
将0.5gKH590与去离子水、无水乙醇组成体积比为1:1:4的混合溶剂,用乙酸调节pH至3~5,常温下水解2h。将3g碱式硫酸镁晶须在无水乙醇、去离子水的混合液(无水乙醇70ml,去离子水10ml)中超声分散3min后置于三口烧瓶,在油浴锅中回流加热反应。将水解液逐滴加入,控制反应温度为70℃,反应时间4h。反应结束后用乙醇清洗3~4遍,以除去未接枝上的KH590,置于70℃真空干燥箱中干燥24小时,即可得到表面巯基化的碱式硫酸镁晶须。
步骤二:巯基-烯点击反应
将0.2g八乙烯基POSS及0.02g安息香双甲醚溶解在5ml四氢呋喃中,另加入0.5g巯基化的碱式硫酸镁晶须,再加30ml四氢呋喃进行超声分散混合后置于表面皿,在365nm紫外光下点击反应2min。反应结束后,经洗涤、干燥后即可得到表面接枝乙烯基POSS的碱式硫酸镁晶须/POSS杂化材料。
实施例1
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为50℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。将一定量改性后的MHSH/POSS杂化材料(杂化材料的添加量相对于PVA的质量比为1%)加入10ml去离子水中超声一段时间至晶须均匀分散。然后将此分散液缓缓倒入已完全溶解的PVA溶液中,继续搅拌反应3h,直至体系中无气泡产生。
最后将PVA/MHSH混合液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,PVA复合材料制备完成。
实施例2
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为120℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。将一定量改性后的MHSH/POSS杂化材料(杂化材料的添加量相对于PVA的质量比为20%)加入10ml去离子水中超声一段时间至晶须均匀分散。然后将此分散液缓缓倒入已完全溶解的PVA溶液中,继续搅拌反应3h,直至体系中无气泡产生。
最后将PVA/MHSH混合液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,PVA复合材料制备完成。
实施例3
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为100℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。将一定量改性后的MHSH/POSS杂化材料(杂化材料的添加量相对于PVA的质量比为10%)加入10ml去离子水中超声一段时间至晶须均匀分散。然后将此分散液缓缓倒入已完全溶解的PVA溶液中,继续搅拌反应3h,直至体系中无气泡产生。
最后将PVA/MHSH混合液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,PVA复合材料制备完成。
实施例4
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为100℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。将一定量改性后的MHSH/POSS杂化材料(杂化材料的添加量相对于PVA的质量比为5%)加入10ml去离子水中超声一段时间至晶须均匀分散。然后将此分散液缓缓倒入已完全溶解的PVA溶液中,继续搅拌反应3h,直至体系中无气泡产生。
最后将PVA/MHSH混合液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,PVA复合材料制备完成。
对比例1
不添加碱式硫酸镁晶须。
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为100℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。继续搅拌反应3h。将PVA液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,即制得PVA薄膜。
对比例2
碱式硫酸镁晶须不进行改性。
称取3g PVA加入到盛有30ml去离子水的三口烧瓶中,控制加热温度为100℃并搅拌反应90min,此时PVA已完全溶解。将一定量未改性MHSH(晶须的添加量相对于PVA的质量比为10%)加入10ml去离子水中超声一段时间至晶须均匀分散。然后将此分散液缓缓倒入已完全溶解的PVA溶液中,继续搅拌反应3h,直至体系中无气泡产生。
最后将PVA/MHSH混合液缓缓倒入方型玻璃模具中自然风干,然后将薄膜揭下,PVA复合材料制备完成。
对比例3
将3gPVA与碱式硫酸镁晶须(晶须的添加量相对于PVA的质量比10%)通过双螺杆挤出机熔融共混,挤出造粒,干燥,注塑成型,制得PVA复合材料。
性能测试:
1)力学性能测试的详细数据见表1
表1
通过实施例1-4和对比例1-3对比可知,加入改性的碱式硫酸镁晶须合成的PVA复合材料的拉伸强度和断裂伸长率明显优于纯的PVA及加入未改性晶须的PVA复合材料。同时溶液流延法制备的PVA复合材料的性能优于用熔融共混挤出法制得的PVA复合材料。
2)吸水性测试:
将上述实施例1-4和对比例1-3制得的PVA薄膜分别裁成1×1cm的样品并真空干燥。在20℃下,将样品浸入30mL水(pH=7)中,在规定的时间间隔,将样品从水中取出,用滤纸吸掉表面多余的水分并称重。吸水前PVA复合材料的起始质量记为M0,吸水后PVA复合材料的质量为M1,则PVA复合材料的吸水量为:
图1是本发明纯PVA及PVA复合材料的吸水曲线图。由图1可见,纯PVA吸水量较大,达到500%,随着杂化材料的添加,PVA复合材料的吸水量显著减小。主要是由于PVA链段中的羟基与MHSH表面的羟基结合形成氢键,消耗PVA内部部分羟基,提高膜的稳定性,很大程度上改善PVA膜在水中的溶胀性,从而提高其耐水性。
3)形状记忆功能测试
将上述实施例1-4和对比例1-3制得的PVA薄膜分别裁剪成长条状的样条,将样条弯成U型,用夹子夹住保持形变并放入80℃烘箱中进行热处理,5min后取出,置于室温下保持10min,获得U型的样条,用于测试其在水中形状记忆效果。在25℃下,将U型样条放置于水中,并使用相机拍摄记录形状回复过程。图2是本发明纯PVA及PVA复合材料在水中的形状记忆图。由图可见,未加任何填料的PVA薄膜,其形状记忆效应是最差的,加入了MHSH的PVA薄膜形状记忆效果得到了很明显的改善,添加了MHSH/POSS杂化材料的PVA薄膜形状记忆效应最好。主要是由于在最佳MHSH/POSS杂化材料的添加下,PVA链段中的羟基与MHSH表面的羟基结合形成氢键,POSS表面的官能团与PVA分子链相互作用,提高了膜的稳定性,降低了其亲水性,使其水驱动的形状记忆恢复速度增加。
本发明所制备的复合材料的拉伸强度明显优于纯的PVA,且这种PVA复合材料还未见报道。
最后应该说明的是,以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。上述虽然对本发明的具体实施方式进行了描述,但并非对本发明保护范围的限制,所属领域技术人员应该明白,在本发明的技术方案的基础上,本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
Claims (4)
1.一种具有形状记忆功能的PVA复合材料的制备方法,其特征在于,包括:
将MHSH/POSS杂化材料的分散液与PVA溶液混合均匀,反应一段时间,待反应完全后,制成薄膜,即得;
所述制成薄膜的方法为流延法;
所述MHSH/POSS杂化材料占PVA的质量的1%~20%,所述反应的温度为50~120℃,时间为3~4h;
无机晶须为碱式硫酸镁晶须。
2.如权利要求1所述的具有形状记忆功能的PVA复合材料的制备方法,其特征在于,所述MHSH/POSS杂化材料的分散液的制备方法为:将MHSH/POSS杂化材料加入水中,超声分散均匀,即得。
3.如权利要求1所述的具有形状记忆功能的PVA复合材料的制备方法,其特征在于,所述PVA溶液的制备方法为:将PVA加入水中,加热至50~120℃,并搅拌反应90~100min。
4.权利要求1-3任一项所述的方法制备的具有形状记忆功能的PVA复合材料。
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Calcium sulfate hemihydrate whisker reinforced polyvinyl alcohol with improved shape memory effect;Wenpeng Zhao, Chuanhui Gao, Hongfei Sang, et al.;《RSC Advances》;20160526;52983页 * |
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