CN110310891B - 金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 95
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 239000010408 film Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 41
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 91
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 66
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 42
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 42
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 11
- YTMPFQXIYXMRJQ-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)O.C(C)(C)[Ag]C(C)C Chemical compound C(C)(=O)O.C(C)(C)[Ag]C(C)C YTMPFQXIYXMRJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 4
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- -1 silver diisopropylacetate Chemical compound 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- ZKXWKVVCCTZOLD-UHFFFAOYSA-N copper;4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004917 polyol method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/45—Ohmic electrodes
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78663—Amorphous silicon transistors
- H01L29/78669—Amorphous silicon transistors with inverted-type structure, e.g. with bottom gate
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Abstract
本发明涉及一种金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属纳米颗粒，从而使金属纳米颗粒高效稳定均匀地填充在模板的孔道中，从而通过孔道有序调节与控制金属纳米颗粒的排布情况及填充厚度，且提高生产效率；再对金属纳米颗粒进行加热退火处理获得直径大小均匀的金属纳米线，去除阳极氧化铝模板后获取金属纳米线成膜液，将金属纳米线成膜液沉积在基板上，从而获得厚度均匀稳定的金属纳米线导电薄膜，从而降低金属纳米线导电薄膜的雾度，实现更高的透明性和导电性。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管。
背景技术
随着电子工业的飞速发展，对低能耗、多功能以及环境友好型电子产品的不断需求，柔性电子器件以其独特的柔韧延展性、高效多功能性以及便携可穿戴性成为了下一代电子工业发展的重要领域。其中触控屏幕材料也都需要具有柔性，而ITO(Indium TinOxides，铟锡氧化物半导体)导电膜已不能满足要求：ITO薄膜具有脆性，不能弯曲应用；ITO使用的铟是稀土材料，储存量越来越少，稀缺资源；ITO的电导率和透明度很难继续提高。因而让具有柔性的纳米银线等导电新材料崭露头角。
然而，示例性的纳米银线通常由化学法或多元醇法生长，纳米银线直径通常为25nm-300nm，长度为10um-300um，雾度问题严重(雾度是偏离入射光2.5°角以上的透射光强占总透射光强的百分数，雾度越大意味着薄膜光泽以及透明度尤其成像度下降)；且在其制备过程一般会加入一些绝缘的聚合物作为控制剂，反应后会残留在银纳米线的表面，降低银纳米线的生产效率，降低银线网络导电性。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够解决金属纳米线雾度问题、提高生产效率和导电性的金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管。
为了实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：
一种金属纳米线导电薄膜的制备方法，包括：
制备阳极氧化铝模板；
利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒；
对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线；
去除所述阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液；
将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜。
在其中一实施例中，所述制备阳极氧化铝模板的步骤，包括：
提供铝基材，对所述铝基材进行预处理；
将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化，扩孔处理，获得阳极氧化铝模板。
在其中一实施例中，将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化的步骤，包括：
对所述铝基材置于酸性电解液中进行一次氧化生成氧化膜，氧化温度为0℃-30℃，电压为20V-60V，氧化时间为2h-5h；
去除所述氧化膜，对所述铝基材进行二次氧化，氧化温度为15℃-30℃。
在其中一实施例中，所述阳极氧化铝模板的孔径为2nm-200nm，孔道长为0.1μm-20μm。
在其中一实施例中，所述利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒的步骤，具体为：
在惰性环境中，向所述孔道脉冲交替通入金属前驱体和还原性气体；
其中，所述金属前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述还原性气体的通入时间为0.01s-0.5s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s。
在其中一实施例中，所述金属前驱体包括铜前驱体和/或银前驱体。
在其中一实施例中，对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理的温度为100℃-300℃。
一种金属纳米线导电薄膜的制备方法，包括：
制备阳极氧化铝模板；
利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒；
对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线；
去除所述阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液；
将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜；
其中，所述制备阳极氧化铝模板的步骤，包括：
提供铝基材，对所述铝基材进行预处理；
将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化，获得阳极氧化铝模板；
所述阳极氧化铝模板的孔径为2nm-200nm，孔道长为0.1μm-20μm；
其中，所述利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒的步骤，具体为：
在惰性环境中，向所述孔道脉冲交替通入金属前驱体和还原性气体；其中，所述金属前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述还原性气体的通入时间为0.01s-0.5s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述金属前驱体包括铜前驱体和/或银前驱体；所述还原性气体包括氢气等离子体；
其中，对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理的温度为100℃-300℃。
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括电极层，所述电极层为上所述的制备方法制备获得的金属纳米线导电薄膜。
在其中一实施例中，所述薄膜晶体管还包括：
衬底；
栅极层，设置在所述衬底上；
栅极绝缘层，设置在所述衬底上覆盖所述栅极层；
半导体层，设置在栅极绝缘层上；
源漏极层，设置在所述半导体层上；
保护层，设置在所述栅极绝缘层上覆盖所述半导体层和所述源漏极层，贯穿所述源漏极层以形成第一源/漏极层和第二源/漏极层，部分贯穿所述半导体层；
其中，所述电极层设置在所述保护层上，并贯穿至所述第二源/漏极层。
上述金属纳米线导电薄膜的制备方法，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属纳米颗粒，从而使金属纳米颗粒高效稳定均匀地填充在模板的孔道中，从而通过孔道有序调节与控制金属纳米颗粒的排布情况及填充厚度，且提高生产效率；再对金属纳米颗粒进行加热退火处理获得直径大小均匀的金属纳米线，去除阳极氧化铝模板后获取金属纳米线成膜液，将金属纳米线成膜液沉积在基板上，从而获得厚度均匀稳定的金属纳米线导电薄膜，从而降低金属纳米线导电薄膜的雾度，实现更高的透明性和导电性。
上述的薄膜晶体管，包括电极层，该电极层为如上所述的制备方法制备获得的金属纳米线导电薄膜。该电极层具有更高的稳定性、透明性以及导电性，从而使薄膜晶体管的稳定性和导电性更高。
附图说明
图1为一实施例的金属纳米线导电薄膜的制备方法的流程图；
图2为一实施例的阳极氧化铝模板的扫描电子显微镜图；
图3为一实施例的阳极氧化铝模板的扫描电子显微镜图；
图4为一实施例的金属纳米颗粒沉积在阳极氧化铝模板的结构示意图；
图5为一实施例的阳极氧化铝模板中生长金属纳米线的结构示意图；
图6为一实施例的去除阳极氧化铝模板后的金属纳米线的结构示意图；
图7为一实施例的薄膜晶体管的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的可选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参见图1，图1为一实施例中金属纳米线导电薄膜的制备方法的流程图。
在本实施例中，金属纳米线导电薄膜的制备方法，包括步骤S101、S102、S103、S104以及S105。详述如下：
步骤S101，制备阳极氧化铝模板。
在一实施例中，可以采用电化学沉积方法制备阳极氧化铝模板，将铝基材溶于酸性溶液中进行电化学阳极氧化反应获得。通过控制电化学沉积方法的制备参数，实现阳极氧化铝模板孔道直径的可控性和一致性，使得后续在模板中沉积的金属纳米颗粒高效稳定均匀的填充在孔道中，以使得合成的金属纳米线也具备可控性、一致性和厚度均匀性。且使用模板法制备金属纳米线，能够提高生产效率，降低生产成本，适合工业化使用。
具体地，步骤S101包括步骤S1011和步骤S1012。
步骤S1011，提供铝基材，对铝基材进行预处理。
在本实施例中，铝基材可选用纯度为99.99％的铝片。预处理包括清洗、退火处理及抛光处理：将铝基材放在有机溶剂中，超声振荡，去除铝基材上的油污，将铝基材通过烘箱进行退火处理，冷却后取出；再对铝基材进行电化学抛光，清洗。其中，超声时间和退火温度可以根据实际情况进行设定。
步骤S1012，将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化，扩孔处理，获得阳极氧化铝模板。
其中，二次氧化过程包括：对铝基材置于酸性电解液中进行一次氧化生成氧化膜，氧化温度为0℃-30℃，电压为20V-60V，氧化时间为2h-5h；去除氧化膜，对铝基材进行二次氧化，氧化温度为15℃-30℃。酸性电解液包括但不限于草酸溶液、硫酸溶液和磷酸溶液中的一种或多种的混合。
通过二次氧化，铝基材上形成氧化铝，氧化铝在氧化过程中形成纵向孔道，孔道的孔径大小和深度通过调节氧化参数来控制。本实施例中设置的氧化参数可使每氧化1h形成2μm-5μm的深度。
其中，对二次氧化后的阳极氧化铝模板浸泡在酸性溶液中进行扩孔处理，通过控制扩孔时间可以控制AAO孔径的大小。可选地，扩孔处理可以采用3％-10％的磷酸溶液，温度为15℃-30℃，扩孔时间为10min-200min。在其他实施例中，也可以选用其他酸性溶液进行扩孔处理。通过扩孔处理调节孔径大小，扩孔后规整度不变，截面整齐规则，孔径大小均匀。
由此，参见图2和图3(阳极氧化铝模板的扫描电子显微镜图,其中，A为阳极氧化铝模板孔道的开孔，B为孔道的孔壁)，通过前述二次氧化的参数和扩孔处理的参数的控制，可以获得具有排列规则且长径比大的纳米孔的模板：孔径为2nm-200nm，孔道长为0.1μm-20μm；该模板孔径可控，且大小一致，柱状孔道垂直于膜面，相邻孔道之间独立。由此可以使得后续通过该模板制备获得的金属纳米颗粒直径小且均匀，导电性和稳定性优良，提高应用产品的传输性。
步骤S102，利用原子层沉积技术在阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒。
具体地，步骤S102为在惰性环境中，向孔道脉冲交替通入金属前驱体和还原性气体；其中，金属前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；还原性气体的通入时间为0.01s-0.5s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s。其中，脉冲交替的循环次数为100次-2000次。从而，通过前述反应时间和反应周期的控制，可以精确控制金属纳米颗粒的生长厚度和均匀性，获得致密且均匀的金属纳米颗粒；且脉冲气体反应过程不会引入反应杂质，保证金属纳米颗粒的高纯度。
具体地，一个脉冲交替过程包括第一脉冲过程和第二脉冲过程，第一脉冲过程：通入金属前驱体，并控制金属前驱体停留在孔道中，使金属前驱体在孔道中充分吸附，吸附完成后通入惰性气体将多余的金属前驱体进行吹扫，清除残留气体；第二脉冲过程：通入还原性气体，并控制还原性气体停留在孔洞中，使还原性气体与孔道吸附的金属前驱体在完成反应，在反应完成后通入惰性气体或还原性气体将产生的废气进行吹扫。在完成一个脉冲交替过程后，重复前述脉冲交替过程，最终金属纳米颗粒高效稳定均匀地填充在模板的孔道中。
在上述实施例中，惰性环境包括氩气气氛环境，金属前驱体包括铜前驱体和/或银前驱体，还原性气体包括氢气等离子体。通过将铜前驱体和/或银前驱体，以及还原性气体脉冲交替通入孔道中，可以制备获得填充在模板孔道中的铜催化颗粒和/或银催化颗粒(请结合参见图4，图中300为铝基材，301为氧化铝，302为金属纳米颗粒，303为模板孔道)。需要说明的是，其他金属纳米颗粒也可以选取对应的金属前驱体和还原性气体通过上述实施例制备获得。
具体地，金属前驱体和还原性气体根据金属纳米线的实际生产需要进行对应选取。例如，当制备银纳米线时，可以选用二异丙基乙酸银作为前驱体；当制备铜金属纳米线时，可以选用N，N—二异丙基乙酸铜、二(六氟戊二酮)铜、乙酰丙酮铜等作为前驱体。
步骤S103，对金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线。
在本实施例中，对金属纳米颗粒进行加热退火处理，从而使金属纳米颗粒转变成直径大小均匀的金属纳米线(请结合参见图5，图中300为铝基材，301为氧化铝，304为金属纳米线)。其中，加热退火处理的温度为100℃-300℃，从而控制金属纳米颗粒快速均匀地转变成金属纳米线。
步骤S104，去除阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液。
在本实施例中，可以利用酸性溶液溶解的方法去除阳极氧化铝模板(参见图6，图中300为铝基材，304为金属纳米线)，并在溶解后进行漂洗，使金属纳米线分散在成膜溶液中，获得金属纳米线成膜液。其中，酸性溶液包括磷酸溶液。
步骤S105，将金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜。
具体地，步骤S105将金属纳米线成膜液沉积在基板上，加热退火后形成透明的金属纳米线导电薄膜，该导电薄膜导电性、透明度等性能优良，无雾度问题，可在大中小各尺寸的面板中应用。其中，可以通过旋涂的方式将金属纳米线成膜液沉积在基板上。其中，基板可以是实际生产中需要沉积金属纳米线导电薄膜的衬底或者任意功能层，具体根据实际应用进行选取。
本实施例提供的金属纳米线导电薄膜的制备方法，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属纳米颗粒，从而使金属纳米颗粒高效稳定均匀地填充在模板的孔道中，从而通过孔道有序调节与控制金属纳米颗粒的排布情况及填充厚度，且提高生产效率；再对金属纳米颗粒进行加热退火处理获得直径大小均匀的金属纳米线，去除阳极氧化铝模板后获取金属纳米线成膜液，将金属纳米线成膜液沉积在基板上，从而获得厚度均匀稳定的金属纳米线导电薄膜，从而降低金属纳米线导电薄膜的雾度，实现更高的透明性和导电性。
以下结合具体实施例进行详细说明。
以下实施例中，如无特别说明，未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件。
仪器：雾度仪、导电率测试仪
实施例1
一种银纳米线导电薄膜，由以下步骤制备获得：
(1)将99.99％的铝片放在乙醇溶液中，超声振荡5min，去除铝基材上的油污，再将铝基材通过烘箱进行500℃退火处理2h，冷却后取出；再对铝基材进行电化学抛光，清洗。在0.1-0.5M的草酸溶液中进行一次阳极氧化，氧化温度为30℃，电压60V，时间为5h，去除一次氧化生成的氧化膜后进行二次氧化，氧化温度为15℃。二次氧化后对模板进行扩孔处理，采用3％磷酸溶液，温度为15℃，扩孔时间为30min。
(2)在氩气气氛中，向孔道脉冲交替通入二异丙基乙酸银和氢气等离子体，二异丙基乙酸银的通入时间为0.02s，停留时间为10s，氩气吹扫时间为5s；氢气等离子体的通入时间为0.03s，停留时间为10s，氩气吹扫时间为10s，总循环数为100次。从而获得填充在模板孔道中的颗粒大小均匀且直径为20nm的银催化颗粒。
(3)对银催化颗粒进行加热退火处理，温度为200℃，从而使银催化颗粒转变成银纳米线。去除阳极氧化铝模板，处理后获取银纳米线成膜液。将银纳米线成膜液旋涂在基板上，加热退火后形成透明的银纳米线导电薄膜。
采用雾度仪对上述银纳米线导电薄膜(配置成1-1.5％浓度的银纳米线成膜液)进行雾度测量，其雾度为0.56％。
采用导电率测试仪对上述银纳米线导电薄膜进行导电率测量，其导电率为7.8*106(S/m)。
上述银纳米线导电薄膜雾度低，且具有良好的导电性。
实施例2
一种银纳米线导电薄膜，由以下步骤制备获得：
(1)将99.99％的铝片放在乙醇溶液中，超声振荡5min，去除铝基材上的油污，再将铝基材通过烘箱进行500℃退火处理2h，冷却后取出；再对铝基材进行电化学抛光，清洗。在0.1-0.5M的草酸溶液中进行一次阳极氧化，氧化温度为30℃，电压60V，时间为5h，去除一次氧化生成的氧化膜后进行二次氧化，氧化温度为15℃。二次氧化后对模板进行扩孔处理，采用3％磷酸溶液，温度为15℃，扩孔时间为40min。
(2)在氩气气氛中，向孔道脉冲交替通入二异丙基乙酸银和氢气等离子体，二异丙基乙酸银的通入时间为0.02s，停留时间为10s，氩气吹扫时间为5s；氢气等离子体的通入时间为0.03s，停留时间为10s，氩气吹扫时间为10s，总循环数为200次。从而获得填充在模板孔道中的颗粒大小均匀且直径为40nm的银催化颗粒。
(3)对银催化颗粒进行加热退火处理，温度为200℃，从而使银催化颗粒转变成银纳米线。去除阳极氧化铝模板，处理后获取银纳米线成膜液。将银纳米线成膜液旋涂在基板上，加热退火后形成透明的银纳米线导电薄膜。
采用雾度仪对上述银纳米线导电薄膜(配置成1-1.5％浓度的银纳米线成膜液)进行雾度测量，其雾度为0.78％。
采用导电率测试仪对上述银纳米线导电薄膜进行导电率测量，其导电率为6.5*106(S/m)。
实施例3
一种银纳米线导电薄膜，由以下步骤制备获得：
(1)将99.99％的铝片放在乙醇溶液中，超声振荡5min，去除铝基材上的油污，再将铝基材通过烘箱进行500℃退火处理2h，冷却后取出；再对铝基材进行电化学抛光，清洗。在0.1-0.5M的草酸溶液中进行一次阳极氧化，氧化温度为30℃，电压60V，时间为5h，去除一次氧化生成的氧化膜后进行二次氧化，氧化温度为15℃。二次氧化后对模板进行扩孔处理，采用3％磷酸溶液，温度为15℃，扩孔时间为30min。
(2)在氩气气氛中，向孔道脉冲交替通入二异丙基乙酸银和氢气等离子体，二异丙基乙酸银的通入时间为0.02s，停留时间为10s，氩气吹扫时间为5s；氢气等离子体的通入时间为0.03s，停留时间为10s，氩气吹扫时间为10s，总循环数为300次。从而获得填充在模板孔道中的颗粒大小均匀且直径为60nm的银催化颗粒。
(3)对银催化颗粒进行加热退火处理，温度为200℃，从而使银催化颗粒转变成银纳米线。去除阳极氧化铝模板，处理后获取银纳米线成膜液。将银纳米线成膜液旋涂在基板上，加热退火后形成透明的银纳米线导电薄膜。
采用雾度仪对上述银纳米线导电薄膜(配置成1-1.5％浓度的银纳米线成膜液)进行雾度测量，其雾度为1.36％。
采用导电率测试仪对上述银纳米线导电薄膜进行导电率测量，其导电率为6.1*106(S/m)。
本实施例还提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括电极层，该电极层为如上所述的制备方法制备获得的金属纳米线导电薄膜。该电极层具有更高的稳定性、透明性以及导电性，从而使薄膜晶体管的稳定性和导电性更高。
在一实施例中，参见图7，薄膜晶体管还包括衬底10、栅极层20、栅极绝缘层30、半导体层40、源漏极层50以及保护层60，电极层70设置在保护层60上，并贯穿至部分源漏极层50。
具体地，衬底10的选用不受限制，可以采用柔性基板，也可以采用硬质基板。硬质基板具体可以是玻璃基板。
具体地，栅极层20设置在衬底10上，栅极层20的材料可以选用金属，包括但不限于钼、钛、铝和铜中的至少一种，以保证良好的导电性能。其中，可以通过射频磁控溅射、热蒸发、真空电子束蒸发以及等离子增强化学气相沉积工艺形成栅极层20。
具体地，栅极绝缘层30设置在衬底10上覆盖栅极层20，栅极绝缘层30的材料可以选用氧化硅、氮化硅中的至少一种。
具体地，半导体层40设置在栅极绝缘层30上，半导体层40包括在栅极绝缘层30上形成的有源层401和在有源层401上形成的掺杂层402，有源层401位于栅极层上方，掺杂层402具有一沟道区，沟道区贯穿掺杂层402，部分贯穿有源层401。有源层401的材料可以选用非晶硅，掺杂层402可以是在非晶硅层中进行N型掺杂，也可以是非晶硅层中进行P型掺杂。
具体地，源漏极层50设置在半导体层40上，包括设置在沟道区两侧的第一源/漏极层501和第二源/漏极层502。源漏极层50可以选用金属材料，包括但不限于钼、钛、铝和铜中的至少一种，以保证良好的导电性能。
具体地，保护层60设置在栅极绝缘层上且覆盖半导体层40和源漏极层50，贯穿源漏极层50以形成第一源/漏极层501和第二源/漏极层502，部分贯穿半导体层40。保护层60可用于保护覆盖区域免受污染和损伤，其材料可以但不限于选用氮化硅和氧化硅中一种或多种。
具体地，电极层70设置在保护层60上，并贯穿至第二源/漏极层502。其中，上述实施例中的基板在本实施例中即指保护层60。
从而，通过衬底10、栅极层20、栅极绝缘层30、半导体层40、源漏极层50、保护层60以及电极层70形成了稳定性高、导电性好的薄膜晶体管。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种金属纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
制备阳极氧化铝模板；
利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒；
对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线，所述加热退火处理的温度为100℃-300℃；
去除所述阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液；
将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备阳极氧化铝模板的步骤，包括：
提供铝基材，对所述铝基材进行预处理；
将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化，扩孔处理，获得阳极氧化铝模板。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化的步骤，包括：
对所述铝基材置于酸性电解液中进行一次氧化生成氧化膜，氧化温度为0℃-30℃，电压为20V-60V，氧化时间为2h-5h；
去除所述氧化膜，对所述铝基材进行二次氧化，氧化温度为15℃-30℃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述阳极氧化铝模板的孔径为2nm-200nm，孔道长为0.1μm-20μm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒的步骤，具体为：
在惰性环境中，向所述孔道脉冲交替通入金属前驱体和还原性气体；
其中，所述金属前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述还原性气体的通入时间为0.01s-0.5s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属前驱体包括铜前驱体和/或银前驱体。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上的步骤包括：
将所述金属纳米线成膜液旋涂在基板上。
8.一种金属纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
制备阳极氧化铝模板；
利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒；
对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理，获取金属纳米线；
去除所述阳极氧化铝模板，处理后获取金属纳米线成膜液；
将所述金属纳米线成膜液沉积在基板上，获得金属纳米线导电薄膜；
其中，所述制备阳极氧化铝模板的步骤，包括：
提供铝基材，对所述铝基材进行预处理；
将经过预处理后的铝基材置于酸性电解液中进行二次氧化，获得阳极氧化铝模板；
所述阳极氧化铝模板的孔径为2nm-200nm，孔道长为0.1μm-20μm；
其中，所述利用原子层沉积技术在所述阳极氧化铝模板的孔道中沉积金属纳米颗粒的步骤，具体为：
在惰性环境中，向所述孔道脉冲交替通入金属前驱体和还原性气体；其中，所述金属前驱体的通入时间为0.01s-0.2s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述还原性气体的通入时间为0.01s-0.5s，停留时间为2s-20s，吹扫时间为2s-30s；所述金属前驱体包括铜前驱体和/或银前驱体；所述还原性气体包括氢气等离子体；
其中，对所述金属纳米颗粒进行加热退火处理的温度为100℃-300℃。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括电极层，所述电极层为如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备获得的金属纳米线导电薄膜。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
衬底；
栅极层，设置在所述衬底上；
栅极绝缘层，设置在所述衬底上覆盖所述栅极层；
半导体层，设置在栅极绝缘层上；
源漏极层，设置在所述半导体层上；
保护层，设置在所述栅极绝缘层上覆盖所述半导体层和所述源漏极层，贯穿所述源漏极层以形成第一源/漏极层和第二源/漏极层，部分贯穿所述半导体层；
其中，所述电极层设置在所述保护层上，并贯穿至所述第二源/漏极层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910577237.9A CN110310891B (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910577237.9A CN110310891B (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110310891A CN110310891A (zh) | 2019-10-08 |
| CN110310891B true CN110310891B (zh) | 2021-10-01 |
Family
ID=68079453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910577237.9A Active CN110310891B (zh) | 2019-06-28 | 2019-06-28 | 金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110310891B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111883582B (zh) | 2020-07-30 | 2024-05-03 | 北海惠科光电技术有限公司 | 一种栅极、薄膜晶体管的制作方法和显示面板 |
| CN112904625B (zh) * | 2021-01-25 | 2022-09-27 | 北海惠科光电技术有限公司 | 导电边框胶的制备方法、导电边框胶及显示面板 |
| CN113140452A (zh) * | 2021-04-21 | 2021-07-20 | 北海惠科光电技术有限公司 | 氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管 |
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| US20100163419A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Korea University Research And Business Foundation | Method for fabricating multi-component nanowires |
| CN103526288A (zh) * | 2013-10-10 | 2014-01-22 | 宋玉军 | 界面作用诱导自组装高密度纳米阵列的方法 |
| CN103872085A (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | 乐金显示有限公司 | 用于柔性显示器的具有透明电极的基板及其制造方法 |
| CN104361995A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-02-18 | 武汉大学 | 一种基于纳米结构的透明电容器及其制备方法 |
-
2019
- 2019-06-28 CN CN201910577237.9A patent/CN110310891B/zh active Active
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| CN104361995A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-02-18 | 武汉大学 | 一种基于纳米结构的透明电容器及其制备方法 |
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|---|---|
| CN110310891A (zh) | 2019-10-08 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |