CN110306165A - 膜厚监测装置及薄膜沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种膜厚监测装置及薄膜沉积设备,包括前沉积罩、晶振座及探头。前沉积罩设有监测孔;晶振座设有安装孔位;探头包括设于安装孔位内的传感器及与传感器电连接的接触脚;传感器能够随晶振座相对前沉积罩转动至全部外露于监测孔的监测位置;信号传输件具有一接触端,接触端具有与处于监测位置的传感器所连接的接触脚抵接的接触状态;处于监测位置的传感器具有与监测孔的内孔壁相切的两个极限位置;处于两个极限位置的传感器的中心所在位置为两个极限点;在至少一个极限位置,接触端的端点与该极限位置对应的极限点重合,以使处于监测位置的传感器朝该极限位置所在一侧部分转出监测孔时接触端与接触脚的接触状态被切断。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种膜厚监测装置及薄膜沉积设备。
背景技术
膜厚监测装置是薄膜沉积设备中的重要系统,目前已有的膜厚监测装置可自动更换其晶振片,而无需中断过程;其中晶振片即为传感器。晶振片不稳定或失效时,其中的控制器会立即发送旋转信号,要求更换晶振片并将新晶振片旋转到位,从而实现持续沉积速率监控。膜厚监测装置中的前沉积罩用于保护其它晶振片上不会沉积材料。由于蒸镀技术是在高真空环境下进行薄膜沉积,晶振片必须完全位于前沉积罩的开孔(即监测孔)内,但实际晶振片时有偏离前沉积罩开孔区域,而目前设备无纠错功能,只能通过人员抽检发现产品异常并进行反查,故而容易造成产品批量报废及反查时间延误的问题。
发明内容
基于此,有必要针对传感器容易偏离前沉积罩开孔区域导致膜厚监测异常的问题,提供一种改善上述问题的膜厚监测装置及薄膜沉积设备。
根据本发明的一个方面,提供一种膜厚监测装置,包括:
前沉积罩,设有监测孔;
晶振座,设有安装孔位;
探头,包括设于所述安装孔位内的传感器及与所述传感器电连接的接触脚;所述传感器能够随所述晶振座相对所述前沉积罩转动至全部外露于所述监测孔的监测位置;及
信号传输件,具有一接触端,所述接触端具有与处于所述监测位置的所述传感器所连接的接触脚抵接的接触状态;
其中,处于所述监测位置的所述传感器具有与所述监测孔的内孔壁相切的两个极限位置;处于两个所述极限位置的所述传感器的中心所在位置为两个极限点;在至少一个所述极限位置,所述接触端的端点与该极限位置对应的所述极限点重合,以使处于所述监测位置的所述传感器朝该极限位置所在一侧部分转出所述监测孔时所述接触端与所述接触脚的接触状态被切断。
本发明创造性地提出了将信号传输件被设置为:传感器位于监测孔的监测位置且与监测孔的内孔壁相切的至少一个极限位置时,信号传输件的接触端的端点与该极限位置对应的极限点(即此时传感器的中心所在位置)重合,进而控制接触保持区的位置,同时结合监测孔的位置,实现防止传感器偏位的效果。如此传感器一旦有部分区域偏离于监测孔的区域,则切断传感器与信号传输件的接触,如此在传感器与信号传输件的接触过程中传感器被限制在监测孔的区域。而由于一旦有部分区域偏离于监测孔的区域,传感器所连接的接触脚与信号传输件的接触被切断,膜厚监测过程将被阻断,如此避免了产品批量报废问题。此时可通过及时进行自检,避免产品异常导致的反查时间延误的问题;或者切换新的传感器继续进行监测,故而可以实现持续膜厚监测。
在其中一个实施例中,两个所述极限点与所述信号传输件的安装位点之间的距离相等;
在两个所述极限位置,所述接触端的端点与各所述极限位置对应的所述极限点均重合。
在其中一个实施例中,两个所述极限点与所述信号传输件的安装位点之间的距离不相等,其中距离较短的极限点为第一极限点,对应的极限位置为第一极限位置;
在所述第一极限位置,所述接触端的端点与所述第一极限点重合。
在其中一个实施例中,所述信号传输件为扭力弹簧,所述信号传输件的接触端为接触扭臂,所述扭力弹簧通过所述接触扭臂与所述接触脚接触。
在其中一个实施例中,所述扭力弹簧的接触扭臂的复位方向与所述晶振座的转动方向相反。
在其中一个实施例中,还包括异常警报机构,所述异常警报机构用于在当前传感器的工作过程中所述信号传输件的所述接触端与所述接触脚的接触状态被切断时发出异常警报信号。
在其中一个实施例中,所述膜厚监测装置还包括旋转驱动机构,所述旋转驱动机构用于驱动所述晶振座相对所述前沉积罩转动。
在其中一个实施例中,所述旋转驱动机构为气动式驱动机构。
在其中一个实施例中,所述传感器为晶振片。
一种薄膜沉积设备,包括上述任一项的膜厚监测装置。
附图说明
图1为一实施例的膜厚监测装置的前沉积罩的结构示意图;
图2为一实施例的膜厚监测装置的晶振探头组件的结构示意图;
图3为一实施例的膜厚监测装置的信号传输总成的结构示意图;
图4为一实施例的传感器在前沉积罩的监测孔中理想位置的示意图;
图5为一实施例的传感器在前沉积罩的监测孔中可接受位置的示意图;
图6为一实施例的传感器在前沉积罩的监测孔中不可接受位置的示意图;
图7为一实施例的扭力弹簧的接触扭臂的长度与对应的接触保持区的示意图;
图8为一实施例的传感器位于随晶振座的转动轨迹中的与监测孔的内侧相切的位置的示意图;
图9为图8所示相切的位置的局部放大示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在描述位置关系时,除非另有规定,否则当一元件例如层、膜或显示基板被指为在另一膜层“上”时,其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说,当层被指为在另一层“下”时,其可直接在下方,亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是,当层被指为在两层“之间”时,其可为两层之间的唯一层,或亦可存在一或多个中间层。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下,除非使用了明确的限定用语,例如“仅”、“由……组成”等,否则还可以添加另一部件。除非相反地提及,否则单数形式的术语可以包括复数形式,并不能理解为其数量为一个。
应当理解,尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如,在不脱离本发明的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
还应当理解的是,在解释元件时,尽管没有明确描述,但元件解释为包括误差范围,该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如,“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内,在此不作限定。
此外,在说明书中,短语“平面示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图,短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。
此外,附图并不是1:1的比例绘制,并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制,而不一定按照真实比例绘制。
目前的膜厚监测装置其利用的原理有多种,其中一种为晶振片振荡法。晶振片振荡法是将薄膜沉积在一个与振荡电路相连接的上下两面都附有电极的抛光石英电极(晶振片)上。其中,晶振片即起到传感器的作用。晶振片的固有振荡频率与其自身的重量有关。因此随着在晶振片上沉积材料导致的重量变化,也就改变了晶振片的固有频率。故而通过测定晶振片的固有频率的变化就可以得出晶振片的重量的变化,进而可以监测得到沉积的薄膜的膜厚。这种方法的优点是能够动态、连续地测量膜厚。
需要指出的是晶振片的基频会随着温度发生变化,因此晶振片的工作温度不能过高。另外,薄膜的有效面积与晶振片的面积可能不同,例如当晶振片没有全部露出于监测孔,从而使得薄膜的有效面积与晶振片的实际面积不同,故而导致膜厚监测异常。
例如在一具体示例中,将INFICON 12传感器与INFICON薄膜沉积控制器结合使用于薄膜监测装置,其晶振片转换由气体驱动(例如空气驱动)完成,因而晶振片的温度非常稳定。但气动驱动易导致晶振片在前沉积罩露出的位置不稳定,例如晶振片没有全部露出于前沉积罩的监测孔区域,导致产品膜厚异常的问题时有发生。故而如何保证晶振片位置在可接受范围,防止晶振片偏离前沉积罩监测孔区域导致膜厚监测异常,是急需解决的问题。
为解决上述问题,发明人进行了大量深入研究,最终提出了一种膜厚监测装置,能够较佳地解决上述问题。
下面将结合附图对该膜厚监测装置作详细的介绍。
其中,图1示出了一实施例的膜厚监测装置的前沉积罩的结构示意图;图2示出了一实施例的膜厚监测装置的晶振探头组件的结构示意图;图3示出了一实施例的膜厚监测装置的信号传输总成的结构示意图。
本发明一实施方式提供了一种膜厚监测装置包括前沉积罩10、晶振探头组件20、旋转驱动机构(图未示)、信号传输总成30、振荡器(图未示)及控制器(图未示)。
请参阅图1,前沉积罩10上设有监测孔101。
请参阅图2,晶振探头组件20包括探头210及晶振座220。晶振座220与前沉积罩10相对设置。
探头210设于晶振座220上,且其数量可为多个。一般地,多个探头210沿晶振座220的周向设置,各探头210内分别设有用于膜厚监测的传感器211。
进一步地,晶振座220内设有安装孔位,传感器211设于晶振座220的安装孔位内,且传感器211的一表面朝向前沉积罩10设置。
且多个探头210上的传感器211布置于以晶振座220的转动中心为圆心的同一圆上。
晶振座220能够在旋转驱动机构的驱动下相对前沉积罩10绕一轴线转动,以使多个探头210中的传感器211能够交替处于露出于监测孔101的位置,传感器211完全外露于监测孔101的位置即为传感器211的监测位置。
具体地,晶振座220与前沉积罩10相对设置,晶振座220与前沉积罩10配合后,前沉积罩10与传感器211相对设置,传感器21露出于监测孔101的一面用于朝向沉积薄膜的蒸发材料源设置,从而使得蒸发材料沉积到监测孔101中对应的传感器211上,而不会沉积到其他传感器211上。
同时,在位于监测孔101中当前传感器211出现不稳定或失效等情况时,晶振座220能够在旋转驱动机构的驱动下带动该传感器211旋出监测孔101而将新的传感器211旋入监测孔101内,从而实现持续沉积速率监控。
在一具体示例中,旋转驱动机构可为气动式驱动。
每个探头210除了包括传感器211,还包括与传感器211电连接的接触脚212,接触脚212设于晶振座220的背离前沉积罩10的表面上。接触脚212还用于与信号传输总成30接触,以进行电连接,实现信号传输。
进一步地,接触脚212的中心轴线与传感器211的中心轴线重合,以更好地保证信号传输。值得说明的是,接触脚212与传感器211的位置相对固定,在膜厚监测装置的工作过程中两者的相对位置始终保持不变。一般地,传感器211为圆形。
具体地,振荡器内具有振荡电路等,其用于迅速改变给传感器211的电流使传感器211高速振动。控制器与振荡器连接,并用于接收振荡器的电子信号,并得到传感器211的振速或频率信号。
可理解,膜厚监测装置还可包括处理器,处理器接收传感器211的振速或频率信号进行处理,并将处理结果输出,例如通过显示屏显示结果。
信号传输总成30与晶振探头组件20设有接触脚212的一表面相对而设。请参阅图3,信号传输总成30中具有用于传输信号的信号传输件310,信号传输件310的一端与振荡器连接,另一端用于与接触脚212接触。其中,信号传输件310中用于与接触脚212接触的一端为接触端311,即接触端311具有与处于监测位置的传感器211所连接的接触脚212抵接的接触状态。
在一具体示例中,信号传输件310为扭力弹簧。扭力弹簧通过一扭臂与接触脚212接触,该扭臂为接触扭臂,另一个扭臂与振荡器连接。换言之,信号传输件310的接触端311为接触扭臂。在本具体示例中,扭力弹簧通过按压接触的方式与接触脚212接触。
进一步地,扭力弹簧的接触扭臂的复位方向与晶振座220的转动方向相反。且位于监测孔101内的当前的传感器211对应的接触脚212位于扭力弹簧的两个扭臂之间。如此当晶振座220转动使当前的传感器211转出监测孔101时,带动扭力弹簧的接触扭臂相对于另一扭臂张开角度,当扭力弹簧的接触扭臂与当前的接触脚212错位不再接触(接触状态被切断)时,扭力弹簧往与晶振座220的转动方向相反的方向复位;与此同时,新的传感器211旋转到位且与复位的扭力弹簧接触。
如此实现了信号传输件310在晶振座220转动更换传感器211的过程中避位,且信号传输件310复位时能够与晶振座220上位于监测孔101内的当前的传感器211对应的接触脚212接触,如此实现了信号传输件310在相邻两个接触脚212之间的接触切换,即完成了传感器211的更换。
在一具体示例中,传感器211为晶振片。
下文均以信号传输件310为扭力弹簧的实施例进行介绍,但不作为限制。
正常状态下,扭力弹簧的接触扭臂处于与对应监测孔101的当前接触脚212抵接的接触状态。若需要更换传感器211至下一传感器211时(例如相邻的另一传感器211),控制器发出信号,控制旋转驱动机构工作,进而驱动晶振座220的转动,使下一传感器211转动到对应监测孔101的位置。而在晶振座220转动的过程中,扭力弹簧随接触脚212转动并避位,以使晶振座220上的下一传感器211能够顺利转动到对应监测孔101的位置;当接触脚212和传感器211旋转到位(即旋转到对应监测孔101的位置),扭力弹簧复位并保持与对应监测孔101的当前接触脚212接触。如此通过扭力弹簧与接触脚212有效接触进行薄厚沉积监测。
进一步地,信号传输总成30还包括支撑基座320(如图3所示),支撑基座320上设有安装柱,扭力弹簧的主体部分套设在安装柱上。扭力弹簧的安装位点301(如图7所示)即为该安装柱的中心,扭力弹簧能绕着该安装柱转动,故而该安装位点301也即为扭力弹簧的转动中心。
以晶振座220有12个接触脚212,任意相邻2个接触脚212之间的角度为30度为例,如图8所示。更换传感器211时晶振座220每次旋转30度。由于薄膜沉积技术是在高真空环境下进行,传感器211必须位于前沉积罩10的监测孔101内。
需要说明的是,为了较好地保证传感器211能够全部露出于前沉积罩10的监测孔101内,监测孔101的开口面积一般大于传感器211的尺寸,且每次旋转30度只能露出一个传感器211。
传感器211及接触脚212随着晶振座220的转动而转动,传感器211及接触脚212的中心的转动轨迹为C0(如图7或图8所示)。转动到位时,扭力弹簧的接触扭臂与对应监测孔101的当前接触脚212接触,且传感器211处于前沉积罩10的监测孔101的开孔中心,此为最佳位置a(也是设备设定的理想工作状态),如图4所示。然而研发人员基于大量的实际经验发现,由于各种原因(例如气动式驱动易导致传感器211在前沉积罩10露出的位置不稳定),接触脚212实际每次转动的角度不是30度,故而传感器211并不总是处于前沉积罩10的监测孔101的开孔中心,而是有所偏差。
传感器211偏离于前沉积罩10的监测孔101的开孔中心的位置也存在两大类情况。例如,图5中的传感器211虽然全部露出于前沉积罩10的监测孔101,但是其并非位于前沉积罩10的监测孔101的开孔中心,对于传感器211来说,此为可接受位置。例如,图6中的传感器211部分区域被前沉积罩10遮挡,没有全部露出于前沉积罩10的监测孔101,即偏离前沉积罩10的监测孔101的区域;对于传感器211来说,此为不接受位置。
然而发明人进一步在实际生产中发现,传感器211有部分区域被前沉积罩10遮挡,特别是遮挡的区域相对来说不是很大时,传感器211没有完全位于前沉积罩10的监测孔101内也有信号传输感应,此时膜厚监测装置仍然处于运行状态,故而薄膜沉积工序继续进行,只能通过抽检产品后才能发生异常,再进行反查,这不仅造成了产品批量报废,还存在反查时间滞后及反查难度大的问题。
针对这一发现,发明人进一步对膜厚监测装置进行了研究,发现了当扭力弹簧的安装位点301固定时,扭力弹簧的接触扭臂的长度与接触保持区之间具有内在关联,如图7所示。
这里需要说明的是,一般地,由于晶振座220的尺寸较大,膜厚监测装置中的扭力弹簧的安装位点301不是运动轨迹C0的中心;且扭力弹簧的接触扭臂的端部超出了运动轨迹C0的边界,以保证接触扭臂能够与传感器211具有较大的接触保持区,以达到两者之间的良好地接触。
请参阅图7,其中,接触保持区是指若不考虑传感器211需露出于监测孔101的要求,在扭力弹簧的安装位点301固定的情况下,扭力弹簧与当前接触脚212接触,传感器211及接触脚212的中心随着晶振座220的转动轨迹为图7中的运动轨迹C0。
若信号传输件310为接触扭臂的长度为L1的扭力弹簧,则在更换传感器211的过程中扭力弹簧的接触扭臂的端部的转动轨迹为C1。C1与C0形成的阴影区域为此扭力弹簧对应的接触保持区S1。换言之,传感器211的中心沿着接触保持区S1中的运动轨迹C0上的运动过程中,均能够与扭力弹簧的接触扭臂保持接触,进而始终处于膜厚监测中。
此外,发明人进一步发现,在扭力弹簧的安装位点301固定的情况下,该接触保持区的大小和位置与扭力弹簧的接触扭臂的长度有关。
请继续参阅图7,例如,上述扭力弹簧的接触扭臂的端部的转动轨迹为C1,此时扭力弹簧的接触扭臂的长度为L1,此时扭力弹簧对应的接触保持区为S1。
例如当扭力弹簧的接触扭臂的长度为L2,且L2大于L1,此时在更换传感器211的过程中,扭力弹簧的接触扭臂的端部的转动轨迹为C2,且C2与C0形成的阴影区域为此扭力弹簧对应的接触保持区S2。S2的面积显然大于S1,且传感器211的中心沿着接触保持区S1和S2中的运动轨迹C0上的弧长不相同。
由此可见,扭力弹簧的接触扭臂的长度越大,接触保持区越大;反之,则接触保持区越小。
虽然传感器211的中心沿着接触保持区中的运动轨迹C0上的运动过程中,均能够与扭力弹簧的接触扭臂保持接触,但是这并不能保证传感器211在膜厚监测过程中能够始终处于全部露出于监测孔101的位置。例如,扭力弹簧的接触扭臂的长度较大时,传感器211将偏离监测孔101的区域,而传感器211依然能够与扭力弹簧的接触扭臂保持接触,将导致膜厚监测异常。
请参阅图8,基于此,本发明创造性地提出了通过改变扭力弹簧的接触扭臂的长度,进而控制接触保持区的位置,同时结合监测孔101的位置,实现防止传感器211偏位的效果。
具体地,通过改变扭力弹簧的接触扭臂的长度,使得传感器211一旦有部分区域偏离于监测孔101的区域,则切断传感器211与扭力弹簧的接触扭臂的接触,如此在传感器211与扭力弹簧的接触过程中传感器211被限制在监测孔101的区域。而由于一旦有部分区域偏离于监测孔101的区域,传感器211与扭力弹簧的接触扭臂的接触被切断,膜厚监测过程将被阻断,如此避免了产品批量报废的问题。此时可及时进行自检,避免了产品异常导致的反查时间延误的问题;或者切换新的传感器211继续进行监测,故而可以实现持续膜厚监测。具体地,膜厚监测装置还包括异常警报机构(图未示)。异常警报机构用于在当前传感器211的工作过程中扭力弹簧的接触扭臂与接触脚212的接触被切断时发出异常警报信号。例如当前传感器211设定的工作时间还未结束,然而扭力弹簧的接触扭臂与接触脚212的接触被切断,没有信号传输,此时则发出异常警报信号。
而在正常的切换传感器211的过程中传感器211与扭力弹簧的接触扭臂的接触被切断,则不会发出异常警报信号。
由此通过对膜厚监测装置设置异常警报机构自检,确认传感器211的异常位置,及时反馈调试,直至传感器211在与扭力弹簧的接触过程中完全处于监测孔101的区域。或者在膜厚监测过程将被阻断时,切换至下一传感器211,实现持续膜厚监测,从而保证了膜厚监测的准确性,也降低了产品膜厚异常批量报废的风险。
具体地,处于监测位置的传感器211,其外轮廓与监测孔101的内孔壁相切的位置为传感器211与信号传输件310的接触端311能够处于接触状态的极限位置。具体地,处于监测位置的传感器211具有两个极限位置,如图9所示的位置a1和位置a2。
在至少一个极限位置时,扭力弹簧的接触扭臂的端点与传感器211的中心重合。
也就是说,若以在极限位置时的传感器211的中心为极限点,则在至少一个极限位置时,信号传输件310的接触端311的端点与该极限位置对应的极限点重合,以使处于监测位置的传感器211朝该极限位置所在一侧部分转出监测孔101时接触端与接触脚212的接触状态被切断。
此时,信号传输件310的接触端311的端点的运动轨迹位于以信号传输件310的安装位点为圆心、以至少一个极限点为圆的圆弧上。如此一旦传感器211朝该圆弧上的极限点所在一侧部分旋转出监测孔101时,信号传输件310的接触端将不能与传感器211继续接触,进而切断信号传输件310与传感器211的信号连接,实现了防止传感器211偏位的效果。
请继续参阅图9,此外,由于极限位置有两个(位置a1和位置a2),因此上述极限点也有两个(传感器211位于位置a1和位置a2时的中心)。
若该两个极限点与扭力弹簧的安装位点301之间的距离不相等(即b1≠b2),则优选较短的距离为扭力弹簧的接触扭臂的长度。例如若b1<b2,则优选扭力弹簧的接触扭臂的长度为b1。
换言之,若距离较短的极限点为第一极限点,则在第一极限点对应的第一极限位置时,扭力弹簧的接触扭臂的端点与传感器211的中心(即第一极限点)重合。如此可以沿C0的两个方向上有效地防止传感器偏位,即如图9所示的左右两个方向偏离监测孔101的区域。即,信号传输件310的接触端的端点的运动轨迹位于以信号传输件310的安装位点301为圆心、以第一极限点为圆的圆弧上。如此传感器211沿着转动轨迹C0在该两个极限点之间的位置,均能够与信号传输件310的接触端311保持接触状态,这些位置均为上述的监测位置。
可理解,若b1<b2,此时将扭力弹簧的接触扭臂的长度设置为b2,则可以至少沿C0在一个方向上有效地防止传感器偏位,即防止传感器朝向a2所在位置一侧偏位。
在如图9所示的具体示例中,优选地,两个极限点与扭力弹簧的安装位点301之间的距离相等(即b1=b2),在该两个极限位置时,传感器211的中心(极限点)均能够与扭力弹簧的接触扭臂的端点重合。如此可以在沿C0在两个转动方向上均能使处于监测位置的传感器211朝该极限位置所在一侧一旦有部分转出监测孔101时,则接触端与接触脚212的接触状态被切断,进而有效地防止传感器偏位,即如图9所示的左右两个方向偏离监测孔101的区域。
即,信号传输件310的接触端311的端点的运动轨迹位于以信号传输件310的安装位点301为圆心、以两个极限点为圆的圆弧C3上。如此传感器211沿着转动轨迹C0在该两个极限点之间的位置,均能够与信号传输件310的接触端311保持接触状态,这些位置均为上述的监测位置。
由此,相比于传统的膜厚监测装置,扭力弹簧的接触扭臂的长度有所缩短,而缩短了扭力弹簧的接触扭臂的长度,缩小了接触保持区的区域,实现传感器211偏离较大时的接触失效。此外,由于扭力弹簧的接触扭臂的长度缩短,能够降低旋转驱动机构在气动驱动过程中扭力弹簧复位至下一传感器211对应的接触脚212时带来的冲击力,进而降低扭力弹簧断裂的风险,提高扭力弹簧的使用寿命。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备包括上述实施例中的膜厚监测装置。
薄膜沉积设备可包括化学气相沉积设备、物理气相沉积设备、溅射设备等等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种膜厚监测装置,其特征在于,包括:
前沉积罩,设有监测孔;
晶振座,设有安装孔位;
探头,包括设于所述安装孔位内的传感器及与所述传感器电连接的接触脚;所述传感器能够随所述晶振座相对所述前沉积罩转动至全部外露于所述监测孔的监测位置;及
信号传输件,具有一接触端,所述接触端具有与处于所述监测位置的所述传感器所连接的接触脚抵接的接触状态;
其中,处于所述监测位置的所述传感器具有与所述监测孔的内孔壁相切的两个极限位置;处于两个所述极限位置的所述传感器的中心所在位置为两个极限点;在至少一个所述极限位置,所述接触端的端点与该极限位置对应的所述极限点重合,以使处于所述监测位置的所述传感器朝该极限位置所在一侧部分转出所述监测孔时所述接触端与所述接触脚的接触状态被切断。
2.权利要求1所述的膜厚监测装置,其特征在于,两个所述极限点与所述信号传输件的安装位点之间的距离相等;
在两个所述极限位置,所述接触端的端点与各所述极限位置对应的所述极限点均重合。
3.权利要求1所述的膜厚监测装置,其特征在于,两个所述极限点与所述信号传输件的安装位点之间的距离不相等,其中距离较短的极限点为第一极限点,对应的极限位置为第一极限位置;
在所述第一极限位置,所述接触端的端点与所述第一极限点重合。
4.权利要求1或2所述的膜厚监测装置,其特征在于,所述信号传输件为扭力弹簧,所述信号传输件的接触端为接触扭臂,所述扭力弹簧通过所述接触扭臂与所述接触脚接触。
5.权利要求1或2所述的膜厚监测装置,其特征在于,所述扭力弹簧的接触扭臂的复位方向与所述晶振座的转动方向相反。
6.权利要求1或2所述的膜厚监测装置,其特征在于,还包括异常警报机构,所述异常警报机构用于在当前传感器的工作过程中所述信号传输件的所述接触端与所述接触脚的接触状态被切断时发出异常警报信号。
7.权利要求1或2所述的膜厚监测装置,其特征在于,所述膜厚监测装置还包括旋转驱动机构,所述旋转驱动机构用于驱动所述晶振座相对所述前沉积罩转动。
8.权利要求7所述的膜厚监测装置,其特征在于,所述旋转驱动机构为气动式驱动机构。
9.权利要求1或2所述的膜厚监测装置,其特征在于,所述传感器为晶振片。
10.一种薄膜沉积设备,其特征在于,包括权利要求1~9任一项所述的膜厚监测装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910752592.5A CN110306165B (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 膜厚监测装置及薄膜沉积设备 |
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CN110306165B CN110306165B (zh) | 2021-01-22 |
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Country Status (1)
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